CN103991850B - 一种掺杂S的ZnTe的制备方法 - Google Patents

一种掺杂S的ZnTe的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103991850B
CN103991850B CN201410202392.XA CN201410202392A CN103991850B CN 103991850 B CN103991850 B CN 103991850B CN 201410202392 A CN201410202392 A CN 201410202392A CN 103991850 B CN103991850 B CN 103991850B
Authority
CN
China
Prior art keywords
znte
thiourea
zinc acetate
preparation
sodium tellurite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410202392.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103991850A (zh
Inventor
吴�荣
陈俊安
史罗红
危韦
刘从
刘洋
孙言飞
李锦�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang University
Original Assignee
Xinjiang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinjiang University filed Critical Xinjiang University
Priority to CN201410202392.XA priority Critical patent/CN103991850B/zh
Publication of CN103991850A publication Critical patent/CN103991850A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103991850B publication Critical patent/CN103991850B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明公开一种掺杂S的ZnTe的制备方法，该方法包括，在乙醇胺溶剂中，亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃～200℃反应12～24小时，即得到掺杂S的ZnTe。本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，一次产量高，成本低，所得掺杂S的ZnTe的分散性好，颗粒大小在50～100nm之间。

Description

一种掺杂S的ZnTe的制备方法
技术领域
本发明属于纳米半导体掺杂领域，具体涉及一种掺杂S的ZnTe的制备方法。
背景技术
ZnTe做为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为2.26eV。它是一种重要的发光材料，具有诸多发光特性如光致发光、电致发光、声致发光等。基于以上性质ZnTe可以用来制作非线性光电器件、蓝绿激光器件、光电探测器和核辐射探测器，如紫外发光二极管、注入式激光器、传感器、平板显示器、红外窗口材料、太阳能电池等领域。
现有对ZnTe的掺杂大多采用真空蒸发法或分子束外延法，然而这两种方法要求高真空度，产量低，成本太高。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用溶剂热法掺杂S的ZnTe的制备方法。
本发明实现上述目的所采用的技术方案如下：
一种掺杂S的ZnTe的制备方法，包括，在乙醇胺溶剂中，亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃～200℃反应12～24小时，即得到掺杂S的ZnTe。
进一步，所述亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲的摩尔比1:(1.5～3):(0.01-0.8)，
进一步，所述亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲的摩尔比优选为1:2:(0.01-0.8)。
与现有技术相比，本发明方法操作简单，对设备要求低，重复性好，一次产量高，成本低，所得掺杂S的ZnTe的分散性好，颗粒大小在50nm～100nm之间。
附图说明
图1为实施例1的XRD图。
图2为实施例1的SEM图。
图3为实施例2的SEM谱图。
图4为实施例2的EDS谱图。
图5为样品的XRD谱图。
图6为样品的EDS谱图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明。
实施例1
将1mmol的亚碲酸钠（Na2TeO3）和2mmol醋酸锌粉末均匀混合，放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，再加入35 ml乙醇胺(即2-羟基乙胺)溶剂，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于200 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
如图1所示，为所得产物的XRD图。结果显示所得产物为六方纤锌矿型ZnTe，其衍射峰与PDF#37-1463卡片相符。
如图2所示，为所得产物的SEM图。
实施例2
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol醋酸锌以及0.4mmol的硫脲（(NH2)2CS）混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于200 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
如图3所示，为所得产物的SEM图，掺杂的颗粒分散性好。图4的能量弥散X射线谱(EDS)图谱，表明在所得ZnTe纳粒颗粒中成功掺入了S元素。
实施例3
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol醋酸锌以及0.05mmol的硫脲混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于180 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
实施例4
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol的醋酸锌以及0.1mmol的硫脲混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于180 ℃烘箱中反应12 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
实施例5
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol的醋酸锌以及0.2mmol的硫脲混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于180 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
实施例6
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol的醋酸锌以及0.3mmol的硫脲混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于200 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
实施例7
将1mmol的亚碲酸钠、2mmol醋酸锌以及0.8mmol的硫脲混合均匀，再放于体积为50 ml的聚四氟乙烯内衬中，然后加入35 ml乙醇胺，磁搅拌15min后，密封在高压反应釜中。然后将反应釜置于200 ℃烘箱中反应24 h。反应结束后自然冷却至室温，放入离心机中快速沉淀（5500转，5min），用无水乙醇和去离子水反复清洗沉积物。得到的沉积物在真空干燥箱中60 ℃恒温干燥6 h，最后得到样品。
如图5所示，为实施例2-4、6所述样品的XRD，各样品的XRD衍射峰与PDF#37-1463卡片相符，即为六方纤锌矿型ZnTe，表明增加S的掺入量并没有改变碲化锌的晶型结构。
如图6所示，为实施例3-6所得样品的能量弥散X射线谱(EDS)图谱，可知说明在ZnTe中成功掺入S元素，且随着硫脲用量的增加，样品中S的峰增强。

Claims (2)

1.一种掺杂S的ZnTe的制备方法，包括，在乙醇胺溶剂中，亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲于180℃～200℃反应12～24小时，即得到掺杂S的ZnTe；所述亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲的摩尔比1:(1.5～3):(0.01-0.8)。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述亚碲酸钠、醋酸锌和硫脲的摩尔比1:2:(0.01-0.8)。
CN201410202392.XA 2014-05-14 2014-05-14 一种掺杂S的ZnTe的制备方法 Expired - Fee Related CN103991850B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410202392.XA CN103991850B (zh) 2014-05-14 2014-05-14 一种掺杂S的ZnTe的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410202392.XA CN103991850B (zh) 2014-05-14 2014-05-14 一种掺杂S的ZnTe的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103991850A CN103991850A (zh) 2014-08-20
CN103991850B true CN103991850B (zh) 2016-10-26

Family

ID=51306232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410202392.XA Expired - Fee Related CN103991850B (zh) 2014-05-14 2014-05-14 一种掺杂S的ZnTe的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103991850B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1657589A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 财团法人工业技术研究院 ZnX（X=S，Se，Te）量子点的制备方法
CN102040201A (zh) * 2010-11-05 2011-05-04 新疆大学 一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法
CN102249289A (zh) * 2011-05-27 2011-11-23 新疆大学 一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法
CN102618288A (zh) * 2012-02-27 2012-08-01 北京师范大学 Ii-vi族无机-有机单胺杂化化合物掺杂发光薄膜的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1657589A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 财团法人工业技术研究院 ZnX（X=S，Se，Te）量子点的制备方法
CN102040201A (zh) * 2010-11-05 2011-05-04 新疆大学 一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法
CN102249289A (zh) * 2011-05-27 2011-11-23 新疆大学 一种溶剂热制备纤锌矿ZnS细纳米棒的方法
CN102618288A (zh) * 2012-02-27 2012-08-01 北京师范大学 Ii-vi族无机-有机单胺杂化化合物掺杂发光薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Local vibrational modes of substitutional Mg2+, Cal+, and S2 in zinc-blende and wurtzite II-VI semiconductors;M. Dean Sciacca;《PHYSICAL REVIEW B》;19950315;第51卷(第11期);6971-6978 *
Preparation and optical properties of wide gap II-VI compounds;W. Gebhardt;《Materials Science and Engineering, B》;19920131;第11卷(第1-4期);1-9 *
Sulfur forming an isoelectronic center in zinc telluride thin films;W. K. Ge;《PHYSICAL REVIEW B》;19970415;第55卷(第15期);10035-10039 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103991850A (zh) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mishra et al. ZnO nanoparticles: Structural, optical and photoconductivity characteristics
Liao et al. Bandgap engineering of lead-free double perovskite Cs2AgInCl6 nanocrystals via Cu2+-doping
Chen et al. Highly efficient LiYF4: Yb3+, Er3+ upconversion single crystal under solar cell spectrum excitation and photovoltaic application
Zhang et al. Facile synthesis of highly luminescent Mn-doped ZnS nanocrystals
Reddy et al. EPR, thermo and photoluminescence properties of ZnO nanopowders
Mishra et al. Photoluminescence and photoconductivity studies of ZnO nanoparticles prepared by solid state reaction method
Wang et al. Nanocrystalline ZnO with ultraviolet luminescence
Mahdi et al. Growth and characterization of ZnxCd1− xS nanoflowers by microwave-assisted chemical bath deposition
Abdellah et al. Balancing electron transfer and surface passivation in gradient CdSe/ZnS core–shell quantum dots attached to ZnO
Palchoudhury et al. Multinary copper-based chalcogenide nanocrystal systems from the perspective of device applications
Isik et al. Gd-doped ZnO nanoparticles: synthesis, structural and thermoluminescence properties
Jayathilake et al. Microwave-assisted synthesis and processing of Al-doped, Ga-doped, and Al, Ga codoped ZnO for the pursuit of optimal conductivity for transparent conducting film fabrication
CN102181293B (zh) 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
Pushpendra et al. NaBi0. 9Eu0. 1 (MoO4) 2 nanomaterials: tailoring the band gap and luminescence by La3+ substitution for light-emitting diodes
Yuan et al. Preparation and DSC application of the size-tuned ZnO nanoarrays
Delice et al. Traps distribution in sol-gel synthesized ZnO nanoparticles
Zhang et al. Broadening the spectral response of perovskite photodetector to the solar-blind ultraviolet region through phosphor encapsulation
Bajpai et al. Thermoluminescence investigation of sol–gel derived and γ-irradiated SnO2: Eu3+ nanoparticles
CN107418560B (zh) 一种高效硫掺杂氧化锌纳米材料的制备方法
Shen et al. Preparation and characterization of ultrafine zinc oxide powder by hydrothermal method
Dehkordi et al. The blue-green emission color of Ag+, Gd3+ co-activated CdWO4 phosphor via energy transfer for luminescence applications
Wang et al. Cesium tin halide perovskite quantum dots for high-performance ultraviolet photodetectors
Baitha et al. Dosimetric sensing and optical properties of ZnO–SnO2 nanocomposites synthesized by co-precipitation method
CN103991850B (zh) 一种掺杂S的ZnTe的制备方法
Jana et al. Enhancement of silicon solar cell performances due to light trapping by colloidal metal nanoparticles

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161026

Termination date: 20170514