CN1661732A

CN1661732A - 芯片电阻器及其制造方法

Info

Publication number: CN1661732A
Application number: CN2005100065647A
Authority: CN
Inventors: 米田将记
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2005-08-31
Also published as: US7394344B2; TWI366837B; KR20060042219A; TW200534297A; US20050275503A1

Abstract

本发明提供一种芯片电阻器，在芯片基板(1)上面当中，与其左右两个端面(1a、1b)邻接的部位形成端子电极(2、3)，在该两个端子电之间极的部位上形成曲折形的电阻膜(4)，在所述两个端子电极的内侧面(2a、3a)当中的与所述芯片基板的一方或另一方的侧面(1c、1d)相邻的部位上，一体化设置朝向其之间的电阻膜突出的凸部(5、6)，且将在所述电阻膜的两端上一体化设置的窄宽度部(7、8)电连接在所述凸部。将所述凸部(5、6)的左右两个侧面中的与所述芯片基板的一个侧面或另一侧面的对侧的朝内的侧面(5b、6b)，做成所述凸部的前端变窄的倾斜面。可避免由电阻膜和两个端子电极间的偏移误差而降低耐浪涌特性。

Description

芯片电阻器及其制造方法

技术领域

本发明涉及在制成芯片型的绝缘基板的上面形成电阻膜而成的芯片电阻器中改善了耐浪涌特性的芯片电阻器及其制造方法。

背景技术

一般地，对于在制成芯片型的绝缘基板的上面形成电阻膜而成的芯片电阻器中，当施加在静电或电源噪声等的影响下产生的浪涌电压时，具有以其电阻值容易变化的方式降低耐浪涌特性的缺点。该耐浪涌特性能够通过加长电阻膜中电流经过的路径的长度而得到改善。

因此，一直以来，是在陶瓷等耐热绝缘体制的芯片基板上面的沿着长方向的左右两端部分上，形成端子电极，另一方面，通过在上述芯片基板上面的上述端子电极之间的部分上，将两端电连接在上述两个端子电极上而形成的电阻膜做成曲折形，加长电阻膜中电流经过的路径的长度。

但是，如果是这种构成，当在两个端子电极之间施加浪涌电压时，在曲折形的电阻膜和上述两个端子电极的内侧面之间容易放电，通过该放电降低电阻膜的耐浪涌特性。

因此，对于在作为现有技术的特开2000-216001号公报以及特开2002-203702号公报中记载的芯片电阻器，如图8以及图9所示，是在芯片基板201上面的与其左右两个端面201a、201b邻接的部位上形成端子电极202、203，在两个端子电极202、203之间的部位上通过设置多条伸入槽211形成曲折形的电阻膜204，由此而成芯片电阻器。然后，对于这样的芯片电阻器，在上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a的与上述芯片基板201的一个侧面201c相邻接的部位上，一体化设置朝向电阻膜204突出的凸部205、206，另一方面，在上述电阻膜204的两端一体化设置有窄宽度部207、208。然后，通过在上述两个端子电极207、208的凸部205、206上使窄宽度部207、208向该凸部205、206重叠而电连接，或者通过将凸部205、206向窄宽度部207、208重叠而电连接，且在上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a和上述电阻膜204的外侧面204a、204b之间形成间隙209、210。由此提出，对于上述电阻膜204，加长电流经过的路径的状态下，其构成抑制在上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a和上述电阻膜204的外侧面204a、204b之间的放电的发生。

另一方面，当上述电阻膜形成曲折形时，例如，如特开2001-338801号公报所述，首先，在两个端子电极之间的部分上，以适宜的尺寸形成在上述左右两端的方向上延伸的电阻膜，并通过网格印刷等使该电阻膜的长方向的一端以及另一端与上述两个端子电极电导通。然后，在上述电阻膜的左右两个侧面的一个侧面上，在对上述电阻膜进行网格印刷的同时形成作为上述伸入槽并开始自该侧面的第1伸入槽。进而，在上述电阻膜的左右两个侧面的另一个侧面上，通过形成上述电阻膜之后的激光光线照射等加工工作而刻划设置开始自该侧面的第2伸入槽。由此，以电从上述电阻体的两端的一个端子电极朝向另一个端子电极流过上述电阻体的路径被加长的方式，做成曲折形的构成。

此时，通过上述激光光线照射等加工工作而成第2伸入槽时，兼用作使电阻膜的电阻值进入规定的允许范围的修整调整，并在使用网格印刷等形成上述电阻膜之后进行刻划设置。

但是，在特开2000-216001号公报以及特开2002-203702号公报中所述的上述现有技术中，使上述两个端子电极202、203的凸部205、206的左右两个侧面205a、205b、206a、206b当中的、与上述芯片基板201的一个侧面201c相对的内侧的面205b、206b，与上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a成直角，由此，存在如下所述的问题。

即，当采用网格印刷等形成上述电阻膜204以及对应于其两端的两个端子电极202、203时，在其相互之间，如图9的二点划线所示，电阻膜204在印刷时相对于两个端子电极202、203偏移等误差必然存在。由此，关于上述凸部205、206的宽度W，必须设置成大的尺寸，使得即使上述的偏移误差成为最大，也能使上述电阻膜204的窄宽度部207、208不从上述凸部205、206的朝内的侧面205b、206b露出来。

因此，在上述两个端子电极202、203的凸部205、206朝内侧面205b、206b与上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a成直角的状态下，关于将上述凸部205、206的宽度W设置成大的尺寸，相对于上述电阻膜204的外侧面204a、204b的与上述两个端子电极202、203的内侧面202a、203a相对的部分的长度L’，即用于防止放电的间隙209、210的长度因上述凸部205、206的宽度W的大尺寸设置而变短。因此，对于电阻膜204，有电流过的路径的长度变短，电阻膜204的耐浪涌特性降低。

另一方面，关于特开2001-338801号公报所述的上述现有技术，当通过上述加工工作在上述电阻膜上刻划设置第2伸入槽时，如果刻划设置该第2伸入槽的位置在该第2伸入槽的宽度方向上偏移，则该第2伸入槽、和在形成上述电阻膜的同时设置的第1伸入槽之间的间隔尺寸、以及和两个端子电极之间的间隔尺寸，通过变宽或者变窄而得到增减，由此，上述电阻膜的电阻值发生变动。

因此，以前是使用照相机对整个芯片基板的表面进行拍摄，在其图像上，从上述电阻体的整个形状特定刻划设置上述第2伸入槽的位置。但是，对于刻划设置的位置在第2伸入槽的宽度方向的偏移的误差，加上使用网格印刷等形成上述电阻膜时的印刷误差，该偏移误差增大，有时超过该偏移误差的允许值。因此，出现电阻膜的电阻值脱离规定范围的次品的几率较高。

而且，因为从电阻膜的整体图像进行刻划设置的位置特定需要花费时间，所以采用上述加工工作对第2伸入槽进行刻划设置的速度变慢，造成成本升高。

发明内容

本发明正是将提供消除这些问题的芯片电阻器及其制造方法作为技术课题的发明。

本发明之一的芯片电阻器，是通过以下方式形成的芯片电阻器，即，在芯片基板上面当中，在与其左右两个端面邻接的部位上形成的端子电极，且在所述两个端子电极之间的部位上形成曲折形的电阻膜，并且，在所述两个端子电极的一方或双方的内侧面中，在与所述芯片基板的一方侧面或另一方侧面相邻的部位上，一体化设置朝向其之间的电阻膜突出的凸部，另一方面，将在所述电阻膜的两端上一体化设置的窄宽度部电连接到所述凸部，由此而成芯片电阻器，其特征在于，将所述凸部的左右两侧面中的、相对于所述芯片基板的一方侧面或另一方侧面的对侧的朝内的侧面，设置成所述凸部的宽度尺寸在所述凸部的前端变窄的倾斜面。

另外，本发明之二的特征在于，在上述本发明之一中，上述倾斜面和上述两个端子电极的内侧面之间的角度在160度以下。

另外，本发明之三的特征在于，在上述的本发明之一中，所述曲折形的电阻膜，是在形成所述电阻膜之时设置开始自其左右两个侧面中的一方的侧面的第1伸入槽，且在形成所述电阻膜之后采用激光光线照射等加工工作而刻划设置开始自另一方侧面的第2伸入槽而成，而且，在形成所述电阻膜之时，在所述电阻膜的另一方侧面的用于设置所述第2伸入槽的基准位置上设置凹部。

另外，本发明之四的特征在于，在上述本发明之三中，使上述凹部的宽度尺寸大于上述第2伸入槽的宽度尺寸，并使上述第2伸入槽的始端位于该凹部内。

另外，本发明之五的特征在于，在上述本发明之四中，将所述凹部的宽度尺寸，设置为不超过所述第2伸入槽的向其宽度方向的偏移的误差的最大允许误差尺寸的尺寸。

另外，本发明之六的特征在于，具备：在芯片基板上面的与其左右两个端部邻接的部分上形成端子电极的工序、和在所述芯片基板上面的所述两个端子电极之间的部分上形成电阻膜的工序，其中，形成所述两个端子电极的工序包括下述的工序，即：在所述两个端子电极中的一方或双方的内侧面中的与所述芯片基板的一方或另一方侧面邻接的部位上，一体化形成与所述电阻膜的两端的窄宽度部电连接的凸部，进一步其中，将所述凸部的左右两侧面中的相对于所述芯片基板的一方或另一方侧面的对侧的朝内的侧面，设置成所述凸部的宽度尺寸在所述凸部的前端变窄的倾斜面。

另外，本发明之七的特征在于，在上述本发明之六中，形成所述电阻膜的工序具备：将电阻膜的两端与左右一对端子电极的电导通且设置形成开始自所述电阻膜的左右两个侧面中的一方侧面的第1伸入槽的工序；接着通过激光光线照射等加工工作刻划设置，在所述电阻膜上设置开始自其左右两个侧面中的另一方侧面的第2伸入槽的工序，进而，形成所述电阻膜的工序包括：在所述电阻膜的另一方侧面中的用于设置所述第2伸入槽的基准位置上设置凹部的工序，刻划设置所述第2伸入槽的工序包括：以所述凹部为目标开始的工序。

当是类似上述本发明之一以及之六的构成时，通过使上述两个端子电极的凸部的朝内的侧面形成该凸部的宽度尺寸在该凸部的前端变窄的倾斜面，并当以使上述凸部的宽度尺寸与电阻膜和两个端子电极之间的相对偏移误差的最大值相对应的方式对其进行设置时，能够通过将上述凸部的朝内的侧面做成倾斜面，抑制上述电阻膜的外侧面中的与上述两个端子电极的内侧面相对的部分的长度的变短。

因此，能够使电阻膜中的有电流过的路径比现有技术中的路径长，由此能够确实可靠地改善上述电阻膜的耐浪涌特性。

当是类似上述本发明之三以及之七的构成时，在电阻膜的另一方侧面上，在形成该电阻膜时设置凹部，通过将该凹部作为设置第2伸入槽时的基准位置，当在上述电阻膜上刻划设置上述第2伸入槽时，能够通过上述凹部准确且迅速地确定该第2伸入槽的设置位置。

因此，当采用上述加工工作刻划设置第2伸入槽时，该第2伸入槽能够使在该第2伸入槽的宽度方向上的偏移误差远远小于以往的根据整体图像确定刻划设置位置时的误差，所以能够大幅度降低因上述偏移误差造成的次品的产生几率，而且能够缩短完成上述第2伸入槽的刻划设置所需的时间，降低成本。

当是类似上述本发明之四的构成时，能够将上述第2伸入槽的宽度方向上的偏移误差限制在上述凹部的宽度尺寸的范围之内。

当是类似上述本发明之五的构成时，能够将上述第2伸入槽的宽度方向上的偏移误差限制在该偏移误差的最大允许误差尺寸之内，所以有助于上述的本发明之四的效果。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的芯片电阻器的俯视图。

图2是表示图1的II-II视放大剖视图。

图3是图1的要部放大图。

图4是表示本发明的第2实施方式的芯片电阻器的俯视图。

图5是表示图4的V-V视放大剖视图。

图6是表示在制造上述芯片电阻器时当在芯片基板上形成端子电极时的俯视图。

图7是表示在制造上述芯片电阻器时当在芯片基板上形成电阻膜时的俯视图。

图8是表示采用现有技术的芯片电阻器的俯视图。

图9是图8的要部放大图。

具体实施方式

下面，根据附图说明本发明的实施方式。

图1～图3表示本发明的第1实施方式的芯片电阻器。

对于该芯片电阻器100，其芯片基板1是由将陶瓷等耐热绝缘材料做成长方形而成，在该芯片基板1上面的沿着长方向与左右两个端面1a、1b邻接的部分上，通过其材料胶的网格印刷以及随后的烧制而形成端子电极2、3。

另外，在上述芯片基板1上面的上述端子电极2、3之间的部分上，通过其材料胶的网格印刷以及随后的烧制并以适宜的宽度尺寸形成有在上述芯片基板1的长方向上延伸的电阻膜4(宽度尺寸W0)。

当形成上述两个端子电极2、3时，在一个端子电极2的内侧面2a的与上述芯片基板1的一个侧面1c邻接的部分上设置有朝向上述电阻膜4突出的凸部5，在另一个端子电极3的内侧面3a的与上述芯片基板1的另一侧1d相邻的部分上设置有同样朝向上述电阻膜4凸出的凸部6，且两个凸部分别设置与电阻没4成一体。

另一方面，当形成上述电阻膜4时，在其左右两端的外侧面4a、4b上一体化形成窄宽度部7、8，通过使该窄宽度部7、8重叠在上述两个端子电极2、3的凸部5、6上而电连接，而且通过在该电阻膜4的两个外侧面4a、4b和上述两个端子电极2、3的内侧面2a、3a之间形成间隙9、10，形成为其之间不发生发电的构成。

此时，在上述电阻膜4上，在采用网格印刷形成该电阻膜4的同时设置有开始自一个相对长方向的侧面的第1伸入槽11和开始自另一相对长方向的侧面的第1伸入槽12，除此之外，在形成该电阻膜4之后，通过采用激光光线照射等加工工作而设置2个第2伸入槽13、14，形成曲折形。

另外，在其他实施方式中，当然可以按照下述的作业顺序进行，即通过前面的工序形成上述电阻膜4，接着，通过在随后的工序中形成两个端子电极2、3，以使该两个端子电极2、3的凸部5、6相对上述电阻膜4的两端的窄宽度部7、8重叠。

然后，在形成上述两个端子电极2、3时，关于一个端子电极2的凸部5的左右两个侧面5a、5b中的、上述芯片基板1的一个侧面1c的对侧的朝内的侧面5b，相对上述的一个端子电极2的内侧面2a，形成该凸部5的宽度尺寸W在凸部5的前端变窄的倾斜面。另外，关于另一个端子电极3的凸部6的左右两个侧面6a、6b中的、上述芯片基板1的另一个侧面1d的对侧的朝内的侧面6b，相对上述的另一个端子电极3的内侧面3a，形成该凸部6的宽度尺寸W在凸部6的前端变窄的倾斜面。

此时，上述两个端子电极2、3的凸部5、6的宽度尺寸W设置成以下宽度，即：即使与上述图8和图9所示的现有技术的情况相同地，上述电阻膜4和两个端子电极2、3因为网格印刷的偏移而出现如图3的二点划线所示的相对偏移时，偏移误差成为最大，也使上述电阻膜4的窄宽度部7、8没有从上述凸部5、6的朝内的侧面5b、6b露出来的大尺寸。

另外，在图2中，符号15表示采用加工工作刻划设置上述两个第2伸入槽13、14之后以覆盖整个上述电阻膜4的方式形成的盖层，符号16、17表示在上述芯片基板1的背面形成的端子电极，然后，符号18、19表示在上述芯片基板1的两个端面1a、1b上以连接上面侧的端子电极2、3和下面侧的端子电极16、17的方式形成的侧面端子电极。

如上所述，通过使上述两个端子电极2、3的凸部5、6的朝内的侧面5b、6b形成为该凸部5、6的宽度尺寸W在该凸部5、6的前端变窄的倾斜面，从而，上述电阻膜4的外侧面4a、4b的与上述两个端子电极2、3的内侧面2a、3a相对的部分的长度L、即上述间隙9、10的长度，与上述朝内的侧面5b、6b与两个端子电极2、3的内侧面2a、3a成直角的情况相比，由于将该朝内的侧面5b、6b制成倾斜面，因而变长。

换言之，当以与电阻膜4和两个端子电极2、3之间的相对偏移误差的最大值相对应的方式设定上述凸部5、6的宽度尺寸W时，能够通过将上述凸部5、6的朝内的侧面5b、6b制成倾斜面，抑制上述电阻膜4的外侧面4a、4b的与上述两个端子电极2、3的内侧面2a、3a相对的部分的长度L的变短。

此时，根据本发明者的实验，当上述朝内的侧面5b、6b与上述端子电极2、3的内侧面2a、3a之间的角度θ超过160度而增大时，上述朝内的侧面5b、6b和电阻膜4的外侧面4a、4b之间的角度减小，所以其之间发生放电，出现上述间隙9、10的长度实质上大致与上述现有技术的情况相同地变短的情况。因此，上述角度θ优选设置成160度以下。

还有，当采用加工工作对上述电阻膜4刻划设置第2伸入槽13、14时，在上述电阻膜4的位于通过上述加工工作的第2伸入槽13、14的始端的部位上，在采用网格印刷等形成上述电阻膜4的同时形成有凹部20、21。然后，从该凹部20、21出发形成通过上述加工工作的第2伸入槽13、14的刻划设置，由此，能够高精度地特定通过上述加工工作刻划设置第2伸入槽13、14的位置。关于其详细内容在第2实施方式中说明。

接着，图4～图7表示本发明的第2实施方式，其中，图4和图5表示第2实施方式的芯片电阻器100’。

关于该芯片电阻器100’，其芯片基板101是用陶瓷等耐热绝缘材料以宽度D0长度L0而制成，在该芯片基板101上面的沿着长方向的左右两端的部分上形成端子电极102、103，另一方面，在上述芯片基板101上面的上述端子电极102、103之间的部分上，通过其材料胶的网格印刷以及随后的烧制并以适宜的宽度W0，形成在上述芯片基板101的长方向上延伸的电阻膜104。

上述电阻膜104的一端104e以相同于在该电阻膜104的宽度W0的前提下重叠在上述一个端子电极103上而电连接。另外，上述电阻膜104的另一端104f，在该电阻膜104的长方向的左右两个侧面104c、104d中的一方的104c的部分上一体化设置窄宽度部107，并借助该窄宽度部107与在上述另一个端子电极102上设置的凸部105重叠而电连接。该凸部105的形成与第1实施方式的凸部5相同。

此时，在上述芯片基板101的上面，首先如图6所示，形成上述左右一对端子电极102、103，接着如图7所示，以上述电阻膜104的两端重叠在上述两端电极102、103上的方式形成上述电阻膜104。另外，在其他实施方式中，也能够先形成上述电阻膜104，接着以电连接在上述电阻膜104的两端的方式形成左右一对端子电极102、103。

另外，在上述电阻膜104上，在使用网格印刷等形成上述电阻膜104的同时形成开始自上述一个侧面104c并朝向另一个侧面104d延伸的第1伸入槽111、以及开始自上述另一个侧面104d并朝向一个侧面104c延伸的第1伸入槽112。

此时，以下述方式配设上述两个第1伸入槽111、112，即在上述电阻膜104的长方向的大致中央的部分，一个第1伸入槽111位于电阻膜104的一端104e侧，另一个第1伸入槽112位于电阻膜104的另一端104f侧，在此状态下，在二者之间隔开规定的电阻宽度A使其相互邻接。

进而，在上述电阻膜104的一端104e和上述一个第1伸入槽111之间的部分上，通过激光光线照射等加工工作，以开始自上述另一个侧面104d并朝向一个侧面104c延伸的方式刻划设置第2伸入槽114。另外，在上述电阻膜104的另一端104f和上述另一个第1伸入槽112之间的部分上，通过激光光线照射等加工工作，以开始自上述一个侧面104c并朝向另一个侧面104d延伸的方式刻划设置第2伸入槽113。由此，上述电阻膜104由上述两个第1伸入槽111、112以及两个第2伸入槽113、114，形成为曲折形。

还有，在图5中，符号115表示对上述两个第2伸入槽113、114进行刻划设置之后以覆盖整个上述电阻膜104的方式形成的盖层，符号116、117表示在上述芯片基板101的背面形成的端子电极，然后，符号118、119表示在上述芯片基板101的左右两个端面上以连接上面侧的端子电极102、103和下面侧的端子电极116、117的方式形成侧面端子电极。

然后，在设置上述电阻膜104的左右两个侧面104c、104d当中的上述两个第2伸入槽113、114的位置上，如图7所示，在通过网格印刷等形成上述电阻膜104的同时，形成成为用于设置该两个第2伸入槽113、114的基准位置的凹部120、121。

关于上述电阻膜104，在其上设置凹部120、121并形成之后，相对于该电阻膜104，通过激光光线照射等加工工作刻划设置上述两个第2伸入槽113、114，此时通过在拍摄了上述芯片基板101的上面的图像上识别上述凹部120、121，对设置上述两个第2伸入槽113、114的位置进行特定，从该特定的位置开始上述两个第2伸入槽113、114的刻划设置。

即，设置上述两个第2伸入槽113、114的位置的特定，是对于作为设置该两个第2伸入槽113、114的场所的上述凹部120、121的特定，因此，如上所述，与以前的情况相比即在拍摄了整个电阻膜104的图像上对设置两个第2伸入槽113、114的位置进行特定的情况相比，能够减小上述两个第2伸入槽113、114在其宽度方向上的偏移的误差，而且，与以往相比能够大幅度缩短自拍摄到上述特定所需要的时间。

还有，如前所述，当相对一个电阻膜104设置2个第2伸入槽113、114这样设置多个第2伸入槽时，这些多个槽可以由一台加工机进行刻划设置加工而成。

因此，此时，各第2伸入槽相互之间的间隔在上述加工机中能够高精度设置，所以成为用于设置上述第2伸入槽的基准位置的上述凹部的构成是，没有必要对全部的多条第2伸入槽设置，而可以只对各第2伸入槽中的最初的第2伸入槽进行设置，并由此能够完成上述的本发明的目的。

另外，上述凹部120、121的沿着电阻膜104的长方向的宽度C大于上述第2伸入槽113、114的宽度尺寸E，在该凹部120、121的宽度尺寸C的设定范围内，使上述凹部120、121位于上述第2伸入槽113、114的始端，从而增大其宽度尺寸C。由此，在图像上识别该凹部120、121变得更加容易。另外，能够限制上述第2伸入槽113、114在电阻膜104的长度方向上偏移的误差，以将其限定在上述凹部120、121的宽度尺寸C的范围内。

另外，关于上述电阻膜104的上述第伸入槽111、112和上述第2伸入槽113、114之间的电阻宽度尺寸B，即使上述第2伸入槽113、114在其宽度方向上偏移，该电阻宽度尺寸B的最小值不比上述两个第1伸入槽111、112之间的电阻宽度尺寸A窄。由此，对于上述第2伸入槽113、114在其宽度方向上偏移的误差，存在所谓上述第1伸入槽111、112和上述第2伸入槽113、114之间的电阻宽度尺寸B不能比上述两个第1伸入槽111、112之间的电阻宽度尺寸A窄的最大允许误差尺寸。

因此，除了上述第2伸入槽113、114位于凹部120、121内之外，还将上述凹部120、121的沿着电阻膜104的长方向的宽度尺寸C设置成不超过上述最大允许误差尺寸的值，由此能够限制上述第2伸入槽113、114的沿着电阻膜104的长方向的偏移误差，以将其限定在该偏移误差的最大允许误差尺寸内。

另外，根据本发明的第2实施方式，如果在形成于芯片基板上面的电阻膜上，具备在形成该电阻膜的同时设置的第1伸入槽、和在形成上述电阻膜之后通过激光光线照射等加工工作刻划设置的第2伸入槽，则上述的实施方式当然也能够应用于其他方式的芯片电阻器。例如，如第1实施方式所示，不仅在电阻膜的一端104e上，还在另一端104f上设置窄宽度部，则可以将第2实施方式应用于与在端子电极103上设置的凸部重叠的形态。

Claims

1、一种芯片电阻器，是通过以下方式形成的芯片电阻器，即，在芯片基板上面当中，在与其左右两个端面邻接的部位上形成的端子电极，且在所述两个端子电极之间的部位上形成曲折形的电阻膜，并且，在所述两个端子电极的一方或双方的内侧面中，在与所述芯片基板的一方侧面或另一方侧面相邻的部位上，一体化设置朝向其之间的电阻膜突出的凸部，另一方面，将在所述电阻膜的两端上一体化设置的窄宽度部电连接到所述凸部，由此而成芯片电阻器，其特征在于，

将所述凸部的左右两侧面中的、相对于所述芯片基板的一方侧面或另一方侧面的对侧的朝内的侧面，设置成所述凸部的宽度尺寸在所述凸部的前端变窄的倾斜面。

2、根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，

所述倾斜面和所述两个端子电极的内侧面之间的角度是160度以下。

3、根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，

所述曲折形的电阻膜，是在形成所述电阻膜之时设置开始自其左右两个侧面中的一方的侧面的第1伸入槽，且在形成所述电阻膜之后采用激光光线照射等加工工作而刻划设置开始自另一方侧面的第2伸入槽而成，

而且，在形成所述电阻膜之时，在所述电阻膜的另一方侧面的用于设置所述第2伸入槽的基准位置上设置凹部。

4、根据权利要求3所述的芯片电阻器，其特征在于，

使所述凹部的宽度尺寸大于所述第2伸入槽的宽度尺寸，并使所述第2伸入槽的始端位于所述凹部内。

5、根据权利要求4所述的芯片电阻器，其特征在于，

将所述凹部的宽度尺寸，设置为不超过所述第2伸入槽的向其宽度方向的偏移的误差的最大允许误差尺寸的尺寸。

6、一种芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

具备：在芯片基板上面的与其左右两个端部邻接的部分上形成端子电极的工序、和在所述芯片基板上面的所述两个端子电极之间的部分上形成电阻膜的工序，

其中，形成所述两个端子电极的工序包括下述的工序，即：在所述两个端子电极中的一方或双方的内侧面中的与所述芯片基板的一方或另一方侧面邻接的部位上，一体化形成与所述电阻膜的两端的窄宽度部电连接的凸部，其中，将所述凸部的左右两侧面中的相对于所述芯片基板的一方或另一方侧面的对侧的朝内的侧面，设置成所述凸部的宽度尺寸在所述凸部的前端变窄的倾斜面。

7、根据权利要求6所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

形成所述电阻膜的工序具备：将电阻膜的两端与左右一对端子电极的电导通且设置形成开始自所述电阻膜的左右两个侧面中的一方侧面的第1伸入槽的工序；接着通过激光光线照射等加工工作刻划设置，在所述电阻膜上设置开始自其左右两个侧面中的另一方侧面的第2伸入槽的工序，

进而，形成所述电阻膜的工序包括：在所述电阻膜的另一方侧面中的用于设置所述第2伸入槽的基准位置上设置凹部的工序，

刻划设置所述第2伸入槽的工序包括：以所述凹部为目标开始的工序。