CN1717754A - 芯片电阻器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种芯片电阻器,是形成绝缘基板(2)的上面当中的一对端子电极(2、3)之间的电阻膜(5),并在该电阻膜上,交互地设置用于使在该电阻膜中电流所流经的路径成为曲折状的两条进入槽(7、8)、两条修整槽(9、10)而构成的芯片电阻器,其中,通过将所述两条进入槽(7、8)在电阻膜(5)的一端(5a)和另一端(5b)之间的近似中央的部分上相互邻接地配设,并且将所述一方的修整槽(9)设于一方的进入槽(8)和电阻膜的一端(5a)之间的部位上,将另一方的修整槽(10)设于另一方的进入槽(7)和电阻膜的另一端(5b)之间的部位上,来谋求缩短将电阻值修整为特定值时所需要的时间,并且谋求降低保留率且低成本化。
Description
技术领域
本发明涉及在制成芯片型的绝缘基板的上面形成电阻膜而成的芯片电阻器当中的提高了耐振荡特性的芯片电阻器及其制造方法。
背景技术
一般来说,在制成芯片型的绝缘基板的上面形成电阻膜而成的芯片电阻器中,有在施加了因静电或电源噪音等的影响而产生的振荡电压的情况下,其电阻值容易变化的缺点。已知由该振荡电压产生的电阻值的变化可以通过延长电阻膜的电流所流经的路径的长度来改善。
所以,在作为先行技术的专利文献1及专利文献2中,记载有通过形成如下构成来提高耐振荡特性的芯片电阻器。
即,所述两专利文献当中的前者的专利文献1中所记载的芯片电阻器1’如图13所示,在形成芯片型的绝缘基板2’的上面当中的沿着长边方向的左右两端的部分上,形成端子电子3’、4’,另一方面,在所述绝缘基板2’的上面当中的所述端子电极3’、4’之间的部分上,以适当宽度尺寸W利用网板印刷形成沿着所述绝缘基板2’的长边方向延伸的电阻膜5’时,将该电阻膜5’的长边方向的一端5a’及另一端5b’在与该电阻膜5’的宽度尺寸W相同的状态下与所述两端子电极3’、4’电导通,另外,在所述电阻膜5’当中的长边方向的近似中央的部分上,将从该电阻膜5’的左右两长边侧面5c’、5d’当中的一方的长边侧面5c’向另一方的长边侧面5d’延伸的第1进入槽7’、从所述另一方的长方侧面5d’向一方的长边侧面5c’延伸的第2进入槽8’在分别使第1进入槽7’位于电阻膜5’的另一端5b’侧而第2进入槽8’位于电阻膜5’的一端5a’侧的状态下相互邻接,与利用网板印刷形成所述电阻膜5’的同时形成。
此外,在所述电阻膜5’当中的一端5a’和所述第2进入槽8’之间的部分上,利用激光光线的照射等刻设第1修整槽9’,使其从所述一方的长边侧面5c’向另一方的长边侧面5d’延伸,另外,在所述电阻膜5’当中的另一端5b’和所述第1进入槽7’之间的部分上,利用激光光线等的照射刻设第2修整槽10’,使其从所述另一方的长边侧面5d’向一方的长边侧面5c’延伸,通过将所述电阻膜5’用所述两进入槽7’、8’及两修整槽9’、10’制成曲折状,从而在所述电阻膜5’中尽可能地延长电流所流经的路径的长度。
另外,所述两专利文献当中的专利文献2中所记载的芯片电阻器21’如图14所示,在形成了芯片型的绝缘基板22’的上面当中沿着长边方向的左右两端的部分上,形成端子电极23’、24’,另一方面,在所述绝缘基板22’的上面当中的所述两端子电极23’、24’之间的部分上,以适当的宽度尺寸W利用网板印刷形成沿所述绝缘基板22’的长边方向延伸的电阻膜25’时,在该电阻膜25’的长边方向的一端25a’上,在该电阻膜25’的左右两长边侧面25c’、25d’当中的一方的长边侧面25c’的部分上一体化地设置第1窄幅部26’,借助该第1窄幅部26’与所述一方的端子电极23’电连接,在所述电阻膜25’的长边方向的另一端25b’上,在该电阻膜25’的左右两长边侧面25c’、25d’当中的另一方的长边侧面25d’的部分上一体化地设置窄幅部27’,借助该第2窄幅部27’与所述另一方的端子电极24’电连接,另外,在所述电阻膜25’上,与利用网板印刷形成所述电阻膜25’同时地在该电阻膜25’当中的与所述另一端25b’邻接的部分上形成从所述另一方的长边侧面25d’向一方的长边侧面25c’延伸的第1进入槽28’,在该电阻膜25’当中的与所述另一端25a’邻接的部分上形成从所述一方的长边侧面25c’向另一方的长边侧面25d’延伸的第2进入槽29’。
此外,在所述电阻膜25’中,在所述两进入槽28’、29’的部分当中的与所述第1进入槽28’邻接的部分上,利用激光光线等的照射刻设第1修整槽30’,使之从另一方的长边侧面25c’向一方的长边侧面25d’延伸,另外,在所述电阻膜25’中,在所述两进入槽28’、29’之间的部分当中的与第2进入槽29’邻接的部分上,利用激光光线等的照射刻设第2修整槽31’,使之从另一方的长边侧面25d’向一方的长边侧面25c’延伸,通过将所述电阻膜25’利用所述两进入槽28’、29’及两修整槽30’、31’制成曲折状,从而在所述电阻膜25’中尽可能地延长电流所流经的路径的长度。
专利文献1:特开2002-338801号公报
专利文献2:特开平9-205004号公报
根据所述的专利文献1中所述的构成(图13),由于通过使电阻膜5’因两进入槽7’、8’及两修整槽30’、31’而变为曲折状,在电阻膜中电流所流经的路径的长度变长,因此就可以在形成小型及轻量化的状态的基础上可靠地提高耐振荡特性。
但是,另一方面,由于将所述四条槽7’、8’、9’、10’当中的两条修整槽9’、10’刻设在电阻膜5’中的与两端子电极3’、4’以相同宽度尺寸W连接的部分上,因此就会有如下所述的问题。
(1)所述两修整槽9’、10’虽然是兼有增加用于延长在电阻膜5’中电流所流经的路径的长度的曲折的数目和将两端子电极3’、4’之间的电阻值调整为落入特定的规格范围内这两方面作用而刻设的,但是所述两修整槽9’、10’由于被设于电阻膜5’仍以其宽度尺寸W与两端子电极3’、4’连接的部分上,因此该两修整槽9’、10’的每单位长度的电阻值的变化率较小,所以通过在测定两端子电极3’、4’之间的电阻值的同时刻设所述两修整槽9’、10’而将所述电阻值修整调节为落入特定的规格范围时就需要较多时间,生产性较低。
(2).所述电阻膜5’由于按照减少刻设两修整槽9’、10’之前的电阻值和刻设两修整槽9’、10’之后的电阻值的差值的方式而构成,因此当所述两修整槽的每单位长度的电阻值的变化率在两修整槽9’、10’中相同时,则能够使电阻值落入特定的规格范围内的保留率变低,所述的生产性较低,随之导致制造成本的升高。
(3).在刻设所述两修整槽9’、10’时,存在刻设修整槽的位置在电阻膜的长边方向上偏移这样的误差,由于该位置偏移误差的影响,所述电阻膜5’当中的第1修整槽9’和第2修整槽10’之间的间隔尺寸S1及第2修整槽10’和第1修整槽7’之间的间隔尺寸S2当中的任意一方或双方就会越过特定值例如电阻膜5’当中两进入槽7’、8’之间的间隔尺寸S0而变小,使得成为不合格产品,不合格产品的发生率进一步提高。
另一方面,根据所述专利文献2中所述的构成,由于在电阻膜25’的两端,具有与两端子电极23’、24’重叠的窄幅部26’、27’,因此就可以使曲折的数目与将所述电阻膜25’的一端不借助窄幅部地像所述专利文献1那样仍以较宽的宽度与端子电极连接的情况相比更多,从而可以不增大绝缘基板22的长度尺寸地延长在电阻膜中电流所流经的路径的长度,因而可以在小型及轻量化状态的基础上大幅度地提高耐振荡特性。
但是,另一方面,由于将所述四条槽28’、29’、30’、31’当中的两条修整槽30’、31’相互邻接地刻设,因此就会有如下所述的问题。
即,所述两修整槽30’、31’虽然各自兼有增加用于延长在电阻膜5’中电流所流经的路径的长度的曲折的数目和将两端子电极23’、24’之间的电阻值调整为落入特定的规格范围内的作用分别而刻设的,但是在刻设该修整槽时,存在刻设修整槽的位置在电阻膜的长边方向上偏移这样的误差。
在该情况下,当采用将该两条修整槽30’、31’按照相互邻接的方式并列刻设的构成时,在分别刻设这两条修整槽30’、31’时,该两修整槽30’、31’在因其刻设加工时的所述位置偏移误差而相互接近时,电阻膜25’当中的所述两修整槽30’、31’之间的间隔尺寸S1就会越过特定值而变小,例如超过电阻膜25’当中的从另一端25b’到第1进入槽28’之间的间隔尺寸S0及从一端25a’到第2进入槽29’之间的间隔尺寸S0,从而变为不合格产品,不合格产品的发生率提高。
为了避免此种不合格产品的产生,虽然预估所述刻设加工时的位置偏移误差的部分而拓宽所述两修整槽30’、31’的间隔即可,但是如此构成不仅会增大绝缘基板22的长度尺寸,而且会导致大型化及重量的增加。
发明内容
本发明的方式1的目的在于,消除所述专利文献1中所述的芯片电阻器所具有的所述问题,方式2的目的在于,消除所述专利文献1中所述的芯片电阻器所具有的所述问题。
本发明的方式1是由形成芯片型的绝缘基板、形成于该绝缘基板的上面的左右两端部的一对端子电极、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部分上以适当宽度尺寸沿两端子电极的方向延伸地利用网板印刷形成的电阻膜构成,并在所述电阻膜上,与利用网板印刷形成该电阻膜同时地形成从该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽而构成的芯片电阻器,其特征是,将所述电阻膜的长边方向的一端仍以该电阻膜的宽度尺寸与所述一方的端子电极导通,另一方面,将所述电阻膜的长边方向的另一端借助设于该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分上的窄幅部与所述另一方的端子电极导通,另一方面,将所述第1进入槽和所述第2进入槽按照在所述第1进入槽位于电阻膜的另一端侧而所述第2进入槽位于电阻膜的一端侧的状态下相互邻接的方式配设在所述电阻膜的长边方向的近似中央的部分上,在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸,另外,在所述电阻膜的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸。
该构成中,刻设于电阻膜上的两条修整槽当中的第1修整槽由于被设于所述电阻膜中的仍以其宽度尺寸与一方的端子电极连接的部分上,因而该第1修整槽的每单位长度的电阻值的变化率与所述先行技术的情况相同地较小。
与之相反,所述两条修整槽当中的第2修整槽由于被设于电阻膜当中借助窄幅部与另一方的端子电极连接的另一端和第1进入槽之间的部分上,因而该第2修整槽的每单位长度的电阻值的变化率大于所述第1修整槽的电阻值的变化率。
所以,在将两端子间的电阻值按照落入特定的规格范围中的方式调整时,可以首先通过刻设电阻值变化率较大的第2修整槽,将电阻值按照接近特定的额定值的方式进行粗调,然后,通过刻设电阻值变化率较小的第1修整槽,将电阻值按照落入特定的额定值的范围的方式进行精密的调整。
其结果是,可以因在利用第1修整槽进行的精密调整之前利用第2修整槽进行粗调,而将在测定两端子间的电阻值的同时通过刻设所述两修整槽而使所述电阻值落入特定的规定范围地调整中所需要的时间缩短,从而可以提高生产性,并且可以降低保留率,因而可以降低制造成本。
另外,在该方式1中,通过使从第1修整槽到第2进入槽之间的间隔尺寸、从第1进入槽到第2修整槽之间的间隔尺寸及从电阻膜的另一端到第2修整槽之间的间隔尺寸各自与从所述第1进入槽到第2进入槽之间的间隔尺寸相比,增大刻设所述各修整槽时的位置偏移误差的量,就可以避免电阻膜当中的从第1修整槽到第2进入槽之间的间隔尺寸、从第1进入槽到第2修整槽之间的间隔尺寸、及从电阻膜的另一端到第2修整槽之间的间隔尺寸的各自由于刻设两修整槽时的位置偏移误差的影响,越过电阻膜当中的两进入槽间的间隔尺寸而变小,因此就有可以可靠地减少不合格产品的发生率的优点。
另外,在该方式1中,可以采用具有以下特征的制造方法,即,由在制成了芯片型的绝缘基板的上面当中的左右两端形成端子电极的工序、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部位上利用网板印刷形成电阻膜的工序构成,利用网板印刷形成所述电阻膜的工序包括:将所述电阻膜的长边方向的一端仍以该电阻膜的宽度尺寸与所述一方的端子电极导通,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,以及在所述电阻膜上分别设置从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,另外,还具备在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的工序、在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的工序。
此外,本发明的方式2是如下制成的芯片电阻器,即,由制成了芯片的绝缘基板、形成于该绝缘基板的上面的左右两端部的一对端子电极、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部分上以适当宽度尺寸沿两端子电极的方向延伸地利用网板印刷形成的电阻膜构成,在所述电阻膜的长边方向的一端上,一体化地具备在该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面的部分上与所述一方的端子电极导通的第1窄幅部,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地具备在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分上与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,另外,在所述电阻膜上,将从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,与利用网板印刷形成该电阻膜同时地形成,其特征是,将所述第1进入槽和所述第2进入槽,按照在第1进入槽位于电阻膜的另一端侧而第2进入槽位于电阻膜的一端侧的状态下相互邻接的方式配设在所述电阻膜的长边方向的近似中央的部分上,在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸,另外,在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸。
该构成中,由于在使将电阻膜以两条进入槽和两条修整槽制成曲折状的数目与先行技术相同的状态的基础上,使第1修整槽和第2修整槽不相互邻接,两条进入槽位于其间,从而使之相互分离,因此在该两修整槽因分别刻设加工它们时的位置偏移误差的影响而相互接近的情况下,可以不增大绝缘基板的长度尺寸地可靠地避免所述两条进入槽和两条修整槽的相互间的间隔尺寸越过特定值而变小的情况。
其结果是,具有如下的效果,即,可以不导致产品的大型化及重量的增加且大幅度地降低制造时的不合格产品的发生率。
另外,该方式2中,通过使从电阻膜的一端到第1修整槽之间的间隔尺寸、从第1修整槽到第2进入槽之间的间隔尺寸、从第1进入槽到第2修整槽之间的间隔尺寸及从电阻膜的另一端到第2修整槽之间的间隔尺寸各自与从所述第1进入槽到第2进入槽之间的间隔尺寸相比,增大刻设所述各修整槽时的位置偏移误差的量,就可以避免两条进入槽和两条修整槽的相互之间的间隔尺寸由于刻设加工两条修整槽时的位置偏移误差的影响,与在利用网板印刷形成电阻膜时同时地形成的两条进入槽的相互间的间隔尺寸相比更小的情况,因此就有可以更为可靠地减少不合格产品的发生率的优点。
另外,该方式2中,可以采用具有以下特征的制造方法,即,由在制成了芯片型的绝缘基板的上面当中的左右两端形成端子电极的工序、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部位上利用网板印刷形成电阻膜的工序构成,利用网板印刷形成所述电阻膜的工序包括:在所述电阻膜的长边方向的一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面的部分与一方的端子电极导通的第1窄幅部,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,以及在所述电阻膜上分别设置从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,另外,还具备在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的工序、在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的工序。
本发明的其他的目的、特征及优点从基于以下附加的图面说明的实施方式可以清楚了解。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的芯片电阻器的俯视图。
图2是图1的II-II视放大剖面图。
图3是表示在所述实施方式1的芯片电阻器的制造时工序1的图。
图4是表示在所述实施方式1的芯片电阻器的制造时工序2的图。
图5是表示在所述实施方式1的芯片电阻器的制造时工序3的图。
图6是表示在所述实施方式1的芯片电阻器的制造时工序4的图。
图7是本发明的实施方式2的芯片电阻器的俯视图。
图8是图7的VIII-VIII视放大剖面图。
图9是表示所述实施方式2的芯片电阻器的制造时工序1的图。
图10是表示所述实施方式2的芯片电阻器的制造时工序2的图。
图11是表示所述实施方式2的芯片电阻器的制造时工序3的图。
图12是表示所述实施方式2的芯片电阻器的制造时工序4的图。
图13是表示以往的芯片电阻器的俯视图。
图14是其他的以往的芯片电阻器的俯视图。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1及图2表示本发明的实施方式1的芯片电阻器1。
该芯片电阻器1在制成了宽度尺寸D、长度尺寸L的长方形的芯片型的绝缘基板2的上面当中的沿着长边方向延伸的左右两端的部分上,形成端子电极3、4,另一方面,在所述绝缘基板2的上面当中的所述端子电极3、4之间的部分上,利用其材料糊状物的网板印刷及其后的煅烧形成以适当宽度尺寸W沿所述绝缘基板2的长边方向延伸的电阻膜5。
在利用网板印刷形成所述电阻膜5时,该电阻膜5的长边方向的一端5a虽然仍以该电阻膜5的宽度尺寸W与所述一方的端子电极3重叠连接,但是所述电阻膜5的长边方向的另一端5b在该电阻膜5的左右两长边侧面5c、5d当中的另一方的长边侧面5d的部分上一体化地设置窄幅部6,借助该窄幅部6与所述另一方的端子电极4电连接,另外,在所述电阻膜5上,将从所述一方的长边侧面5c向另一方的长边侧面5d延伸的第1进入槽7、从所述另一方的长边侧面5d向一方的长边侧面5c延伸的第2进入槽8与利用网板印刷形成所述电阻膜5同时地形成。
该情况下,将所述第1进入槽7和所述第2进入槽8配设在所述电阻膜5的长边方向的近似中央的部分上,使得在第1进入槽7位于电阻膜5的另一端5b侧而第2进入槽8位于电阻膜5的一端5a侧的状态下相互邻接。
此外,通过在所述电阻膜5当中的一端5a和所述第2进入槽8之间的部分上,利用激光光线的照射等刻设第1修整槽9,使之从所述一方的长边侧面5c向另一方的长边侧面5d延伸,另外,在所述电阻膜5当中的另一端5b和所述第1进入槽7之间的部分上,相同地利用激光光线的照射等刻设第2修整槽10,使之从所述另一方的长边侧面5d向一方的长边侧面5c延伸,而将所述电阻膜5利用所述两进入槽7、8及两修整槽9、10制成曲折状。
而且,符号11表示在刻设加工了所述两修整槽9、10后按照覆盖所述电阻膜5的整体的方式形成的覆盖涂层。另外,所述两端子电极3、4经过所述绝缘基板2的左右两端面2a、2b而延伸至绝缘基板2的背面侧。
通过如此构成,刻设于电阻膜5上的两条修整槽9、10当中的第1修整槽9由于被设于所述电阻膜5当中的仍以其宽度尺寸W与一方的端子电极3连接的部分上,因此该第1修整槽9的每单位长度的电阻值的变化率与所述先行技术的情况同样地较小。
与之相反,所述两条修整槽9、10当中的第2修整槽10由于被设于所述电阻膜5当中的借助窄幅部6与另一方的端子电极4连接的另一端5b和第1进入槽7之间的部分上,因此该第2修整槽10的每单位长度的电阻值的变化率与所述第1修整槽的电阻值的变化率相比更大。
所以,在将两端子电极3、4的电阻值按照落入特定的规格范围中的方式进行调整时,可以通过首先在测定电阻值的同时刻设电阻值变化率较大的第2修整槽10,而将电阻值按照接近特定的额定值的方式粗调,其后,通过在测定电阻值的同时刻设电阻值变化率较小的第1修整槽9,将电阻值按照落入特定的额定值范围中的方式精密地调整。
该情况下,在刻设加工所述两修整槽9、10时,当将向绝缘基板2的一端侧的位置偏移误差及向绝缘基板2的另一端侧的位置偏移误差设为微小尺寸Δδ1时,就会使从所述第1修整槽9到第2进入槽8之间的间隔尺寸A1、从第1进入槽7到第2修整槽10之间的间隔尺寸A2、及从电阻膜5的另一端5b到第2修整槽10之间的间隔尺寸A3各自与从所述第1进入槽7到第2进入槽8之间的间隔尺寸B相比大所述的位置偏移误差Δδ1的量,换言之,通过设为B+Δδ1以上,就可以可靠地避免两条进入槽7、8和两条修整槽9、10的相互间的间隔尺寸A1、A2、A3的各自,由于刻设加工两条修整槽9、10时的位置偏移误差的影响,而小于与在利用网板印刷形成电阻膜5时同时地形成的两条进入槽7、8的相互间的间隔尺寸B的情况发生。
此外,所述的构成的芯片电阻器1最好经过如下所述的工序制造。
即,具备:在所述绝缘基板2的上面如图3所示形成左右一对端子电极3、4的工序、在所述绝缘基板2的上面如图4所示利用网板印刷形成电阻膜5并在该电阻膜5上设置与所述端子电极3、4重叠的窄幅部6及两进入槽7、8的工序。
该情况下,也可以使形成电阻膜5的工序在前,使形成两端子电极3、4的工序在后。
然后,在所述电阻膜5上,如图5所示,利用激光光线的照射等刻设第2修整槽10。此时,通过在测定两端子电极3、4之间的电阻值的同时,刻设所述第2修整槽10,将所述电阻值按照接近特定的额定值的方式粗调。
然后,在所述电阻膜5上,如图6所示,利用激光光线的照射等刻设第1修整槽9。此时,通过在测定两端子电极3、4的电阻值的同时,刻设所述第1修整槽9,将所述电阻值按照落入特定的额定值的范围内的方式精密地调整。
此外,在所述绝缘基板2的上面,形成覆盖所述电阻值5的整体的覆盖涂层11。
另外,图7及图8表示本发明的实施方式2的芯片电阻器21。
该芯片电阻器21在制成了宽度尺寸D、长度尺寸L的长方形的芯片型的绝缘基板22的上面当中的沿着长边方向延伸的左右两端的部分上,形成端子电极23、24,另一方面,在所述绝缘基板22的上面当中的所述端子电极23、24之间的部分上,利用其材料糊状物的网板印刷及其后的煅烧形成以适当宽度尺寸W沿所述绝缘基板22的长边方向延伸的电阻膜25。
在利用网板印刷形成所述电阻膜25时,在该电阻膜25的长边方向的一端25a上,在该电阻膜25的左右两长边侧面25c、25d当中的一方的长边侧面25c的部分上一体化地设置第1窄幅部26,借助该第1窄幅部26与所述一方的端子电极23电连接,在所述电阻膜25的长边方向的另一端25b上,在该电阻膜25的左右两长边侧面25c、25d当中的另一方的长边侧面25d的部分上一体化地设置第2窄幅部27,借助该第2窄幅部27与所述另一方的端子电极24电连接,另外,在所述电阻膜25上,将从所述一方的长边侧面25c向另一方的长边侧面25d延伸的第1进入槽28、从所述另一方的长边侧面25d向一方的长边侧面25c延伸的第2进入槽29与利用网板印刷形成所述电阻膜25同时地形成。
该情况下,将所述第1进入槽28和所述第2进入槽29配设在所述电阻膜25的长边方向的近似中央的部分上,使得在第1进入槽28位于电阻膜25的另一端25b侧而第2进入槽29位于电阻膜25的一端25a侧的状态下相互邻接。
此外,通过在所述电阻膜25当中的一端25a和所述第2进入槽28之间的部分上,利用激光光线的照射等刻设第1修整槽30,使之从所述一方的长边侧面25c向另一方的长边侧面25d延伸,另外,在所述电阻膜25当中的另一端25b和所述第1进入槽28之间的部分上,相同地利用激光光线的照射等刻设第2修整槽31,使之从所述另一方的长边侧面25d向一方的长边侧面25c延伸,而将所述电阻膜25利用所述两进入槽28、29及两修整槽30、31制成曲折状。
而且,符号32表示在刻设加工了所述两修整槽30、31后按照覆盖所述电阻膜25的整体的方式形成的覆盖涂层。另外,所述两端子电极23、24经过所述绝缘基板22的左右两端面22a、22b而延伸至绝缘基板22的背面侧。
通过如此构成,在使将电阻膜25以两条进入槽28、29和两条修整槽30、31制成曲折状的数目与先行技术相同的状态的基础上,使第1修整槽和30第2修整槽31不相互邻接,两条进入槽28、29位于其间,从而使之相互分离,因此在该两修整槽30、31因分别刻设加工它们时的位置偏移误差的影响而相互接近的情况下,可以不增大绝缘基板2的长度尺寸L地可靠地避免所述两条进入槽28、29和两条修整槽30、31的相互间的间隔尺寸越过特定值而变小的情况。
该情况下,在刻设加工所述两修整槽30、31时,当将向绝缘基板22的一端侧的位置偏移误差及向绝缘基板22的另一端侧的位置偏移误差设为微小尺寸Δδ2时,就会使从所述电阻膜22的一端25a到第1修整槽30之间的间隔尺寸A1、从第1修整槽30到第2进入槽29之间的间隔尺寸A2、从第1进入槽28到第2修整槽31之间的间隔尺寸A3、及从电阻膜25的另一端25b到第2修整槽31之间的间隔尺寸A4各自与从所述第1进入槽28到第2进入槽29之间的间隔尺寸B相比增大所述的位置偏移误差Δδ2的量,换言之,通过设为B+Δδ2以上,就可以可靠地避免两条进入槽28、29和两条修整槽30、31的相互间的间隔尺寸A1、A2、A3、A4的各自,由于刻设加工两条修整槽28、29时的位置偏移误差的影响,而与在利用网板印刷形成电阻膜25时同时地形成的两条进入槽30、31的相互间的间隔尺寸B相比更小的情况发生。
此外,所述的构成的芯片电阻器21最好经过如下所述的工序制造。
即,具备在所述绝缘基板22的上面如图9所示形成左右一对端子电极23、24的工序、在所述绝缘基板22的上面如图10所示利用网板印刷形成电阻膜25并在该电阻膜25上设置与所述端子电极23、24重叠的两窄幅部26、27及两进入槽28、29的工序。
该情况下,也可以使形成电阻膜25的工序在前,使形成两端子电极23、24的工序在后。
然后,在所述电阻膜25上,如图11所示,利用激光光线的照射等刻设第1修整槽30。
此时,通过在测定两端子电极23、24之间的电阻值的同时,刻设所述第1修整槽30,将所述电阻值按照接近特定的额定值的方式粗调。
然后,在所述电阻膜25上,如图12所示,利用激光光线的照射等刻设第2修整槽31。
此时,通过在测定两端子电极23、24的电阻值的同时,刻设所述第2修整槽31,将所述电阻值按照落入特定的额定值的范围内的方式精密地调整。
此外,在所述绝缘基板22的上面,形成覆盖所述电阻值25的整体的覆盖涂层32。
而且,在所述的制造方法中,当然也可以采用如下的构成,即,通过先刻设第2修整槽31,然后再刻设第1修整槽30,按照使电阻值落入特定的额定值的范围内的方式精密地调整。
Claims (6)
1.一种芯片电阻器,由制成芯片型的绝缘基板、形成于该绝缘基板的上面的左右两端部的一对端子电极、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部分上以适当宽度尺寸沿两端子电极的方向延伸地利用网板印刷形成的电阻膜构成,并且,在所述电阻膜上,与利用网板印刷形成该电阻膜同时地形成从该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,从而构成的芯片电阻器,其特征是,
将所述电阻膜的长边方向的一端仍以该电阻膜的宽度尺寸与所述一方的端子电极导通,另一方面,将所述电阻膜的长边方向的另一端借助设于该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分上的窄幅部与所述另一方的端子电极导通,另一方面,将所述第1进入槽和所述第2进入槽按照在所述第1进入槽位于电阻膜的另一端侧而所述第2进入槽位于电阻膜的一端侧的状态下相互邻接的方式配设在所述电阻膜的长边方向的近似中央的部分上,在所述电阻膜当中的其一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸,另外,在所述电阻膜中的其另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸。
2.根据权利要求1所述的芯片电阻器,其特征是,使从所述第1修整槽到第2进入槽之间的间隔尺寸、从第1进入槽到第2修整槽之间的间隔尺寸、及从电阻膜的另一端到第2修整槽之间的间隔尺寸各自与从所述第1进入槽到第2进入槽之间的间隔尺寸相比,增大刻设所述各修整槽时的位置偏移误差的量。
3.一种芯片电阻器的制造方法,其特征是,由在制成了芯片型的绝缘基板的上面当中的左右两端形成端子电极的工序、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部位上利用网板印刷形成电阻膜的工序构成,其中,利用网板印刷形成所述电阻膜的工序包括:将所述电阻膜的长边方向的一端仍以该电阻膜的宽度尺寸与所述一方的端子电极导通,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,以及在所述电阻膜上分别设置从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,另外,还具备在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的工序、以及在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的方式刻设的工序。
4.一种芯片电阻器,是如下的芯片电阻器,即,由制成了芯片的绝缘基板、形成于该绝缘基板的上面的左右两端部的一对端子电极、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部分上以适当宽度尺寸沿两端子电极的方向延伸地利用网板印刷形成的电阻膜构成,并且,在所述电阻膜的长边方向的一端上,一体化地具备在该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面的部分上与所述一方的端子电极导通的第1窄幅部,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地具备在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分上与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,另外,在所述电阻膜上,将从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、和从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,与利用网板印刷形成该电阻膜同时地形成,其特征是,
将所述第1进入槽和所述第2进入槽,按照在第1进入槽位于电阻膜的另一端侧而第2进入槽位于电阻膜的一端侧的状态下相互邻接的方式配设在所述电阻膜的长边方向的近似中央的部分上,在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸,另外,在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸。
5.根据权利要求4所述的芯片电阻器,其特征是,使从所述电阻膜的一端到第1修整槽之间的间隔尺寸、从第1修整槽到第2进入槽之间的间隔尺寸、从第1进入槽到第2修整槽之间的间隔尺寸、及从电阻膜的另一端到第2修整槽之间的间隔尺寸各自与从所述第1进入槽到第2进入槽之间的间隔尺寸相比,增大刻设所述各修整槽时的位置偏移误差的量。
6.一种芯片电阻器的制造方法,其特征是,由在制成了芯片型的绝缘基板的上面当中的左右两端形成端子电极的工序、在所述绝缘基板的上面当中的所述两端子电极间的部位上利用网板印刷形成电阻膜的工序构成,其中,利用网板印刷形成所述电阻膜的工序包括:在所述电阻膜的长边方向的一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的一方的长边侧面的部分与一方的端子电极导通的第1窄幅部,在所述电阻膜的长边方向的另一端上,一体化地设置在该电阻膜的左右两长边侧面当中的另一方的长边侧面的部分与所述另一方的端子电极导通的第2窄幅部,以及、在所述电阻膜上分别设置从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的第1进入槽、和从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的第2进入槽,另外,还具备在所述电阻膜当中的一端和所述第2进入槽之间的部分上,刻设第1修整槽,使之从所述一方的长边侧面向另一方的长边侧面延伸的工序、在所述电阻膜当中的另一端和所述第1进入槽之间的部分上,刻设第2修整槽,使之从所述另一方的长边侧面向一方的长边侧面延伸的工序。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003324980A JP2005093717A (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | チップ抵抗器とその製造方法 |
JP324980/2003 | 2003-09-17 | ||
JP324981/2003 | 2003-09-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1717754A true CN1717754A (zh) | 2006-01-04 |
Family
ID=34455568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200480001532 Pending CN1717754A (zh) | 2003-09-17 | 2004-09-17 | 芯片电阻器及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005093717A (zh) |
CN (1) | CN1717754A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101247699B (zh) * | 2007-02-16 | 2010-10-06 | 财团法人工业技术研究院 | 电路板、内埋在电路板内的可调式电阻及其制造方法 |
CN103971867A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-06 | 昆山福烨电子有限公司 | 一种防过热的厚膜电阻 |
CN103971867B (zh) * | 2014-05-27 | 2016-11-30 | 昆山福烨电子有限公司 | 一种防过热的厚膜电阻 |
CN110277209A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 国巨电子(中国)有限公司 | 分流电阻器的制造方法 |
CN111344818A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-06-26 | 罗姆股份有限公司 | 片式电阻器 |
CN112005323A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-11-27 | Koa株式会社 | 晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080027951A (ko) | 2005-08-18 | 2008-03-28 | 로무 가부시키가이샤 | 칩 저항기 |
-
2003
- 2003-09-17 JP JP2003324980A patent/JP2005093717A/ja active Pending
-
2004
- 2004-09-17 CN CN 200480001532 patent/CN1717754A/zh active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101247699B (zh) * | 2007-02-16 | 2010-10-06 | 财团法人工业技术研究院 | 电路板、内埋在电路板内的可调式电阻及其制造方法 |
CN103971867A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-06 | 昆山福烨电子有限公司 | 一种防过热的厚膜电阻 |
CN103971867B (zh) * | 2014-05-27 | 2016-11-30 | 昆山福烨电子有限公司 | 一种防过热的厚膜电阻 |
CN111344818A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-06-26 | 罗姆股份有限公司 | 片式电阻器 |
CN111344818B (zh) * | 2017-11-02 | 2022-06-03 | 罗姆股份有限公司 | 片式电阻器 |
CN110277209A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 国巨电子(中国)有限公司 | 分流电阻器的制造方法 |
CN110277209B (zh) * | 2018-03-14 | 2021-06-29 | 国巨电子(中国)有限公司 | 分流电阻器的制造方法 |
CN112005323A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-11-27 | Koa株式会社 | 晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005093717A (ja) | 2005-04-07 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |