JPH10303061A - 加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法 - Google Patents
加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法Info
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- JPH10303061A JPH10303061A JP9109171A JP10917197A JPH10303061A JP H10303061 A JPH10303061 A JP H10303061A JP 9109171 A JP9109171 A JP 9109171A JP 10917197 A JP10917197 A JP 10917197A JP H10303061 A JPH10303061 A JP H10303061A
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- Japan
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- conductive
- insulating material
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- heating
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 加熱すると絶縁材料が導通するような加熱導
電性絶縁材料の構成と加熱方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板10上に柱状導電材料13が互いが
接しないように均一に形成され、このセラミック上にコ
ンデンサ電極，抵抗体，インダクタ等のパターン11，12
が形成される。絶縁基板10は、例えばセラミックス、ガ
ラス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パタ
ーン11，12は、例えばＣu等の導体により形成される。
柱状導電材料13は、例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓ
n−Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｉn
−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の合金からなる。柱状導電材料1
3にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てると
柱状導電材料13が加熱，溶融し、柱状導電材料13同士が
接続し、パターン11とパターン12の間を導通させること
ができる。これをトリミング部品に応用すると、従来絶
縁させて調整していたものを絶縁・導通両方で調整が可
能となる。
電性絶縁材料の構成と加熱方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板10上に柱状導電材料13が互いが
接しないように均一に形成され、このセラミック上にコ
ンデンサ電極，抵抗体，インダクタ等のパターン11，12
が形成される。絶縁基板10は、例えばセラミックス、ガ
ラス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パタ
ーン11，12は、例えばＣu等の導体により形成される。
柱状導電材料13は、例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓ
n−Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｉn
−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の合金からなる。柱状導電材料1
3にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てると
柱状導電材料13が加熱，溶融し、柱状導電材料13同士が
接続し、パターン11とパターン12の間を導通させること
ができる。これをトリミング部品に応用すると、従来絶
縁させて調整していたものを絶縁・導通両方で調整が可
能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱すると導通す
る加熱導電性絶縁材料とその加熱方法に関するものであ
る。
る加熱導電性絶縁材料とその加熱方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、回路の高品質，高信頼性，コスト
削減，調整時間短縮の要望から、レーザによる回路調整
が注目されている。図５(a)は従来のレーザによるトリ
マブルコンデンサの構成を示す斜視図であり、図５(b)
はそのＦ−Ｆ線上の断面図である。
削減，調整時間短縮の要望から、レーザによる回路調整
が注目されている。図５(a)は従来のレーザによるトリ
マブルコンデンサの構成を示す斜視図であり、図５(b)
はそのＦ−Ｆ線上の断面図である。
【０００３】両図において、セラミック基板50の左右両
端に端子電極51，52が形成され、セラミック基板50の表
面中央部に除去加工用電極53が形成され、端子電極52に
接続されている。またセラミック基板50の内層に内部電
極54が形成され、端子電極51と接続されている。この内
部電極54は除去加工用電極53とコンデンサを形成するよ
うに配置される。
端に端子電極51，52が形成され、セラミック基板50の表
面中央部に除去加工用電極53が形成され、端子電極52に
接続されている。またセラミック基板50の内層に内部電
極54が形成され、端子電極51と接続されている。この内
部電極54は除去加工用電極53とコンデンサを形成するよ
うに配置される。
【０００４】以上の構成において、従来のトリマブルコ
ンデンサの調整は、レーザ照射方向55に示すようにレー
ザを照射し、除去加工用電極53を削り取り、静電容量を
減少させて調整を行っていた。
ンデンサの調整は、レーザ照射方向55に示すようにレー
ザを照射し、除去加工用電極53を削り取り、静電容量を
減少させて調整を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のレーザによるコンデンサの調整は、電極の除去加工
であるため、静電容量を減少させるのみの一方向の調整
であった。このため、一度調整したものを戻すことは不
可能であり、調整ミスした部品，基板は廃棄していた。
また、調整ミスを避けるため、慎重に加工を行い、調整
時間がかかるという問題も発生していた。
来のレーザによるコンデンサの調整は、電極の除去加工
であるため、静電容量を減少させるのみの一方向の調整
であった。このため、一度調整したものを戻すことは不
可能であり、調整ミスした部品，基板は廃棄していた。
また、調整ミスを避けるため、慎重に加工を行い、調整
時間がかかるという問題も発生していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
であり、フレキシブルに静電容量を調整するため、トリ
ミング電極材料として加熱導電性絶縁材料とその加熱方
法を提供することを目的とする。
であり、フレキシブルに静電容量を調整するため、トリ
ミング電極材料として加熱導電性絶縁材料とその加熱方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
し目的を達成するため、絶縁物質中に導電性材料を均一
に分散させた材料、およびこの材料をレーザで加熱する
方法を提供する。初期は導電性材料間に絶縁物質が存在
しているため、絶縁が保たれているが、レーザで加熱す
ることで、加熱箇所の導電性材料が溶融し、互いに接続
して導通が得られるようになる。
し目的を達成するため、絶縁物質中に導電性材料を均一
に分散させた材料、およびこの材料をレーザで加熱する
方法を提供する。初期は導電性材料間に絶縁物質が存在
しているため、絶縁が保たれているが、レーザで加熱す
ることで、加熱箇所の導電性材料が溶融し、互いに接続
して導通が得られるようになる。
【０００８】本発明の加熱導電性絶縁材料をトリミング
用電極に用い、レーザ光による加熱を行えば、静電容量
を増減させることが可能となり、高速かつ高品質な調整
が行える。
用電極に用い、レーザ光による加熱を行えば、静電容量
を増減させることが可能となり、高速かつ高品質な調整
が行える。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、絶縁材料
中に導電性材料を分散させ、請求項２記載の発明のよう
に絶縁基板上に導電性材料を柱状、または錐状、または
球状に形成し、配列させたものであり、これをトリミン
グ用コンデンサ，抵抗，インダクタに用い、請求項６記
載のレーザ光による調整を行えば、特性値を自由に増減
させることができるようになり、高速かつ高品質の調整
が可能となる。
中に導電性材料を分散させ、請求項２記載の発明のよう
に絶縁基板上に導電性材料を柱状、または錐状、または
球状に形成し、配列させたものであり、これをトリミン
グ用コンデンサ，抵抗，インダクタに用い、請求項６記
載のレーザ光による調整を行えば、特性値を自由に増減
させることができるようになり、高速かつ高品質の調整
が可能となる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項２記載の
導電性材料の柱状、または錐状、または球状の材料上部
を熱可塑性樹脂で覆ったものであり、これにより、上記
請求項１と同様の効果を得るとともに、部品の取り扱い
が簡便になり、絶縁信頼性も向上される。
導電性材料の柱状、または錐状、または球状の材料上部
を熱可塑性樹脂で覆ったものであり、これにより、上記
請求項１と同様の効果を得るとともに、部品の取り扱い
が簡便になり、絶縁信頼性も向上される。
【００１１】請求項４に記載の発明は、熱可塑性樹脂中
に導電性粒子を分散させたものであり、これをトリミン
グ用コンデンサ，抵抗，インダクタに用い、請求項６記
載のレーザ光による調整を行えば、上記請求項１と同様
の効果が得られる。
に導電性粒子を分散させたものであり、これをトリミン
グ用コンデンサ，抵抗，インダクタに用い、請求項６記
載のレーザ光による調整を行えば、上記請求項１と同様
の効果が得られる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項４記載の
導電性粒子の周囲を熱可塑性樹脂被覆で覆ったものであ
り、これにより、上記請求項１と同様の効果を得るとと
もに、絶縁信頼性が向上される。
導電性粒子の周囲を熱可塑性樹脂被覆で覆ったものであ
り、これにより、上記請求項１と同様の効果を得るとと
もに、絶縁信頼性が向上される。
【００１３】以下、本発明の各実施の形態について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１(a)，(b)は本発明の
実施の形態１における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図１(a)は平面図、図１(b)はＡ−Ａ矢視断面図であ
る。
実施の形態１における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図１(a)は平面図、図１(b)はＡ−Ａ矢視断面図であ
る。
【００１５】図１(a)，(b)に示すように、絶縁基板10上
に柱状導電材料13が互いに接しないように均一に形成さ
れる。このセラミック上に抵抗体，コンデンサの電極，
インダクタ等のパターン11，12が形成される。
に柱状導電材料13が互いに接しないように均一に形成さ
れる。このセラミック上に抵抗体，コンデンサの電極，
インダクタ等のパターン11，12が形成される。
【００１６】絶縁基板10は、例えばセラミックス、ガラ
ス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パター
ン11，12は例えばＣuなどの導体により形成される。柱
状導電材料13は例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓn−
Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｓn−Ｓ
b系，Ｉn−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の低融点合金からなる
ものである。
ス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パター
ン11，12は例えばＣuなどの導体により形成される。柱
状導電材料13は例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓn−
Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｓn−Ｓ
b系，Ｉn−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の低融点合金からなる
ものである。
【００１７】以上の構成において、絶縁基板10上の柱状
導電材料13にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を
当てると柱状導電材料13が加熱，溶融し、それぞれの柱
状導電材料13が接続し、パターン11とパターン12を導通
させることができる。これをトリミング用のコンデン
サ，抵抗，インダクタ等に利用すると、フレキシブルな
調整が可能となる。
導電材料13にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を
当てると柱状導電材料13が加熱，溶融し、それぞれの柱
状導電材料13が接続し、パターン11とパターン12を導通
させることができる。これをトリミング用のコンデン
サ，抵抗，インダクタ等に利用すると、フレキシブルな
調整が可能となる。
【００１８】なお、柱状導電材料13のほか、例えば、錐
状または球状の導電材料でも同様の作用と効果が得られ
る。
状または球状の導電材料でも同様の作用と効果が得られ
る。
【００１９】（実施の形態２）図２(a)，(b)は本発明の
実施の形態２における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図２(a)は平面図、図２(b)はＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。
実施の形態２における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図２(a)は平面図、図２(b)はＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。
【００２０】図２(a)，(b)に示すように、実施の形態１
で示した構成に柱状導電材料13を保護するため、上面を
低融点の熱可塑性絶縁材料16で封止する。
で示した構成に柱状導電材料13を保護するため、上面を
低融点の熱可塑性絶縁材料16で封止する。
【００２１】熱可塑性絶縁材料16は松ヤニ、または各種
ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等の熱可塑性合成樹脂類のいずれかか
らなる。
ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等の熱可塑性合成樹脂類のいずれかか
らなる。
【００２２】以上の構成において、表面保護が図れ、ハ
ンドリングが楽になる。また絶縁基板10上の柱状導電材
料13にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てる
と、柱状導電材料13および熱可塑性絶縁材料16が溶融
し、柱状導電材料13同士が結合し、パターン11とパター
ン12が導通する。
ンドリングが楽になる。また絶縁基板10上の柱状導電材
料13にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てる
と、柱状導電材料13および熱可塑性絶縁材料16が溶融
し、柱状導電材料13同士が結合し、パターン11とパター
ン12が導通する。
【００２３】（実施の形態３）図３(a)，(b)は本発明の
実施の形態３における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図３(a)は平面図、図３(b)はＣ−Ｃ矢視断面図であ
る。
実施の形態３における加熱導電性絶縁材料の構成を示
し、図３(a)は平面図、図３(b)はＣ−Ｃ矢視断面図であ
る。
【００２４】図３(a)，(b)に示すように、熱可塑性絶縁
材料16中に導電性粒子17を均一に分散させた加熱導電性
絶縁材料18が形成される。また、セラミック上には抵抗
体，コンデンサの電極等のパターン11，12が形成され
る。
材料16中に導電性粒子17を均一に分散させた加熱導電性
絶縁材料18が形成される。また、セラミック上には抵抗
体，コンデンサの電極等のパターン11，12が形成され
る。
【００２５】絶縁基板10は、例えばセラミックス、ガラ
ス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パター
ン11，12は、例えばＣuなどの導体により形成される。
導電性粒子17は、例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓn
−Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｓn−
Ｓb系，Ｉn−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の低融点合金からな
るものである。熱可塑性絶縁材料16は松ヤニ、または各
種ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等熱可塑性合成樹脂類のいずれかから
形成される。
ス−エポキシ樹脂、シリコン等により形成され、パター
ン11，12は、例えばＣuなどの導体により形成される。
導電性粒子17は、例えばＳn−Ｐb系，Ｓn−Ａg系，Ｓn
−Ｓb系，Ｓn−Ｂi系，Ｓn−Ｚn系，Ｓn−Ｃu系，Ｓn−
Ｓb系，Ｉn−Ａg系，Ａg−Ｐd系等の低融点合金からな
るものである。熱可塑性絶縁材料16は松ヤニ、または各
種ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等熱可塑性合成樹脂類のいずれかから
形成される。
【００２６】以上の構成において、加熱導電性絶縁材料
18にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てる
と、熱可塑性絶縁材料16、および導電性粒子17が溶融
し、導電性粒子17同士が接続し、パターン11とパターン
12を導通させることができる。これをトリミング用のコ
ンデンサ，抵抗，インダクタ等に利用すると、フレキシ
ブルな調整が可能となる。
18にレーザ照射痕14に示すようにレーザ光15を当てる
と、熱可塑性絶縁材料16、および導電性粒子17が溶融
し、導電性粒子17同士が接続し、パターン11とパターン
12を導通させることができる。これをトリミング用のコ
ンデンサ，抵抗，インダクタ等に利用すると、フレキシ
ブルな調整が可能となる。
【００２７】（実施の形態４）図４(a)，(b)，(c)は本
発明の実施の形態４における加熱導電性絶縁材料の構成
を示し、図４(a)は平面図、図４(b)はＤ−Ｄ矢視断面
図、図４(c)は図４(b)のＥ部拡大図である。
発明の実施の形態４における加熱導電性絶縁材料の構成
を示し、図４(a)は平面図、図４(b)はＤ−Ｄ矢視断面
図、図４(c)は図４(b)のＥ部拡大図である。
【００２８】図４(c)に示すように、導電性粒子17同士
の接触を防ぐため、導電性粒子17は熱可塑性樹脂被覆19
で覆われる。熱可塑性絶縁材料16は松ヤニ、または各種
ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等熱可塑性合成樹脂類のいずれかから
形成される。
の接触を防ぐため、導電性粒子17は熱可塑性樹脂被覆19
で覆われる。熱可塑性絶縁材料16は松ヤニ、または各種
ゴム、またはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリエーテル等熱可塑性合成樹脂類のいずれかから
形成される。
【００２９】以上の構成において、導電性粒子17の周囲
をあらかじめ熱可塑性樹脂被覆19でコーティングするこ
とで、絶縁信頼性を高めることが可能となる。また、レ
ーザ照射痕14に示すように、加熱導電性絶縁材料18にレ
ーザ光15を当てると、導電性粒子17、熱可塑性絶縁材料
16、熱可塑性樹脂被覆19が溶融し、導電性粒子17同士が
接続し、パターン11とパターン12を導通させることがで
きる。
をあらかじめ熱可塑性樹脂被覆19でコーティングするこ
とで、絶縁信頼性を高めることが可能となる。また、レ
ーザ照射痕14に示すように、加熱導電性絶縁材料18にレ
ーザ光15を当てると、導電性粒子17、熱可塑性絶縁材料
16、熱可塑性樹脂被覆19が溶融し、導電性粒子17同士が
接続し、パターン11とパターン12を導通させることがで
きる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁基板上または絶縁材料中に導電性材料を均一に分布
させ、レーザにより熱を加えることで導電性材料を溶
融、接続させ、導通が取れるようにしたものである。レ
ーザトリミング部品にこの導電性絶縁材料、およびレー
ザによる加熱方法を利用すると、従来、静電容量を下げ
るのみの調整であったものを増やす調整も同時に行うこ
とが可能となり、高速かつ高精度の回路調整を提供でき
る。
絶縁基板上または絶縁材料中に導電性材料を均一に分布
させ、レーザにより熱を加えることで導電性材料を溶
融、接続させ、導通が取れるようにしたものである。レ
ーザトリミング部品にこの導電性絶縁材料、およびレー
ザによる加熱方法を利用すると、従来、静電容量を下げ
るのみの調整であったものを増やす調整も同時に行うこ
とが可能となり、高速かつ高精度の回路調整を提供でき
る。
【図１】本発明の実施の形態１における加熱導電性絶縁
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＡ−Ａ矢視断面図
(b)である。
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＡ−Ａ矢視断面図
(b)である。
【図２】本発明の実施の形態２における加熱導電性絶縁
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＢ−Ｂ矢視断面図
(b)である。
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＢ−Ｂ矢視断面図
(b)である。
【図３】本発明の実施の形態３における加熱導電性絶縁
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＣ−Ｃ矢視断面図
(b)である。
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＣ−Ｃ矢視断面図
(b)である。
【図４】本発明の実施の形態４における加熱導電性絶縁
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＤ−Ｄ矢視断面図
(b)と、(b)のＥ部拡大図(c)である。
材料の構成を示す平面図(a)と、(a)のＤ−Ｄ矢視断面図
(b)と、(b)のＥ部拡大図(c)である。
【図５】従来のコンデンサトリミング例を示す平面図
(a)と、(a)のＦ−Ｆ矢視断面図(b)である。
(a)と、(a)のＦ−Ｆ矢視断面図(b)である。
【符号の説明】 10…絶縁基板、 11，12…パターン、 13…柱状導電材
料、 14…レーザ照射痕、 15…レーザ光、 16…熱可
塑性絶縁材料、 17…導電性粒子、 18…加熱導電性絶
縁材料、 19…熱可塑性樹脂被覆。
料、 14…レーザ照射痕、 15…レーザ光、 16…熱可
塑性絶縁材料、 17…導電性粒子、 18…加熱導電性絶
縁材料、 19…熱可塑性樹脂被覆。
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁材料中に導電性材料を分散させたこ
とを特徴とする加熱導電性絶縁材料。 - 【請求項２】 絶縁基板上に導電性材料を柱状、または
錐状、または球状に形成し、配列させたことを特徴とす
る請求項１記載の加熱導電性絶縁材料。 - 【請求項３】 導電性材料上部を熱可塑性絶縁材料で覆
ったことを特徴とする請求項２記載の加熱導電性絶縁材
料。 - 【請求項４】 熱可塑性絶縁材料中に導電性粒子を分散
させたことを特徴とする請求項１記載の加熱導電性絶縁
材料。 - 【請求項５】 導電性粒子の周囲を熱可塑性樹脂被覆で
覆ったことを特徴とする請求項４記載の加熱導電性絶縁
材料。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４，５記載の加熱導
電性絶縁材料をレーザ照射で加熱することを特徴とする
加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109171A JPH10303061A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109171A JPH10303061A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303061A true JPH10303061A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14503468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109171A Pending JPH10303061A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303061A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054961A2 (en) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Marconi Communications Gmbh | Capacitor element and method for trimming a capacitor element |
| WO2004006334A3 (de) * | 2002-07-08 | 2004-04-08 | Infineon Technologies Ag | Satz integrierter kondensatoranordnungen, insbesondere integrierter gitterkondensatoren |
| US9219218B2 (en) | 2013-12-27 | 2015-12-22 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electric wiring layer, member for forming electric wiring layer, electric wiring layer, method of manufacturing electric wiring board, member for forming electric wiring board, electric wiring board, vibrator, electronic apparatus, and moving object |
| EP3086629A1 (en) | 2015-04-20 | 2016-10-26 | Seiko Epson Corporation | Electrical wiring member production method, electrical wiring member forming material, electrical wiring member, electrical wiring board production method, electrical wiring board forming material, electrical wiring board, vibrator, electronic apparatus, and moving object |
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1997
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