CN100567986C - 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法 - Google Patents

一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100567986C
CN100567986C CNB2005101118336A CN200510111833A CN100567986C CN 100567986 C CN100567986 C CN 100567986C CN B2005101118336 A CNB2005101118336 A CN B2005101118336A CN 200510111833 A CN200510111833 A CN 200510111833A CN 100567986 C CN100567986 C CN 100567986C
Authority
CN
China
Prior art keywords
cadmium
cdte
quantum dot
preparation
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101118336A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1793923A (zh
Inventor
何耀
黄维
汪联辉
范曲立
陆昊婷
赛丽曼
赖文勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FANGYUAN GLOBAL YANCHENG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD.
Original Assignee
Fudan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fudan University filed Critical Fudan University
Priority to CNB2005101118336A priority Critical patent/CN100567986C/zh
Publication of CN1793923A publication Critical patent/CN1793923A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100567986C publication Critical patent/CN100567986C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明属纳米材料和生物分析检测技术领域,具体为一种高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的光降解辅助程序控制微波制备方法。在水相中将镉盐或镉的氧化物与水溶性巯基乙酸混合,注入采用硼氢化钠或硼氢化钾与碲粉反应生成的碲氢化钠或碲氢化钾,得到碲化镉CdTe前体溶液,然后将此溶液置于微波辐射专用玻璃管中,在微波反应器中进行程序控制微波辐射,制备CdTe量子点。再将制备得到的CdTe量子点进行光降解得到高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点。本方法完全在水相中进行,操作安全、简便。所得产物具有良好的水溶性和稳定性,荧光量子效率高,可以广泛用于生物检测和分析的荧光标记物。

Description

一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法
技术领域
本发明属于纳米材料制备及生物分析检测技术领域,具体涉及一种高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的光降解辅助程序控制微波制备方法。是以镉盐(或其氧化物、氢氧化物)、碲氢化钠(或碲氢化钾,碲粉)和巯基乙酸原料,利用光降解辅助程序控制微波技术制备CdTe/CdS核/壳型量子点的方法。
技术背景
量子点,是一类由II-VI族或III-V族元素组成的半径小于或接近激子波尔半径的半导体纳米晶粒。半导体纳米晶具有量子尺寸效应,其光学性质随粒子尺寸变化而改变,同时其发光效率与体相材料相比也有很大的提高。1998年Alivisatos和Nie分别首次报道了利用半导体纳米晶替代有机荧光染料作为生物分子标记物,成功地标记了铁转移蛋白和免疫球蛋白(Alivisatos A.P.,et.Science,1998,281,2013-2016;Nie S.,et.Science,1998,281,2016-2018),预示了纳米晶在生物标记检测中的巨大应用潜力。传统生物荧光染料常用的有嗅乙锭、诺丹明等,只能进行单色标记,且其稳定性差,灵敏度也受限制;而荧光半导体纳米材料作为荧光标记物与生物荧光染料相比,具有荧光谱线窄、发光效率高、发光颜色可调、可进行多色标记,并且光稳定性好等一系列优点。因此量子点作为一类新型的荧光标记物,在分子生物学、免疫生物学、临床医学等生物医学领域显示出越来越诱人的应用前景。
实际应用中需要的半导体纳米晶粒必须具有好的发光性能(荧光量子效率高,荧光光谱半峰宽窄),要将半导体纳米晶粒应用于生物标记,还要求其具有生物相容性。因此,制备发光性能优良的水溶性量子点成为近年来的研究热点。目前关于水溶性碲化镉量子点的制备的报道已有很多,主要有普通的水溶液加热方法(Rogach A.L.,et.J.Phys.Chem.B,2002,106,7177-7185;Rogach A.L.,et.Adv.Mater,2001,13,1684-1687),高温水热方法(BaiY.,et.Adv.Mater,2003,15,1712-1715)以及直接微波辐射方法(Ren J.,et.Chem Comm,2005,528-530)。但是,制备的单一碲化镉量子点存在容易氧化、不稳定,且表面存在大量非辐射复合中心等缺点,这将导致量子点发光效率低、荧光光谱半峰宽太宽。可以在单一量子点表面外延生长一层晶格常数匹配、带隙更宽的无机材料,从而在一定程度上消除量子点表面上的大量缺陷,提高量子点的发光性能。目前关于这方面的报道仅限于普通的水溶液加热辅助光降解的方法(Gao M.,et.Chem Mater,2004,16,3853-3859),但普通的水溶液加热所得到CdTe纳米晶荧光量子效率很低(约~10%),导致通过光降解得到高荧光量子效率(>50%)CdTe/CdS核/壳结构纳米晶需要的时间很长(>15天),而且所用光源为低压汞灯。
发明内容
本发明的目的在于针对上面所述的问题,提出一种操作安全、方便的高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法。
本发明提供的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法,具体步骤如下:
1、配制作为碲源的碲氢化钠NaHTe或碲氢化钾KHTe溶液:将摩尔比为1.5∶1至5∶1的硼氢化钠NaBH4或硼氢化钾KBH4和碲粉Te置于水中,在0~30摄氏度下静置反应7~30小时,得到NaHTe或碲氢化钾KHTe溶液;
2、配制作为镉源的0.0005~0.1mol/L镉盐或镉的氧化物、氢氧化物和水溶性巯基乙酸溶液,调节溶液的pH值至9~13,注入NaHTe或KHTe溶液,氮气保护下存放。得到镉源、巯基乙酸、碲源用量按摩尔比为Cd2+∶巯基乙酸∶HTe-=1∶(0.8~2.0)∶(0.3~0.7)的CdTe前体溶液;
3、将CdTe前体溶液进行微波程序加热控制,控制不同程序的反应时间以及反应温度即可得到不同发光波长的水溶性CdTe量子点(即半导体纳米晶)。其中微波加热条件为:微波功率15W~1000W,第一程序加热时间10秒钟~30分钟,加热温度60~90摄氏度,第二程序加热时间为30秒钟~60分钟,加热温度80~120摄氏度。
4、将得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解1天~30天,得到高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点。
本发明所述的镉盐或镉的氧化物、氢氧化物包括:氯化镉、碘化镉、溴化镉、硝酸镉、氧化镉、高氯酸镉、氯酸镉、碘酸镉、硫酸镉、氢氧化镉或碳酸镉等。
本发明完全在水相中进行,操作安全,原料易得。采用本发明制备所得的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点荧光量子效率高(~80%),稳定性好,并具有良好的水溶性,可以作为荧光标记物广泛用于生物检测和分析。
由于本发明中光降解前采用微波程序加热,因此,亦称本发明为光降解辅助程序控制微波制备方法。
附图说明
图1是用本发明制备得到的CdTe量子点和CdTe/CdS核/壳型量子点的紫外光谱。
图2是用本发明制备得到的CdTe量子点和CdTe/CdS核/壳型量子点的荧光光谱。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容,下面结合具体的实施例和图例来进一步说明本发明。
实施例1
(1)碲氢化钠制备
将71.0毫克NaBH4固体和95.2毫克Te粉放入到一个小的烧瓶中,加入3毫升水,于10摄氏度下反应12个小时后,可得到NaHTe溶液备用;
(2)CdTe前体溶液制备
将22.9毫克CdCl2溶于100毫升水,加入13.5微升巯基乙酸,用0.5摩尔/升的NaOH溶液调节pH=11.5,注入0.25毫升NaHTe溶液,作为CdTe前体溶液;
(3)程序控制微波辐射制备CdTe量子点
将所得到的CdTe前体溶液进行程序控制微波辐射,可得到CdTe量子点。程序控制条件如下:
第一程序微波功率:50W;第一程序温度:70℃;第一程序时间:45s;
第二程序微波功率:80W;第二程序温度:80℃;第二程序时间:20min。
(4)光降解制备CdTe/CdS核/壳型量子点
将制备得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解10天,得到CdTe/CdS核/壳型量子点。
实施例2
(1)碲氢化钾制备
将95.5毫克KBH4固体和82.5毫克Te粉放入到一个小的烧瓶中,加入3毫升水,于5摄氏度下反应15个小时后,可得到KHTe溶液,备用;
(2)CdTe前体溶液制备
将19毫克CdCl2溶于100毫升水,加入9.7微升巯基乙酸,用0.5摩尔/升的NaOH溶液调节pH=11,注入0.20毫升KHTe溶液,作为CdTe前体溶液;
(3)程序控制微波辐射制备CdTe量子点
将所得到的CdTe前体溶液进行程序控制微波辐射,可得到CdTe量子点。程序控制条件如下:
第一程序微波功率:50W;第一程序温度:80℃;第一程序时间:1min;
第二程序微波功率:200W;第二程序温度:100℃;第二程序时间:10min。
(4)光降解制备CdTe/CdS核/壳型量子点
将制备得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解8天,得到CdTe/CdS核/壳型量子点。
实施例3
(1)碲氢化钠制备
将92.7毫克NaBH4固体和127.6毫克Te粉放入到一个小的烧瓶中,加入3毫升水,于15摄氏度下反应7个小时后,可得到NaHTe溶液备用;
(2)CdTe前体溶液制备
将30毫克CdCl2溶于100毫升水,加入15.0微升巯基乙酸,用0.5摩尔/升的NaOH溶液调节pH=9,注入0.3毫升NaHTe溶液,作为CdTe前体溶液;
(3)程序控制微波辐射制备CdTe量子点
将所得到的CdTe前体溶液进行程序控制微波辐射,可得到CdTe量子点。程序控制条件如下:
第一程序微波功率:70W;第一程序温度:70℃;第一程序时间:60s;
第二程序微波功率:300W;第二程序温度:110℃;第二程序时间:5min。
(4)光降解制备CdTe/CdS核/壳型量子点
将制备得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解20天,得到CdTe/CdS核/壳型量子点。
实施例4
(1)碲氢化钠制备
将92.7毫克NaBH4固体和127.6毫克Te粉放入到一个小的烧瓶中,加入3毫升水,于20摄氏度下反应8个小时后,可得到NaHTe溶液备用;
(2)CdTe前体溶液制备
将22.9毫克CdCl2溶于100毫升水,加入11.0微升巯基乙酸,用0.5摩尔/升的NaOH溶液调节pH=10.5,注入0.3毫升NaHTe溶液,作为CdTe前体溶液;
(3)程序控制微波辐射制备CdTe量子点
将所得到的CdTe前体溶液进行程序控制微波辐射,可得到CdTe量子点。程序控制条件如下:
第一程序微波功率:50W;第一程序温度:60℃;第一程序时间:45s;
第二程序微波功率:150W;第二程序温度:90℃;第二程序时间:15min。
(4)光降解制备CdTe/CdS核/壳型量子点
将制备得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解1天,得到CdTe/CdS核/壳型量子点。
实施例5
(1)碲氢化钾制备
将110.5毫克KBH4固体和91.6毫克Te粉放入到一个小的烧瓶中,加入3毫升水,于0摄氏度下反应20个小时后,可得到KHTe溶液,备用;
(2)CdTe前体溶液制备
将36.8毫克CdCl2溶于100毫升水,加入16.7微升毫升巯基乙酸,用0.5摩尔/升的NaOH溶液调节pH=12.5,注入0.30毫升KHTe溶液,作为CdTe前体溶液;
(3)程序控制微波辐射制备CdTe量子点
将所得到的CdTe前体溶液进行程序控制微波辐射,可得到CdTe量子点。程序控制条件如下:
第一程序微波功率:70W;第一程序温度:80℃;第一程序时间:30s;
第二程序微波功率:500W;第二程序温度:100℃;第二程序时间:10min。
(4)光降解制备CdTe/CdS核/壳型量子点
将制备得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解6天,得到CdTe/CdS核/壳型量子点。

Claims (2)

1、一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法,其特征具体步骤如下:
(a)配制作为碲源的碲氢化钠NaHTe或碲氢化钾KHTe溶液∶将摩尔比为1.5∶1至5∶1的硼氢化钠NaBH4或硼氢化钾KBH4和碲粉Te置于水中,在0~30摄氏度下静置反应7~30小时,得到NaHTe或碲氢化钾KHTe溶液;
(b)配制作为镉源的浓度为0.0005~0.1mol/L镉盐或镉的氧化物、氢氧化物和水溶性巯基乙酸溶液,调节溶液的pH值至9~13,注入NaHTe或KHTe溶液,得到CdTe前体溶液,氮气保护下存放;其中,原料镉源、巯基乙酸、碲源按摩尔比是Cd2+∶巯基乙酸∶HTe-=1∶(0.8~2.0)∶(0.3~0.7);
(c)将CdTe前体溶液进行程序控制微波加热,得到水溶性CdTe量子点,其中微波加热条件为:微波功率15W~1000W,第一程序加热时间10秒钟~30分钟,加热温度60~90摄氏度,第二程序加热时间为30秒钟~60分钟,加热温度80~120摄氏度;
(d)将得到的CdTe量子点置于普通光环境中进行光降解,光降解的时间范围为1天~30天,得到高荧光量子效率水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点。
2、根据权利要求1中所述的制备方法,其特征在于所述的镉盐或镉的氧化物、氢氧化物为氯化镉、碘化镉、溴化镉、硝酸镉、氧化镉、高氯酸镉、氯酸镉、碘酸镉、硫酸镉、氢氧化镉或碳酸镉。
CNB2005101118336A 2005-12-22 2005-12-22 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法 Expired - Fee Related CN100567986C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101118336A CN100567986C (zh) 2005-12-22 2005-12-22 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101118336A CN100567986C (zh) 2005-12-22 2005-12-22 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1793923A CN1793923A (zh) 2006-06-28
CN100567986C true CN100567986C (zh) 2009-12-09

Family

ID=36805490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101118336A Expired - Fee Related CN100567986C (zh) 2005-12-22 2005-12-22 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100567986C (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100523119C (zh) * 2006-09-07 2009-08-05 南开大学 水溶性核/壳型CdTe/Cd(OH)2纳米晶粒的水相制备方法
US20120103789A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Syracuse University Greener Synthesis of Nanoparticles Using Fine Tuned Hydrothermal Routes
CN102519883A (zh) * 2011-12-30 2012-06-27 南开大学 一种激光染料噁嗪1高氯酸盐量子效率的测量方法
CN103323587A (zh) * 2013-06-28 2013-09-25 天津农学院 一种量子点标记的夹心荧光免疫检测吡虫啉的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1403379A (zh) * 2002-10-10 2003-03-19 武汉大学 CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法
CN1560633A (zh) * 2004-02-19 2005-01-05 上海交通大学 用作生物医学荧光探针的量子点微球的制备方法
CN1569619A (zh) * 2004-04-29 2005-01-26 上海交通大学 高质量硒化镉量子点的控温微波水相合成方法
CN1657589A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 财团法人工业技术研究院 ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法
CN1693206A (zh) * 2005-04-28 2005-11-09 复旦大学 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
CN1693207A (zh) * 2005-04-28 2005-11-09 复旦大学 一种水溶性CdTe/CdS 核/壳型量子点的微波制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1403379A (zh) * 2002-10-10 2003-03-19 武汉大学 CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法
CN1560633A (zh) * 2004-02-19 2005-01-05 上海交通大学 用作生物医学荧光探针的量子点微球的制备方法
CN1657589A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 财团法人工业技术研究院 ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法
CN1569619A (zh) * 2004-04-29 2005-01-26 上海交通大学 高质量硒化镉量子点的控温微波水相合成方法
CN1693206A (zh) * 2005-04-28 2005-11-09 复旦大学 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
CN1693207A (zh) * 2005-04-28 2005-11-09 复旦大学 一种水溶性CdTe/CdS 核/壳型量子点的微波制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
以胶体粒子为模板制备核壳纳米复合粒子. 官建国等.化学进展,第16卷第3期. 2004
以胶体粒子为模板制备核壳纳米复合粒子. 官建国等.化学进展,第16卷第3期. 2004 *
微波法制备无机纳米材料的研究进展. 关英勋等.化工时刊,第18卷第6期. 2004
微波法制备无机纳米材料的研究进展. 关英勋等.化工时刊,第18卷第6期. 2004 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1793923A (zh) 2006-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1306003C (zh) 一种水溶性CdTe/CdS 核/壳型量子点的微波制备方法
CN109705845B (zh) 一种低污染的高效率钙钛矿量子点及其制备方法
CN100569899C (zh) 水溶性ZnCdSe量子点的水热制备方法
CN102181293B (zh) 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
CN100383216C (zh) 一种ZnSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法
CN108585030B (zh) 一种颜色可调的小尺寸Mn:CsPbCl3纳米晶的制备方法
Li et al. One-step synthesis of Sc2W3O12: Eu3+ phosphors with tunable luminescence for WLED
CN100567986C (zh) 一种水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法
CN102517024A (zh) 一种CdSeS 量子点的水相微波制备方法
CN1693206A (zh) 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
CN101831711A (zh) 一种水溶性ZnSe量子点的微波制备方法
CN112779005A (zh) 一种强蓝光碳量子点及应用
CN101787285A (zh) 水溶性荧光ZnSe/ZnS核壳量子点的制备方法
WO2018103629A1 (zh) 一种基于圆偏振光的手性量子棒的合成方法
Zhang et al. Deep-red emissive colloidal lead-based triiodide perovskite/telluride nanoscale heterostructures with reduced surface defects and enhanced stability for indoor lighting applications
CN101619487B (zh) 一种p型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法
CN108753284B (zh) 一种高荧光红光发射的Mn:CsPbCl3纳米簇的制备方法
CN102887489A (zh) 一种微波辐射制备水溶性近红外碲化镉量子点的方法
CN102071453B (zh) 室温下一锅法制备高质量水相半导体纳米晶的方法
Khanna et al. CaWO4: Eu3+, Dy3+, Tb3+ phosphor crystals for solid-state lighting applications
CN102191038A (zh) 一种在水相中低温制备CdTe量子点的方法
CN103694997B (zh) 一种合成蓝紫色发光ZnCdS/ZnS核壳结构纳米晶的方法
CN105668529A (zh) 一种碲化镉量子点及其制备方法
CN103320135B (zh) 酸性条件下CdZnTe量子点的水相制备方法
CN107267137A (zh) 一种水相量子点的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: WEIMING OPTOELECTRONIC YANCHENG CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUDAN UNIVERSITY

Effective date: 20140106

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200433 YANGPU, SHANGHAI TO: 224007 YANCHENG, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140106

Address after: 224007 in Jiangsu province in the south of Yancheng City District of Yandu Road No. 9000-7

Patentee after: WEIMING PHOTOELECTRIC YANCHENG CO., LTD.

Address before: 220 Handan Road, Shanghai, No. 200433

Patentee before: Fudan University

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FANGYUAN GLOBAL YANCHENG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY

Free format text: FORMER OWNER: WEIMING OPTOELECTRONIC YANCHENG CO., LTD.

Effective date: 20150205

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 224007 YANCHENG, JIANGSU PROVINCE TO: 224000 YANCHENG, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150205

Address after: 224000, Yancheng City, Jiangsu province Chengnan New Town of wisdom science and technology innovation base

Patentee after: FANGYUAN GLOBAL YANCHENG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 224007 in Jiangsu province in the south of Yancheng City District of Yandu Road No. 9000-7

Patentee before: WEIMING PHOTOELECTRIC YANCHENG CO., LTD.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20091209

Termination date: 20151222

EXPY Termination of patent right or utility model