CN1666343A - 集成电容器装置,尤其是集成栅极电容器组 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种集成电容器装置，尤其是集成栅极电容器组。本发明提供电容器装置组的解释，其各具有一具电路系统效益的主要电容器(12)以及一可连接校正电容器(16)。而该连接会使得该电容器装置(10)的电容可以被校正。

Description

集成电容器装置，尤其是集成栅极电容器组

技术领域

本发明系相关于一种集成电容器装置，包含至少一具电路系统效益(circuitry-effective)的主要电容器。

背景技术

根据一集成装置，个别的构件系无法在不被毁损的情形下机械地彼此分开，尤其是，层施加方法以及层图案化方法乃被使用作为集成装置的制造技术。

一电容器系包含两个彼此相对的电极，以及一配置于其间的介电质，而集成电容器组的例子系为：

-所谓的MIM电容器组(金属绝缘体金属(metal insulator metal))；

-堆栈电容器组，亦被称之为三明治式电容器组；或

-栅极电容器组。

若是一电容不仅为寄生，亦即，实际上不需要，且在电路装置运作时为必须的话，则其乃具有电路系统效益(circuitry-effective)，举例而言，具电路系统效益的电容系适用作为：

-阻塞(blocking)、或备份(backup)电容器；

-一谐振电路的部分；

-充电电容器；或

-用于储存数字信息。

在制造集成形式之所谓的BEOL(Back End of Line(后端线))电容、或是一远BEOL(far BEOL)电容时，在电容数值上会产生相当多的变化，而该变化则是源自于因为制程的不同质所造成的几何误差，并且，该等变化系会发生在一半导体晶圆的范围内、一生产批次的范围内、以及还有发生在不同生产批次之间，所以，若是一电容器的该电容数值落在预先决定之规格限制之外时，则所造成的结果即会是所谓的效能损失、或者甚至是相对应集成电路的产量损失。

发明内容

本发明的一目的即在于载明一能简单制造的电容器装置组，且其电容乃会尽可能的靠近一预先决定的所需电容，特别地是，载明一栅极电容器组的意图。

此目的系藉由具有在权利要求1中所载明之特征的一电容器装置组而加以达成，至于更进一步的发展则是载明于附属权利要求之中。

根据本发明的该电容器装置组系包括至少二集成电容器装置，其乃是依照相同的几何设计而加以产生，且其各系包含一具电路系统效应的主要电容器以及至少一校正电容器，其中，一电容器装置系会包含一电传导连接，位在该校正电容器以及该主要电容器之间，且该连接乃是在此电容器装置的该主要电容器被产生之后才加以产生，以及另一电容器系会包括一电绝缘中断，位在该相同之电容器以及该主要电容器之间，且该连接乃是依照该等几何设计而加以产生。

若是为了达成该所需电容而使得校正系必须，举例而言，仅在所制造之该电容器组的20％中实行时，则相较于一校正可以仅藉由电容器之切断而加以执行的校正可能性，花费乃会显著的下降，这是因为，在如此之一校正的例子中，电容器将会需要在该等电容器装置的80％中进行局部的切断。

在一进展之中，该连接系利用藉由局部加热的简单方法而加以产生，因此，接近该连接的构件即会受到保护而免于一增加的热负载(thermalloading)，再者，永久的连结系亦可以利用藉由局部加热的一简单方式而加以产生，相较于藉由局部加热而产生中断，连结则是可以藉由在较低温度的局部加热而加以执行，也因此，该热负载系会为低，特别是在产生于一半导体晶圆上之多数个连结的期间。

该局部加热系，举例而言，利用一激光束的帮助而加以实行，此系提供了透过与该等校正电容器的并联、或串联连接，而增加、或减少该具电路系统效益之主要电容器之电容的可能性，此外，此校正可能性系使得具有与先决定之电容数值的集成电容器装置可以利用一简单的方式而加以产生。

在一进展之中，该连接系包含两个互连区段，其系彼此分开，且在其间，仅配置一介电质，该等互连区段的以及该介电质的材质系会加以选择，以使得在该加热期间会产生穿透该介电质之该互连的材质翘曲(materialwarpage)，举例而言，在此，其系有可能利用除此之外不需要的“尖物”，以产生一电连接，在一替代架构中，该介电质则是包括有，会在该加热期间改变该介电质之传导性的掺杂原子，且该等掺杂原子的活性乃是在此内容中同样有使用的一式子，然而，尚有其它用于产生该亦被称之为一反熔丝的连接的可能性。

在一其次的发展中，该等电容器装置系会包含至少一另一校正电容器，而其系会自该主要电容器被切断、或是被连接至该主要电容器。

该发展作为基础的考量点系在于，集成电容器组于实际上相同地加以建构的该等电容数值乃会在一所需数值的附近变化，向下以及向上，所以，若是将该电容数值校正朝向较大的电容数值、或是校正朝向较小的电容数值皆有其可能性时，则校正即可以被限制为一最小值，而相较于先前所提及之具有并联连接之该等电容器的校正电容器，该另一校正电容器即是会提供此第二校正可能性。

在一发展之中，一用于中断该另一校正电容器的另一中断系藉由局部加热而加以产生，其中，该局部加热系可以，举例而言，在一激光束的帮助之下、或是在通过一互连压缩的一电流浪涌(current surge)的帮助之下，而加以实行。

在一另一发展之中，该等电容器的介电质乃是藉由会与用以连接集成半导体构件之连接区段所在的金属化层之间的一介电质而加以形成，其系有可能在该电容器的区域之中使用一不同于该等金属化层间之剩余区域中的介电质，例如，具有一较高介电常数的介电质，而如此之电容器的例子则是堆栈电容器组、或栅极电容器组，换言之，一电容器的该等电极系会位在多于两层的金属化层之中，再者，在如此之电容器的例子里，于一架构之中，不仅是在最上层金属化层中的电极，而且在下部金属化层中的电极亦会在电路方面被切断、或是在校正期间的电路方面被增加，对该下部金属化层而言，该等连结组件以及中断不是会位在该下部金属化层之中，以使得必须要，举例而言，提供用于一激光束之相对应深度的断流器、或者系会位在与来自该下部金属化层之连接导通的一上部金属化层之中。

在一另一发展之中，该等电容器的介电质所具有的厚度系会比在金属化层之间之该介电质的厚度更小许多，而举例而言，如此的电容器系为MIM电容器，换言之，该电容器的至少一电极系会落在一金属化层的外面。

在一其次发展中，一校正电容器之电容的加总系会少于一主要电容器之该电容的1/3，1/10，1/100，或1/1000，此测量即表示，精细的修整是有可能实现的，因此，藉由在千分之一范围中之校正的可能性，该集成电路装置之两个电容器装置的该等电容数值即可以非常精确地进行彼此间的协调，而这对某些应用而言是绝对必须的。

本发明系额外地相关于一具有校正横向电极的栅极电容器组，其中，该栅极电容器组的个别横向电极系亦会提供在生产期间，该电容之校正的一可能性，因此，前面所提及的技术特征系，特别地，亦用于该栅极电容器组。

本发明的示范性实施例系以所附图式作为参考而于接下来进行解释。

附图说明

图1：其系显示一MIM电容器装置的平面图；

图2：其系显示一栅极电容器装置的平面图；

图3：其系显示一栅极电容器之具有两个中断可能性的横向电极(transverse electrode)；

图4：其系显示一栅极电容器之具有连续中断可能性的横向电极(transverse electrode)；以及

图5：其系显示校正一集成电容器之电容的方法步骤。

附图中的参考符号的含义如下：

10  MIM电容器装置

12  主要电容器

14  可切断电容器

16  可连接电容器

18，20，22 靠近基板之下部电极

24，26，28    远离基板之电极

30接触

32，34    互连

36，38    断流器

40，42    区域

52，54    互连

56，58    断流器

60，62    连结区域

La至Lc    长度

C(0)，Cm(1)，Cp(1)    电容

110     栅极电容器装置

112     主要电容器

114     可切断电容器

116     可连接电容器

118     纵向电极

120至126  横向电极

128     纵向电极

130至136    横向电极

140至146  纵向电极

150至160  横向电极

162  区域

164    断流器

166    区域

168    断流器

170，172    区域

174，176    断流器

180，182  连结区域

184，186    断流器

190，192    连结区域

194，196    断流器

200       横向电极

202，204  区域

206，208  断流器

220       横向电极

222       断流器

300       决定电容变化

302       提供检测可能性

304       开始

306       晶圆处理

308       实际电容检测

310    实际相等于所需？

312    实际＞所需

314    中断

316    连结

318    钝化

320    单切

322  结束

具体实施方式

图1系显示一MIM电容器装置10的一平面图，其系包括一主要电容器12，连接至一电子电路，以及多个可切断的电容器，位在该主要电容器12的右边，而在此，则是仅举例说明的一可切断电容器14，此外，为了能更清楚，在图1中并未显示介电质。

在该电容器装置10中，多个可连接电容器系位在该主要电容器12的左边，而在图1中，则是仅举例说明的一可连接电容器16，其中，该等电容器12至16，除了它们的纵向尺寸之外，系皆以相同地方式进行建构，再者，该等电容12，14，以及16乃会分别地包含靠近基板的一下部电极18，20，以及22，以及远离基板的一电极24，26，以及28，其中，该等下部电极18，20，以及22系会比分别相关之该等远离基板的电极24，26，以及28更长，并且，系会在纵向方向上突出超过该等远离基板之电极24，26，以及28的两侧，因此，垂直走向接触30的终端区域乃会被产生在该等靠近基板之下部电极8，20，以及22处。

该主要电容器12以及该等可切断电容器14系会藉由在该等下部电极18、20之间的互连32，以及藉由在该等远离基板之电极24、26之间的互连34，而并联地相互电连接，然而，就几何观点来看，该等可切断电容14乃是配置为一行紧接着一行，且该等互连32以及34乃是位在一上部金属化层之中，此外，由于在分别覆盖该等互连32、34之一绝缘材质中的一断流器(cutout)36以及38乃会导通至各互连32以及34，因此，透过该等断流器36以及38，在该主要电容器12之该电容的校正期间，该等互连32、34的区域40以及42即可以在一激光束的帮助之下分别地被蒸发，以藉此产生一中断。

另一方面，该等可连接电容器16系可以在该等下部电极18、22之间的互连52，以及在该等远离基板之电极24、28之间的互连54的帮助之下，而与该主要电容器12并联地相互电连接，然而，就几何观点来看，该等可连接电容16乃是配置为一行，且该等互连52以及54乃是位在一上部金属化层之中。

断流器56以及58系会导通穿透一绝缘材质(未显示)而到达该等互连52以及54分别的连结区域60以及62，而该等连结区域60、62即会形成所谓的反熔丝(antifuse)，亦即，依据一激光束的影响，而在该等互连52以及54分别之区段之间形成一永久导电连接的一连接可能性。

该主要电容器12在该电容器装置10的纵向方向上系具有一长度La，且该长度系会比该等可切断电容器14之长度Lb，以及比该等可连接电容器16之长度Lc更长，而如此的结果是，该主要电容器12的一电容C(0)亦会大于该电容器14的一电容Cm(I)，在此例子中，I系为指示最后一可切断电容器14的一自然数，至于该等未显示的可切断电容器则是会具有与在示范性实施例中所解释之该电容Cm(I)相同的电容Cm(1)至Cm(I-1)。

相同的，该主要电容器12的该电容C(0)系亦会大于该可连接电容器16的电容Cp(1)，而在图1中未显示的该等可连接电容器则是会具有与该电容Cp(1)、或Cm(I)相同的电容Cp(2)至Cp(N)，在此例子中，N系为指示最后一可连接电容器的一自然数。

对于该电容器装置10之该电容的校正将会以图5作为参考而有更进一步地解释。

在另一示范性实施例中，该主要电容器12的右边以及左边系，分别地，仅具有一可切断电容器14以及一可连接电容器16，在一再一示范性实施例中，除了该主要电容器12之外，系具有仅一、或多个可连接电容器16，以及，分别地，仅一、或多个可切断电容器14，以及在一另外的示范性实施例中，该电容器装置10的该等电容Cm(1)至Cm(I)系会彼此不同，此外，该电容器装置10的该等电容Cp(1)至Cp(N)系亦可以不同于彼此。

图2系显示一栅极电容器装置110的一平面图，其系包含一主要电容器112，连接至一电路，以及多个可切断电容器，而在图2中，则是仅举例说明的一可切断电容器114，再者，该栅极电容器装置110更包括多个可连接电容器116，不过，在图2中，则是仅举例说明的一可连接电容器116，此外，在图2中，也仅举例说明该主要电容器12、该电容器114、以及该电容器116分别的上部电极，并且，在下方的金属化层之中，则更包括具有与该等上部电极相同之轮廓的另外电极。在一第一示范性实施例中，位在不同之金属化层中之该等电容器112、114、以及116的各之间，乃是藉由至少一垂直接触而彼此连接，而在该等电容器112、114、以及116之间的互连则是仅位在该上部金属层之中。

在该上部金属层之中，该主要电容器112系包含两个尖叉相互咬合的梳状电极，举例而言，四个在均匀格栅尺寸中排列的横向电极120至126系分支自一纵向电极118，而在相对于该纵向电极118的一纵向电极128上，则是会具有排列的、相关于该纵向电极128而为横向的，且精确地与该纵向电极118上一样多的横向电极130至136，亦即，延伸进入该等横向电极120至126间之间隙的四了横向电极130至136，因此，即形成了在该等横向电极120至126以及130至136之间的曲折间隙，而该间隙乃会由一介电质所填满，并且，再次地，该主要电容器112之该曲折的长度系会为La。

该等可切断电容器以及该等可连接电容器系以类似于该主要电容器112的方式而加以建构，但是，包含较短的纵向电极140、142、144、以及146，而分别自该等纵向电极的各，举例而言，则仅分支有两个横向电极150至160。

位在该纵向电极118以及该电容器114之该纵向电极142之间的系为一区域162，且一断流器164乃会自该集成电路的表面导通至该区域162，再者，位在该纵向电极128以及该电容器114之该纵向电极140之间的则是一区域166，且一另一断流器168乃会导通至该区域166，而透过该等断流器164以及168，其系有可能在一激光束的帮助之下，分别于该区域162以及166中之该等纵向电极118与142之间、以及该等纵向电极128与140之间产生一中断，如此的结果是，所有的该等可切断电容器114皆可以自该主要电容器112被切断，此外，更进一步地，由于位在该等另外之可切断电容器之间的是另外的区域170以及172，且断流器174以及176系亦会导通至该等区域170、172，因此，在其它的位置系亦可以达成切断。

另外，一连结区域180系位在该纵向电极118以及该电容器116之该纵向电极146之间，一连结区域182系位在该纵向电极128以及该电容器116之该纵向电极144之间，以及一断流器184以及186系会分别地导通至该连结区域180以及导通至该连结区域182，所以，透过该等断流器184以及186，该等连结区域180以及182即可以在一激光束的帮助之下局部地进行加热，而在该局部加热期间，一连接则是会被产生在该纵向电极118与该纵向电极146之间，以及在该纵向电极128与该纵向电极144之间，此外，另外之可连接电容器116的电传导连接则是可以在断流器194以及196分别导通之另外连结区域190、192的帮助之下而加以产生。

该主要电容器112之该曲折所具有的一长度La系会比该可切断电容器114之一曲折的长度Lb、以及比该可连接电容器116之一曲折的长度Lc更长，而如此的结果则是，该主要电容器112的一电容C(0)系会大于该可切断电容器114的一电容Cm(I)，至于另外之可切断电容器的另外电容Cm(1)至Cm(I-1)则是会相等于该电容Cm(I)，此外，该可连接电容器116的一电容Cp(1)系会相等于该电容Cm(1)，且另外之可连接电容器的电容Cp(2)至Cp(N)系会相等于该电容Cp(1)。

对于该电容器装置110之该电容的校正将会以图5作为参考而有更进一步地解释。

在一另一示范性实施例中，系具有通向不同金属化层的断流器，举例而言，导通至相关于位在上或下之连接或中断可能性而补偿配置的连接或中断可能性的断流器，在一替代的示范性实施例中，连结区域、或是用于中断的区域系会被配置在一上部金属化层之中，即使它们亦会相关于在下部金属化层中的电极，再者，该电容器装置110的该等电容Cm(1)至Cm(I)、或Cp(1)至Cp(N)系亦可以具有彼此不同的电容。

图3系显示一栅极电容器的一横向电极200，该横向电极200系具有大约覆盖其长度之三分之一的一区域202，以及大约覆盖其长度之三分之二的一区域204，并且，一断流器208系会导通至该区域204，而在该横向电极200所述之该栅极电容器之该电容的校正期间，不是一中断产生在该区域202中，就是一中断产生在该区域204中，若是该中断系产生在该区域202之中时，则仅有该横向电极200的大约三分之一会具有电路系统效益，相对的，若是一中断系产生在该区域204之中时，则该横向电极200的大约三分之二会具有电路系统效益，所以，透过选择一区域202或是204，其即有可能执行该栅极电容器之该电容在千分之一范围中的校正。

该横向电极200的长度，举例而言，系为10微米，而宽度，举例而言，则为5微米，因此，系有可能利用使用一激光束的程序，而不会有任何困难。

图4系显示一横向电极200，且一断流器222系导通至其上，而该断流器222则是大约延伸覆盖了该横向电极220的全部长度，如此结果是，其系有可能在任何所要的位置处中断该横向电极，换言之，该等断点系可以沿着该横向电极220之纵向轴而连续地设置。

在横向电极200、220的其它示范性实施例中，连结区域系会取代适用于中断的区域、或是与之结合，而该等中断区域及/或该等连结区域则是会被配置在一栅极电容器的一横向电极之上、或是配置在该栅极电容器的多个横向电极之上。

图5系显示校正，例如，根据图1、图2、图3、或图4之，一集成电容器装置之电容的方法步骤，在该方法的前端中，处于一设计以及仿真阶段，其系需要决定该集成电容器装置之该电容在一所需电容附近的变化，举例而言，凭经验地、或是以仿真结果作为基础，参阅方法步骤300，接着，校正的可能性乃会依照该等电容变化而加以提供，参阅方法步骤302，而该等校正可能性系为，举例而言，可切断电容器、可连接电容器、可切断电容器区域、及/或可连接电容器区域，此外，该等校正可能性乃会在方法步骤302中，考虑到该已预期电容变化地加以规定，因而使得，相关于该整个生产的最少可能中断以及连结系必须要藉由使用该激光束的加热而加以产生。

实际的校正方法是在方法步骤304中开始，而紧接着的则是对于一晶圆的处理，参阅方法步骤306，举例而言，晶体管系加以产生在该晶圆的一半导体材质之中，之后，金属化层系会进行施加，而电容器也会加以产生。

在一方法步骤308中，一测量系被用以检测一集成电容器装置的该真实电容，亦即，特别是，该主要电容器12、112的该电容与该等可切断电容器14、114的该等电容一起。

在一接续方法步骤310中，该实际的电容系会与该所需的电容进行比较，若是该实际电容系比该所需电容更小、或更大时，特别是小于、或大于一预先决定之容忍范围时，则方法步骤310乃会直接紧接着一方法步骤312，在方法步骤312中，一检查系会加以执行，以决定该实际电容是否大于该所需电容，若是答案为是时，则方法步骤312会紧接着方法步骤314，而在方法步骤314中，中断乃会藉由一激光束的帮助而被产生于该集成电容器装置之中，因而使得可切断电容器14、114自该主要电容器12、112被切断，或者，一电极区段自一横向电极的切断系会加以实行，以作为一替代。

相比之下，若是在方法步骤312中确定该实际电容乃是小于该所需电容时，则方法步骤312会直接紧接着方法步骤316，在方法步骤316中，连结区域会在一激光束的帮助之下进行加热，而如此的结果是，可连结电容器16、116系会增补地被连接至该主要电容器12、112、或是连接至一主要区域，因此，该电容器装置的该电容乃会朝该所需电容的方向增加，或者，一横向电极之电极区段的一连接系亦会加以实行，以作为一替代。

相比之下，若是在方法步骤310中确定该实际电容以及所需电容相符的话，则一方法步骤318会直接紧接地在之后实行，不过，方法步骤318系亦会在方法步骤314、或方法步骤316之后执行，而在方法步骤318中，该晶圆乃会进行更进一步地处理，在此例子中，尤其是，一钝化层系会进行施加，以让该等断流器与该激光束隔离。

在一另一方法步骤320中，配置在该晶圆上的该等电路系会进行单切(singulated)，并且会被封装在壳体之中，而该方法则是结束在一步骤方法322。

在一另一示范性实施例中，该校正乃在该等电路的单切进行完之后才加以实行，举例而言，电流浪涌(current surge)系会被使以加热该等中断区域、或该等连结区域，在方法步骤310以及312之中，该等中断系亦可以不同地加以规划。

所载明的该方法系可以提供下列的优点：

-在由于几何、或程序波动所造成之该等电容中的该等变化系可以接续地利用一简单方式而加以校正，因此，产率、或效能系可以被增加。

-更进一步地，接续校正的可能性系使得对该分别之集成电路的个别电容匹配成为可能，因此，系可以特别地执行与其它电路组件进行协调的电容匹配，例如，为了一操作点之理想设定的目的，并且，其系特别具有优势地情况是，当其它电路原原无法在进行校正的时候。

藉由在所谓的熔丝、或反熔丝的帮助下，切断、或增加该电容器的区域，其系会因此而有可能可以接续地校正在该主要电容器上，特别是，在该电容以及在该电阻上(，以及因此在该RC常数上)，的程序影响以及几何波动。

在该等方法步骤310至316中的该校正期间，其系有可能使用下列的式子：

Ccorr＝C(0)-sum(i＝1至I1透过Cm(i))+sum(n＝1至N1透过Cp(n))

其中，除了该等量I1以及N1之外，所使用的该等量系已经在前面解释过，在透过该等电容Cm的该总和中的该指针i系必须要考虑所有该等已切断电容器，在此，I1系代表最后被切断的电容器，再者，在透过该等电容Cp的该总和中的该指针则是必须要考虑所有该等已连接电容器，在此，N1系代表最后被连接的电容器，更进一步地，其系必须要考虑的是，电容器是被连接、或是切断。

若是该等电容Cm以及Cp系为相同时，则其有可能藉由载明已切断电容器、已连接电容器之数量的一因子而实现乘法运算，以取代该加法。

在决定该电容变化的时候，其系有可能使用接下来之可应用至一平板电容器的关系式：

C＝ε0·εr·Aeff/Deff

其中，ε0、εr系代表该等相对应的介电常数，Aeff代表有效电极面积，以及Deff代表在电极间的有效距离，而在该面积ΔAeff中、或在该距离ΔDeff中的波动则是会造成在该电容中的一改变：

ΔC＝ΔAeff/Aeff或ΔC＝ΔDeff/Deff

就一第一近似值而言，该有效电极面积系会在下列的例子中相符于：

a)该MIM电容器组：该电极的该重叠面积；

b)该三明治电容器组：该等金属电极的面积；以及

c)该栅极电容器组：自该长度以及该厚度T所产生之该等互连的侧面面积。

在电极间的该有效距离系在下列的例子中相符于：

a)该MIM电容器组：不同于该等金属化层间之介电质之该介电质的厚度；

b)该三明治电容器组：该等金属间介电质的厚度；以及

c)该栅极电容器组：该等金属间介电质的厚度，亦即，所谓的间隙。

在栅极电容器组中，举例而言，另一波动因子乃是角落的形成，至于该些影响量则是可以至少藉由测量而加以检测，然后再进行考虑。

在该等电容中的该等波动系可能会具有接下来之程序支配的原因：

a)该MIM电容器组：在该MIM介电质之该厚度中的波动，例如，由于覆盖在该晶圆上的不同质沉积率、或是该下部电极的不同粗糙度；

b)该三明治电容器组：在该金属间介电质之该厚度中，由于研磨不同质所造成的波动、或是在该晶圆上之蚀刻深度中的波动；以及

c)该栅极电容器组：在电极间的该距离中，由于，例如，藉由微影波动、藉由使用铝的RIE图案化(活性离子蚀刻)、或是藉由利用铜的沟渠蚀刻，而造成之该金属间介电质之厚度的变化所引起的波动，此外，更进一步的原因则是，在该电极面积中的波动，而此乃是起因于该互连厚度的变化、或起因于CMP波动(化学机械研磨)，所谓之藉由使用铜的浅碟化(dishing)、无直角沟渠轮廓、或是起因于不同质沉积率。

在MIM电容器以及三明治式电容器组中，该电容系会藉由直接切断、或连接该电极的M个面积区段而加以达成：

A＝A0±sum(i＝1至M透过Ai)

其中，A0系为无法再进一步校正的电极基本面积，M系为自然数，以及Ai系为可切断、或可连接之离散面积组件，再者，该减号系应用于该等可切断面积组件，以及该加号则是应用于该等可连接面积组件。

在该栅极电容器组中，该电极面积A乃是藉由该互连之该长度L∶A＝L·T，的方法而加以设定，其中，T系为在该电容器结构之范围内的平均互连厚度，再者，透过切断或连接M个互连区段，例如，该电极的n的离散区段Li，校正即可以如下式的加以达成：

LA＝L0±sum(i＝1至M透过Li)

其中，L0系为无法再进一步校正的电极基本长度，M系为自然数，以及Li系为可切断、或可连接之离散互连区段，再者，该减号乃是应用于该等可切断互连区段，以及该加号则是应用于该等可连接互连区段。

Claims (14)

1.一种集成电容器装置组(10)，包括：

-至少二集成电容器装置(10)，其乃是依照相同的几何设计而产生，且其各包含一具有电路系统效应的主要电容器(12)以及至少一校正电容器(16)；

-一电传导连接，其位在一电容器装置中的该校正电容器以及该主要电容器间，且该连接乃是在此电容器装置的该主要电容器被产生后才产生；以及

-一电绝缘中断(62)，位在另一电容器装置中的该相同校正电容器(16)以及该主要电容器(12)间，且该连接乃是依照该等几何设计而产生。

2.根据权利要求1所述的电容器装置组(10)，其中，该连接以及该中断乃设置在该等电容器装置(10)中的相同位置处。

3.根据权利要求1或2所述的电容器装置组(10)，

其中，该连接乃是藉由局部加热而产生；及/或

其中，该连接包含会穿透一介电质且由于该加热而产生的一材质翘曲(material warpage)。

4.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(10)，

其中，一覆盖该连接的材质包含导通至该连接的一断流器(cutout)；

其中，一覆盖该中断(62)的材质包含导通至该中断的一断流器(58)；及/或

其中，该等断流器会被一钝化材质所填满。

5.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(10)，其特征在于，包括：

在各电容器装置中乃包括至少一另一校正电容器(14)；

一另一电传导连接(42)，其位在一电容器装置(10)中的该另一校正电容器以及在该主要电容器(12)间，且该连接乃是依照该等几何设计而产生；以及

一另一位在另一电容器装置中的该相同另一校正电容器以及该主要电容器之间的电绝缘中断，且该中断乃是在该另一电容器装置的该主要电容器被产生之后才产生。

6.根据权利要求5所述的电容器装置组(10)，其中，该另一中断乃是由一电传导区段的局部加热以及蒸发所产生。

7.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(110)，其中，该等电容器(112至116)的介电质所具有的厚度乃与金属化层间的一介电质的厚度相同而用以连接集成半导体构件之连接区段乃位在所述金属化层。

8.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(110)，

其中，该等电容器(112至116)具有被设置在多于两层金属化层中的电极；及/或

其中，该等电极利用一完整面积(whole-area)、或是类格栅(grid-like)的方式而形成。

9.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(10)，其中，该等电容器(12至16)的介电质所具有的厚度会比用以连接集成半导体构件之连接区段所在的金属化层间的该介电质的厚度更小，较佳地是至少小一半。

10.根据前述权利要求其中之一所述的电容器装置组(10，110)，其中，一校正电容器(14，16；114，116)之电容的加总会少于该主要电容器(12)之电容的1/3，1/10，1/100，或1/1000。

11.一种集成栅极电容器组(110)，包括：

至少二集成栅极电容器，其乃是依照相同的几何设计而产生，且其各自包含用于形成该栅极电容器的一具有电路系统效应的主要部分的多个电容器；

其特征在于，

至少二校正横向电极(220)会在该栅极电容器(110)中被配置于相同位置，且该等电极具有不同程度的电路系统效益长度；以及

一校正横向电极(200)的该电路效益长度会在该主要部分被产生之后，藉由一电绝缘中断(206)、及/或藉由部分该校正横向电极的蒸发而缩短、或是藉由产生一电传导连接而被增长。

12.根据权利要求11所述的栅极电容器组(110)，

其中，在覆盖该校正横向电极的一材质中，乃配置有至少一断流器(206，208；222)，其导通至该校正横向电极、及/或导通至该校正横向电极在该蒸发之前所配置的一区域；及/或

其中，该断流器(206，208；222)乃被一钝化材质所填满。

13.根据权利要求12所述的栅极电容器组(110)，

其中，多个断流器(206，208)乃导通至一校正横向电极(200)；或

其中，实质上覆盖该原先校正横向电极之整个区域的一断流器会导通至一校正横向电极(220)。

14.根据权利要求11至13其中之一所述的栅极电容器组(110)，其特征在于具有根据权利要求1至10其中之一所述之至少一电容器装置的特征。

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