JP5299423B2 - 磁気メモリ素子の記録方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1であるスピン注入MTJ素子の記録方法の例について説明する。
反強磁性層2 :膜厚30nmのPtMn膜、
磁化固定層3a :膜厚2nmのCoFe膜、
中間層3b :膜厚0.7nmのRu膜、
磁化基準層3c :膜厚2nmのCoFeB膜、
トンネル絶縁層4:膜厚0.8nmの酸化マグネシウムMgO膜、
記憶層5 :膜厚3nmのCoFeB膜、
保護層6 :膜厚5nmのTa膜
実施の形態2であるスピン注入MTJ素子の記録方法の例について説明する。
実施の形態3であるスピン注入MTJ素子の記録方法の例について説明する。
実施の形態4であるスピン注入MTJ素子の記録方法の例について説明する。
図5は書き込みパルスを電圧制御により生成する書き込みパルス発生回路30の構成を示す図である。
この書き込みパルス発生回路30は、CR回路32と、オペアンプを用いた負帰還増幅回路33で構成される。書き込みパルス発生回路の入力端30には矩形の書き込みパルスが入力される。入力端31に入力された矩形のパルス信号は、CR回路32によって立ち下がりの時間が2ns以上の波形とされて負帰還増幅回路33の非反転入力端子に入力される。負帰還増幅回路33からは、非反転入力端子に入力された信号と反転入力端子に入力された負帰還信号との差分に応じた信号が書き込みパルスとして出力端34より出力される。
Claims (3)
- 強磁性導体からなり、磁化方向の変化が可能で、情報を磁性体の磁化方向として保持する記憶層と;前記記憶層に対して絶縁層を介して設けられ、強磁性導体からなり、磁化方向が固定され、磁化方向の基準となる磁化基準層と;を少なくとも有し、前記絶縁層を通じて前記記憶層と前記磁化基準層との間に流れる電流によって情報の記録が行われる磁気メモリ素子の記録方法において、
書き込みパルスの立ち下がり時の書き込みパルス電圧を2ns以上の時間をかけて低下させ、低下の速度を後ほど高くする
磁気メモリ素子の記録方法。 - 前記立ち下がり時の前記書き込みパルス電圧が最大印加電圧の半分になるまでの時間が、パルス立ち下がり時間の半分以上である、請求項1に記載した磁気メモリ素子の記録方法。
- 前記磁気メモリ素子の反転率が半分になる電圧を反転閾値電圧とし、前記立ち下がり時の前記書き込みパルス電圧が前記反転閾値電圧より小さくなるまでは、前記書き込みパルス電圧の低下速度を、立ち下がり時間内で前記パルス電圧を直線的に減少させるときの電圧の低下速度よりも低く保つ、請求項1に記載した磁気メモリ素子の記録方法。
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