CN103613378B - 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 - Google Patents
一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103613378B CN103613378B CN201310601002.1A CN201310601002A CN103613378B CN 103613378 B CN103613378 B CN 103613378B CN 201310601002 A CN201310601002 A CN 201310601002A CN 103613378 B CN103613378 B CN 103613378B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- dielectric constant
- ball
- ceramic material
- constant microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 23
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 9
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 9
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001275 Niobium-titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 calcium-lithium-niobium titanium Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开一种用固相合成法合成中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法。本发明采用低温共烧陶瓷领域的常规工艺和设备，通过配料、球磨、预烧、破碎、复配、二次球磨、造粒等工序制备得到陶瓷粉体材料。该陶瓷材料具有原料便宜，工艺简单，生产成本低等优点。该陶瓷材料主要应用于微波带状线路为主的传输线路以及利用其线路和波长的滤波器、电容器、谐振器等新型片式微波器件，具有重要的开发研究价值和工业应用价值。
Description
技术领域
本发明使用固相合成法制备中介电常数微波介质陶瓷材料，属于低温共烧陶瓷(LTCC)领域内生瓷粉制备技术。
背景技术
随着现代信息技术的飞速发展，对电子产品的小型化、便携化、多功能、高可靠性和低成本等方面提出了越来越高的要求。在众多电子材料中，低温共烧陶瓷LTCC(LowTemperatureCo-firedCeramic)材料，以其低烧结温度(不超过900℃)，高集成度以及与Ag、Cu等金属电极良好的共烧特性成为无源集成介质材料的一个重要发展方向。低温共烧陶瓷技术是一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术，因其优异的电子、热机械特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式。它采用厚膜材料，根据预先设计的结构，将电极材料、基板、电子器件等在900℃以下一次烧成，是一种用于实现低成本、高集成、高性能的电子封装技术。低温共烧陶瓷被广泛应用于无源集成电子器件之中，如多层陶瓷基板，谐振器，滤波器以及介质移相器等等。发展低温烧结的中介电常数材料以满足高频和高速的要求，是当今电子材料如何适应高频应用的一个挑战。中介电常数微波介质陶瓷因其优异的介电性能而成为这一应用领域的重要材料。
目前研制低温烧结微波介质陶瓷材料的主要方法有三种：①掺加适量的烧结助剂-低熔点氧化物及低熔点玻璃，进行液相活性烧结；②采用化学法制取表面活性高的粉体或颗粒细度小的材料；③选用固有烧结温度低的材料体系。第二种方法的制备成本高，产品烧结收缩率大，容易变形；第三种材料由于基质原因其烧结体系易产生吸银，并且微波性能也不是很好，体系很少得到应用。因此本发明采用第一种方法引入烧结助剂降低微波介质陶瓷的烧结温度，并使其实现介电常数在一定范围内可调。
能够实现低温烧结的陶瓷材料体系主要包括微晶玻璃体系、玻璃陶瓷复合体系和非晶玻璃体系。其中微晶玻璃体系、玻璃+陶瓷复合体系是近年来人们研究的重点，开发出了(Mg，Ca)TiO3系、BaO-TiO2系、ZnO-TiO2系、BaO-Nd203-TiO2系、(Zr，Sn)TiO3、(Ba，Nb)TiO3系以及硼硅酸盐系等许多LTCC材料体系。中介电常数LTCC材料面临的主要问题是高性能(低介电损耗、高机械强度)与低烧结温度的矛盾。因此，LTCC陶瓷材料的设计需要在制备工艺与性能指标之间取得适当的平衡。调节的主要手段是玻璃熔合方法，材料的配方设计，烧结曲线等。
本发明公开了一种钙锂铌钛(CaO-Li2O-Nb2O5-TiO2)体系微波介电陶瓷材料及其制备方法。钙锂铌钛(CaO-Li2O-Nb2O5-TiO2)体系基相的烧结温度低(1100℃)，品质因数高，频率温度系数小，在一定范围内正负可调，介电常数居于36～42之间，是一种可以迅速实用化的微波介质体系，可广泛用于谐振器、滤波器、GPS介质天线等微波器件，对片式多层陶瓷电容电阻复合元件的研发、生产均具有非常重要的意义。
发明内容
本发明提供一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，目的是根据实际需要使其介电常数落在36～42，且具有低介质损耗与良好的烧结特性。本发明所要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的。
一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其工艺如下：
生瓷粉的配制：
将生瓷粉前驱体原料按照Ca(OH)2，40～50wt％；Li2CO3，5～10wt％；Nb2O5,40～50wt％；TiO2，5～10wt％称量混合，再加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨10～12小时。球磨后的生瓷粉前驱体原料出料过滤出氧化锆球，于100～120℃烘干，在850±20℃预烧，再破碎研磨成粒径为200～300μm的生瓷粉粒。
所述原料纯度为95％以上。
所述溶剂为去离子水或无水乙醇。
所述氧化锆球直径在Φ3mm～5mm。
所述生瓷粉前驱体原料、溶剂、氧化锆球的重量配比为1：1：1～1：2：4。
玻璃粉的配制：
将玻璃粉前驱体原料按照ZnO，15～35wt％；H3BO3，65～85wt％称量混合，加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨8～10小时。球磨后的玻璃粉前驱体原料出料过滤出氧化锆球，于100～120℃烘干，在1450±50℃下熔融水淬，再破碎研磨成粒径为200～300μm的玻璃粉粒。
所述原料纯度为99％以上。
所述溶剂为去离子水或无水乙醇。
所述氧化锆球为Φ3mm～5mm。
所述生瓷粉前驱体原料、溶剂、氧化锆球的重量配比为1：1：1～1：2：4。
将制备好的生瓷粉与玻璃粉按照生瓷粉95～99wt％，玻璃粉1～5wt％称量混合，加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨10～12小时；然后加入5～15wt％的高分子粘结剂水溶液，球磨4～6小时，混合均匀，造粒，压片，排胶烧结。
所述溶剂为去离子水或无水乙醇。
所述氧化锆球直径在Φ3mm～5mm。
所述高分子粘结剂水溶液为聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙烯醇(PVA)水溶液，浓度为5～15wt％。
所述排胶烧结工艺是指：将压好的陶瓷片以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再以3℃/min升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。
与现有技术相比较，本发明配方中的原料便宜易购买，生产周期短。采用常规生产设备，生产成本低。烧结温度低，满足节能减排要求。绿色、环保，符合欧盟RoHS指令，不含铅、镉、汞、六价铬Cr6+、多溴联苯PBBs、多溴联苯醚PBDEs等有害物质，最大程度上降低了原料、废料和生产过程中带来的环境污染。
具体实施方式
本发明通过下面的实施例来进一步说明。
实施例1
称取80gCa(OH)2、10gLi2CO3、100gNb2O5、10gTiO2混合，加入160g去离子水及400g氧化锆球，采用湿法球磨10小时；经球磨后的混合物过滤，在120℃烘干，再在860℃进行预烧，研碎成250μm的生瓷粉颗粒；
称取84.45gH3BO3、15.55gZnO混合，加入80g去离子水及200g氧化锆球，采用湿法球磨8小时，经球磨后的混合物过滤，在110℃烘干，再在1500℃进行熔融水淬，研碎成200μm的生瓷粉颗粒；
称取99g生瓷粉和1g玻璃粉混合，加入50g无水乙醇及200g氧化锆球，采用湿法球磨12小时；加入30ml5％的PVB高分子粘结剂水溶液，球磨6小时，混合均匀、造粒压片成型；将压好的陶瓷片在窑式烧结炉中以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。取出样片进行打磨抛光，采用Agilent4991A测得介电常数为36.0，介质损耗为0.0014，谐振频率温度系数6.1ppm/℃，绝缘电阻为2.2×1012Ω·cm。
实施例2
称取86.6gCa(OH)2、10.4gLi2CO3、90.4gNb2O5、12.6gTiO2混合，加入160g去离子水及400g氧化锆球，采用湿法球磨12小时；经球磨后的混合物过滤，在100℃烘干，再在830℃进行预烧，研碎成200μm的生瓷粉颗粒；
称取80.25gH3BO3、19.75gZnO混合，加入80g去离子水及200g氧化锆球，采用湿法球磨10小时，经球磨后的混合物过滤，在105℃烘干，再在1450℃进行熔融水淬，研碎成220μm的生瓷粉颗粒；
称取98g生瓷粉和2g玻璃粉混合，加入50g无水乙醇及200g氧化锆球，采用湿法球磨10小时；加入20ml15％的PVA高分子粘结剂水溶液，球磨5小时，混合均匀、造粒压片成型；将压好的陶瓷片在窑式烧结炉中以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。取出样片进行打磨抛光，采用Agilent4991A测得介电常数为39.9，介质损耗为0.0016，谐振频率温度系数12.2ppm/℃，绝缘电阻为2.6×1012Ω·cm。
实施例3
称取91gCa(OH)2、13gLi2CO3、83gNb2O5、13gTiO2混合，加入160g去离子水及400g氧化锆球，采用湿法球磨10小时；经球磨后的混合物过滤，在120℃烘干，再在850℃进行预烧，研碎成280μm的生瓷粉颗粒；
称取78.45gH3BO3、21.25gZnO混合，加入80g去离子水及200g氧化锆球，采用湿法球磨9小时，经球磨后的混合物过滤，在100℃烘干，再在1400℃进行熔融水淬，研碎成260μm的生瓷粉颗粒；
称取97g生瓷粉和3g玻璃粉混合，加入50g无水乙醇及200g氧化锆球，采用湿法球磨12小时；加入40ml10％的PVA高分子粘结剂水溶液，球磨4小时，混合均匀、造粒压片成型；将压好的陶瓷片在窑式烧结炉中以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。取出样片进行打磨抛光，采用Agilent4991A测得介电常数为40.0，介质损耗为0.0017，谐振频率温度系数16.8ppm/℃，绝缘电阻为2.8×1012Ω·cm。
实施例4
称取96gCa(OH)2、12gLi2CO3、84gNb2O5、10.1gTiO2混合，加入160g去离子水及400g氧化锆球，采用湿法球磨12小时；经球磨后的混合物过滤，在120℃烘干，再在870℃进行预烧，研碎成200μm的生瓷粉颗粒；
称取72.65gH3BO3、27.35gZnO混合，加入80g去离子水及200g氧化锆球，采用湿法球磨9小时，经球磨后的混合物过滤，在120℃烘干，再在1450℃进行熔融水淬，研碎成220μm的生瓷粉颗粒；
称取96g生瓷粉和4g玻璃粉混合，加入50g无水乙醇及200g氧化锆球，采用湿法球磨10小时；加入30ml15％的PVB高分子粘结剂水溶液，球磨5小时，混合均匀、造粒压片成型；将压好的陶瓷片在窑式烧结炉中以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。取出样片进行打磨抛光，采用Agilent4991A测得介电常数为41.2，介质损耗为0.0020，谐振频率温度系数10.8ppm/℃，绝缘电阻为3.0×1012Ω·cm。
实施例5
称取94gCa(OH)2、10.6gLi2CO3、85gNb2O5、10.4gTiO2混合，加入160g去离子水及400g氧化锆球，采用湿法球磨10小时；经球磨后的混合物过滤，在100℃烘干，再在860℃进行预烧，研碎成300μm的生瓷粉颗粒；
称取65.5gH3BO3、34.5gZnO混合，加入80g去离子水及200g氧化锆球，采用湿法球磨10小时，经球磨后的混合物过滤，在110℃烘干，再在1500℃进行熔融水淬，研碎成280μm的生瓷粉颗粒；
称取95g生瓷粉和5g玻璃粉混合，加入50g无水乙醇及200g氧化锆球，采用湿法球磨12小时；加入25ml5％的PVB高分子粘结剂水溶液，球磨6小时，混合均匀、造粒压片成型；将压好的陶瓷片在窑式烧结炉中以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min；以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。取出样片进行打磨抛光，采用Agilent4991A测得介电常数为42.0，介质损耗为0.0021，谐振频率温度系数18.6ppm/℃，绝缘电阻为4.8×1012Ω·cm。
表1本发明实施例测试结果
从表1可知，所有样品均可在中低温(Ts≤900℃)下烧结；样品的介电常数36～421MHz～3GHz，介质损耗为0.0010～0.00251MHz～3GHz，谐振温度系数绝缘电阻率ρ为2.2×1012Ω·cm～5.0×1012Ω·cm。
Claims (8)
1.一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A.生瓷粉的配制：配料、混合、球磨
将生瓷粉前驱体原料按照Ca(OH)2，40～50wt％；Li2CO3，5～10wt％；Nb2O5，40～50wt％；TiO2，5～10wt％，加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨10～12小时；
B.烘干、预烧、破碎
经A步骤球磨后的生瓷粉前驱体原料出料过滤出氧化锆球，于100～120℃烘干，然后在850±20℃预烧，再破碎研磨成粒径为200～300μm的生瓷粉粒；
C.玻璃粉的配制：配料、混合、球磨
将玻璃粉前驱体原料按照ZnO，15～25wt％；H3BO3，75～85wt％称量混合，加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨8～10小时；
D.烘干、熔融、破碎
经C步骤球磨后的玻璃粉前驱体原料出料过滤出氧化锆球，于100～120℃烘干，然后在1450±50℃熔融水淬，再破碎研磨成粒径为200～300μm的玻璃粉粒；
E.瓷料复配、球磨、造粒、压片、烧结
将步骤B和D配好的生瓷粉与玻璃粉按照玻璃粉，1～5wt％；生瓷粉，95～99wt％称量混合，加入溶剂及氧化锆球，采用湿法球磨10～12小时；然后加入5～15wt％的高分子粘结剂水溶液，再球磨4～6小时，混合均匀，造粒，压片，排胶烧结。
2.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述陶瓷材料的介电常数为36～421MHz～3GHz，介质损耗为0.0010～0.00251MHz～3GHz，谐振温度系数τf＝0±20ppm/℃，绝缘电阻率ρ为2.2×1012Ω·cm～5.0×1012Ω·cm。
3.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤A、C、E所述溶剂为去离子水或无水乙醇。
4.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤A所述生瓷粉前驱体原料、溶剂、氧化锆球的重量配比为1：1：1～1：2：4。
5.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤C所述玻璃粉前驱体原料、溶剂、氧化锆球的重量配比为1：1：1～1：2：4。
6.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤E所述混合粉料、溶剂、氧化锆球的重量配比为1：1：1～1：2：4。
7.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤E所述高分子粘结剂水溶液为聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙烯醇(PVA)的水溶液，浓度为5～15wt％。
8.如权利要求1所述的中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤E所述的排胶烧结工艺为：将压好的陶瓷片以2℃/min的升温速度升温到500℃保温1h，再升温到880℃保温10min，以3℃/min的降温速度降温到400℃，随炉冷却至室温。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310601002.1A CN103613378B (zh) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310601002.1A CN103613378B (zh) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103613378A CN103613378A (zh) | 2014-03-05 |
| CN103613378B true CN103613378B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=50164108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310601002.1A Active CN103613378B (zh) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103613378B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1609050A (zh) * | 2003-10-23 | 2005-04-27 | 浙江大学 | 一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN1974479A (zh) * | 2006-12-07 | 2007-06-06 | 华南理工大学 | 一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法 |
-
2013
- 2013-11-25 CN CN201310601002.1A patent/CN103613378B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1609050A (zh) * | 2003-10-23 | 2005-04-27 | 浙江大学 | 一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN1974479A (zh) * | 2006-12-07 | 2007-06-06 | 华南理工大学 | 一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103613378A (zh) | 2014-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104016664A (zh) | 一种低介电常数微波陶瓷材料的制备方法 | |
| CN104478423A (zh) | 超低介电常数微波介电陶瓷Li2Zn2Si2O7及其制备方法 | |
| CN104387057B (zh) | 一种温度稳定型钛基尖晶石微波介质陶瓷及其低温制备方法 | |
| CN103613378B (zh) | 一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法 | |
| CN103274687B (zh) | 一种高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法 | |
| CN105693232A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷CuBi2V2O9 | |
| CN104876572A (zh) | 高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷CaLi3La3Mo2O13 | |
| CN105967667A (zh) | LiInSiO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 | |
| CN106242557A (zh) | 一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBiSn2O6 | |
| CN106220146A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Ge2O9 | |
| CN105693233A (zh) | 高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2V2O11 | |
| CN106242556A (zh) | 一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSn2O6 | |
| TWI224086B (en) | Low temperature microwave dielectric composition | |
| CN104744039B (zh) | 低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnV5O14 | |
| CN106278246A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2B4Ti3O13 | |
| CN106278237A (zh) | 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9 | |
| CN106187153A (zh) | 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Sn2O9 | |
| CN106278235A (zh) | LiBiSnO4作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 | |
| CN106187158A (zh) | 高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2MgSnO4 | |
| CN106278243A (zh) | Li2ZnSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 | |
| CN105693230A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Cu3SmVO7 | |
| CN106187157A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4 | |
| CN106242555A (zh) | 低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2Bi4Sn3O13 | |
| CN106220160A (zh) | 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Ge2O9 | |
| CN106187133A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBi3Si2O9 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A preparation method for dielectric constant microwave dielectric ceramic materials Effective date of registration: 20230421 Granted publication date: 20160120 Pledgee: Huaxia Bank Limited by Share Ltd. Kunming Chenggong Pledgor: YUNNAN INFINE NEO-MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2023530000024 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20160120 Pledgee: Huaxia Bank Limited by Share Ltd. Kunming Chenggong Pledgor: YUNNAN INFINE NEO-MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2023530000024 |