CN103897702A - 一种ZnSe量子点及其制备方法 - Google Patents
一种ZnSe量子点及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103897702A CN103897702A CN201410166395.2A CN201410166395A CN103897702A CN 103897702 A CN103897702 A CN 103897702A CN 201410166395 A CN201410166395 A CN 201410166395A CN 103897702 A CN103897702 A CN 103897702A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- znse quantum
- preparation
- znse
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical class [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 3
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
一种ZnSe量子点制备方法,属于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点制备的技术领域。提供了一种利用溶剂热法合成ZnSe量子点的绿色化学方法,以去离子水和乙二胺为溶剂、Zn(NO3)2·6H2O作为锌源、硒粉作为硒源利用溶剂热法制备出前驱体,再转移至管式电阻炉中通入保护气体后,缓慢升温达到300~310℃后,在此条件下进行焙烧处理得到具有六方纤锌矿结构的ZnSe量子点。本发明方法具有操作简单,能耗低,成本低且毒性低,对环境污染小等优点,易于实现大规模生产等优点;制备得到的ZnSe量子点材料可以应用在紫外-蓝光发射器,是蓝光LEDs的首选材料,在生物医学标记上有非常广阔的前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种ZnSe量子点及其制备方法,属于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点制备领域。
背景技术
ZnSe,作为一种重要的直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体发光材料,室温下禁带宽度为2.67eV,激子束缚能为21meV。因为ZnSe的本征发射处于蓝光区或者蓝绿光区,特别是在可见光范围内具有优异的光学特性和电学特性,是优良的发光、激光和非线性光学材料。在传统的光电应用方面具有不可替代的优势,例如:蓝色发光器件,红外热成像仪,全天候光学装置,短波长激光器以及透射窗口材料等,无论是基础研究,还是实际应用方面都有着极为广阔的应用前景。ZnSe基宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在过去的十几年中已经取得了一系列的进展。ZnSe在0.15~22μm波长范围内具有良好的透射性能和稳定的折射性能,使得ZnSe成为制造光电器件的理想材料之一,所以有必要对ZnSe纳米材料的合成方法及其光电性能等方面进行深入细致的研究。在一些新兴的产业中,ZnSe纳米材料同样具有不可替代的地位,例如:太阳能电池、生物医学以及光催化降解有机污染物等方面。
虽然研究工作者在ZnSe基纳米材料上一直进行不断的探索研究,但是以前的相对较成功的合成方法都存在一些缺点。例如:原材料中的二甲基锌就像二甲基镉一样既昂贵又有毒,Se粉溶解于有毒且昂贵的源材料,比如说三辛基膦(TOP)和三丁基膦(TBP)中,使用这些材料即使是对制备的ZnSe纳米晶体进行了后期的处理,这些有毒物质的泄露也会产生不可估量的影响,所以致力于寻找环保易行的绿色化学方法合成ZnSe纳米材料非常必要。
量子点(quantumdots,QDs),是在特定激发波激发后可发射荧光的纳米颗粒。量子点内部电子在各方向上的运动都受到局限。量子点的特殊结构使其展现出许多不同于宏观块体材料的物理化学性质和独特的发光特性。ZnSe量子点材料可以应用在紫外-蓝光发射器,并被认为是蓝光LEDs的首选材料。由于ZnSe材料的低毒性,ZnSe量子点在生物医学标记上有非常广阔的前景。1998年Hines和Guyot-Sionnest在《J.Phys.Chem.B》首次报道了在TOPO和HAD的混合溶液中利用有机金属二乙基锌得到了高质量的ZnSe量子点,用这种方法制备的ZnSe量子点的量子效率高达20-50%,同时具有好的结晶度和分散性。量子点的合成一直是材料界的研究热点和难点。
ZnSe存在两种不同的相结构:低温下的立方闪锌矿结构和高温下的六方纤锌矿结构。通常来说,低温下,六方纤锌矿结构是热力学亚稳相,该亚稳相的合成要求非常苛刻的条件,因此通过对ZnSe纳米材料的不同物相、形貌和尺寸的控制合成制备具有六方纤锌矿结构的ZnSe量子点正是现有技术方法无法解决的技术难题。
发明内容
为了解决现有的ZnSe量子点合成方法需要使用昂贵且有毒的原材料,以及采用现有方法无法合成出具有六方纤锌矿结构的ZnSe量子点的问题,本发明提供了一种利用溶剂热法合成ZnSe量子点,且制备出的ZnSe量子点晶体具有六方纤锌矿结构的绿色化学方法,其具体步骤如下所述:
步骤一、前驱体制备:按质量配比Zn(NO3)2·6H2O:去离子水:乙二胺等于1:(20.15~20.18):(18.10~18.12)称量Zn(NO3)2·6H2O、去离子水和乙二胺,先按比例将Zn(NO3)2·6H2O与去离子水混合,然后搅拌至使其成为无色透明溶液,再将与Zn(NO3)2·6H2O的摩尔比为1:(0.90~1.00)的硒粉加入到已称量好的乙二胺中,将无色透明溶液与带有硒粉的乙二胺混合在一起,磁力搅拌0.8~1.2小时后得混合溶液,然后将混合溶液转移到带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,高压反应釜的填充度为78%~82%,将高压反应釜密封后置于温度为177~188℃的条件下,保温22~28小时,反应完成后使高压反应釜在空气中自然冷却至室温,取出产物,将取出的产物再利用蒸馏水、无水乙醇分别各超声、离心洗涤5~7次,最后干燥得到前驱体;
步骤二、烧结处理:将步骤一中制备得到的前驱体转移至管式电阻炉中,在保护气氛下以1.36~1.39℃/min的升温速度将炉内温度由初始温度匀速升高至248~252℃;然后在75~85min内将炉内温度缓慢升温至300~310℃,最后在300~310℃的条件下保温1.95~2.05小时,然后自然冷却至室温,冷却过程中仍然通保护气,最后得到ZnSe量子点。
这里所述的管式电阻炉的初始温度本领域技术人员通常采用30℃作为管式电阻炉的初始温度,因为其略高于室温;
本发明中步骤一的优选方案为Zn(NO3)2·6H2O:去离子水:乙二胺的质量配比为1:20.17:18.11;进一步的优选方案为Zn(NO3)2·6H2O与硒粉的摩尔比为1:1。
本发明中步骤一中的所述的干燥,可以在53~56℃条件下干燥1.0~1.5小时。
本发明中步骤二的优选方案为采用阶段性升温,即升高到一定温度后进行一段时间保温然后再次升温到另一温度的处理方式控制温度升高过快,采用阶段性升温的优选方案可以有效防止由于温度升高过快导致的量子点不能形成的问题。所述的阶段性升温,是在75~85min内将炉内温度缓慢升温至300~310℃中,分为3~5个阶段的升温过程,每个过程中保温8~10min。
本发明优点:
1、本发明方法具有操作简单,能耗低,对环境污染小等优点,并且制备过程中所用原料及溶剂成本低且毒性低,易于实现大规模生产等优点;
2、本发明通过调节反应时间和反应温度,以及烧结温度和烧结时间,成功实现了ZnSe量子点的制备,本发明为其他纳米材料量子点的制备提供了有效后备方法;
3、通过本发明实现了对ZnSe纳米材料的不同物相、形貌和尺寸的控制合成制备具有六方纤锌矿结构的ZnSe量子点。
4、本发明方法制备得到的ZnSe量子点材料可以应用在紫外-蓝光发射器,是蓝光LEDs的首选材料,在生物医学标记上有非常广阔的前景。
附图说明
图1是本发明ZnSe量子点的XRD图;
图2是本发明ZnSe量子点的透射电镜图;
图3是本发明ZnSe量子点的高分辨图;
图4是本发明ZnSe量子点的电子衍射图。
具体实施方式
具体实施方式一:本实施方式中一种ZnSe量子点制备方法,其具体方法如下:
步骤一、前驱体制备
称取Zn(NO3)2·6H2O1.4875g、去离子水30mL、乙二胺30mL,先按比例将Zn(NO3)2·6H2O与去离子水混合,然后搅拌15分钟,使其成为无色透明溶液,再将与Zn(NO3)2·6H2O的摩尔比为1:1的硒粉0.3948g加入到已称量好的乙二胺中,将无色透明溶液与带有硒粉的乙二胺混合在一起,磁力搅拌1小时后得混合溶液,然后将混合溶液转移到带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,高压反应釜的填充度为80%,将高压反应釜密封后置于温度为180℃的烘箱中,保温24小时,反应完成后使高压反应釜在空气中自然冷却至室温,取出产物,将取出的产物再利用蒸馏水、无水乙醇分别各超声和离心洗涤5-7次,最后55℃干燥1小时得到前驱体。
步骤二、烧结处理
将步骤一中得到的前驱体放在管式电阻炉中在氩气气氛下,首先从30℃经过160分钟升温至250℃,在250℃保温10分钟,从250℃经过10分钟升温至260℃,260℃保温10分钟,从260℃经过20分钟升温至280℃,280℃保温10分钟,从280℃经过20分钟升温至300℃,300℃下保温2小时,然后自然冷却至室温,冷却过程中仍然通氩气,最后得到ZnSe量子点。
本具体实施方式中ZnSe的成核温度为300℃,因此烧结温度不应高于310℃,当温度高于310℃将导致晶体生长成大颗粒而不属于量子点。
通过具体实施方式一所述方法得到的ZnSe量子点的X-射线衍射图如图1所示,表明ZnSe量子点是六方纤锌矿结构,且衍射峰宽化,表明样品尺寸较小。通常情况下,立方闪锌矿结构是稳定相,而六方纤锌矿结构是热力学亚稳相。该亚稳相的合成要求非常苛刻的条件,在反应过程中,两种不同的结构相又极易共存。我们的反应条件相对温和,并且产物纯度高。图2给出了ZnSe量子点的低倍透射电镜图,从图中可以清楚的看到ZnSe量子点的尺寸很小,约3nm,尺寸分布范围窄,同时分散性特别好。此外,图3是ZnSe量子点的高分辨图,图4是ZnSe量子点的电子衍射图。从高分辨和电子衍射图中,可以进一步证实样品确实为ZnSe量子点。
Claims (8)
1.一种ZnSe量子点,其特征在于其晶体结构为六方纤锌矿结构。
2.一种制备如权利要求1所述的ZnSe量子点的方法,其特征在于其具体步骤如下所述:
步骤一、前驱体制备:按质量配比Zn(NO3)2·6H2O:去离子水:乙二胺等于1:20.15~20.18:18.10~18.12称量Zn(NO3)2·6H2O、去离子水和乙二胺,先按比例将Zn(NO3)2·6H2O与去离子水混合,然后搅拌至使其成为无色透明溶液,再将与Zn(NO3)2·6H2O的摩尔比为1:0.90~1.00的硒粉加入到已称量好的乙二胺中,将无色透明溶液与带有硒粉的乙二胺混合在一起,磁力搅拌0.8~1.2小时后得混合溶液,然后将混合溶液转移到带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,高压反应釜的填充度为78%~82%,将高压反应釜密封后在177~188℃下保温22~28小时,反应完成后使高压反应釜在空气中自然冷却至室温,取出产物,将取出的产物再利用蒸馏水、无水乙醇分别各超声、离心洗涤5~7次,干燥,得到前驱体;
步骤二、烧结处理:将步骤一中制备得到的前驱体转移至管式电阻炉中,在保护气氛下以1.36~1.39℃/min的升温速度将炉内温度由初始温度匀速升高至248~252℃;然后在75~85min内将炉内温度缓慢升温至300~310℃,最后在300~310℃的条件下保温1.95~2.05小时,然后自然冷却至室温,冷却过程中仍然通保护气,得到ZnSe量子点。
3.根据权利要求2所述的一种ZnSe量子点的制备方法,其特征在于步骤一中Zn(NO3)2·6H2O:去离子水:乙二胺的质量配比为1:20.17:18.11。
4.根据权利要求2所述的一种ZnSe量子点的制备方法,其特征在于步骤一中Zn(NO3)2·6H2O与硒粉的摩尔比为1:1。
5.根据权利要求2、3或4所述的一种ZnSe量子点的制备方法,其特征在于步骤一中所述的干燥,是在53~56℃条件下干燥1.0~1.5小时。
6.根据权利要求2所述的一种ZnSe量子点制备方法,其特征在于步骤二中在300℃条件下保温2小时。
7.根据权利要求2所述的一种ZnSe量子点的制备方法,其特征在于步骤二中所述的75~85min内将炉内温度缓慢升温至300~310℃,是分为3~5个阶段的升温过程,每个过程中保温8~10min。
8.根据权利要求2、3、4、6或7所述的一种ZnSe量子点的制备方法,其特征在于步骤二中所述的保护气氛为氩气气氛。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410166395.2A CN103897702B (zh) | 2014-04-20 | 2014-04-20 | 一种ZnSe量子点及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410166395.2A CN103897702B (zh) | 2014-04-20 | 2014-04-20 | 一种ZnSe量子点及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103897702A true CN103897702A (zh) | 2014-07-02 |
CN103897702B CN103897702B (zh) | 2015-08-05 |
Family
ID=50989287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410166395.2A Expired - Fee Related CN103897702B (zh) | 2014-04-20 | 2014-04-20 | 一种ZnSe量子点及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103897702B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108690600A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-10-23 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 高压制备量子点的方法以及量子点 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1657589A (zh) * | 2004-02-20 | 2005-08-24 | 财团法人工业技术研究院 | ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 |
CN1687303A (zh) * | 2005-04-07 | 2005-10-26 | 上海交通大学 | 微波辅助快速合成硒化锌荧光量子点的方法 |
US20050287691A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Industrial Technology Research Institute | Method for doping quantum dots |
CN1865394A (zh) * | 2005-05-18 | 2006-11-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低毒性ZnSe蓝紫光量子点的制备方法 |
WO2008116044A8 (en) * | 2007-03-20 | 2008-12-24 | Univ Emory | SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS FOR EFEICIENT DELIVERY AND INTRACELLULAR IMAGING OF siRNA |
CN101428770A (zh) * | 2008-12-08 | 2009-05-13 | 云南大学 | 一种ZnSe荧光量子点的合成方法 |
CN101476162A (zh) * | 2008-12-24 | 2009-07-08 | 云南大学 | 一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法 |
-
2014
- 2014-04-20 CN CN201410166395.2A patent/CN103897702B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1657589A (zh) * | 2004-02-20 | 2005-08-24 | 财团法人工业技术研究院 | ZnX(X=S,Se,Te)量子点的制备方法 |
US20050287691A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Industrial Technology Research Institute | Method for doping quantum dots |
CN1687303A (zh) * | 2005-04-07 | 2005-10-26 | 上海交通大学 | 微波辅助快速合成硒化锌荧光量子点的方法 |
CN1865394A (zh) * | 2005-05-18 | 2006-11-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 低毒性ZnSe蓝紫光量子点的制备方法 |
WO2008116044A8 (en) * | 2007-03-20 | 2008-12-24 | Univ Emory | SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS FOR EFEICIENT DELIVERY AND INTRACELLULAR IMAGING OF siRNA |
CN101428770A (zh) * | 2008-12-08 | 2009-05-13 | 云南大学 | 一种ZnSe荧光量子点的合成方法 |
CN101476162A (zh) * | 2008-12-24 | 2009-07-08 | 云南大学 | 一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BO FENG ET. AL.: "Controllable synthesis, growth mechanism and optical properties of the ZnSe quantum dots and nanoparticles with different crystalline phases", 《MATERIALS RESEARCH BULLETIN》, vol. 48, 3 December 2012 (2012-12-03), pages 1040 - 1044 * |
冯博: "ZnSe纳米材料的制备及光学、光催化性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库工程科技I辑2013年第10期》, 15 October 2013 (2013-10-15), pages 020 - 36 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108690600A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-10-23 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 高压制备量子点的方法以及量子点 |
CN108690600B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-03-02 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 高压制备量子点的方法以及量子点 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103897702B (zh) | 2015-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Nie et al. | Efficient multicolor and white photoluminescence in erbium-and holmium-incorporated Cs2NaInCl6: Sb3+ double perovskites | |
Otto et al. | Colloidal nanocrystals embedded in macrocrystals: Robustness, photostability, and color purity | |
Xuan et al. | Highly stable CsPbBr 3 quantum dots coated with alkyl phosphate for white light-emitting diodes | |
CN111073637B (zh) | 一种零维无铅钙钛矿荧光材料、其制备及应用 | |
CN102382654B (zh) | 上转换荧光材料稀土掺杂NaYF4纳米晶的制备方法 | |
Shwetharani et al. | Review on recent advances of core-shell structured lead halide perovskites quantum dots | |
Gu et al. | Red, green, and blue luminescence from ZnGa2O4 nanowire arrays | |
Yang et al. | Tunable dual emission in Bi3+/Te4+-doped Cs2HfCl6 double perovskites for white light-emitting diode applications | |
Li et al. | Ultrastable zero-dimensional Cs4PbBr6 perovskite quantum dot glass | |
Yan et al. | Dual-mode luminescence tuning of Er3+ doped Zinc Sulfide piezoelectric microcrystals for multi-dimensional anti-counterfeiting and temperature sensing | |
Zhang et al. | Highly luminescent broadband phosphors based on acid solvent coordinated two-dimensional layered tin-based perovskites | |
El Ghoul et al. | Sol–gel synthesis, structural and luminescence properties of MT-doped SiO2/Zn2SiO4 nanocomposites | |
Song et al. | One-step melt closed mesoporous SiO2 for large-scale synthesis of confined CsPbX3 (X= Cl, Br, and I) quantum dots and LED applications | |
CN107418560B (zh) | 一种高效硫掺杂氧化锌纳米材料的制备方法 | |
Thapa et al. | Blue-red color-tunable all-inorganic bromide–iodide mixed-halide perovskite nanocrystals using the saponification technique for white-light-emitting diodes | |
CN109775750B (zh) | 一种溶液法制备全无机钙钛矿CsPbBr3纳米线的方法及上转换发光材料 | |
Zhou et al. | Ultrastable EVA film-protected Cs4PbBr6 solid powder for wide color gamut backlight display and upconversion emission | |
CN109385272B (zh) | 硫化镓量子点材料及其制备方法 | |
CN109810701B (zh) | 一种溶液法制备全无机钙钛矿Cs4PbBr6纳米线的方法及其应用 | |
Miyata et al. | Green photoluminescence of perovskite CsPb (Br1–x I x) 3 nanocrystals for wide color gamut displays | |
Kim et al. | Synthesis of colloidal aluminum hydroxide nanoparticles for transparent luminescent polymer nanocomposite films | |
CN103205252B (zh) | 一种新型蓝色无机发光材料及其制备方法 | |
CN103897702A (zh) | 一种ZnSe量子点及其制备方法 | |
Yuan et al. | Octahedral distortion co-regulation via dual strategies toward luminescence enhancement for the MA4InBr7 perovskite single crystal | |
Chen et al. | Highly luminescent lead bromine perovskite via fast and eco-friendly water-assisted mechanochemical method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150805 Termination date: 20180420 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |