CN1609050A - 一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents
一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,以Ca(Li1/3Nb2/3)O3和CaTiO3为主晶相,Bi2O3、ZnO和溶胶-凝胶制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃粉作为烧结助剂。本发明的优点是:采用Bi2O3、ZnO和ZnO-B2O3-SiO2玻璃粉协同降低材料的烧结温度,综合调控各项微波介电性能;采用二次煅烧和二次球磨工艺制度,利于充分合成主晶相,改善粉体特性;在900℃左右烧结具有较好的微波介电性能:εr=30~45;Q·f=6000~1000GHz,频率温度系数可调;材料工艺稳定,重现性好,可与银电极共烧。本发明材料可应用于多层滤波器、双工器、天线、巴伦等多层微波频率器件设计生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,属材料科学技术领域。
背景技术
现代移动通信和无线局域网在全球范围内迅速普及,并朝着小型化、轻量化、高频化、集成化、高可靠性和低成本方向发展。这对以微波介质陶瓷为基础的微波电路元器件也提出更高的要求,微波电路元器件小型化、高频化已成为技术发展的主流。
实现微波器件小型化的途径主要有两个:探索高介电常数微波介质材料和微波器件的多层结构设计。多层微波片式微波元器件的制备,需要微波介质陶瓷材料能与高电导率的金属共烧,而从经济性和环境保护角度考虑,使用熔点较低的银(Ag)、铜(Cu)等贱金属作为电极材料是最为理想的。目前,产业化的微波介质陶瓷烧结温度均比较高,一般在1200℃~1500℃,如BaTi4O9,Ba2Ti9O20,(Zn,Sn)TiO4,(Pb,Ca)(Fe,Nb,Zr)O3,Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,(Pb,Ca)(Zr,Ti)O3,它们的烧结温度远远高于Ag(906℃)、Cu(1064℃)的熔点。为了实现与贱金属共烧,必须寻找低温烧结材料或对现有的材料进行低温化。低温烧结微波介质陶瓷利于元器件的多层化、降低能耗与贱金属电极共烧,从而降低生产成本,已被国内外学者提到研究日程。
降低烧结温度通常有三种方法:①掺加适量的烧结助剂-低熔点氧化物及低熔点玻璃,进行液相活性烧结;②采用化学法制取表面活性高的粉体;③尽可能采用颗粒度细的材料或者选用固有烧结烧结温度较低的材料。目前,在低温烧结方面主要集中在烧结助剂选择和优化方面的研究。在液相传质烧结过程中,由于玻璃或氧化物熔化,形成液相,润湿包裹固体颗粒,促进晶粒长大;或者低熔点氧化物进入晶格取代,形成置换固溶体,利用缺位能促进瓷体的致密化。在低温微波介质陶瓷材料研究已取得一些进展,如在BaO-TiO2-WO3中加入SiO2、B2O3、ZnO-B2O3等烧结助剂,烧结温度可降到1000℃;(Zn,Sn)TiO4中加入NiO,ZnO,Fe2O3等氧化物,可使烧结温度降低到1400℃,同时添加BaCuO2+CuO,在1000℃烧结可达到97%的致密度。此外,许多科技人员对固有烧结温度低的BiNbO4、Bi-Ca-Nb-O、Bi-Ca-Zn-Nb-O及含铅复合钙钛矿结构的材料,通过添加CuO、V2O5等低共熔点氧化物,可使材料的烧结温度降低到920℃。目前,研究的材料体系由于材料本身特性的原因,存在烧结温度高、材料低温化与介电性能不能兼备、浆料配料困难、掺银、与银电极反应等问题,真正产业化的低温烧结微波介质陶瓷材料很少。
发明内容
本发明的目的是迎合移动通信用微波频率小型化、高频化需要,提出一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,以Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]03-δ体系为研究对象,采用Bi2O3、ZnO和ZBS为烧结助剂,协同降低陶瓷的烧结温度,调整主晶相组成,综合调控材料的微波介电性能,获得900℃以下能与银电极共烧的低温烧结微波介质陶瓷,并形成产业化。
本发明提出的一种低温烧结微波介质材料及制备方法,包括以下内容:
①根据下列组分配比配料:
Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]03-δ,其中x=0.1~0.5
添加剂与Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]03-δ的重量比:
氧化铋(Bi2O3):2~6wt%
氧化锌(ZnO):0~8wt%
锌硼硅玻璃粉(ZBS):0~15%
②将上述的CaCO3、Li2CO3、Nb2O5、TiO2按配比组分配料;按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,60~80℃烘干,将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在800~950℃下煅烧2~4h,合成主晶相。
②一次煅烧料加入2~6wt%Bi2O3、0~8wt%ZnO,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,60~80℃烘干。将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在700~850℃下煅烧2~4h。煅烧料球磨粉碎至平均粒径1μm,备用。
③二次煅烧料加入0~15%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,在80~120Mpa压制成直径25mm、厚度10~15mm的小圆块,在850~920℃下烧结,保温2~6h,即得到本发明的材料。
采用上述配方及工艺组成的本发明,能在900℃以下与银电极共烧,具有优良的微波介电性能:εr=30~45,Q·f=6000~10000GHz,谐振频率在3~4GHz,频率温度系数可调。该材料是一种极具发展前途的材料,已投入产业化生产。本发明具有以下特点:
①采用ZnO、Bi2O3、ZBS烧结助剂协同降低烧结温度,综合协调材料的各项微波介电性能,频率温度系数有效控制在使用范围内;
②采用二次煅烧和二次球磨工艺制度,充分合成主晶相,改善粉体特性,利于浆料配制;
③材料工艺稳定、重现性好,能在900℃以下与银电极共烧,已投入多层微波陶瓷滤波器产业化生产。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
实施例1:
根据主晶相表达式中x=0.2,按摩尔比CaCO3∶Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2=1.000∶0.1333∶0.2667∶0.2000称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速为300r/min滚动球磨24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在905℃下煅烧4h,合成主晶相;一次煅烧料加入5wt%Bi2O3,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在750℃下煅烧2h;二次煅烧料加入8wt%的ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80Mpa压制成直径25mm、厚度12mm的圆块,在906℃下烧结,保温3.7h,即得到本发明的材料。介电性能为:εf=37.77,Q·f=9028GHz,谐振频率f=3.4318GHz,频率温度系数τf=3.89ppm/℃。
实施例2:
根据主晶相表达式中x=0.22,按摩尔比CaCO3∶Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2=1.000∶0.1300∶0.2600∶0.2200称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速为300r/min滚动球磨24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在905℃下煅烧4h,合成主晶相;一次煅烧料加入5wt%Bi2O3,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在750℃下煅烧2h;二次煅烧料加入8wt%的ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80Mpa压制成直径25mm、厚度12.4mm的圆块。在906℃下成烧,保温3.7h,即得到本发明的材料。介电性能为:εr=35.45,Q·f=6944GHz,谐振频率f=3.7997GHz,频率温度系数τf=11.4ppm/℃。
实施例3:
根据主晶相表达式中x=0.25,按摩尔比CaCO3∶Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2=1.000∶0.125∶0.25∶0.25配料称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速为300r/min滚动球磨24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在870℃下煅烧4h,合成主晶相;一次煅烧料加入5.5wt%ZnO和3.75wt%Bi2O3,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在750℃下煅烧2h;二次煅烧料加入8wt%的ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,在80Mpa的压力下压成直径25mm、厚度13mm的小圆块,的圆块。在920℃下成烧,保温4h,即得到本发明的材料。介电性能为:εr=38.66,Q·f=6998,谐振频率f=3.4357GHz,频率温度系数τf=13.78ppm/℃。
实施例4:
根据主晶相表达式中x=0.3,按摩尔比CaCO3∶Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2=1.000∶0.1167∶0.2333∶0.3000称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速为300r/min滚动球磨24h,在80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在870℃下煅烧4h,合成主晶相;一次煅烧料加入5.5wt%ZnO和3.75wt%Bi2O3,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,80℃烘干,装入氧化铝坩埚,在780℃下煅烧2h;二次煅烧料加入5wt%的ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚磨混料24h,烘干,在80Mpa的压力下压成直径25mm、厚度13mm的小圆块,在920℃下成烧,保温4h,即得到本发明的材料。介电性能为:εr=38.49,Q·f=8652,谐振频率f=3.2893GHz,频率温度系数τf=4.05ppm/℃。
Claims (3)
1、一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷,其特征在于其配方组成式为:
Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ,其中x=0.1~0.5
添加剂与Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ的重量比:
氧化铋(Bi2O3):2~6wt%
氧化锌(ZnO):0~8wt%
锌硼硅玻璃粉(ZnO-B2O3-SiO2,简称ZBS):0~15%
2、一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于制备工艺包括以下步骤:
①将原料按权利要求1所述的配方组成配料,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,60~80℃烘干,将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在800~950℃下煅烧2~4h,合成主晶相。
②一次煅烧料加入2~6wt%Bi2O3、0~8wt%ZnO,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,60~80℃烘干。将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在700~850℃下煅烧2~4h。煅烧料球磨粉碎至平均粒径1μm,备用。
③二次煅烧料加入0~15%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.5),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合16~24h,在80~120Mpa压制成直径25mm、厚度10~15mm的小圆块,在850~920℃下烧结,保温2~6h,即得到本发明的材料。
3、根据权利要求1和权利要求2所述的一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,其特征在于:
①原料按下列配比配料:
Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ,其中x=0.2,即Ca[(Li1/3Nb2/3)0.8Ti0.2]O3-δ
各组分的摩尔比CaCO3∶Li2CO3∶Nb2O5∶TiO2=1.000∶0.1333∶0.2667∶0.2000
添加剂与Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ的重量比:
氧化铋(Bi2O3):5wt%
锌硼硅玻璃粉(ZBS):8wt%
②将上述Li2CO3、Nb2O5、Nb2O5、TiO2配比,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合24h,80℃烘干,将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在905℃下煅烧4h,合成主晶相。
②一次煅烧料加入5wt%Bi2O3,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.2,加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合24h,80℃烘干。将烘干的混合料装入氧化铝坩埚,在750℃下煅烧2h。煅烧料球磨粉碎至平均粒径1μm,备用。
③二次煅烧料加入8%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶(1~1.2),加入乙醇,在转速300r/min滚动球磨混合24h,在80Mpa压制成直径25mm、厚度12mm的小圆块,在906℃下烧结,保温3.7h,即得到本发明的材料。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1317226C (zh) * | 2005-09-09 | 2007-05-23 | 华中科技大学 | 低介电常数微波介质陶瓷材料 |
CN100378031C (zh) * | 2006-03-09 | 2008-04-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低温烧结的微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN100393666C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-06-11 | 浙江大学 | 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN101381229B (zh) * | 2008-10-28 | 2011-07-06 | 昆明理工大学 | 低温共烧铌酸锌基微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN102206076A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-10-05 | 西南科技大学 | 微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法 |
CN102531581A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 嘉兴佳利电子股份有限公司 | 一种中介电常数高q值微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN102656127A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-09-05 | 日本化学工业株式会社 | 电介质陶瓷形成用组合物以及电介质陶瓷材料 |
CN103232241A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 西安交通大学 | 一种超低温烧结的复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN103396099A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-11-20 | 桂林理工大学 | 铌基温度稳定型ltcc微波介质陶瓷材料 |
CN103496971A (zh) * | 2013-10-01 | 2014-01-08 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的微波介电陶瓷Ca4Bi6O13及其制备方法 |
CN103496972A (zh) * | 2013-10-01 | 2014-01-08 | 桂林理工大学 | 超低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷Ca5Bi14O26及其制备方法 |
CN103613378A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 云南银峰新材料有限公司 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
CN104177060A (zh) * | 2014-07-14 | 2014-12-03 | 浙江大学 | 一种玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法 |
CN107021757A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-08 | 电子科技大学 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN116844862A (zh) * | 2023-06-12 | 2023-10-03 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种电介质材料及其在制备陶瓷电容器中的应用 |
-
2003
- 2003-10-23 CN CN 200310104221 patent/CN1275901C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1317226C (zh) * | 2005-09-09 | 2007-05-23 | 华中科技大学 | 低介电常数微波介质陶瓷材料 |
CN100378031C (zh) * | 2006-03-09 | 2008-04-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低温烧结的微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN100393666C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-06-11 | 浙江大学 | 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN101381229B (zh) * | 2008-10-28 | 2011-07-06 | 昆明理工大学 | 低温共烧铌酸锌基微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN102656127A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-09-05 | 日本化学工业株式会社 | 电介质陶瓷形成用组合物以及电介质陶瓷材料 |
CN102206076A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-10-05 | 西南科技大学 | 微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法 |
CN102531581A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 嘉兴佳利电子股份有限公司 | 一种中介电常数高q值微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN103232241B (zh) * | 2013-04-22 | 2014-09-03 | 西安交通大学 | 一种超低温烧结的复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN103232241A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 西安交通大学 | 一种超低温烧结的复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN103396099A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-11-20 | 桂林理工大学 | 铌基温度稳定型ltcc微波介质陶瓷材料 |
CN103396099B (zh) * | 2013-08-07 | 2015-02-04 | 桂林理工大学 | 铌基温度稳定型ltcc微波介质陶瓷材料 |
CN103496972A (zh) * | 2013-10-01 | 2014-01-08 | 桂林理工大学 | 超低温烧结温度稳定型微波介电陶瓷Ca5Bi14O26及其制备方法 |
CN103496971A (zh) * | 2013-10-01 | 2014-01-08 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的微波介电陶瓷Ca4Bi6O13及其制备方法 |
CN103613378A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-05 | 云南银峰新材料有限公司 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
CN103613378B (zh) * | 2013-11-25 | 2016-01-20 | 云南银峰新材料有限公司 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
CN104177060A (zh) * | 2014-07-14 | 2014-12-03 | 浙江大学 | 一种玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法 |
CN104177060B (zh) * | 2014-07-14 | 2016-03-16 | 浙江大学 | 一种玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法 |
CN107021757A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-08 | 电子科技大学 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN107021757B (zh) * | 2017-05-27 | 2020-01-10 | 电子科技大学 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN116844862A (zh) * | 2023-06-12 | 2023-10-03 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种电介质材料及其在制备陶瓷电容器中的应用 |
CN116844862B (zh) * | 2023-06-12 | 2024-02-09 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种电介质材料及其在制备陶瓷电容器中的应用 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1275901C (zh) | 2006-09-20 |
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