CN1505040A - 磁随机存取存储器 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 113
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 17
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 15
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
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Abstract
提供一种有改进了的磁回路结构的磁随机存取存储器。该磁随机存取存储器包括：存储数据的磁阻元件(35)；有选择地将磁场施加在磁阻元件上的电流驱动线(72)；以及保持来自电流驱动线的磁场的磁回路(84)。电流驱动线(72)具有与磁阻元件(35)相对的第一面；与第一面相反一侧的第二面；以及第一及第二面之间的两个侧面。磁回路(84)具有以使电流驱动线(72)的第一及第二面侧开放的方式，基本上由沿着电流驱动线的两个侧面延伸的强磁性材料构成的一对板构件(85、86)。
Description
技术领域
本发明涉及具有存储单元的磁随机存取存储器，该存储单元使用了利用磁阻效应进行数据存储的磁阻元件。
背景技术
所谓磁随机存取存储器(以下简称MRAM)，是利用作为信息的记录载体的强磁性体的磁化方向，能随时改写、保持、读出记录信息的固体存储器的总称。
MRAM存储单元通常具有层叠了多个强磁性体的结构。使构成存储单元的多个强磁性体的磁化方向的相对配置呈平行、或反平行对应于二进制的“1”、“0”，来进行信息的记录。利用呈十字状交叉配置的写入线中流过电流产生的电流磁场，使各单元的强磁性体的磁化方向反转，进行记录信息的写入。该MRAM存储单元是记录保持时的功耗在原理上为零，即使切断电源，也能进行记录保持的非易失性存储器。利用使存储单元的电阻随着构成单元的强磁性体的磁化方向和读出电流的相对角、或多个强磁性层之间的磁化方向的相对角的变化而变化的现象，即所谓的磁阻效应，进行记录信息的读出。
如果与现有的使用电介质的半导体存储器及其功能进行比较，则MRAM具有下述的(1)～(3)所示的多个优点。(1)完全的非易失性，还能进行1015以上次数的改写。(2)能进行非破坏读出，由于不需要进行更新工作，所以能使读出周期短。(3)与电荷蓄积型的存储单元相比，耐辐射的性能强。可以预料MRAM的每单位面积的集成度、写入及读出时间与DRAM大致相同。因此具有非易失性这样的显著特色，能期待应用于携带机器用的外部记录装置、LSI混载用途、以及个人计算机的主存储器。
在目前正在进行实用化研究的MRAM中，存储单元中使用形成隧道结的MTJ(磁隧道结)元件作为磁阻元件(例如，参照非专利文献1)。MTJ元件主要由强磁性层/绝缘层/强磁性层构成的三层膜构成，以绝缘层为隧道流过电流。结的电阻值与两个强磁性金属层的磁化方向的相对角的余弦成正比地变化，在两者的磁化方向反平行的情况下取极大值。这是TMR(隧道磁致电阻)效应，例如在NiFe/Co/Al2O3/Co/NiFe中，在50Oe以下的弱磁场中能表现超过25％的磁阻变化率。
作为MTJ元件的结构，已知一种以改善磁场灵敏度为目的，将反强磁性体与一个强磁性体相邻地配置，使磁化方向固定的所谓的旋转阀结构(例如，参照非专利文献2)。另外，为了改善磁阻变化率对偏压的依赖性，已知一种设有双重隧道阻挡层的结构(例如，参照非专利文献3)。
可是，为了开发具有Gb级的集成度的MRAM，还有几个有待解决的课题。其一是降低写入电流。在现有的MRAM中，使电流流过布线，利用由此而发生的磁场，使MTJ元件的记录层的磁化方向反转。从布线发生的磁场强度随着布线中的电流值、以及布线和MTJ元件之间的距离的变化而变化，在迄今已知的报告例中，该磁场强度大约为数Oe/mA左右。另外，MTJ元件的记录层的磁化方向的反转阈值(以下定义为切换磁场Hsw)如下式所示，与MTJ元件的难磁化轴方向的尺寸(以下定义为单元宽度w)成反比地增大。
Hsw＝Hsw0+A/w …(1)
式中，迄今已知的A值为10～20(Oe·μm)。
在考虑了布线的可靠性的情况下，电迁移是一种限制。电迁移由于因布线电流密度进行加速，所以现在LSI制造中用的Al-Cu布线、Cu布线中的电流密度上限分别约为10mA/μm2、100mA/μm2左右。在考虑了用实现Gb级的集成度时所必要的0.1μm规则进行制造的情况下，即使使用了Cu布线时流过布线的电流值的上限也为1mA左右，由此发生的磁场的值为数Oe左右。另一方面，根据式(1)，尺寸为0.1μm左右的MTJ元件的切换磁场为数10Oe以上。即，在现有的技术中Gb级MRAM的实现极其困难。
为了解决这个问题，提出了在布线周围设置由具有高磁导率的磁性材料构成的衔铁层或轭结构(磁回路)的例子(例如，参照专利文献1至4)。这些例子都是将布线周围发生的磁通收敛在衔铁层或轭结构内，谋求提高在MTJ元件附近产生的磁场，目的在于降低写入电流值。
其中，用实现Gb级的集成度时所必要的0.1μm规则的制造，作为现实的结构，能举出图9所示的“轭结构”。在图9中，电流驱动线2分别电连接两个MTJ元件1。电流驱动线2由Al等电阻低的金属构成的布线铁心部3、TaN等阻挡金属膜4、以及Ni等高磁导率膜5构成。高磁导率膜5具有作为保持磁场用的轭的功能。为了防止金属在布线铁心部3和高磁导率膜5之间互相扩散，提高MRAM的可靠性而设置阻挡金属膜4。
[专利文献1]
美国专利第5,940,319号说明书
[专利文献2]
美国专利第5,956,267号说明书
[专利文献3]
国际公开第00/10172号
[专利文献4]
特开平8-306014号公报
[非专利文献1]
Roy Scheuerlein等人，“A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic TunnelJunction and FET Switch in each Cell”，“2000 ISSCCDigest of Technical Papers”，(美国)，2000年2月，p.128-129
[非专利文献2]
M Sato 等人，“Spin-Valve-Like Properties ofFerromagnetic Tunnel Junctions”，“Jpn.J.Appl.Phys.”，1997年，第36卷，Part 2，p.200-201
[非专利文献3]
K Inomata.等人，“Spin-dependent tunneling between asoft ferrromagnetic layer and hard magnetic nanoparticles”，“Jpn.J.Appl.Phys.”，1997年，第36卷，Part 2，p.1380-1383
发明内容
如后面所述，本发明者将图9所示的轭结构基本上用于MRAM中，发现了发生布线电阻增加和连接电阻增加等几个问题。本发明正是鉴于这样的现有技术的问题而完成的，其目的在于提供一种具有改进了的磁回路结构的MRAM。
本发明的第一方面是一种磁随机存取存储器，其特征在于包括：
存储数据的磁阻元件；
有选择地将磁场施加在上述磁阻元件上的电流驱动线；以及
保持来自上述电流驱动线的磁场的磁回路，上述电流驱动线具有与上述磁阻元件相对的第一面；与上述第一面相反一侧的第二面；以及上述第一及第二面之间的两个侧面，
上述磁回路具有以使上述电流驱动线的上述第一及第二面侧开放的方式，基本上由沿着上述电流驱动线的上述两个侧面延伸的强磁性材料构成的一对板构件。
本发明的第二方面是一种磁随机存取存储器，其特征在于包括：
把以磁阻元件作为存储元件的存储单元配置在呈矩阵状配置的每个地址上而形成的存储单元阵列；
连接在上述存储单元阵列的各行上的字线；
连接在上述存储单元阵列的各列上的位线；以及
在作为上述字线及上述位线两者中的至少一者，且具有作为将磁场有选择地供给上述磁阻元件的功能的各对电流驱动布线之间，沿上述电流驱动线延伸的隔壁；
上述各隔壁分别具有形成分别保持来自相邻且平行延伸的第一及第二电流驱动线的磁场的第一及第二磁回路的一部分、且基本上由强磁性材料构成的第一及第二板构件；第一及第二板构件利用绝缘层进行与上述第一及第二电流驱动线的电气绝缘。
另外，本发明的实施形态中包含各阶段的发明，通过公开的多个结构要件的适当的组合，能抽出各种发明。例如，在从实施形态所示的全部结构要件省略几个结构要件而抽出发明的情况下，实施该抽出的发明时，可以用众所周知的惯用技术适当地补充被省略部分。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施形态的MRAM的框图。
图2是表示本发明的第一实施形态的MRAM的相当于两个存储单元的部分的平面图。
图3是沿图2中的III-III线的剖面图。
图4是沿图2中的IV-IV线的剖面图。
图5是表示本发明的第二实施形态的MRAM的相当于四个存储单元的部分的平面图。
图6是沿图5中的VI-VI线的剖面图。
图7是沿图5中的VII-VII线的剖面图。
图8是表示本发明的第二实施形态的变更例的MRAM的剖面图，表示对应于图5中的VI-VI线的部分。
图9是表示MRAM的现有的电流驱动线的剖面图。
具体实施方式
本发明者在本发明的开发过程中，对基本上将图9所示的轭结构用于MRAM时发生的问题进行了研究。结果，获得了下述的见解。
即，在0.1μm规则时代，电流驱动线2的宽度约为100nm左右。另一方面，作为构成轭结构的高磁导率膜5的厚度，例如最好确保10nm左右。另外，作为阻挡金属膜4的厚度，例如最好确保5nm左右。因此，如果形成图9所示的轭结构，则100nm的布线宽度中，高磁导率膜5从两侧各占10nm合计20nm左右，阻挡金属膜4从两侧各占5nm合计10nm左右。
即，实际的布线材料的余地减少到100nm-20nm-10nm＝70nm左右。因此，虽然是0.1μm时代，但实际的布线材料宽度减少到70nm左右。其结果，导致布线电流密度上升，虽然用轭结构，但有可能不能获得对电迁移的充分可靠性。
另外，在图9所示的轭结构中还有以下问题。即，随着MRAM类型的不同，电流驱动线2电连接在例如下侧的开关元件(图中未示出)上。在此情况下，在图9所示的轭结构中，在电流驱动线2的底部，作为连接电阻将高磁导率膜5及阻挡金属膜4的电阻值包括在串联中。MRAM被检测出MTJ元件电阻的百分之几至百分之几十的变化，夹带着大的串联电阻，引起读出容限的下降，成为大问题。
以下，参照附图说明根据这样的见解构成的本发明的实施形态。另外，在以下的说明中，对具有大致相同功能及结构的结构要素标以相同的标记，只在必要时进行重复说明。
(第一实施形态)
图1是表示本发明的第一实施形态的MRAM的框图。该MRAM有同步型的存储芯片结构。
该MRAM具有将磁阻元件(MTJ元件)作为存储元件的存储单元24配置在呈矩阵状配置的每个地址上的存储单元阵列21。字线22连接在存储单元阵列21的各行上，位线23连接在存储单元阵列21的各列上。另外，在图1中，为了简单，字线22代表写入字线及读出字线两者。
为了选择字线22，配置了行地址缓冲器11、行译码器13、15、以及行驱动器14、16。为了选择位线23，配置了列地址缓冲器12、列译码器17、以及列驱动器18。另外，进行存储数据的读出用的读出电路19连接在位线23上。
行地址缓冲器11及列地址缓冲器12连接在生成地址信号及数据信号等的控制部CS1上。控制部CS1与存储单元阵列21等被混合设置在同一基板上，或者作为与存储单元阵列21等不同的元件形成。来自控制部CS1的地址信号暂时被分别锁存在行地址缓冲器11及列地址缓冲器12中。
读出时，根据被锁存的地址信号，在行译码器13及列译码器17中分别选择行及列。写入时，电流从列驱动器18流过对象存储单元24的地址的位线23，同时对应于写入信息的电流从左右行驱动器14、16加在对象存储单元24的地址上。
图2是表示本发明的第一实施形态的MRAM的相当于两个存储单元的部分的平面图，图3及图4分别是沿图2中的III-III线及IV-IV线的剖面图。
在半导体基板40上形成MOS晶体管41作为读出用的开关元件。MOS晶体管41具有在基板40的表面内形成的源扩散层42及漏扩散层43、以及通过栅绝缘膜设置在基板40的表面上的沟道区上的栅极44。栅极44由与图3的纸面正交地延伸的读出字线(图1中用字线22代表性地表示)的一部分构成。源扩散层42通过插头45连接在读出源线46上。
另一方面，MOS晶体管41的漏扩散层43通过插头47、49及布线层48、50、51连接在MTJ元件35上。MTJ元件35被夹在布线层51和作为一条写入用电流驱动线的位线57(图1中用位线23代表性地表示)之间。在MTJ元件35的正下方，通过绝缘膜配置作为另一条写入用电流驱动线的写入字线56(图1中用字线22代表性地表示)。写入字线56沿着与位线57的延伸方向(行方向)相垂直的方向(列方向)延伸。在图3及图4中，标记54、55分别表示层间绝缘膜及元件分离绝缘膜。
如图2所示，写入字线56和位线57互相正交，形成交叉矩阵。配置在写入字线56和位线57的各交叉点上的一个MTJ元件35对应于图1所示的一个存储单元24。利用由流过写入字线56的电流及流过位线57的电流形成的磁场，将数据写入MTJ元件35中。另外，在图3及图4中，虽然示出了位线57在写入字线56的上方的结构，但也可以是相反的结构。
如图3及图4所示，以在断面中高度对宽度之比(长宽比)为1以上、最好为1.5～3形成写入字线56及位线57、即两条写入用电流驱动线。这样，由于电流驱动线有纵向更长的长方形的断面，所以电流驱动线的断面积增大，能抑制电流密度的上升。因此，能抑制用电流密度加速的布线内的电迁移，能提高MRAM的可靠性。
各MTJ元件35有包括夹着隧道阻挡膜(绝缘膜)36配置的记录层37和固定层38的旋转阀结构，将数据存储在记录层37中。记录层37由包含Fe、Ni、Co的强磁性合金的单层或多层膜构成的强磁性层构成。记录层37的易磁化轴方向与写入字线56的延伸方向正交。记录层37的底面电连接在布线层51上。
另一方面，从隧道阻挡膜36一侧由层叠了强磁性层及高顽磁力层的层叠结构形成固定层38。强磁性层由包含Fe、Ni、Co的强磁性合金的单层或多层膜构成。高顽磁力层至少包括一层由PtMn等反强磁性体薄膜构成的反强磁性层。高顽磁力层的上表面电连接在位线57上。
另外，MTJ元件35也可以是双旋转阀结构的MTJ元件。在此情况下，MTJ元件35有夹着记录层设置的两个隧道阻挡膜、以及设置在两个隧道阻挡膜外侧的两个固定层。记录层及各固定层的结构例如与上述的记录层和固定层相同。由于采用双旋转阀结构，所以能降低相对于施加电压的磁阻变化率的减少，还能提高耐压程度。
为了保持来自各写入字线56的磁场，对各写入字线56设置了磁回路60。各磁回路60由设置在写入字线56的两个侧面及底面上的轭板62构成。轭板62基本上由强磁性材料、最好由具有高磁导率的软磁性材料构成。
另一方面，为了保持来自各位线57的磁场，对各位线57设置了磁回路64。各磁回路64由使位线57的上下两面开放地沿着位线57的两侧面延伸的一对板构件65、66构成。板构件65、66基本上由强磁性材料、最好由具有高磁导率的软磁性材料构成。板构件65、66由于使位线57的上下面呈开放状态，所以能容易而且可靠地将位线57电连接在多层布线结构上。即，由于能将由磁回路64的构成材料产生的串联电阻分量从布线结构中除去，所以能谋求提高读出容限。
各磁回路64的板构件65、66分别被埋入层间绝缘膜54中，利用层间绝缘膜54与对应的位线57进行电气绝缘。板构件65、66分别沿垂直方向有跨越位线57的上表面及底面延伸的长度。换句话说，板构件65、66各自的高度设定得比位线57的高度(上下面之间的距离)大。另外，在板构件65、66各自的顶部上形成向位线57一侧倾斜的部分67。利用这样的板构件65、66能可靠地保持来自位线57的磁场。
在相邻的一对位线57之间，左侧位线57的右侧板构件66(参照图4中的标记66a)、以及右侧位线57的左侧板构件65(参照图4中的标记65b)由整体形成的U字形的膜的一部分构成。U字形的膜的凹部、即两个板构件66a、65b之间埋入绝缘层，作为总体形成隔壁68。即，隔壁68在一对位线57之间的中央沿着它们平行地延伸。
这样，在互相相邻的一对位线57之间，基本上共用磁回路64的板构件65、66，所以MRAM中的磁回路64的占有率低。因此，这一部分能确保电流驱动线有足够的断面积。另外，磁回路64的板构件65、66和位线57用层间绝缘膜54隔离。在此情况下，在图9所示的结构中，能省略为了防止金属在布线铁心部3和高磁导率膜5之间互相扩散而配置的阻挡金属膜4。因此，能提高MRAM的可靠性，同时能减少制造工序数。
如本实施形态所示，在位线(电流驱动线)57的长宽比大的情况下，即使将磁回路64的板构件65、66只配置在布线的侧面，也能有效地增加施加在MTJ元件35上的磁场。作为一例，对长宽比为2的电流驱动线进行了关于配置本实施形态的磁回路64时和不配置时的实验。其结果，使相同的电流通过电流驱动线时，在MTJ元件35附近产生的磁场的比约为1∶3(即，本实施形态中是约3倍的磁场)。另外，相对于位线57的高度来说，使板构件65、66的高度越高，该结果越大。
如上所述，磁回路60、64的轭板62、板构件65、66基本上由强磁性材料、最好由具有高磁导率的软磁性材料构成。具体地说，作为这些构件的材料，能使用作为有高磁导率的磁性材料的坡莫合金、添加Mo的坡莫合金等Ni基合金、Sendust(铁硅铝)磁性合金、范麦特(FINEMET，フアインメツト)等Fe基合金。另外还能使用铁氧体等的氧化物强磁性体。
MRAM的写入工作时的写入电流的脉冲宽度通常为100ns以下。因此，磁回路的材料有必要具有能对写入电流脉冲跟踪其磁化响应的特性。根据其目的，最好满足(1)初始磁导率至少为100以上，(2)饱和磁化小，(3)材料的电阻率高。为了满足这些条件，通过进行将容易作成颗粒边界析出物的添加物、例如Si、B等类金属、或Cu、Cr、V等金属加入上述的合金中的处理等，能形成该合金的微晶集合体或非晶体。另外，出于进行磁回路内的磁畴控制的目的，也可以使形状最佳化。
(第二实施形态)
图5是表示本发明的第二实施形态的MRAM的相当于四个存储单元的部分的平面图，图6及图7分别是沿图5中的VI-VI线VII-VII线的剖面图。该MRAM有所谓的交叉点型的结构。另外，表示本实施形态的MRAM的总体结构的框图与图1所示的基本上相同。
基板40上的层间绝缘膜54内的多条字线(在图1中用字线22代表性地表示)72和多条位线(在图1中用位线23代表性地表示)(另一条电流驱动线)74互相串行配置。MTJ元件35设置在字线72和位线74的各交点上。各MTJ元件35有包括夹着隧道阻挡膜(绝缘膜)36设置的记录层37和固定层38的旋转阀结构，将数据存储在记录层37中。
以在断面中高度对宽度之比(长宽比)为1以上、最好为1.5～3形成字线72及位线74。字线72及位线74分别通过布线部73、75电连接在MTJ元件35上。字线72及位线74在数据的写入及读出两种情况下通用。即，利用分别具有作为电流驱动线功能的字线72及位线74中流过的电流形成的磁场，数据被写入MTJ元件35中。另外，在图6及图7中虽然示出了位线74在字线72的上方的结构，但也可以是相反的结构。
在这样构成的交叉点型的MRAM中，必须注意写入时在字线72及位线74之间产生的电位差。即，将数据写入MTJ元件35时，有时由写入电流在字线72及位线74之间产生高电压。由于字线72及位线74电连接，所以隧道阻挡膜36的绝缘性有可能由于该高电压而被破坏。为了避免这个问题，例如，将具有整流作用的元件串联连接在MTJ元件35上，还可以使MTJ元件35本身具有整流作用。或者，也可以在电路上下工夫，避免高电压加在MTJ元件35上。
为了保持来自各位线74的磁场，对各位线74配置磁回路64。即，各磁回路64由使位线74的上下两面开放地沿着位线74的两侧面延伸的一对板构件65、66构成。图6所示的磁回路64基本上在与图3所示的磁回路64相同的位置上，用相同的材料以相同的结构构成，所以这里省略说明。
另一方面，为了保持来自各字线72的磁场，对各字线72配置磁回路84。即，各磁回路84由使字线72的上下两面开放地沿着字线72的两侧面延伸的一对板构件85、86构成。板构件85、86基本上由与图3所示的磁回路64的板构件65、66相同的材料构成。
各磁回路84的板构件85、86分别被埋入层间绝缘膜54中，利用层间绝缘膜54与对应的字线72进行电气绝缘。板构件85、86分别沿垂直方向有跨越字线72的上表面及底面延伸的长度。另外，在板构件85、86各自的顶部上形成向字线72一侧倾斜的部分87。
在相邻的一对字线72之间，左侧字线72的右侧板构件86(参照图6中的标记86a)、以及右侧字线72的左侧板构件85(参照图6中的标记85b)由整体形成的U字形的膜的一部分构成。U字形的膜的凹部、即两个板构件86a、85b之间埋入绝缘层，作为总体形成隔壁88。即，隔壁88在一对字线72之间的中央沿着它们平行地延伸。
通过将这样构成的磁回路84用于字线72，关于字线72能获得与图3所示的磁回路64同样的效果。
图8是表示第二实施形态的变更例的MRAM的剖面图，表示对应于图5中的VI-VI线的部分。在该变更例中，在相邻的一对字线72之间，配置与图6所示的隔壁88不同结构的隔壁90。
具体地说，在相邻的一对字线72之间，左侧字线72的右侧板构件86(参照图6中的标记86a)、以及右侧字线72的左侧板构件85(参照图6中的标记85b)完全分离(被电气绝缘)。通过进行各向异性刻蚀，将包括图6所示的板构件86a、85b的U形膜的底部除去，能形成该结构。绝缘层被埋入两个板构件86a、85b之间，作为总体形成隔壁90。即，隔壁90在一对字线72之间的中央沿着它们平行地延伸。
如果采用该变更例，则通过使电流流过字线72产生的磁场利用板构件85、86，更有效地集中在MTJ元件35附近。另外，由于接近的板构件86a、85b逆向磁化，所以能有效地遮挡来自磁化了的板构件85、86的漏磁场。因此，提高了由漏磁场引起的对相邻的MTJ元件的误写入容限。
另外，在上述第一及第二实施形态中，使用由强磁性层夹着隧道阻挡膜的MTJ元件35作为磁阻元件。可是，在使用利用由强磁性层夹着导电膜的GMR(巨磁致电阻)效应的元件作为磁阻元件的情况下，第一及第二实施形态也能适用。此外，在本发明的发明构思内，本领域技术人员可以想到各种变更例及修正例，这些变更例及修正例都属于本发明的范围。
如果采用本发明，则可以提供具有改进了的磁回路结构的MRAM。
Claims (19)
1.一种磁随机存取存储器，其特征在于包括：
存储数据的磁阻元件；
有选择地将磁场施加在上述磁阻元件上的电流驱动线；以及
保持来自上述电流驱动线的磁场的磁回路，
上述电流驱动线具有与上述磁阻元件相对的第一面；与上述第一面相反一侧的第二面；以及上述第一及第二面之间的两个侧面，
上述磁回路具有以使上述电流驱动线的上述第一及第二面侧开放的方式，基本上由沿着上述电流驱动线的上述两个侧面延伸的强磁性材料构成的一对板构件。
2.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述一对板构件基本上由具有高磁导率的软磁性材料构成。
3.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述一对板构件分别具有比上述电流驱动线的上述第一及第二面之间的距离大的高度。
4.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述一对板构件利用绝缘层与上述电流驱动线进行电气绝缘。
5.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述电流驱动线的上述第二面电连接在上述磁阻元件上。
6.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述电流驱动线的上述第二面利用绝缘层与上述磁阻元件进行电气绝缘。
7.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二面之间的距离对上述电流驱动线的上述两个侧面之间的距离的比为1以上。
8.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述磁阻元件、上述电流驱动线、以及上述磁回路分别具有相邻的一对磁阻元件、一对电流驱动线、以及一对磁回路，且位于上述一对电流驱动线之间的上述一对磁回路相邻的两个板构件形成位于上述一对电流驱动线之间的大致中央的隔壁。
9.根据权利要求8所述的磁随机存取存储器，其特征在于：在上述相邻的两个板构件之间夹着绝缘层。
10.根据权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述相邻的两个板构件被电气绝缘。
11.根据权利要求8或9所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述相邻的两个板构件由呈一体的膜的一部分构成。
12.一种磁随机存取存储器，其特征在于包括：
把以磁阻元件作为存储元件的存储单元配置在呈矩阵状配置的每个地址上而形成的存储单元阵列；
连接在上述存储单元阵列的各行上的字线；
连接在上述存储单元阵列的各列上的位线；以及
在作为上述字线及上述位线两者中的至少一者，且用作将磁场有选择地施加在上述磁阻元件上的布线的各对电流驱动布线之间，沿上述电流驱动线延伸的隔壁；
上述各隔壁分别具有形成分别保持来自相邻且平行延伸的第一及第二电流驱动线的磁场的第一及第二磁回路的一部分、且基本上由强磁性材料构成的第一及第二板构件；
第一及第二板构件利用绝缘层与上述第一及第二电流驱动线进行电气绝缘。
13.根据权利要求12所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二板构件之间夹有绝缘层。
14.根据权利要求13所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二板构件被电气绝缘。
15.根据权利要求12或13所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二板构件由呈一体的膜的一部分构成。
16.根据权利要求12所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二板构件分别具有比上述电流驱动线的高度大的高度。
17.根据权利要求12所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述电流驱动线电连接在上述磁阻元件上。
18.根据权利要求12所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述电流驱动线利用绝缘层与上述磁阻元件进行电气绝缘。
19.根据权利要求12所述的磁随机存取存储器，其特征在于：上述第一及第二板构件基本上由具有高磁导率的软磁性材料构成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP346038/2002 | 2002-11-28 | ||
| JP2002346038A JP3866649B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1505040A true CN1505040A (zh) | 2004-06-16 |
| CN100367405C CN100367405C (zh) | 2008-02-06 |
Family
ID=32376041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2003101187089A Expired - Fee Related CN100367405C (zh) | 2002-11-28 | 2003-11-28 | 磁随机存取存储器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6894919B2 (zh) |
| JP (1) | JP3866649B2 (zh) |
| KR (1) | KR100559274B1 (zh) |
| CN (1) | CN100367405C (zh) |
| TW (1) | TWI238512B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6865107B2 (en) * | 2003-06-23 | 2005-03-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory device |
| JP2005108304A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
| US7372722B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating magnetic random access memory devices including heat-generating structures |
| US7369428B2 (en) | 2003-09-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures |
| KR100615089B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 낮은 구동 전류를 갖는 자기 램 |
| KR100835275B1 (ko) * | 2004-08-12 | 2008-06-05 | 삼성전자주식회사 | 스핀 주입 메카니즘을 사용하여 자기램 소자를 구동시키는방법들 |
| JP5061469B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-10-31 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
| US8352671B2 (en) * | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Spansion Llc | Partial allocate paging mechanism using a controller and a buffer |
| US8275945B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-09-25 | Spansion Llc | Mitigation of flash memory latency and bandwidth limitations via a write activity log and buffer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329486A (en) * | 1992-04-24 | 1994-07-12 | Motorola, Inc. | Ferromagnetic memory device |
| US5956267A (en) | 1997-12-18 | 1999-09-21 | Honeywell Inc | Self-aligned wordline keeper and method of manufacture therefor |
| EP1105890B1 (de) * | 1998-08-12 | 2002-12-18 | Infineon Technologies AG | Magnetoresistives element und dessen verwendung als speicherelement in einer speicherzellenanordnung |
| DE19836567C2 (de) | 1998-08-12 | 2000-12-07 | Siemens Ag | Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5940319A (en) | 1998-08-31 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
| US6473336B2 (en) * | 1999-12-16 | 2002-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device |
| US6587370B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic memory and information recording and reproducing method therefor |
| JP3869682B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2007-01-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002346038A patent/JP3866649B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-21 US US10/369,768 patent/US6894919B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-27 KR KR1020030084872A patent/KR100559274B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-11-27 TW TW092133352A patent/TWI238512B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-28 CN CNB2003101187089A patent/CN100367405C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6894919B2 (en) | 2005-05-17 |
| JP2004179521A (ja) | 2004-06-24 |
| TWI238512B (en) | 2005-08-21 |
| TW200418168A (en) | 2004-09-16 |
| KR100559274B1 (ko) | 2006-03-15 |
| KR20040047688A (ko) | 2004-06-05 |
| CN100367405C (zh) | 2008-02-06 |
| US20040105303A1 (en) | 2004-06-03 |
| JP3866649B2 (ja) | 2007-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080206 Termination date: 20121128 |