CN1657589A - ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 - Google Patents
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- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 73
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 29
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 claims description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 18
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 14
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 claims description 8
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims description 6
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229940033355 lauric acid Drugs 0.000 claims description 5
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 4
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N isocaproic acid Chemical compound CC(C)CCC(O)=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims description 3
- SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N methylphosphine Chemical class PC SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920013701 VORANOL™ Polymers 0.000 claims description 2
- BQODPTQLXVVEJG-UHFFFAOYSA-N [O].C=C Chemical compound [O].C=C BQODPTQLXVVEJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 claims description 2
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SZLZWPPUNLXJEA-QEGASFHISA-N rescinnamine Chemical compound O([C@H]1[C@@H]([C@H]([C@H]2C[C@@H]3C4=C(C5=CC=C(OC)C=C5N4)CCN3C[C@H]2C1)C(=O)OC)OC)C(=O)\C=C\C1=CC(OC)=C(OC)C(OC)=C1 SZLZWPPUNLXJEA-QEGASFHISA-N 0.000 claims description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 3
- NGPLKXZXQSCKSN-UHFFFAOYSA-N P.[S] Chemical compound P.[S] NGPLKXZXQSCKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XRHFHISEKQBHIN-UHFFFAOYSA-N [Se].P Chemical compound [Se].P XRHFHISEKQBHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- IYMSVBDSTPPHKQ-UHFFFAOYSA-M CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[Zn] Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[Zn] IYMSVBDSTPPHKQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- XLSSMZDMEABLIO-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;selenium Chemical compound [Se].CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O XLSSMZDMEABLIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 11
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical group CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 1-palmitoyl-2-arachidonoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 0.000 description 1
- ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Thiobispropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCSCCC(O)=O ODJQKYXPKWQWNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOCYCDUBYPKKDP-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zn]CCCC.[Zn] Chemical compound C(C)[Zn]CCCC.[Zn] FOCYCDUBYPKKDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000787 lecithin Substances 0.000 description 1
- 229940067606 lecithin Drugs 0.000 description 1
- 235000010445 lecithin Nutrition 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供一种ZnX(其中X是择自于S、Se、Te与其组合物所组成的族群中)量子点的制备方法,其步骤如下:首先将S粉、Se粉、Te粉或其组合物加入有机碱中,以超声波震荡使S粉、Se粉、Te粉或其组合物与有机碱形成错合物;另外将ZnO加入有机酸中与共溶剂中,加热使三者形成错合物;最后将此两液体混和,即得ZnX(X=S,Se,Te)量子点。
Description
技术领域
本发明是有关于一种ZnX(X=S,Se,Te)量子点之制备方法,且特别有关于一种以ZnO为前驱物,利用高温非水相法合成ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法。
背景技术
ZnX(X=S,Se,Te)为II-VI族半导体发光材料,其能隙为ZnTe(Eg=2.39eV),ZnSe(Eg=2.82eV),ZnS(Eg=3.68eV),约介于紫外光-可见光,且经掺杂后可调整其发光波长至所欲得的发光波长,且其发光效率佳,故为常用的荧光粉材料。
传统荧光粉合成方式大多在高温,如钇铝石榴石(Yttrium AluminumGarnet,YAG),其一般合成温度在1000℃以上,但由于此温度极高,晶粒有成长现象,故粒子尺寸难以达到纳米等级(指粒径小于100nm),更遑论形成量子点(quantum dots,指粒径小于10nm)。
由理论计算及国际文献证明,量子点具有较传统块材较高的发光效率,且可由粒径大小控制能隙及发光波长,可降低使用量节省成本,且单一材料可实现全彩,故近来量子点荧光粉为各国科技研发重点。
一般ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法为皆在水相,如ZnS,常用的方法为将锌的盐类如硝酸锌溶在含有界面活性剂的水溶液,在室温下缓慢加入硫化钠水溶液,即可形成硫化锌纳米粒子,但由此法合成所得的纳米粒子的结晶性不佳,缺陷多,发光性并不理想。另外常用的水热法,在高温下亦可制备得到硫化物纳米粒子,但由水热法所制得的纳米粒子颗粒较大,且粒径分布广,发光性质亦不佳。
近10年来,以非水相合成,在高温(约200-400℃)合成无机纳米粒子渐成主流,公元1998年,Margaret A.Hines与Philippe Guyot-Sionnest在The Journal of Physical Chemistry B的volume 102、number 19,一篇名为Bright UV-Blue Luminescent Colloidal ZnSe Nanocrystals中,揭露以二乙基锌(diethyl zinc)做为前驱物,加入十六烷基胺(hexadecylamine,简称HDA)、三辛膦(trioctylphosphine,简称TOP)与Se粉,在约310℃高温下使二乙基锌与TOP-Se反应,得到了纳米级的ZnSe量子点,由此法所制得的ZnSe量子点结晶性高,发光效率佳,且粒子分布极窄,为目前制备ZnSe或ZnTe量子点常用的方法。但遗憾的是,其使用的前趋物—二乙基锌(diethyl zinc)有易燃、易爆炸、价格昂贵等缺点,并不适用于量产。
由于ZnX(X=S,Se,Te)发光材料极具商业价值,且纳米等级甚至量子点等级的荧光粉更为热门研究方向,故安全又经济的ZnX(X=S,Se,Te)量子点的的制备方法为一重要的研究课题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的就在于提供一种ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法,此制备方法兼具安全及经济等特点。
为达成上述目的,本发明的ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法主要是利用高温非水相法来合成ZnX(X=S,Se,Te)量子点,并以安全又便宜的氧化锌作为前驱物来取代危险且昂贵的二乙基锌。
首先,将S粉、Se粉、Te粉或其组合物置于真空环境中去除水气,并为避免空气中的水气和氧气使S粉、Se粉、Te粉或其组合物潮湿、变质或氧化,将去水气的S粉、Se粉、Te粉或其组合物置于惰性气体下,并加入有机碱,此有机碱为三辛膦、三丁膦或三甲膦,且利用超声波震荡处理30分钟后,即形成S粉、Se粉、Te粉或其组合物与该有机碱的错合物。
另外将ZnO在惰性气体环境下加热至120℃以除去所吸附的水气,待冷却后再加入有机酸(organic acid)与共溶剂(co-solvent),再加热使ZnO、有机酸与共溶剂三者形成错合物。
上述的有机酸可为羧酸、亚磺酸、脂肪酸(aliphatic compounds)、烷基磷酸(alkyl phosphonic acid)、亲脂膦(phosphine with lipophilicgroup)或亲脂膦之氧化物(phosphine with lipophilic group oxides)。其中羧酸可为十二酸、硬脂酸或异己酸;脂肪酸可为脂肪酸(aliphaticacids)、脂肪酸脂(aliphatic acid esters)、脂肪酸醇(aliphatic alcohols)或脂肪酸醛(aliohatic aldehydes),如月桂酸(lauric acid,简称LA)、硬脂酸(stearic acid,简称SA)、间苯二甲酸(isophthalic acid,简称IA)等;烷基磷酸为己磷酸(hexyl-phosphonic acid,简称HPA)、四-癸磷酸(tetra-decylphosphoni cacid,简称TDPA)或八-癸磷酸(octa-decylphosphonic acid,简称ODPA)。
上述的共溶剂可为亲脂膦、亲脂膦的氧化物、有机胺、有机醇或其它溶剂。其中亲脂膦为三丁膦(tri-butylphosphine,简称TBP)、三辛膦(tri-octylphosphine,简称TOP)或三甲膦(tri-methylphosphine,简称TMP);亲脂膦氧化物为氧化三辛膦(tri-octylphosphine oxide,简称TOPO);有机胺为一胺至三十胺;其它溶剂为卵磷脂(lecithin)、N,N-二甲基-N-烷基-N-羧基甲基、N,N-二烷基胺基烯羧酸盐、N,N,N-三烷基-N-磺烯内铵盐、N,N-二烷基-N、N-双聚氧乙烯硫酸酯内铵盐或聚氧乙烯烷基醚。
最后将此两液体在120℃以上混和,即得ZnX(X=S,Se,Te)量子点。由于此ZnX(X=S,Se,Te)量子点是在有机溶液中所合成,故所形成的ZnX(X=S,Se,Te)量子点表面自然会被这些有机分子所包覆,形成一核与壳(core/shell)的结构,这些有机分子壳的存在可隔绝外界影响,如氧化等,使核,也就是ZnX(X=S,Se,Te)量子点的性质更加稳定。
此外,可在此系统中掺杂不同元素,或是使用两种或三种X(其中X是择自于S、Se、Te与其组合物所组成的族群中)并调整X的各式比例,使ZnX量子点的晶格产生变化,来控制其发光波长。
附图说明
图1为一示意图,用以说明本发明的ZnX(X=S,Se,Te)量子点与有机分子结构。
图2为一ZnSe量子点的能量分散光谱图。
图3为一ZnSe量子点与硬脂酸的X光绕射图。
图4为一ZnSe量子点的X光绕射图。
图5为一ZnSe量子点的穿透式电子显微镜照片。
图6为一不同反应时间的ZnSe量子点的吸收光谱图。
图7为一发蓝光的ZnSe量子点的光激发光光谱图。
图8为一发蓝绿光的ZnSe量子点的光激发光光谱图。
图9为一发绿光的ZnSe量子点之光激发光光谱图。
图10为一发黄光之ZnSe量子点的光激发光光谱图。
图11为一发白光的ZnSe量子点的光激发光光谱图。
图12为一不同反应时间的ZnSe量子点的光激发光光谱图。
图13为一ZnS量子点的能量分散光谱图。
图14为一ZnS量子点的穿透式电子显微镜照片。
图15为一ZnS量子点的吸收光谱图。
图16为一ZnS量子点的光激发光光谱图。
图17为一ZnTe量子点的X光绕射图。
图18为一ZnTe量子点的吸收光谱图。
图19为一ZnTe量子点的光激发光光谱图。
图20为一发白光的ZnTe量子点的光激发光光谱图。
符号说明:
100~ZnX(X=S,Se,Te)量子点核
200~有机分子壳
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
实施例1---ZnSe的制备与鉴定
ZnSe的制备
首先,将0.3948克的Se粉置于真空环境中去除吸附的水气,并为避免空气中的水气和氧气使Se粉潮湿、变质或氧化,将去水气Se粉置于惰性气体环境下,并加入5毫升三辛膦(tri-octylphosphine,简称TOP),并于超声波震荡处理约30分钟后,即形成无色TOPSe错合物液体。
另外,将0.81克ZnO粉末置于三颈瓶内,在惰性气体环境下加热至120℃以除去所吸附之水气,待冷却至室温后,再加入2克十六胺(Hexadecylamine,简称HDA),与2克硬脂酸(Stearic acid,简称SA),再加热上述药品至150℃持温20分钟,此时反应液体呈透明状。
最后将温度升至300℃,加入TOPSe液体,借由反应时间控制,可生成尺寸为1~20nm的ZnSe纳米粒子;ZnSe纳米粒子的粒径随反应时间增长而增大,在纳米材料特性中,通常粒径越小,其能隙越大,表现在光谱中的蓝位移(blue shift)现象越明显。
反应完的液体呈淡黄色,由蒸馏的甲醇/甲苯纯化后,产物可保存于甲苯中。
ZnSe的鉴定
利用能量分散光谱(Energy Dispersive Spectrometer,简称EDS)、X光绕射仪(X-Ray Diffraction Meter,简称XRD)、穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy,简称TEM)、吸收光谱与光激发光光谱来鉴定此样品的性质。
图2为样品的能量分散光谱图,由此能量分散光谱图分析结果可知样品成分包括Zn、Se、C与P等元素。
图3为样品的X光绕射图,由此X光绕射图分析结果可知样品包含ZnSe绕射峰与硬酸脂的绕射峰,证明ZnSe与硬脂酸的存在;若经热甲醇及超声波处理去除ZnSe表面覆盖的硬脂酸后,可只得ZnSe绕射峰,如图4所示。
图5为样品的穿透式电子显微镜照片,由此穿透式电子显微镜照片可知样品的粒径约4nm,因此可称为量子点;且结晶性好的颗粒表面被结晶性差的物质所包围,推测此核与壳的结构为ZnSe结晶外包结晶性差的有机物。
图6为样品的吸收光谱图,图中为不同反应时间的样品与吸收光谱的关系,吸收峰位于350~430nm间,为典型的ZnSe吸收光谱图;结果显示反应时间越短,吸收波长越短,合乎反应时间越短、产品粒径越小、其光谱蓝位移现象越明显的推论。
图7至图11为ZnSe样品的光激发光光谱图,此系列的光谱图为利用不同的前趋物组成,合成所得的ZnSe量子点样品,光激发光光谱介于400~700nm,分别为蓝光、蓝绿光、绿光、黄光,且可得白光ZnSe量子点。
图12为ZnSe样品的光激发光光谱图,图中为不同反应时间的样品与光激发光光谱的关系;结果显示反应时间越短,吸收波长越短,合乎反应时间越短、产品粒径越小、其光谱蓝位移现象越明显的推论。
综合以上鉴定结果,可确知利用本发明的方法,的确可得ZnSe的量子点,且此量子点表面包覆一层有机物质;另外,不同尺寸量子点具有不同的吸收与放射波长,尺寸越小的量子点其吸收与放射波长越短;此外,利用不同的前趋物组成,也可以得到不同吸收与放射波长的量子点。
实施例2---ZnS的制备与鉴定
ZnS的制备
首先,将0.0163克的硫粉置于真空环境中去除吸附的水气,并为避免空气中的水气和氧气使S粉潮湿、变质或氧化,将去水气S粉置于惰性气体环境下,并加入0.5毫升三辛膦(tri-octylphosphine,简称TOP),并于超声波震荡处理约30分钟后,即形成无色TOPS错合物液体。
另外,将0.0405克ZnO粉末置于三颈瓶内,在惰性气体环境下加热至120℃以除去所吸附的水气,待冷却至室温后,再加入11.4克硬脂酸(stearicacid,简称SA)或0.3673克氧化三辛膦(tri-octylphosphineoxide,简称TOPO),再加热上述药品至150℃持温20分钟,此时反应液体呈透明状。
最后升温至300℃,再加入TOPS错合物液体,由反应时间可控制生成尺寸为1~20nm的ZnS纳米粒子;ZnS纳米粒子的粒径随反应时间增长而增大,在纳米材料特性中,通常粒径越小,其能隙越大,表现在光谱中的蓝位移(blue shift)现象越明显。
ZnS的鉴定
利用能量分散光谱(Energy Dispersive Spectrometer,简称EDS)、穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy,简称TEM)、吸收光谱与光激发光光谱来鉴定此样品的性质。
图13为样品的能量分散光谱图,由此能量分散光谱图分析结果可知样品成分包括Zn、S、C与P等元素。
图14为样品的穿透式电子显微镜照片,由此穿透式电子显微镜照片可知样品的粒径约4nm,因此可称为量子点;且结晶性好的颗粒表面被结晶性差的物质所包围,推测此核与壳的结构为ZnS结晶外包结晶性差的有机物。
图15为样品的吸收光谱图,吸收峰位于300~400nm间,为典型的ZnS吸收光谱图。
图16为样品的光激发光光谱图,为一位于350~700nm间宽放射峰,为典型ZnS的光激发光光谱。
综合以上鉴定结果,可确知利用本发明的方法,的确可得ZnS之量子点,且此量子点表面包覆一层有机物质。
实施例3---ZnTe的制备与鉴定
ZnTe的制备
首先,将1.276克的Te粉置于真空环境中去除吸附的水气,并为避免空气中的水气和氧气使S粉潮湿、变质或氧化,将去水气S粉置于惰性气体环境下,并加15毫升入三辛膦(tri-octylphosphine TOP),并于超声波震荡处理约30分钟后,即形成绿色TOPTe错合物液体。
另外,将1.215克ZnO粉末置于三颈瓶内,在惰性气体环境下加热至120℃以除去所吸附的水气,待冷却至室温后,再加入1.0016克硬脂酸(Lauric acid,简称SA)与23.2克氧化三辛膦(tri-octylphosphineoxide,简称TOPO),再加热上述药品至150℃持温20分钟,此时反应液体呈透明状。
最后升温至300℃,再加入TOPTe错合物液体,即生成尺寸为1~20nm的ZnTe纳米粒子;ZnTe纳米粒子的粒径随反应时间增长而增大,在纳米材料特性中,通常粒径越小,其能隙越大,表现在光谱中的蓝位移(blueshift)现象越明显。
ZnTe的鉴定
利用X光绕射仪(X-Ray Diffraction Meter,简称XRID)、吸收光谱与光激发光光谱来鉴定此样品的性质。
图17为样品的X光绕射图,由此X光绕射图分析结果可知样品包含ZnTe绕射峰,证明ZnTe的存在。
图18为样品的吸收光谱图,吸收峰位于300~400nm间,为典型的ZnTe吸收光谱图。
图19为样品的光激发光光谱图,为一位于350~700nm间宽放射峰,为典型ZnTe的光激发光光谱。
图20为样品的光激发光光谱图,为一位于350~750nm间宽放射峰,为发白光的ZnTe的光激发光光谱。
综合以上鉴定结果,可确知利用本发明的方法,的确可得ZnTe的量子点。
Claims (15)
1.一种ZnX量子点的制备方法,其中X是择自于S、Se、Te与其组合物所组成的族群中,包含下列步骤:
(a)将原料X加入有机碱中使之溶解,得到一第一错合物溶液;
(b)将ZnO加入有机酸与共溶剂中使之溶解,得到一第二错合物溶液;
(c)混和上述第一错合物溶液与第二错合物溶液,即得ZnX量子点。
2.根据权利要求1所述的ZnX量子点的制备方法,其中该原料X是则自于S粉、Se粉、Te粉与其组合物所组成的族群中。
3.根据权利要求1所述的ZnX量子点的制备方法,其中该有机碱为三辛膦、三丁膦或三甲膦。
4.根据权利要求1所述的ZnX量子点的制备方法,其中该有机酸为羧酸、亚磺酸、脂肪酸类、烷基磷酸、亲脂膦或亲脂膦的氧化物。
5.根据权利要求4所述的ZnX量子点的制备方法,其中该羧酸为十二酸、硬脂酸或异己酸。
6.根据权利要求4所述的ZnX量子点的制备方法,其中该脂肪酸类为脂肪酸、脂肪酸脂、脂肪酸醇或脂肪酸醛。
7.根据权利要求4所述的ZnX量子点的制备方法,其中该烷基磷酸为己磷酸、四-癸磷酸或八-癸磷酸。
8.根据权利要求1所述的ZnX量子点的制备方法,其中该共溶剂为亲脂膦、亲脂膦的氧化物、有机胺、有机醇或其它溶剂。
9.根据权利要求8所述的ZnX量子点的制备方法,其中该亲脂膦为三丁膦或三辛膦。
10.根据权利要求8所述的ZnX量子点的制备方法,其中该亲脂膦氧化物为氧化三辛膦。
11.根据权利要求8所述的ZnX量子点的制备方法,其中该有机胺为一胺至三十胺。
12.根据权利要求8所述的ZnX量子点的制备方法,其中该其它溶剂是择自于卵磷脂、N,N-二甲基-N-烷基-N-羧基甲基、N,N-二烷基胺基烯羧酸盐、N,N,N-三烷基-N-磺烯内铵盐、N,N-二烷基-N、N-双聚氧乙烯硫酸酯内铵盐与聚氧乙烯烷基醚所组成的族群中。
13.一种ZnS量子点的制备方法,包含下列步骤:
(a)将S粉加入三辛膦中使之溶解,得到一三辛膦硫溶液;
(b)将ZnO加入硬脂酸与氧化三辛膦中使之溶解,得到一硬脂酸锌与氧化三辛膦溶液;
(c)混和上述三辛膦硫溶液及硬脂酸锌与氧化三辛膦溶液,即得ZnS量子点。
14.一种ZnSe量子点的制备方法,包含下列步骤:
(a)将Se粉加入三辛膦中使之溶解,得到一三辛膦硒溶液;
(b)将ZnO加入硬脂酸与氧化三辛膦中使之溶解,得到一硬脂酸硒与氧化三辛膦溶液;
(c)混和上述三辛膦硒溶液及硬脂酸硒与氧化三辛膦溶液,即得ZnSe量子点。
15.一种ZnTe量子点的制备方法,包含下列步骤:
(a)将Te粉加入三辛膦中使之溶解,得到一三辛膦碲溶液;
(b)将ZnO加入硬脂酸与氧化三辛膦中使之溶解,得到一硬脂酸碲与氧化三辛膦溶液;
(c)混和上述三辛膦碲溶液及硬脂酸碲与氧化三辛膦溶液,即得ZnTe量子点。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100046181A CN1304524C (zh) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100046181A CN1304524C (zh) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1657589A true CN1657589A (zh) | 2005-08-24 |
CN1304524C CN1304524C (zh) | 2007-03-14 |
Family
ID=35007300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100046181A Expired - Lifetime CN1304524C (zh) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1304524C (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1328351C (zh) * | 2005-09-23 | 2007-07-25 | 上海大学 | Ii-vi族荧光标识半导体量子点mx的制备方法 |
CN100383216C (zh) * | 2006-03-09 | 2008-04-23 | 复旦大学 | 一种ZnSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法 |
CN100567986C (zh) * | 2005-12-22 | 2009-12-09 | 复旦大学 | 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法 |
CN103897702A (zh) * | 2014-04-20 | 2014-07-02 | 吉林师范大学 | 一种ZnSe量子点及其制备方法 |
CN103991850A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-08-20 | 新疆大学 | 一种掺杂S的ZnTe的制备方法 |
CN110581264A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-17 | 复旦大学 | 一种高性能镍锌电池负极活性材料及其制备方法 |
WO2022134044A1 (zh) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置 |
WO2023134300A1 (zh) * | 2022-01-12 | 2023-07-20 | 广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院 | 通过前体胶囊制备量子点材料的方法和量子点材料、量子点组合物以及量子点器件 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
CN1185269C (zh) * | 2001-11-30 | 2005-01-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种适于批量生产掺铜铝硫化锌纳米荧光粉的制备方法 |
CN1174080C (zh) * | 2002-10-10 | 2004-11-03 | 武汉大学 | CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法 |
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WO2022134044A1 (zh) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置 |
CN114981385A (zh) * | 2020-12-25 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置 |
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