CN110164795A - 湿法处理装置及晶圆湿法处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，湿法处理装置包括：晶圆承载台，用于承载晶圆；喷嘴，位于晶圆承载台的一侧上方，用于向晶圆的表面喷射处理液；驱动装置，与喷嘴相连接，用于驱动喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心。本发明的湿法处理装置通过增设驱动装置，可以根据喷嘴喷射处理液的流量调整喷嘴距离晶圆的中心的距离，可以在任意处理液流量的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。

Description

湿法处理装置及晶圆湿法处理方法
技术领域
本发明属于微电子机械系统技术领域，特别是涉及一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法。
背景技术
在晶圆制造的湿法工艺中，单片式清洗设备由于其优异的清洗效果得到广泛应用，晶圆在晶圆承载台的带动下旋转，当药液(包括化学液或去离子水)喷射至在高速旋转的晶圆表面后，在离心力的作用下药液和杂质一起被甩离晶圆表面，达到清洗或刻蚀晶圆表面的目的。
在现有的湿法制程中，对于药液流量的使用和控制有既定的严格标准，但目前半导体工艺仍处于不断发展和完善的过程中，以单片多晶硅片清洗机为了，其配置的去离子水喷嘴的位置固定，按照既定的流量(即既定的流速)可以使得去离子水准确喷射在晶圆的中心以达到最为理想的杂质清洗效果。然而，若制程需求不同的流速大小时，则此位置固定的去离子水喷嘴喷射到晶圆表面的去离子水的位置会发生偏移，即去离子水喷嘴喷射的去离子水无法准确喷射到晶圆的中心。
由于晶圆处于旋转状态，随着自晶圆的中心向外半径的增大，离心力随之增大，只有当喷嘴将药液喷射到晶圆的中心时才能达到最佳的清洗或刻蚀效果；若药液喷射到晶圆表面的位置偏离晶圆的中心，则会降低药液清洗或刻蚀的均匀性，会造成杂质的残留及刻蚀不均，从而影响清洗或刻蚀的效果，进而影响产品的良率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，用于解决现有技术中的湿法处理设备中的药液喷嘴相较于位于晶圆承载台表面的晶圆中心的位置固定无法调节，无法满足不同制程工艺中向晶圆的中心喷射药液的要求，当药液的流量发生变化时药液喷射到晶圆表面的位置会偏离晶圆的中心，从而降低药液清洗或刻蚀的均匀性，造成造成杂质的残留及刻蚀不均，影响清洗或刻蚀的效果，进而影响产品的良率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种湿法处理装置，所述湿法处理装置包括：
晶圆承载台，用于承载晶圆；
喷嘴，位于所述晶圆承载台的一侧上方，用于向所述晶圆的表面喷射处理液；
驱动装置，与所述喷嘴相连接，用于驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保所述喷嘴将所述处理液喷射至所述晶圆的中心。
可选地，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台，所述喷嘴设置于所述喷嘴固定台上，所述驱动装置与所述喷嘴固定台相连接。
可选地，所述喷嘴包括去离子水喷嘴及化学液喷嘴中的至少一者。
可选地，所述湿法处理装置还包括：
基座，位于所述晶圆承载台的下方，用于设置所述晶圆承载台；
若干个定位销，位于所述晶圆承载台的边缘，且沿所述晶圆承载台的周向间隔排布；所述定位销用于固定所述晶圆；
旋转驱动装置，与所述晶圆承载台相连接，用于驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆旋转。
可选地，所述喷嘴与供液管路相连接，所述湿法处理装置还包括流量计，所述流量计设置于所述供液管路上，用于侦测所述喷嘴喷射的所述处理液的流速。
可选地，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿竖直方向运动，所述驱动装置包括：
丝杠，竖直设置于所述晶圆承载台的一侧；
滑块，套置于所述丝杠上；所述喷嘴固定于所述滑块上；
驱动马达，与所述丝杠相连接，用于驱动所述滑块沿所述丝杠竖直运动。
可选地，所述驱动装置还包括：
联轴器，位于所述丝杠与所述驱动马达之间；
动力线，与所述驱动马达相连接；
转速监测器，与所述驱动马达相连接。
可选地，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿水平方向运动，所述驱动装置包括：
丝杠，水平设置于所述晶圆承载台的一侧；
滑块，套置于所述丝杠上；所述喷嘴固定于所述滑块上；
驱动马达，与所述丝杠相连接，用于驱动所述滑块沿所述丝杠水平运动。
可选地，所述驱动装置还包括：
联轴器，位于所述丝杠与所述驱动马达之间；
动力线，与所述驱动马达相连接；
转速监测器，与所述驱动马达相连接。
可选地，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向运动，所述驱动装置包括：
第一丝杠，水平设置于所述晶圆承载台的一侧；
第一滑块，套置于所述第一丝杠上；所述喷嘴固定于所述第一滑块上；
第一驱动马达，与所述第一丝杠相连接，用于驱动所述第一滑块沿所述第一丝杠水平运动；
第二丝杠，竖直设置于所述晶圆承载台设置有所述第一丝杠的一侧；
第二滑块，套置于所述第二丝杠上；所述第一丝杠一端设置于所述第二滑块上，且所述第一驱动马达设置于所述第二滑块上；
第二驱动马达，设置于所述第二滑块上，且与所述第二丝杠相连接，所述第二驱动马达用于驱动所述第二滑块沿所述第二丝杠竖直运动，以带动所述喷嘴竖直运动。
可选地，所述驱动装置还包括：
第一联轴器，位于所述第一丝杠与所述第一驱动马达之间；
第一动力线，与所述第一驱动马达相连接；
第一转速监测器，与所述第一驱动马达相连接；
第二联轴器，位于所述第二丝杠与所述第二驱动马达之间；
第二动力线，与所述第二驱动马达相连接；
第二转速监测器，与所述第二驱动马达相连接。
本发明还提供一种晶圆湿法处理方法，所述晶圆湿法处理方法包括如下步骤：
依据喷嘴喷射的处理液的流速调整所述喷嘴与晶圆的中心的距离，以确保所述喷嘴将所述处理液喷设至所述晶圆的中心；
使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
可选地，所述晶圆旋转时使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
可选地，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离。
可选地，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离。
可选地，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离及所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离。
可选地，所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离、所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离及所述喷嘴喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离，y为所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离，v0为所述喷嘴喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。
如上所述，本发明的湿法处理装置及晶圆湿法处理方法具有以下有益效果：
本发明的湿法处理装置通过增设驱动装置，可以根据喷嘴喷射处理液的流量调整喷嘴距离晶圆的中心的距离，可以在任意处理液流量的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率；
本发明的晶圆湿法处理方法在喷嘴向晶圆喷射药液时根据喷嘴喷射的处理液的流速调整喷嘴与晶圆的中心的距离，可以在处理液在任意流速的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中提供的湿法处理装置的结构示意图。
图2显示为本发明实施例二中提供的湿法处理装置的结构示意图。
图3显示为本发明实施例三中提供的湿法处理装置的结构示意图。
图4显示为本发明实施例四中提供的湿法处理装置的结构示意图。
元件标号说明
10 晶圆承载台
11 晶圆
111 晶圆的中心
12 喷嘴
121 去离子水喷嘴
122 化学液喷嘴
13 驱动装置
131 丝杠
132 滑块
133 驱动马达
134 联轴器
135 驱动线
136 转速监测器
137 第一丝杠
138 第一滑块
139 第一驱动马达
1310 第一联轴器
1311 第一动力线
1312 第一转速监测器
1313 第二丝杠
1314 第二滑块
1315 第二驱动马达
1316 第二联轴器
1317 第二动力线
1318 第二转速监测器
14 基座
15 定位销
16 喷嘴固定台
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
请参阅图1至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
实施例一
请参阅图1，本发明提供一种湿法处理装置，所述湿法处理装置包括：晶圆承载台10，所述晶圆承载台10用于承载晶圆11；喷嘴12，所述喷嘴12位于所述晶圆承载台10的一侧上方，所述喷嘴12用于向所述晶圆11的表面喷射处理液；驱动装置13，所述驱动装置13与所述喷嘴12相连接，所述驱动装置13用于驱动所述喷嘴12沿竖直方向移动，以确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111。
作为示例，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台16，所述喷嘴12设置于所述喷嘴固定台16上，所述驱动装置13与所述喷嘴固定台16相连接。
作为示例，所述喷嘴12可以包括去离子水(DIW)喷嘴121或化学液喷嘴122中的至少一者；即所述喷嘴12可以仅包括所述去离子水喷嘴121，也可以仅包括所述化学液喷嘴122，还可以同时包括所述去离子水喷嘴121及所述化学液喷嘴122。
作为示例，所述喷嘴12的数量可以根据实际需要进行设定，此处不做限定。需要说明的是，当所述喷嘴12的数量为多个时，多个所述喷嘴12在所述晶圆11所在平面的正投影距离所述晶圆11的中心的距离均相同。
作为示例，所述湿法处理装置还可以包括：基座14，所述基座14位于所述晶圆承载台10的下方，所述基座14用于设置所述晶圆承载台10，即所述晶圆承载台10设置于所述基座14上；若干个定位销15，若干个所述定位销15位于所述晶圆承载台10的边缘，且若干个所述定位销15沿所述晶圆承载台10的周向间隔排布；所述定位销15用于固定位于所述晶圆承载台10上的所述晶11，以防止所述晶圆11偏离所述晶圆承载台10；旋转驱动装置(未示出)，所述旋转驱动装置与所述晶圆承载台10相连接，所述旋转驱动装置用于驱动所述晶圆承载台10带动所述晶圆11旋转；具体的，所述旋转驱动装置可以包括但不仅限于驱动马达等等。
作为示例，所述喷嘴12与供液管路(未示出)相连接，所述湿法处理装置还包括流量计(未示出)，所述流量计设置于所述供液管路上，所述流量计用于侦测所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速。需要说明的是，所述流量计可以直接侦测所述供液管路内所述处理液的流速；所述流量计也可以侦测所述供液管路内所述处理液的流量，由于所述供液管路的管径固定，即所述供液管路的截面积固定，此时，侦测到的所述处理液的流量除以所述供液管路的截面面积即为所述处理液的流速。
作为示例，所述驱动装置13可以包括：丝杠131，所述丝杠131竖直设置于所述晶圆承载台10的一侧，即所述丝杠131的长度方向与所述晶圆承载台10的表面相垂直；滑块132，所述滑块132套置于所述丝杠131上，所述滑块132可沿所述丝杠131上下移动；所述喷嘴12固定于所述滑块132上，具体的，所述喷嘴固定台16固定于所述滑块132上；驱动马达133，所述驱动马达133与所述丝杠131相连接，所述驱动马达133用于驱动所述滑块132沿所述丝杠131竖直运动，具体的，所述驱动马达133用于驱动所述丝杠131旋转，从而使得所述滑块132沿所述丝杠131上下运动，以调节所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离。
作为示例，所述驱动装置13还包括：联轴器134，所述联轴器134位于所述丝杠131与所述驱动马达133之间；动力线135，所述动力线135与所述驱动马达133相连接；所述动力线135用于为所述驱动马达133提供驱动力；转速监测器136，所述转速监测器136与所述驱动马达133相连接；所述转速监测器136用于监测所述驱动马达133的转速。
本实施例中所述的湿法处理装置的工作原理如下：本实施例中所述的湿法处理装置中的所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离x恒定，对于不同流量的处理液，仅通过调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的竖直距离y来调整所喷嘴12喷射的处理液喷射至所述晶圆11表面的位置；具体的，当所述喷嘴12(譬如，图1中的所述去离子水喷嘴121)向所述晶圆11的表面喷射处理液时，在初始状态，所述喷嘴12喷射所述处理液为某一流量值时所述处理液准确地喷射至所述晶圆11的中心111(图1中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的中间一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；当根据工艺的需要需要调整所述处理液的流量时，若此时所述喷嘴12相较于所述晶圆11的中心111的竖直距离y不变，若所述处理液的流量变大，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111远离所述喷嘴12的一侧(图1中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的最左侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；若所述处理液的流量变小，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111临近所述喷嘴12的一侧(图1中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中最右侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)。在所述喷嘴12喷射的所述处理液的流量相较于初始状态发生变化时，需要依据所述处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离y；若所述处理液的流量相较于初始状态变大时，则使用所述驱动装置13驱动所述滑块132带动所述喷嘴12向下运动，以调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y；若所述处理液的流量相较于初始状态变小时，则使用所述驱动装置13驱动所述滑块132带动所述喷嘴12向上运动，以调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y。调整后，所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x、所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y及所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离，y为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离，v0为所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。需要说明的是，在已知晓所述处理液的流量的前提下，由于所述供液管路的截面面积固定，假设所述处理液的流量为V，所述供液管路的截面面积为S，则所述处理液的流速v0满足如下关系式：
本发明所述的湿法处理装置通过增设所述驱动装置13，可以根据所述喷嘴12喷射处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离，可以在任意处理液流量的情况下确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111，从而确保所述处理液对所述晶圆11的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
实施例二
请参阅图2，本发明还提供一种湿法处理装置，所述湿法处理装置包括：所述湿法处理装置包括：晶圆承载台10，所述晶圆承载台10用于承载晶圆11；喷嘴12，所述喷嘴12位于所述晶圆承载台10的一侧上方，所述喷嘴12用于向所述晶圆11的表面喷射处理液；驱动装置13，所述驱动装置13与所述喷嘴12相连接，所述驱动装置13用于驱动所述喷嘴12沿水平方向移动，以确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111。
作为示例，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台16，所述喷嘴12设置于所述喷嘴固定台16上，所述驱动装置13与所述喷嘴固定台16相连接。
作为示例，所述喷嘴12可以包括去离子水(DIW)喷嘴121或化学液喷嘴122中的至少一者；即所述喷嘴12可以仅包括所述去离子水喷嘴121，也可以仅包括所述化学液喷嘴122，还可以同时包括所述去离子水喷嘴121及所述化学液喷嘴122。
作为示例，所述喷嘴12的数量可以根据实际需要进行设定，此处不做限定。需要说明的是，当所述喷嘴12的数量为多个时，多个所述喷嘴12在所述晶圆11所在平面的正投影距离所述晶圆11的中心的距离均相同。
作为示例，所述湿法处理装置还可以包括：基座14，所述基座14位于所述晶圆承载台10的下方，所述基座14用于设置所述晶圆承载台10，即所述晶圆承载台10设置于所述基座14上；若干个定位销15，若干个所述定位销15位于所述晶圆承载台10的边缘，且若干个所述定位销15沿所述晶圆承载台10的周向间隔排布；所述定位销15用于固定位于所述晶圆承载台10上的所述晶11，以防止所述晶圆11偏离所述晶圆承载台10；旋转驱动装置(未示出)，所述旋转驱动装置与所述晶圆承载台10相连接，所述旋转驱动装置用于驱动所述晶圆承载台10带动所述晶圆11旋转；具体的，所述旋转驱动装置可以包括但不仅限于驱动马达等等。
作为示例，所述喷嘴12与供液管路(未示出)相连接，所述湿法处理装置还包括流量计(未示出)，所述流量计设置于所述供液管路上，所述流量计用于侦测所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速。需要说明的是，所述流量计可以直接侦测所述供液管路内所述处理液的流速；所述流量计也可以侦测所述供液管路内所述处理液的流量，由于所述供液管路的管径固定，即所述供液管路的截面积固定，此时，侦测到的所述处理液的流量除以所述供液管路的截面面积即为所述处理液的流速。
作为示例，所述驱动装置13可以包括：丝杠131，所述丝杠131水平设置于所述晶圆承载台10的一侧，即所述丝杠131的长度方向与所述晶圆承载台10的表面相平行；滑块132，所述滑块132套置于所述丝杠131上，所述滑块132可沿所述丝杠131左右移动；所述喷嘴12固定于所述滑块132上，具体的，所述喷嘴固定台16固定于所述滑块132上；驱动马达133，所述驱动马达133与所述丝杠131相连接，所述驱动马达133用于驱动所述滑块132沿所述丝杠131水平运动，具体的，所述驱动马达133用于驱动所述丝杠131旋转，从而使得所述滑块132沿所述丝杠131左右水平运动，以调节所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离。
作为示例，所述驱动装置13还包括：联轴器134，所述联轴器134位于所述丝杠131与所述驱动马达133之间；动力线135，所述动力线135与所述驱动马达133相连接；所述动力线135用于为所述驱动马达133提供驱动力；转速监测器136，所述转速监测器136与所述驱动马达133相连接；所述转速监测器136用于监测所述驱动马达133的转速。
本实施例中所述的湿法处理装置的工作原理如下：本实施例中所述的湿法处理装置中的所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离y恒定，对于不同流量的处理液，仅通过调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的水平距离x来调整所喷嘴12喷射的处理液喷射至所述晶圆11表面的位置；具体的，当所述喷嘴12(譬如，图2中的所述去离子水喷嘴121)向所述晶圆11的表面喷射处理液时，在初始状态，所述喷嘴12喷射所述处理液为某一流量值时所述处理液准确地喷射至所述晶圆11的中心111(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的中间一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；当根据工艺的需要需要调整所述处理液的流量时，若此时所述喷嘴12相较于所述晶圆11的中心111的水平距离x不变，若所述处理液的流量变大，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111远离所述喷嘴12的一侧(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的最左侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；若所述处理液的流量变小，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111临近所述喷嘴12的一侧(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中最右侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)。在所述喷嘴12喷射的所述处理液的流量相较于初始状态发生变化时，需要依据所述处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离x；若所述处理液的流量相较于初始状态变大时，则使用所述驱动装置13驱动所述滑块132带动所述喷嘴12向右运动，以调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x；若所述处理液的流量相较于初始状态变小时，则使用所述驱动装置13驱动所述滑块132带动所述喷嘴12向左运动，以调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x。调整后，所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x、所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x及所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离，y为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离，v0为所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。需要说明的是，在已知晓所述处理液的流量的前提下，由于所述供液管路的截面面积固定，假设所述处理液的流量为V，所述供液管路的截面面积为S，则所述处理液的流速v0满足如下关系式：
本发明所述的湿法处理装置通过增设所述驱动装置13，可以根据所述喷嘴12喷射处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离，可以在任意处理液流量的情况下确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111，从而确保所述处理液对所述晶圆11的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
实施例三
请参阅图3，本发明还提供一种湿法处理装置，所述湿法处理装置包括：晶圆承载台10，所述晶圆承载台10用于承载晶圆11；喷嘴12，所述喷嘴12位于所述晶圆承载台10的一侧上方，所述喷嘴12用于向所述晶圆11的表面喷射处理液；驱动装置13，所述驱动装置13与所述喷嘴12相连接，所述驱动装置13用于驱动所述喷嘴12沿竖直方向及水平方向，以确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111。
作为示例，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台16，所述喷嘴12设置于所述喷嘴固定台16上，所述驱动装置13与所述喷嘴固定台16相连接。
作为示例，所述喷嘴12可以包括去离子水(DIW)喷嘴121或化学液喷嘴122中的至少一者；即所述喷嘴12可以仅包括所述去离子水喷嘴121，也可以仅包括所述化学液喷嘴122，还可以同时包括所述去离子水喷嘴121及所述化学液喷嘴122。
作为示例，所述喷嘴12的数量可以根据实际需要进行设定，此处不做限定。需要说明的是，当所述喷嘴12的数量为多个时，多个所述喷嘴12在所述晶圆11所在平面的正投影距离所述晶圆11的中心的距离均相同。
作为示例，所述湿法处理装置还可以包括：基座14，所述基座14位于所述晶圆承载台10的下方，所述基座14用于设置所述晶圆承载台10，即所述晶圆承载台10设置于所述基座14上；若干个定位销15，若干个所述定位销15位于所述晶圆承载台10的边缘，且若干个所述定位销15沿所述晶圆承载台10的周向间隔排布；所述定位销15用于固定位于所述晶圆承载台10上的所述晶11，以防止所述晶圆11偏离所述晶圆承载台10；旋转驱动装置(未示出)，所述旋转驱动装置与所述晶圆承载台10相连接，所述旋转驱动装置用于驱动所述晶圆承载台10带动所述晶圆11旋转；具体的，所述旋转驱动装置可以包括但不仅限于驱动马达等等。
作为示例，所述喷嘴12与供液管路(未示出)相连接，所述湿法处理装置还包括流量计(未示出)，所述流量计设置于所述供液管路上，所述流量计用于侦测所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速。需要说明的是，所述流量计可以直接侦测所述供液管路内所述处理液的流速；所述流量计也可以侦测所述供液管路内所述处理液的流量，由于所述供液管路的管径固定，即所述供液管路的截面积固定，此时，侦测到的所述处理液的流量除以所述供液管路的截面面积即为所述处理液的流速。
作为示例，所述驱动装置13可以包括：第一丝杠137，所述第一丝杠137水平设置于所述晶圆承载台10的一侧，即所述第一丝杠137的长度方向与所述晶圆承载台10的表面相平行；第一滑块138，所述第一滑块138套置于所述第一丝杠137上，所述第一滑块138可沿所述第一丝杠137水平左右移动；所述喷嘴12固定于所述第一滑块138上，具体的，所述喷嘴固定台16固定于所述第一滑块138上；第一驱动马达139，所述第一驱动马达139与所述第一丝杠137相连接，所述第一驱动马达139用于驱动所述第一滑块138沿所述第一丝杠137水平运动，具体的，所述第一驱动马达139用于驱动所述第一丝杠137旋转，从而使得所述第一滑块138沿所述第一丝杠137左右水平移动；第二丝杠1313，所述第二丝杠1313竖直设置于所述晶圆承载台10设置有所述第一丝杠1313的一侧，即所述第二丝杠1313的长度方向与所述晶圆承载台10的表面相垂直；第二滑块1314，所述第二滑块1314套置于所述第二丝杠1313上，所述第二滑块1314可沿所述第二丝杠1313竖直上下运动；所述第一丝杠137一端设置于所述第二滑块1314上，且所述第一驱动马达139设置于所述第二滑块1314上；所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313竖直上下运动时，带动所述第一丝杠137、所述第一滑块138、所述喷嘴固定台16及所述第二喷嘴12一起竖直上下运动；第二驱动马达1315，所述第二驱动马达1315设置于所述第二滑块1314上，且所述第二驱动马达1315与所述第二丝杠1313相连接，所述第二驱动马达1315用于驱动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313竖直运动，以带动所述喷嘴12竖直运动，具体的，所述第二驱动马达1315驱动所述第二丝杠1313旋转以带动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313竖直上线运动。
作为示例，所述驱动装置13还可以包括：第一联轴器1310，所述第一联轴器1310位于所述第一丝杠137与所述第一驱动马达139之间；第一动力线1311，所述第一动力线1311与所述第一驱动马达139相连接，所述第一动力线1311用于为所述第一驱动马达139提供驱动力；第一转速监测器1312，所述第一转速监测器1312与所述第一驱动马达139相连接，所述第一转速监测器1312用于监测所述第一驱动马达139的转速；第二联轴器1316，所述第二联轴器1316位于所述第二丝杠1313与所述第二驱动马达1315之间；第二动力线1317，所述第二动力线1317与所述第二驱动马达1315相连接，所述第二动力线1317用于向所述第二驱动马达1315提供驱动力；第二转速监测器1318，所述第二转速监测器1318与所述第二驱动马达1315相连接，所述第二转速监测器1318用于监测所述第二驱动马达1315的转速。
本实施例中所述的湿法处理装置的工作原理如下：本实施例中所述的湿法处理装置中的所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离x及所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离y均可以调整，对于不同流量的处理液，通过调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离x及所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离y二者中的至少一者来调整所述喷嘴12喷射到处理液喷射至所述晶圆11表面的距离；具体的，当所述喷嘴12(譬如，图2中的所述去离子水喷嘴121)向所述晶圆11的表面喷射处理液时，在初始状态，所述喷嘴12喷射所述处理液为某一流量值时所述处理液准确地喷射至所述晶圆11的中心111(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的中间一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；当根据工艺的需要需要调整所述处理液的流量时，若此时所述喷嘴12相较于所述晶圆11的中心111的水平距离x不变，若所述处理液的流量变大，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111远离所述喷嘴12的一侧(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中的最左侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)；若所述处理液的流量变小，则所述处理液会喷射至所述晶圆11的中心111临近所述喷嘴12的一侧(图2中三条指向所述晶圆10的表面的虚线中最右侧的一条虚线即为此时所述处理液的喷射路径)。在所述喷嘴12喷射的所述处理液的流量相较于初始状态发生变化时，需要依据所述处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离x及所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离y二者中的至少一者。若所述处理液的流量相较于初始状态变大时，在一示例中，可以使用所述第一驱动马达139驱动所述第一滑块138沿所述第一丝杠137向右运动，以带动所述喷嘴12向右运动，从而调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x；在另一示例中，可以使用所述第二驱动马达1315驱动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313向下运动，以调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y；在又一示例中，可以使用所述第一驱动马达139驱动所述第一滑块138沿所述第一丝杠137向右运动，以带动所述喷嘴12向右运动，从而调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x，并使用所述第二驱动马达1315驱动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313向下运动，以带动所述喷嘴12向下运动，从而调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y。若所述处理液的流量相较于初始状态变小时，在一示例中，可以使用所述第一驱动马达139驱动所述第一滑块138沿所述第一丝杠137向左运动，以带动所述喷嘴12向左运动，从而调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x；在另一示例中，可以使用所述第二驱动马达1315驱动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313向上运动，以带动所述喷嘴12向上运动，从而调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y；在又一示例中，可以使用所述第一驱动马达139驱动所述第一滑块138沿所述第一丝杠137向左运动，以带动所述喷嘴12向左运动，从而调小所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x，并使用所述第二驱动马达1315驱动所述第二滑块1314沿所述第二丝杠1313向上运动，以带动所述喷嘴12向上运动，从而调大所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离y。调整后，所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x、所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离x及所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的水平距离，y为所述喷嘴12与所述晶圆11的中心111的竖直距离，v0为所述喷嘴12喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。需要说明的是，在已知晓所述处理液的流量的前提下，由于所述供液管路的截面面积固定，假设所述处理液的流量为V，所述供液管路的截面面积为S，则所述处理液的流速v0满足如下关系式：
本发明所述的湿法处理装置通过增设所述驱动装置13，可以根据所述喷嘴12喷射处理液的流量调整所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的水平距离及所述喷嘴12距离所述晶圆11的中心111的竖直距离，可以在任意处理液流量的情况下确保所述喷嘴12将所述处理液喷射至所述晶圆11的中心111，从而确保所述处理液对所述晶圆11的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
实施例四
请参阅图4，本发明还提供一种晶圆湿法处理方法，所述晶圆湿法处理方法包括如下步骤：
1)依据喷嘴喷射的处理液的流速调整所述喷嘴与晶圆的中心的距离，以确保所述喷嘴将所述处理液喷设至所述晶圆的中心；
2)使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
作为示例，在使用所述喷嘴向所述晶圆喷射所述处理液时，所述晶圆处于旋转状态；即所述晶圆旋转时使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
在一示例中，可以基于如实施例一所述湿法处理装置执行所述晶圆湿法处理方法，此时，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离。具体的，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变小时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离调大，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变大时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离调小；更具体的，调整过程中，所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离、所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离及所述喷嘴喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离，y为所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离，v0为所述喷嘴喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。
在另一示例中，可以基于如实施例二中所述的湿法处理装置执行所述晶圆湿法处理方法，此时，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离。具体的，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变小时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离调小，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变大时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离调大；更具体的，调整过程中，所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离、所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离及所述喷嘴喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离，y为所述喷嘴与所述晶圆的中心111的竖直距离，v0为所述喷嘴喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。
在又一示例中，可以基于实施例三中所述的湿法处理装置执行所述晶圆湿法处理方法，此时，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离及所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离均可调节，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离及所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离。具体的，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变小时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离调小，并将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离调大，当所述喷嘴喷射的所述处理液的流速变大时，将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离调大，并将所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离调小；更具体的，调整过程中，所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离、所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离及所述喷嘴喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离，y为所述喷嘴与所述晶圆的中心111的竖直距离，v0为所述喷嘴喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。
本发明的晶圆湿法处理方法在喷嘴向晶圆喷射药液时根据喷嘴喷射的处理液的流速调整喷嘴与晶圆的中心的距离，可以在处理液在任意流速的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
综上所述，本发明提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，所述湿法处理装置包括：晶圆承载台，用于承载晶圆；喷嘴，位于所述晶圆承载台的一侧上方，用于向所述晶圆的表面喷射处理液；驱动装置，与所述喷嘴相连接，用于驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保所述喷嘴将所述处理液喷射至所述晶圆的中心。本发明的湿法处理装置通过增设驱动装置，可以根据喷嘴喷射处理液的流量调整喷嘴距离晶圆的中心的距离，可以在任意处理液流量的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率；本发明的晶圆湿法处理方法在喷嘴向晶圆喷射药液时根据喷嘴喷射的处理液的流速调整喷嘴与晶圆的中心的距离，可以在处理液在任意流速的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (17)

1.一种湿法处理装置，其特征在于，包括：
晶圆承载台，用于承载晶圆；
喷嘴，位于所述晶圆承载台的一侧上方，用于向所述晶圆的表面喷射处理液；
驱动装置，与所述喷嘴相连接，用于驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保所述喷嘴将所述处理液喷射至所述晶圆的中心。
2.根据权利要求1所述的湿法处理装置，其特征在于，所述湿法处理装置还包括喷嘴固定台，所述喷嘴设置于所述喷嘴固定台上，所述驱动装置与所述喷嘴固定台相连接。
3.根据权利要求1所述的湿法处理装置，其特征在于，所述喷嘴包括去离子水喷嘴及化学液喷嘴中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的湿法处理装置，其特征在于，所述湿法处理装置还包括：
基座，位于所述晶圆承载台的下方，用于设置所述晶圆承载台；
若干个定位销，位于所述晶圆承载台的边缘，且沿所述晶圆承载台的周向间隔排布；
所述定位销用于固定所述晶圆；
旋转驱动装置，与所述晶圆承载台相连接，用于驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆旋转。
5.根据权利要求1所述的湿法处理装置，其特征在于，所述喷嘴与供液管路相连接，所述湿法处理装置还包括流量计，所述流量计设置于所述供液管路上，用于侦测所述喷嘴喷射的所述处理液的流速。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿竖直方向运动，所述驱动装置包括：
丝杠，竖直设置于所述晶圆承载台的一侧；
滑块，套置于所述丝杠上；所述喷嘴固定于所述滑块上；
驱动马达，与所述丝杠相连接，用于驱动所述滑块沿所述丝杠竖直运动。
7.根据权利要求6所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置还包括：
联轴器，位于所述丝杠与所述驱动马达之间；
动力线，与所述驱动马达相连接；
转速监测器，与所述驱动马达相连接。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿水平方向运动，所述驱动装置包括：
丝杠，水平设置于所述晶圆承载台的一侧；
滑块，套置于所述丝杠上；所述喷嘴固定于所述滑块上；
驱动马达，与所述丝杠相连接，用于驱动所述滑块沿所述丝杠水平运动。
9.根据权利要求8所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置还包括：
联轴器，位于所述丝杠与所述驱动马达之间；
动力线，与所述驱动马达相连接；
转速监测器，与所述驱动马达相连接。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向运动，所述驱动装置包括：
第一丝杠，水平设置于所述晶圆承载台的一侧；
第一滑块，套置于所述第一丝杠上；所述喷嘴固定于所述第一滑块上；
第一驱动马达，与所述第一丝杠相连接，用于驱动所述第一滑块沿所述第一丝杠水平运动；
第二丝杠，竖直设置于所述晶圆承载台设置有所述第一丝杠的一侧；
第二滑块，套置于所述第二丝杠上；所述第一丝杠一端设置于所述第二滑块上，且所述第一驱动马达设置于所述第二滑块上；
第二驱动马达，设置于所述第二滑块上，且与所述第二丝杠相连接，所述第二驱动马达用于驱动所述第二滑块沿所述第二丝杠竖直运动，以带动所述喷嘴竖直运动。
11.根据权利要求10所述的湿法处理装置，其特征在于，所述驱动装置还包括：
第一联轴器，位于所述第一丝杠与所述第一驱动马达之间；
第一动力线，与所述第一驱动马达相连接；
第一转速监测器，与所述第一驱动马达相连接；
第二联轴器，位于所述第二丝杠与所述第二驱动马达之间；
第二动力线，与所述第二驱动马达相连接；
第二转速监测器，与所述第二驱动马达相连接。
12.一种晶圆湿法处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
依据喷嘴喷射的处理液的流速调整所述喷嘴与晶圆的中心的距离，以确保所述喷嘴将所述处理液喷设至所述晶圆的中心；
使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
13.根据权利要求12所述的晶圆湿法处理方法，其特征在于，所述晶圆旋转时使用所述喷嘴向所述晶圆的中心喷射所述处理液。
14.根据权利要求12所述的晶圆湿法处理方法，其特征在于，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的水平距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离。
15.根据权利要求12所述的晶圆湿法处理方法，其特征在于，所述喷嘴距离所述晶圆的中心的竖直距离恒定，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离。
16.根据权利要求12所述的晶圆湿法处理方法，其特征在于，依据所述喷嘴喷射的所述处理液的流速调整所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离及所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的晶圆湿法处理方法，其特征在于，所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离、所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离及所述喷嘴喷射的所述处理液的流速满足如下关系式：
其中，x为所述喷嘴与所述晶圆的中心的水平距离，y为所述喷嘴与所述晶圆的中心的竖直距离，v0为所述喷嘴喷射的所述处理液的流速，g为重力加速度。
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