CN1498421A - 用于高频模块的电路板以及高频模块 - Google Patents

用于高频模块的电路板以及高频模块 Download PDF

Info

Publication number
CN1498421A
CN1498421A CNA038001357A CN03800135A CN1498421A CN 1498421 A CN1498421 A CN 1498421A CN A038001357 A CNA038001357 A CN A038001357A CN 03800135 A CN03800135 A CN 03800135A CN 1498421 A CN1498421 A CN 1498421A
Authority
CN
China
Prior art keywords
frequency
glass fiber
substrate
functional block
organic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA038001357A
Other languages
English (en)
Inventor
奥洞明彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1498421A publication Critical patent/CN1498421A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters
    • H01P1/20327Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354Non-comb or non-interdigital filters
    • H01P1/20363Linear resonators
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • H05K1/024Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0275Fibers and reinforcement materials
    • H05K2201/029Woven fibrous reinforcement or textile
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

本发明提供了一种具有通信功能的高频模块,其使用了这样一个电路板,即该电路板包括有一个由织造玻璃纤维(21)形成的有机基片(5)和一种一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维(21)上的有机材料(20),其中所述织造玻璃纤维(21)通过将玻璃纤维(22)编织成一种网格图案而形成。有机基片(5)具有在导体图案中沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距分布的玻璃纤维(22),在所述导体图案处形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件。在所述高频模块中,可以减小有机基片的介电常数等等的“变化”,所述“变化”将会是由于玻璃纤维的任何厚薄不均分布所导致的,并且由此所述导电部件可以分别以稳定的性能进行工作。

Description

用于高频模块的电路板以及高频模块
技术领域
本发明涉及一种高频模块,该高频模块作为一个超小型通信模块被固定或者可拆卸地安装在一种电子设备中,比如个人计算机、个人数字助理、模块电话(module telephone)或者音频设备中,并且还涉及一种用于该高频模块中的电路板。
本申请要求享有于2002年1月25日提交的日本专利申请No.2002-017619的优先权,将该日本专利申请的全部内容结合于此作为参考。
背景技术
通常,为了便于在个人计算机、各种移动设备或者类似设备中进行处理,音频和视频信息被数字化。也就是说,数字数据可以容易地进行记录、再现或者传送,而质量不会恶化。这种数字音频或者视频信息可以利用音频和视频编码译码技术进行频带压缩,以更方便并且更有效地利用数字通信和广播发送到多种通信终端。例如,音频和视频数据(AV数据)可以由室外的移动电话接收到。
近年来,由于已经提出了适合于室外使用以及在小范围区域中使用的网络系统,所以用于这种数字信息的发射/接收系统以多种方式得以实际应用。作为这种网络系统,除了使用400MHz频带的弱无线电波系统和使用1.9GHz频带的个人手持电话系统(PHS)之外,还已经提出了多种下一代无线电通信系统,包括在IEEE802.11b中都提出的使用2.54GHz频带的无线电LAN系统和被称作“蓝牙”的小型无线电通信系统,以及在IEEE802.11a中提出的使用5GHz频带的窄带无线电通信系统。通过有效使用这些无线电通信系统以及多种通信终端,数字信息发射/接收系统可以利用多种通信终端在多种场合,比如室内、室外或者类似场合,发送和接收多种数据,访问诸如因特网(Internet)这样的通信网络,以及向通信网络发射数据和从通信网络接收数据。但是,上述数据通信可以不经过任何转发器或者类似设备方便地进行。
然而,具有上述通信功能的用于数字信息发射/接收系统的通信终端必须紧凑、重量轻并且便于携带。由于通信终端必须在其发射/接收功能块(block)中调制和解调模拟的高频信号,所以通常包括一个超外差类型的高频发射/接收电路,其被设计成一旦用于发射或者接收,那么就将信号频率转换成中频。
所述高频发射/接收电路包括一个天线功能块(a antenna block),该天线模块具有一根天线和一个选择开关,并且接收或者发射信息信号,还包括一个发射/接收选择器,使得在发射工作模式与接收工作模式之间进行选择。高频发射/接收电路还包括一个接收电路功能块,该接收电路功能块由高频转换电路、解调电路等组成。高频发射/接收电路还包括一个发射电路功能块,该发射电路功能块由功率放大器、驱动放大器、调制电路等组成。高频发射/接收电路还包括一个基准频率发生电路功能块,其向接收和发射电路功能块供给一个基准频率。
上述高频发射/接收电路由许多部件组成,包括大型的功能组件,比如设置在级(stages)之间的滤波器、本地振荡器(VCO)、表面声波(SAW)滤波器以及类似器件,和专为高频模拟电路设置的无源组件,比如电感器、电容器、电阻器以及类似器件,所述高频模拟电路比如是匹配电路、偏置电路等等。在所述高频发射/接收电路中,各个电路功能块均以IC芯片形式实现。但是,由于位于各级之间的各个滤波器无法被植入任何IC中,所以匹配电路必须被设置成一个用于高频发射/接收电路的外部装置。因此,高频发射/接收电路作为一个整体非常庞大,以致于通信终端无法被设计成紧凑和重量轻。
另一方面,某些通信终端使用了一种直接转换型高频发射/接收电路,其在无需将信号频率转换成中频的条件下发射和接收信息信号。在这种高频发射/接收电路中,由天线功能块接收到的信息信号通过发射/接收选择器提供到解调电路,在这里它们将经历一次直接基带处理(direct basebandprocessing)。在所述高频发射/接收电路中,由信号源产生的信息信号其频率不会立即被调制电路转换成任何中频,而是直接被调制至一个预定的频带,并且经由放大器和发射/接收选择器从天线功能块发送出去。
由于上述高频发射/接收电路被构造成通过对信号频率进行直接调制来发射和接收信息信号,而没有将信号频率转换成任何中频,所以其可以由比如滤波器等较少的部件组成,甚至简单至具有一个总体上为单芯片的构造。而且,在直接转换型高频发射/接收电路中,必须对设置于下游级(thedownstream stage)的过滤器或者匹配电路做些工作。在这种高频发射/接收电路中,由于信号在高频级立即被放大,所以难以进行充分增益。由此,必须也在基带处理功能块中对信号进行放大。因此,必须在高频发射/接收电路中设置一个DC偏置消除电路和一个额外的低通滤波器(a extra lowpassfilter),这将导致总能量消耗更大。
传统的高频发射/接收电路,无论是前述的超外差类型或者直接转换类型,均无法满足通信终端紧凑和重量轻的要求。由于这个缘故,已经进行了各种尝试,例如通过基于Si-CMOS技术设计一种构造简单的高频发射/接收模块以设计出一种更为紧凑和重量轻的高频发射/接收电路。在这种尝试的一种典型示例中,高频模块通过在于一个Si基片上形成具有良好性能的无源元件同时在一个LSI中形成滤波电路和谐振器并且集成一个用于基带处理电路的逻辑LSI而构造成单芯片形式。但是,由于Si基片具有导电性,所以难以在Si基片的主侧面上形成具有高Q值的电感器和电容器。在这种情况下,这种尝试主要依赖于如何在Si基片上形成高性能的无源元件。
图1A和1B共同示出了一种传统的高频模块。该高频模块总体上被标识为附图标记100。其包括一个硅基片101,SiO2绝缘层102,第一布线层105,第二布线层106以及电感器107。硅基片101和SiO2绝缘层102的组合体在其中形成有一个大的凹陷104,该凹陷限定一个区域(标识为附图标记103),电感器107将在此形成。第一布线层105被成形在凹陷104中。第二布线层106被形成在硅层101的顶部上,而电感器107本身被设置在凹陷104之上。由于电感器107面对着凹陷104并且由第二布线层106支撑在凹陷上方的空气103中,所以其经由硅基片101与内部电路的电干扰较少,从而使得高频模块100具有更好的性能。但是,包括在高频模块100中的电感器107需要通过许多不同的工艺来形成,并且具有较高的制造成本。
图2示出了一种传统的硅基片。如图所示,总体上被标识为附图标记110的硅基片包括一个硅基片111,形成在硅基片111上的SiO2层112,以及一个通过光刻工艺成形于SiO2层12上的无源元件形成层(forminglayer)113。高频模块110具有一些无源元件,如利用薄膜和厚膜成形技术在无源元件形成层113中形成在多层中的电感器、电容器或者电阻器,其中每一个都与布线元件一同形成,这些将不在这里予以详细描述。在高频模块110中,无源元件形成层113具有一个适当地从其穿过的过孔114,用于进行层间连接,以及一个形成于其表层上的端子115。一个诸如高频IC、LSI或者类似器件的芯片116被安装在高频模块110上,通过倒装片接合(flipchip bonding)或者类似工艺与端子115接触,而形成一个高频电路。
这种高频模块110被安装在一个内插器电路板(a interposer circuitboard)或者类似器件上,在所述内插器电路板或者类似器件上形成有一个基带电路或者类似电路,以便借助于硅层111将无源元件形成层与基带电路隔离,由此能够抑制无源元件形成层与基带电路之间的电干扰。由于硅层111是导电的,所以当一个高精度无源元件被形成在无源元件形成层113中时,高频模块110可以高效地发挥作用。但是,在另一方面,导电的硅层111阻碍各个无源元件具有良好的高频性能。
图3示出了另外一种传统的高频模块。总体上被标识为附图标记120的高频模块使用了一个不导电的基片121,比如玻璃基片或者陶瓷基片,以克服上述硅基片111的前述缺陷。如图所示,高频模块120包括一个基片121和一个通过光刻工艺成形于基片121上的无源元件形成层122。类似于前述的传统高频模块110,高频模块120也具有一些无源元件,比如利用薄膜和厚膜成形技术在无源元件形成层122中形成于多个层中的电感器、电容器或者电阻器,它们与布线元件一起形成,这些将不在这里予以详细描述。在高频模块120中,无源元件形成层122具有一个适当地从其穿过的通孔123,用于进行层间连接,和一个形成于其表层上的端子124。一个高频IC125、芯片状部件126或者类似器件被安装在高频模块120上,同时端子124通过倒装片接合工艺或者类似工艺位于它们之间,来形成一个高频电路。
在图3所示的高频模块120中,由于使用不导电的基片121防止了基片121本身与无源元件形成层122之间的电容性耦合,所以可以在无源元件形成层122中形成一个具有良好高频性能的无源元件。但是,在高频模块120由玻璃基片制成的情况下,由于当高频模块120被安装在一个母板或者类似器件上时无法在基片121本身上形成端子,所以必须在无源元件层122的表面上形成一个端子图案(a terminal pattern),以通过引线接合技术或者类似技术将高频模块120连接到母板上。因此,制造高频模块120的工艺包括端子图案成形工艺和引线接合工艺,这会导致制造成本升高,并且不利于实现高频模块120的紧凑和重量轻设计。
另一方面,在高频模块120由陶瓷基片制成的情况下,因为陶瓷基片可以被制成多个层,其用作一个不与任何母板发生接触的插件板。由于陶瓷基片由烧结的陶瓷颗粒制成,所以其将在形成无源元件形成层122的那个表面上具有大约为2至10微米的陶瓷颗粒尺寸那么大的粗糙度。为了在高频模块120中的无源元件形成层122内形成一个高精度无源元件,必须在形成无源元件形成层122之前,通过抛光工艺来使得陶瓷层的表面平整。由于陶瓷基片的损耗很低并且其具有相对高的介电常数(氧化铝为8至10,玻璃陶瓷为5至6),所以高频模块120将在多个布线层之间招致干扰,可靠性降低并且对噪音的抵抗性下降。
图4示出了再一种传统的高频模块。总体被标识为附图标记130的高频模块使用了一个有机基片132。如图所示,该高频模块130由一个基片功能块131(a base substrate block)和一个元件形成层134构成,其中基片功能块131包括有机基片132和一个通过印刷电路板制造技术形成于有机基片132任一侧面上的布线层133,而在元件形成层134中通过薄膜成形技术形成电容器135、电感器136或者电阻器(未示出)。在高频模块130中,一个IC芯片137利用倒装片接合工艺安装在元件形成层134中,并且在基片功能块131的布线层134上形成一个带状线138,作为具有谐振器、滤波器和其他功能的分布参数电路、电源电路、偏置电路等等,这些将不予以详细描述。
在图4所示出的高频模块130中,基片功能块131中的布线层133包括形成于有机基片132前侧面上的第一布线层133a和第二布线层133b,以及形成于有机基片132后侧面上的第三布线层133c和第四布线层133d。如上所述,在该高频模块130中,带状线138、电源电路、或偏置电路等形成在基片功能块131中,而电容器135和电感器136形成在元件形成层134中。为了有效地形成这些元件并且避免它们之间干扰,第一和第三布线层133a和133c均被形成为接地层。
图4中所示出的高频模块130的特征在于使用一个相对低成本的有机基片132可以确保提供一个低成本的高频模块,并且可以利用印刷电路板制造技术更容易地形成一个理想的布线层133。例如,通过利用抛光工艺对基片功能块131的表面进行平整,可以在高频模块130中的元件形成层134内形成高精度电容器135和电感器136,基片功能块131和元件形成层134可以相互电隔离,以改善其性能,并且可以形成一个具有足够大面积的电源电路,以确保高稳定地进行电供给。
在图4所示的高频模块130中,形成于元件形成层134中的电容器135和电感器136会受到基片功能块131中第一布线层133a内的接地图案(theground pattern)的影响。在高频模块130中,电感器136会在其本身与接地图案之间产生一个电容,降低其自身谐振频率和品质因子Q。而且,在高频模块130中,电容器135和电阻器的性能会发生变化并且变差。
另一方面,在图4中形成于高频模块130中的基片功能块131内用作分布参数电路的带状线138会受到导体损失以及受到介电损失的影响。有机基片132被制成为具有高频性能,也就是说具有低的介电常数,并且由于低的介质损耗角正切(Tanδ)而具有低损耗特性。有机基片132由选自于下述材料的有机材料制成,该材料包括液晶聚合物、苯并环丁烯(benzocyclobutene)、聚亚酰胺、聚降冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯、BT树脂或者其中散布有陶瓷颗粒的这些树脂中的每一种。如图4中所示,有机基片132由一种织造玻璃纤维141制成,并且这种有机材料140被一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维141上,以便具有较高的弯曲强度、断裂强度等等。
有机基片132由织造玻璃纤维141制造,该织造玻璃纤维141通过以间距j将玻璃纤维142编织成一种如图5中详细示出的网格图案而形成,并且有机材料140被一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维141上。有机基片132形成在第二布线层133b的一部分中,谐振图案(铜制图案)138a和138b由一对平行的带状线制成,并且共同形成一个λ/4谐振器143。在玻璃纤维以大的间距j编织而成的情况下,谐振器143中的谐振图案138a和138b被形成在图6中由实线标识的部分上,未设置玻璃纤维142的地方由实线标示,以及图6中由虚线标识的部分上,在这里存在玻璃纤维142。
在有机基片132中,由于介质损耗角正切(Tanδ)根据是否存在有玻璃纤维而发生变化,所以有效介电常数也会发生“变化”。已经发现,在玻璃纤维142分布较厚的情况下有效介电常数的“变化”较大,但在玻璃纤维142分布较薄的情况下有效介电常数的“变化”较小。这个“变化”与玻璃纤维142的量之间的关系在图7中以曲线示出。在图7中,竖直轴标识的是有效介电常数,而水平轴标识的是图5中的线k-k。如图所示,有效介电常数在其最大值与最小值之间的差值范围内周期性变化(间距为j)。需要指出的是,在沿着线k-k并且仅存在有竖直玻璃纤维142的部分中,有效介电常数的“变化”呈一个简单的正弦波形状,但是在沿着线k-k并且竖直玻璃纤维142与水平玻璃纤维142相互交叉的部分中,有效介电常数的“变化”呈一个更为复杂的形状。在后一种情况下,发现“变化”较大。因此,谐振器143将不利地显现出大幅度变化的性能,并且难以再现。
由于由前述玻璃纤维制成的有机基片132的性能,所以在图4中所示的高频模块130的可靠性较低,并且由于谐振器143的不稳定性能,导致产量较低,另外,由于其必须在制造之后进行调节,所以成本较高。还有,除了谐振器143以及其他线路之外,在高频模块130已经利用薄膜成形技术在其基片功能块131中形成各种无源元件的情况下,由于由玻璃纤维制成的有机基片的有效介电常数和介质损耗角正切(Tanδ)发生变化,所以会产生相同的问题。
发明内容
因此,本发明的目的在于通过提供一种新颖的高频模块和一种用于该高频模块中的电路板,来克服相关现有技术中的前述缺陷。
本发明的另外一个目的在于提供一种高频模块和一种用于该高频模块中的电路板,其中通过减小介电常数和介质损耗角正切(Tanδ)的“变化”的影响来抑制其导电部分性能的变化,以提高精度和可靠度,其中所述介电常数和介质损耗角正切(Tanδ)的“变化”将会是由于玻璃纤维的任何厚薄分布所导致的。
前述目的可以通过提供一种高频模块电路板而得以实现,在该高频模块电路板中,有机材料一体设置在织造玻璃纤维上,作为芯体,所述织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,并且通过构图工艺形成导电部分,这些导电部分形成了用于传送高频信号的谐振线和无源元件。在所述高频模块电路板中,玻璃纤维在每个导体图案(the conductorpatterns)中沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距(close interval)设置。
前述高频模块电路板可以利用较低的成本制造,并且由于有机材料被一体设置在用作芯体的织造玻璃纤维上,所以有机基片具有足够的机械强度。在所述高频模块电路板中,由于玻璃纤维在导体图案中沿着高频信号的波长行进方向较厚地设置,所以玻璃纤维总体上在构图的导电部分中均匀分布。因此,减小了介电常数等的“变化”,所述“变化”是由于玻璃纤维的厚薄分布而导致的。利用根据本发明的高频模块电路板,能够确保分别提供呈现出稳定性能的导电部分。
还有,上述目的可以通过提供一种高频模块来实现,该高频模块包括由织造玻璃纤维制成的有机基片和形成于该有机基片上的导体图案,该织造玻璃纤维作为芯体,通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,并且有机材料被一体设置在该织造玻璃纤维上,所述导体图案用以形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件。根据本发明的另外一个方面,在此提供了一种高频模块,其中,有机基片包括织造玻璃纤维,该织造玻璃纤维由沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置的玻璃纤维制成。
在如上所述构造的高频模块中,由于玻璃纤维在导体图案中沿着高频信号的波长行进方向较厚地设置,所以玻璃纤维总体上在有机基片上的导体图案中均匀分布。因此,减小了介电常数等发生“变化”,所述“变化”是由于玻璃纤维的任何厚薄分布所导致的,并且图案状导电部分分别呈现出稳定的性能。因此,根据本发明,可以在无需进行任何后期调节处理的条件下以较高的产量和较低的成本制造出高频模块。
还有,前述目的可以通过提供一种高频模块来实现,该高频模块包括一个基片功能块和一个高频电路功能块,并且通过构图在其基片功能块和高频电路功能块中形成导电部件,这些导电部件形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件。在这种高频模块中,基片功能块包括有机基片,该有机基片由织造玻璃纤维和一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维上的有机材料制成,所述织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成。在有机基片的主侧面上,形成多层布线层,至少该多层布线层的顶层经平整处理,以提供一个构建表面。在基片功能块中,它与高频电路板上形成无源元件的部分相对的部分被用作一个未构图区域(a non-patterned area)。在该未构图区域中,玻璃纤维沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置。在这种高频模块中,高频电路功能块由多层结构制成,该多层结构至少包括设置于介电绝缘层中的无源元件和布线图案,所述介电绝缘层形成于基片功能块的构建表面上。
在上述高频模块中,由于无源元件设置在高频电路功能块中,与基片功能块中的未构图部分相对,所以减小了基片功能块中的图案对无源元件的影响,并由此无源元件将分别呈现出稳定的性能。此外,在根据本发明的高频模块中,由于玻璃纤维在有机基片的导体图案中沿着高频信号的波长行进方向以紧凑间隔设置,所以玻璃纤维总体上在每个导体图案中均匀分布。因此,可以减小介电常数等的“变化”,所述“变化”是由于玻璃纤维的任何厚薄分布所导致。因此,导体图案可以分别呈现出稳定的性能,并且高频模块可以在无需进行任何后期调节处理(any post-adjustmenttreatment)的条件下以较高的产量和较低的成本制造而成。
当结合附图时,通过下面对用于实施本发明的最佳方式进行详细描述,本发明的这些目的和其他目的、特征以及优点将变得更为清楚明了。
附图说明
图1A和1B共同示出了一个形成于传统高频模块中的电感器,其中图1A是该电感器的透视图,而图1B是该电感器的剖视图;
图2是一个利用了传统硅基片的高频模块中重要部件的轴向剖视图;
图3是一个利用了传统玻璃基片的高频模块中重要部件的轴向剖视图;
图4是一个高频模块中重要部件的轴向剖视图,其中利用织造玻璃纤维作为芯体的覆铜有机基片被用作基片功能块,并且其上形成有薄膜状无源元件的高频电路功能块叠置在该基片功能块上;
图5是一个有机基片的平面视图,其芯体是一个通过以间距j将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成的织造玻璃纤维,并且谐振器的谐振器导体图案通过构图形成于有机基片上;
图6也是一个平面视图,示出了在谐振器的谐振器导体图案上的某些位置处玻璃纤维量的变化状况;
图7以曲线示出有机基片的有效介电常数根据玻璃纤维的量的变化状况;
图8是根据本发明的高频模块中重要部件的轴向剖视图;
图9是一个有机基片的平面视图,作为芯体,其芯体使用如下的织造玻璃纤维,即该织造玻璃纤维通过以间距p将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,并且谐振器的谐振器导体图案通过构图形成于有机基片上;
图10是一个有机基片的平面视图,其利用如下织造玻璃纤维作为芯体,即该织造玻璃纤维是通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,其网格斜度大约为10度,并且谐振器的谐振器导体图案通过构图形成于有机基片上;
图11是一个有机基片的平面视图,其利用如下织造玻璃纤维作为芯体,即该织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,其网格斜度大约为30度,并且谐振器的谐振器导体图案通过构图形成于有机基片上;
图12是一个有机基片的平面视图,其利用如下织造玻璃纤维作为芯体,即该织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,其网格斜度大约为45度,并且谐振器的谐振器导体图案通过构图形成于有机基片上;
图13是本发明应用于通过普通方法制造的高频模块中的轴向剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图针对本发明的实施例对本发明进行描述。
根据本发明的高频模块具有信息通信功能、信息存储功能等,并且其用作一个超小型通信模块或者类似器件,被固定或者作为一种选择可拆卸地安装在一个电子设备中,比如个人计算机、移动电话、便携式数字助理或者便携式音频设备中。尤其是,根据本发明的高频模块被用于一种合适的小型无线电通信系统中,该无线电通信系统的载波频率比如是5GHz的频带。
如图8所示,总体被标识为附图标记1的高频模块包括一个基片功能块2,和一个通过在基片功能块2上进行叠置而形成的高频电路功能块3。高频电路功能块3在其表面上安装一个具有高频电路功能块3的外围电路功能的IC芯片4和类似器件。在高频模块1中,基片功能块2中形成有一个用于高频电路功能块3的电源电路和一个用于控制系统的电路功能块,并且安装在一个内插器电路板或者类似器件(未示出)上。在高频模块1中,基片功能块2和高频功能块3相互电隔离,从而抑制与高频发生电干扰,来改善其性能。还有,在高频模块1中,在基片功能块2内形成有具有足够面积的电源电路和接地电路,以确保向高频电路功能块3提供高度稳定的电能。
如图8所示,在基片功能块2中,设置由一个有机基片5,该有机基片5由一个作为芯体构件的双侧覆铜层压件形成,并且介电绝缘层及布线层利用传统印刷电路板制造技术或者类似技术以多层结构形成于有机基片5的任一侧面上。基片功能块2由四层构成,包括设置在其一个侧面上的第一布线层6和第二布线层7,以及设置在另一侧面上的第三布线层8和第四布线层9,同时有机基片5位于第一布线层6与第二布线层7之间,以及第三布线层8与第四布线层9之间。在基片功能块2中,第一布线层6和第四布线层9通过适当成形的过孔10相互层间连接。
在基片功能块2中,上述第二布线层7和第三布线层8比如通过对设置在有机基片5任一侧面,即前侧面和后侧面,上的铜箔进行光刻和蚀刻来形成接线图案和元件图案(element patterns),并且通过根据需要形成无源元件薄层(未示出),而形成于双侧覆铜有机基片5上。而且,在基片功能块2中,前述第一布线层6和第四布线层9均通过在形成第二布线层7和第三布线层8之后将一个经树脂处理的铜箔(a resinified copper foil)粘结到有机基片5的任一侧面上,即前侧面和后侧面上,通过适当地对每个铜箔进行光刻和蚀刻并且通过如前所述那样根据需要形成无源元件薄层(未示出),而形成于双侧覆铜有机基片5上。
基片功能块2中的第四布线层9上覆盖有一个由阻焊剂或者类似物质形成的保护层11。利用光刻或者类似技术在保护层11上的预定位置处形成开口。基片功能块2具有一个端子12,该端子12比如通过在第四布线层9的适当接线图案上进行Ni-Au化学镀(electroless plating)而形成,并在保护层11中的每个开口中显露出来。需要指出的是,当高频模块1安装在一个内插器电路板(未示出)上时,其在基片功能块2上的每个端子12处被连接到内插器电路板上。
在基片功能块2中,第一布线层6和第二布线层8用作接地层,来屏蔽内部电路。还有,在基片功能块2中的第一布线层6与第三布线层8之间的第二布线层7上,通过构图形成一个分布参数电路,比如一个谐振器13,作为后面将予以详细描述的带状线。在基片功能块2中,第三布线层8形成为一个位于有机基片15上方的完全覆盖式图案(all overlaying pattern),并且图案开口14和15形成在与电容器25和电感器26相对的位置处,其中电容器25和电感器26通过薄膜成形工艺形成于第一布线层6上的高频电路功能块3中,这些将在后面予以详细描述。
如图9中所示,谐振器13包括一对相互平行的谐振器导体图案16和17,它们通过分布参数设计而制成为具有大约为5GHz载波频带的λ/4的电长度(an electric length),也就是说长度m大约为6mm,并且输入图案18和输出图案19分别利用引线图案16a和17a如同支臂那样横向延伸,其中每个引线图案16a和17a形成于每个谐振器导体图案16和17的一端处。在谐振器13中,第一谐振器导体图案16形成了一个输入端子,而第二谐振器导体图案17形成了一个输出端子。为了防止无线电波被反射,引线图案16a和17a分别以大约45度的角度电连接到谐振器导体图案16及输入图案18上和谐振器导体图案17及输出图案19上。在谐振器13中,谐振器导体图案16和17在其一端经过孔10与接地层短路,并在另一端处开路,这些将不予详细描述。
包括在根据本发明的高频模块1中的谐振器13具有一种所谓的三板结构(a so called tri-plate structure),其中谐振器导体图案16和17在基片功能块2中形成为一个带状线结构。谐振器13形成了一个等效电路,其中并行的谐振电路经由一个介电绝缘层相互电容耦合。谐振器13的特征在于其场强在奇模激励中(in the odd mode of excitation)根据谐振器导体图案16与17之间的距离发生变化,同时在偶模激励中(in the even mode ofexcitation)根据介电绝缘层的厚度发生变化。在谐振器13中,在奇模和偶模激励中场强如前所述那样变化,并且谐振器导体图案16与17之间的耦合程度相应变化,导致性能发生变化。因此,基片功能块2针对介电绝缘层构造来抑制谐振器13的性能变化。
基片功能块2使用介电常数和介质损耗角正切(Tanδ)较低的有机基片5,也就是说高频性能优良,并且机械强度、耐热性以及化学稳定性优越。有机基片5包括一体设置在织造玻璃纤维21上的有机材料20以及附着在织造玻璃纤维21任一侧面上的铜箔,其中织造玻璃纤维21作为芯体通过将玻璃纤维22编织成一种网格图案而形成。有机材料20由选自于下述材料中的有机材料制成:液晶聚合物(LCP)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、聚降冰片烯(PNB)、聚苯醚(PPE)、聚四氟乙烯(注册商标为“teflon”),或者其中散布有诸如陶瓷颗粒的无机材料的这些树脂中的每一种。
如图9所示,织造玻璃纤维21通过将每根具有预定直径的玻璃纤维以间距p编织成一种网格图案而形成。有机基片5具有一个等效介电常数εe,其取决于前述有机材料20和织造玻璃纤维21的性能。有机基片5的介电常数由如前所述编织成网格图案的玻璃纤维22影响。也就是说,在设置有玻璃纤维22的地方,有机基片5的介电常数会根据玻璃纤维22的介电常数变化,而在没有设置玻璃纤维22的地方,会根据有机材料20的介电常数而变化。在有机基片5中,由于有机材料20与玻璃纤维22之间在介电常数上的差异,形成于第一布线层6中的谐振器13的性能将发生变化。也就是说,有机基片5针对谐振器13不受到介电常数变化的影响而构造。
也就是说,有机基片5包括有作为芯体的织造玻璃纤维21,该织造玻璃纤维21通过以间距p将玻璃纤维编织成网格图案而形成。织造玻璃纤维22的网格图案的间距p小于用在高频模块1中并且穿过有机基片5传播的高频信号(f)在波长行进方向上的有效波长(λe)。高频信号的有效波长被简单表示为λe= 。在使用了织造玻璃纤维21的有机基片5中,玻璃纤维22以λe/4的紧密间距散布在如图9中所示形成于λe/4长度上的谐振器内的谐振器导体图案16和17中以及谐振器导体图案16和17之间的区域中。
因此,有机基片5形成有总体上均匀分布的玻璃纤维22,相对于谐振器13中的谐振器导体图案16和17来说厚薄合适。由于导体图案16和17形成在有机基片5中介电常数εe一致的介电绝缘层内,所以在谐振器13中介电常数εe变化较小,由此将呈现出稳定的性能。需要指出的是,在谐振器13使用了这样一种有机基片5的情况下,即其中织造玻璃纤维22的网格图案间距p小于λe/10,玻璃纤维22将不会均匀地散布在谐振器13中的导体图案16和17中以及导体图案16和17之间的区域中。也就是说,玻璃纤维22在一些地方设置,而在其他地方未设置。谐振器13的性能将在带有玻璃纤维22与没有玻璃纤维22的区域之间介电常数εe大幅度变化的影响下降低。
在基片功能块2中,在第一布线层6上形成绝缘树脂层。该绝缘树脂层经平整处理,并且在该绝缘树脂层上形成构建表面2a。高频电路功能块3被形成于构建表面2a上。与此同时,绝缘树脂层通过抛光处理而平整。更具体地说,比如利用由铝-硅混合物制备的研磨材料对绝缘树脂层进行抛光处理,直至第一布线层6的接线图案显露出来。基片功能块2的平整构建表面2a不仅可以通过前述抛光处理而形成,也可以通过活性离子蚀刻(RIE)工艺、等离子体蚀刻(PE)工艺或者类似工艺而形成。
需要注意的是,基片功能块2可以具有仅适当地形成于有机基片5一个侧面上的多个布线层和无源元件,同时一个介电绝缘层位于它们之间。而且,当然形成于基片功能块2上的布线层2并不局限于四个布线层6至9,即第一至第四布线层,而是可以其中可以形成有更多布线层。此外,基片功能块2可以通过将双侧覆铜有机基片利用设置于它们之间的树脂胶片相互接合起来而形成。基片功能块2可以利用任何合适方法制造而成。在使用包括有多个织造玻璃纤维的有机基片的基片功能块2中,如果没有其中形成谐振器13、带状线或者无源元件的有机基片,必须使用通过以间距p对玻璃纤维进行编织而形成的织造玻璃纤维作为芯体。
在基片功能块2中,介电绝缘层可以形成在已经形成有第一布线层7和第三布线层8的有机基片5的任一主侧面上,即前侧面和后侧面上,并且随后在该介电绝缘层中形成第一布线层6和第四布线层9。在这种情况下,介电绝缘材料通过旋涂或者滴涂工艺施加到有机基片5的主侧面上来形成所述介电绝缘层,并且随后利用一种适当方法在该介电绝缘层中形成用于第一布线层6和第四布线层9的预定图案凹槽。基片功能块2可以具有一个通过溅镀或类似方法形成于介电绝缘层上的导体层,并且利用化学抛光工艺对图案凹槽中的介电绝缘层和导线层进行平整,来形成构建表面2a。
根据本发明的高频模块1具有通过在前述基片功能块2的构建表面2a上进行叠置而形成的高频电路功能块3。由于第一至第四布线层6至9利用传统印刷电路板制造技术形成于不太昂贵的有机基片5或者类似基片上,所以高频模块1的精度更高,并且更易于利用较低的成本大批量制造。
在如前所述形成的基片功能块2的构建表面2a上,通过进行叠置形成如图8所示的由第一布线层23和第二布线层24形成的高频电路功能块3。高频电路功能块3中的第一布线层23和第二布线层24相互连接,并且通过过孔10适当地连接到基片功能块2的布线层上。高频电路功能块3的布线层23由所述介电绝缘层和一种合适的导体图案形成。介电绝缘层通过利用旋涂或者滚涂工艺将一种与前述有机材料20类似的介电绝缘材料施加到构建表面2a上达到预定厚度而形成于基片功能块2的构建表面2a上。介电绝缘层具有一个铝、铂或者铜金属薄层,它们例如通过溅射工艺形成于其表面上,并且导体图案通过光刻和蚀刻工艺形成于所述金属薄层上。
介电绝缘层具有一个氮化钽层,该氮化钽层例如通过溅射工艺形成于包括有导体图案的其表面上。氮化钽层用作第一布线层23中的电阻元件(aresistive elemnet),并且经过阳极化处理而形成一个氧化钽基体,其将用作电容器25中的介电层25b。一个阳极化处理掩膜层(an anodization maskinglayer)形成在氮化钽层上并且得以阳极化处理,该阳极化处理掩膜层具有形成于与电容器25中的下部电极25a相对的部分中和与即将形成电阻器的部分相对的部分中的开口。在氮化钽层中,对应于所述开口的部分被选择性地进行阳极化处理,以提供氧化钽层,并且不必要部分通过蚀刻或者类似处理而去除。需要指出的是,在高频电路功能块3中形成电容器25和电阻器的方法并不局限于前述方法,而是氮化钽层的整个表面可以被阳极化处理,来提供一个氧化钽层并且随后比如对如此形成的氧化钽层进行构图。
还有,第二布线层24由介电绝缘层和导体图案形成,它们类似于前述第一布线层23中的介电绝缘层和导体图案而形成。例如,通过溅射或者类似工艺利用薄膜成形技术在介电绝缘层上形成一个铜层,其在高频带中损耗很小,并且通过光刻和蚀刻工艺在所述铜层上形成一个导体图案。此外,如图8所示,在第二布线层24上,形成一个上部电极25c和一个电感器26,其中上部电极25c形成于介电绝缘层25b上,并且与第一布线层23中的下部电极25a一同形成电容器25,而电感器26比如由一种螺旋图案形成。第二布线层24具有一个合适的端子27,IC芯片4和类似器件通过倒装片接合工艺被安装于其上。第二布线层24上的端子27显露于外侧,并且第二布线层24本身例如利用一种阻焊剂保护层28完全覆盖。
由于如前所述构造而成的高频电路功能块3通过进行叠置而形成于基片功能块2的平整构建表面2a上,所以诸如高精度电容器25和电感器26等的无源元件可以通过进行叠置而形成于高频电路功能块3上。在形成有电源电路等等的地方,高频电路功能块3与基片功能块2电隔离,并且由此由于电干扰得以抑制,所以其性能得以提高。在高频电路功能块3中,电容器25和电感器26形成为与第一布线层6中用作基片功能块2的接地部分的图案开口14和15相对。因此,由于电容器25等与接地图案之间产生的电容将不会导致自谐振频率和质量因子Q值下降,所以高频电路功能块3将保持预定的性能。需要指出的是,根据需要高频电路功能块3上覆盖有一个屏蔽罩,用于对电磁波噪音进行屏蔽。
根据本发明的前述高频模块1使用有机基片5,其芯体是通过将玻璃纤维22编织成一种网格图案而形成的织造玻璃纤维21,该网格图案沿着高频信号的波长行进方向间距p为λe/10或者更小。但是,本发明并不局限于有机基片5,而是也可以应用于有机基片30至32,如图10至12中所示,它们的芯体是织造玻璃纤维21,其中由玻璃纤维22形成的网格沿着高频信号的波长行进方向相对于谐振器13的导体图案16和17倾斜。
基本上类似于有机基片5,分别在图10至12中示出的每种有机基片30至32均使用了织造玻璃纤维21,该织造玻璃纤维21通过将玻璃纤维22编织成一种网格图案而形成,并且有机材料20一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维21上。在有机基片30至32中每一种中,玻璃纤维22的网格间距并不局限于前述值p<λe/10。例如,有机基片可以使用通过以与传统有机基片相似的间距编织玻璃纤维而形成的织造玻璃纤维21。需要指出的是,有机基片30至32中与前述有机基片5中的相同或者相似的元件将利用与对有机基片5的阐述中所使用的相同或者相似附图标记加以标识,并且将不予以详细描述。当然,各种有机基片30至62中的玻璃纤维22的网格间距也可以小于λe/10。
图10中所示出的有机基片30使用了这样一种织造玻璃纤维21,其中通过构图,谐振器13的谐振器导体图案16和17以相对于由玻璃纤维22网格大约为10度的倾斜角度θ1而形成。也就是说,在有机基片30中,玻璃纤维22网格相对于如图10中箭头所示的高频信号的波长行进方向以一个大约为10度的角度θ1倾斜。在有机基片30中,谐振器导体图案16和17参照平行于有机基片30周边的基线(未示出)而形成。有机基片30由织造玻璃纤维21制成,其中玻璃纤维22的网格方向相对于所述基线大约倾斜10度,并且有机材料20被一体设置于其上。
因此,在图10所示的有机基片30中,即使玻璃纤维22的网格间距略微较大,但是相当大数目的玻璃纤维22仍然跨过谐振器导体图案16和17,并因此玻璃纤维22总体上均匀分布。即,玻璃纤维22既不会在一些地方厚,也不会在一些地方薄。如前所述那样,引线图案16a和17a以一个大约为45度的角度电连接到谐振器导体图案16和17上。玻璃纤维22将在引线图案16a和17a上总体均匀分布,并且还在输入图案18和输出图案19上总体均匀分布。由于减小了各个谐振器导体图案16和17中的介电常数等的“变化”,所以有机基片30中的谐振器13将呈现出稳定的性能。
图11所示的有机基片31使用了这样一种织造玻璃纤维21,其中,通过构图,谐振器13的谐振器导体图案16和17相对于玻璃纤维22网格成大约30度的倾斜角度θ2而形成。此外,在有机基片31中,玻璃纤维22网格相对于所述基线大约倾斜30度,并且有机材料20被一体设置于其上。因此,即使玻璃纤维22的网格间距略微较大,但是大量的玻璃纤维22仍跨过谐振器导体图案16和17,其数目大于在玻璃纤维网格倾斜10度的有机基片30中的玻璃纤维的数目,并且因此玻璃纤维22总体上均匀分布。也就是说,玻璃纤维22既不会在某些区域分布较厚,也不会在某些区域分布较薄。由于减小了各个谐振器导体图案16和17中的介电常数等的“变化”,所以有机基片31中的谐振器13将呈现出稳定的性能。
图12所示的有机基片62使用了这样一种织造玻璃纤维21,其中,通过构图,谐振器13的谐振器导体图案16和17相对于玻璃纤维22网格成大约45度的倾斜角度θ3而形成。而且,在有机基片62中,玻璃纤维22网格相对于所述基线大约倾斜45度,并且有机材料20一体设置于其上。因此,即使玻璃纤维22的网格间距略微较大,但是与在如图10中所示其中玻璃纤维网格倾斜10度的有机基片30和在如图11中所示其中玻璃纤维网格倾斜30度的有机基片31相比,仍然存在更大数目的玻璃纤维22横跨过谐振器导体图案16和17,并由此玻璃纤维22总体上均匀分布。也就是说,玻璃纤维22既不会在某些区域分布较厚,也不会在某些区域分布较薄。由于减小了各个谐振器导体图案16和17中的介电常数等的“变化”,所以在图12中所示有机基片62中的谐振器13呈现出稳定的性能。
需要指出的是,根据本发明的电路板中使用的有机基片内,在织造玻璃纤维21具有这样一种玻璃纤维22网格并且具有一体设置于其上的有机材料20的情况下,即沿着高频信号的波长行进方向相对于所述基线大约倾斜10度或者更小并且以对称关系倾斜80度和90度之间的角度,略微较少的玻璃纤维横跨过谐振器导体图案16和17,从而使得无法有效抑制介电常数等的“变化”。在这种情况下,谐振器13将不会呈现出任何稳定的性能。
在根据本发明的前述高频模块1中,谐振器13形成在基片功能块2中,同时电容器32、电感器33或者电阻器形成在高频电路功能块3中。但是,本发明并不局限于这种构造。在根据本发明的高频模块1中,也可以在基片功能块2中形成根带状线或者无源元件。并且,在这种情况下,在每个导体图案中织造玻璃纤维21中的玻璃纤维22可以总体上以λ/4的紧凑间距均匀分布。
在前述高频模块1中,多层有机基片被用作基片功能块2,并且通过薄膜成形工艺在基片功能块2的平整构建表面2a上形成多种无源元件,以提供高频电路功能块3。但是,本发明并不局限于这种高频模块1,而是也可以应用于高频模块40,高频模块40例如如图13中所示利用设置于它们之间的树脂胶片将第一至第三有机基片41至43一体叠置起来而形成,各个有机基片41至43均由一个包括织造玻璃纤维的有机基片制成。第一至第三有机基片41至43均由织造玻璃纤维41a至43a制成,类似于前述高频模块1中的有机基片5,各个织造玻璃纤维41a至43a均通过将玻璃纤维编织成一种网格图案并且将一种有机材料一体设置于其上而形成。
如图13所示,高频模块40具有分别形成于第一有机基片41的主侧面,即前侧面和后侧面,上的第一布线层44和第二布线层45,其中第一有机基片41由一种双侧覆铜基片制成;还具有分别形成于第三有机基片43的主侧面,即前侧面和后侧面,上的第三布线层46和第四布线层47,其中第三有机基片43由一种双侧覆铜基片制成,同时第二有机基片42夹于第一有机基片41与第三有机基片43之间。需要指出的是,在高频模块40中,例如,第一有机基片41可以由一种双侧覆铜基片制成,而第二有机基片42和第三有机基片43可以由一种单侧覆铜基片制成。
在图13中示出的高频模块40中,第一至第四布线层44至47均通过对附着在所述有机基片上的铜箔进行光刻和蚀刻而由一种预定的导体图案形成。在这种高频模块40中,第一至第四布线层44至47的适当导体图案经过孔48适当地相互连接起来。最上方的第一布线层44提供第一接地层,并且具有一对谐振器导体图案49和50,它们的长度为λ/4并且相互平行(也就是说一个微带线结构),微带线51等。第二布线层45由一种所谓的实体图案(a so-called solid pattern)形成并且提供第二布线层。
在前述高频模块40中,例如,第三布线层46具有形成电源电路和控制系统信号电路的导体图案,而第四布线层47具有形成电源电路的导体图案。在这种高频模块40中,第四布线层47上覆盖有一个保护层52,并且具有通过在预定位置处对保护层52进行光刻处理而形成于其中的开口。此外,在高频模块40中,电镀有无焊料Ni-Au的端子53例如形成在第四布线层47中的一个合适的接线图案上,所述接线图案在各个开口处显露出来。这种高频模块40被安装在一个内插器(未示出)上,同时输入和输出端子53位于它们之间。
在高频模块40中,第一有机基片41的介电常数将会对尤其形成于第一布线层44上的谐振器导体图案49和50以及微带线51产生影响。
在图13所示的高频模块40中,如果玻璃纤维在第一有机基片41的织造玻璃纤维41a中在某些区域分布较厚而在某些区域分布较薄,那么谐振器导体图案49和50以及微带线51会如同在图8中所示的高频模块1中那样受到介电常数变化的影响。
在图13所示的高频模块40中,第一有机基片41的织造玻璃纤维41a中的玻璃纤维会沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距分布在至少形成谐振器导体图案49和50以及微带线51的区域中。在第一有机基片41中,织造玻璃纤维41a通过沿着频率为f的高频信号的波长行进方向以小于λe/10的间距编织玻璃纤维而形成为芯体。作为芯体,第一有机基片41利用通过对玻璃纤维进行编织而形成的织造玻璃纤维41a,玻璃纤维的网格相对于谐振器导体图案49和50以及微带线51倾斜10度或者更大的角度。
在根据本发明如前所述构造而成的高频模块40中,由于玻璃纤维总体上在谐振器导体图案49和50以及微带线51上均匀分布,所以抑制了第一有机基片41的介电常数等的“变化”,从而使得谐振器和线路呈现出稳定的性能。
需要指出的是,由于在图13所示的高频模块40中的第二至第四布线层45至47不会受到任何高频的影响,所以第二有机基片42和第三有机基片43可以分别由其芯体为具有普通结构的织造玻璃纤维42a和43a的有机基片制成。
在前述内容中,已经参照附图针对本发明的特定优选实施例对本发明进行了详细描述。但是,本技术领域中那些普通技术人员必须明白的是,本发明并不局限于所述实施例,而是可以在不脱离在所附权利要求中陈述和限定的本发明保护范围和技术构思的条件下,以多种方式进行改进,以多种其它形式进行选择性构造或者实施。
工业实用性
正如已经在前面描述过的那样,根据本发明的高频模块使用了一个电路板,该电路板包括通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成的织造玻璃纤维,以及一体设置在用作芯体的织造玻璃纤维上的有机材料,所述织造玻璃纤维在导体图案中具有沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距分布的玻璃纤维,在所述导体图案中形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件。使用织造玻璃纤维作为芯体确保了有机基片具有足够的机械强度,并且玻璃纤维在所述导体图案中总体上均匀分布确保了减小有机基片的介电常数等的“变化”,所述“变化”是由于玻璃纤维的任何厚薄不均分布所导致的。因此,导线可以被图案形成为呈现出稳定的性能。
由于在前述高频模块电路板中,玻璃纤维在有机基片内的导体图案中沿着高频信号的波长行进方向较厚地设置,所以它们在每个导体图案中总体上均匀分布,并因此可以减小有机基片的介电常数等的“变化”,并且能够提供呈现出稳定性能的导体图案,所述“变化”是由于玻璃纤维的厚薄不均分布所导致的。所述高频模块电路板可以由此在无需任何后期处理步骤的条件下以较高的产量和较低的成本进行制造。
根据本发明的高频模块包括一个基片功能块和高频电路功能块,并且具有形成于基片功能块和高频电路功能块中的导体图案,在这些导体图案上形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件。基片功能块包括有一个有机基片,该有机基片由通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成的织造玻璃纤维和一体设置在作为织造玻璃纤维上的有机材料制成。在有机基片的主侧面上,形成多层布线层。至少所述多层布线层的顶部层经过平整处理,来提供一个构建表面。在基片功能块中,其上与高频电路功能块中形成无源元件的部分相对的部分被用作一个未构图区域。在该未构图区域,玻璃纤维沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置。
在前述高频模块中,由于无源元件被设置在高频电路功能块中与基片功能块中的未构图区域相对,所以减小了基片功能块中图案的影响,并由此无源元件将分别呈现出稳定的性能。此外,在根据本发明的高频模块中,由于玻璃纤维在有机基片上的导体图案中沿着高频信号的波长行进方向紧凑存在,所以玻璃纤维在各个导体图案中总体上均匀分布。因此,可以减小介电常数的“变化”,所述“变化”是由于玻璃纤维的任何厚薄不均分布所导致的。因此,导体图案可以分别呈现出稳定的性能,并且可以在无需任何后期调节处理的条件下以较高的产量和较低的成本进行制造。

Claims (14)

1.一种用于高频模块中的电路板,其中有机材料一体设置在织造玻璃纤维上,所述织造玻璃纤维作为芯体通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,并且用于形成谐振线和无源元件的导电部件通过构图而形成,所述谐振线用于传送具有频率(f)的高频信号,
所述织造玻璃纤维由在每个导体图案区域中沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置的玻璃纤维制成。
2.如权利要求1中所述的电路板,其中,所述织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成这样一种网格图案而形成,即,其间距小于λe/10(λe:高频信号的有效波长)。
3.如权利要求1中所述的电路板,其中,所述织造玻璃纤维由编织成这样一种网格图案的玻璃纤维制成,即,该网格图案沿着高频信号的波长行进方向倾斜10和80度之间的角度。
4.如权利要求1中所述的电路板,其中,所述有机基片由选自于下述材料的有机材料制成,液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯,BT树脂或者其中散布有陶瓷颗粒的这些树脂中的每一种,所述有机材料的介电常数很低并且损耗很小。
5.一种高频模块,包括由织造玻璃纤维制成的有机基片和形成于该有机基片上的导体图案,所述织造玻璃纤维作为芯体通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,并且有机材料一体设置在该织造玻璃纤维上,所述导体图案用以形成用于传送高频信号的谐振线和无源元件,
所述有机基片包括这样一种织造玻璃纤维,即,该织造玻璃纤维由在导体图案区域中沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置的玻璃纤维制成。
6.如权利要求5中所述的高频模块,其中,织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成这样一种网格图案而形成,即其间距小于λe/10(λe:高频信号的有效波长)。
7.如权利要求5中所述的高频模块,其中,织造玻璃纤维由被编织成这样一种网格图案的玻璃纤维制成,即该网格图案沿着高频信号的波长行进方向倾斜10和80度之间的角度。
8.如权利要求5中所述的高频模块,其中,有机基片由选自于下述材料的有机材料制成,液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯,BT树脂或者其中散布有陶瓷颗粒的这些树脂中的每一种,所述有机材料的介电常数很低并且损耗很小,并且被一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维上。
9.如权利要求5中所述的高频模块,其中,所述有机基片是一种多层布线结构,其中成形有多个布线层。
10.一种高频模块,包括:
一个基片功能块,其包括由织造玻璃纤维形成的有机基片和一种一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维上的有机材料,所述织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成一种网格图案而形成,多层布线层形成在所述有机基片的主侧面上,并且至少所述多层布线层的顶层经过平整处理,以提供一个构建表面;以及
一个高频电路功能块,其作为一种至少包括有无源元件和布线图案的多层结构,该高频电路功能块形成在一个形成于所述基片功能块的构建表面上的介电绝缘层中;
导体图案,该导体图案形成在基片功能块和高频电路功能块中,用于提供用于传送高频信号的谐振线和无源元件;并且
在所述基片功能块中,其上与高频电路功能块中形成无源元件的部分相对的部分被用作一个未构图区域,并且在该未构图区域中的织造玻璃纤维的玻璃纤维沿着高频信号的波长行进方向以λe/4(λe:高频信号的有效波长)的紧凑间距设置。
11.如权利要求10中所述的高频模块,其中,所述织造玻璃纤维通过将玻璃纤维编织成这样一种网格图案而形成,即,其间距小于λe/10(λe:高频信号的有效波长)。
12.如权利要求10中所述的高频模块,其中,所述织造玻璃纤维由被编织成这样一种网格图案的玻璃纤维制成,即,该网格图案沿着高频信号的波长行进方向倾斜10和80度之间的角度。
13.如权利要求10中所述的高频模块,其中,所述有机基片由选自于下述材料的有机材料制成:液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚降冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯,BT树脂或者其中散布有陶瓷颗粒的这些树脂中的每一种,所述有机材料的介电常数很低并且损耗很小,并且一体设置在作为芯体的织造玻璃纤维上。
14.如权利要求10中所述的高频模块,其中,所述无源元件包括一个电感器、电容器和电阻器,它们通过薄膜成形技术形成。
CNA038001357A 2002-01-25 2003-01-24 用于高频模块的电路板以及高频模块 Pending CN1498421A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002017619A JP4023166B2 (ja) 2002-01-25 2002-01-25 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール
JP17619/2002 2002-01-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1498421A true CN1498421A (zh) 2004-05-19

Family

ID=27606173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA038001357A Pending CN1498421A (zh) 2002-01-25 2003-01-24 用于高频模块的电路板以及高频模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040130877A1 (zh)
JP (1) JP4023166B2 (zh)
KR (1) KR20040076577A (zh)
CN (1) CN1498421A (zh)
WO (1) WO2003063237A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101873119A (zh) * 2009-04-22 2010-10-27 太阳诱电株式会社 通信模块
CN102223762A (zh) * 2010-04-13 2011-10-19 北京联合大学 高精度提花玻璃纤维布
CN110265768A (zh) * 2018-03-12 2019-09-20 三星电子株式会社 天线模块
CN116095943A (zh) * 2022-12-19 2023-05-09 深圳市金晟达电子技术有限公司 一种多层阻抗hdi线路板

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087007A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sony Corp 高周波モジュール基板装置
JP4318417B2 (ja) * 2001-10-05 2009-08-26 ソニー株式会社 高周波モジュール基板装置
US7459200B2 (en) * 2003-08-15 2008-12-02 Intel Corporation Circuit board design
US7301105B2 (en) * 2004-08-27 2007-11-27 Stablcor, Inc. Printed wiring boards possessing regions with different coefficients of thermal expansion
JP4185499B2 (ja) * 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7465596B2 (en) * 2005-06-30 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
USRE45637E1 (en) 2005-08-29 2015-07-28 Stablcor Technology, Inc. Processes for manufacturing printed wiring boards
US7781679B1 (en) * 2005-09-09 2010-08-24 Magnecomp Corporation Disk drive suspension via formation using a tie layer and product
US8553364B1 (en) 2005-09-09 2013-10-08 Magnecomp Corporation Low impedance, high bandwidth disk drive suspension circuit
US8395866B1 (en) 2005-09-09 2013-03-12 Magnecomp Corporation Resilient flying lead and terminus for disk drive suspension
US7829793B2 (en) * 2005-09-09 2010-11-09 Magnecomp Corporation Additive disk drive suspension manufacturing using tie layers for vias and product thereof
US20080026181A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Ravi Rastogi Synergistically-modified surfaces and surface profiles for use with thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US8395053B2 (en) * 2007-06-27 2013-03-12 Stats Chippac Ltd. Circuit system with circuit element and reference plane
JP2009164174A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujitsu Ltd プリント配線板およびプリント基板ユニット
JP2009164416A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Fujitsu Ltd プリント配線板およびプリント基板ユニット
JP5471870B2 (ja) * 2010-06-17 2014-04-16 富士通株式会社 配線基板
JP5903643B2 (ja) * 2012-03-22 2016-04-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 ガラスクロス及びその製造方法、プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板
GB201207857D0 (en) * 2012-05-04 2012-06-20 Radio Design Ltd Telecommunications apparatus and method of manufacture therof
KR20140134479A (ko) * 2013-05-14 2014-11-24 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US9332632B2 (en) 2014-08-20 2016-05-03 Stablcor Technology, Inc. Graphene-based thermal management cores and systems and methods for constructing printed wiring boards
US9456496B2 (en) * 2015-02-12 2016-09-27 International Business Machines Corporation Substrate containing low-Dk-core glass fibers having low dielectric constant (Dk) cores for use in printed circuit boards (PCBs), and method of making same
US9520356B1 (en) * 2015-09-09 2016-12-13 Analog Devices, Inc. Circuit with reduced noise and controlled frequency
JP6493557B2 (ja) 2015-11-27 2019-04-03 富士通株式会社 回路基板及び電子装置
US10212812B2 (en) 2016-01-15 2019-02-19 International Business Machines Corporation Composite materials including filled hollow glass filaments
US10349513B2 (en) * 2016-07-28 2019-07-09 Qualcomm Incorporated Circuits and methods providing electronic band gap (EBG) structures at memory module electrical coupling
JP2019106438A (ja) 2017-12-12 2019-06-27 株式会社デンソー プリント基板および無線通信装置
KR102068813B1 (ko) 2018-10-05 2020-01-22 삼성전기주식회사 전자 부품
KR102652266B1 (ko) * 2019-01-31 2024-03-28 (주)포인트엔지니어링 다층 배선 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드
TW202119877A (zh) * 2019-11-05 2021-05-16 南韓商普因特工程有限公司 多層配線基板及包括其的探針卡
CN114420681B (zh) * 2022-01-26 2024-05-07 西安电子科技大学 一种晶圆级可重构Chiplet集成结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4580132A (en) * 1983-05-04 1986-04-01 Nitto Boseki Co., Ltd. Method of and apparatus for detecting electrically conductive material in glass fibers or articles made of glass fibers
US4778950A (en) * 1985-07-22 1988-10-18 Digital Equipment Corporation Anisotropic elastomeric interconnecting system
JP2898814B2 (ja) * 1992-02-25 1999-06-02 株式会社日立製作所 印刷インダクタ付き多層配線板
US5490000A (en) * 1992-12-07 1996-02-06 Casio Computer Co., Ltd. Deformed helix ferroelectric liquid crystal display device and method of driving
JP3325351B2 (ja) * 1993-08-18 2002-09-17 株式会社東芝 半導体装置
JPH09260797A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Sony Corp 配線基板
JPH10117048A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Tec Corp プリント基板
US5967195A (en) * 1997-08-01 1999-10-19 Weavexx Corporation Multi-layer forming fabric with stitching yarn pairs integrated into papermaking surface
US6224965B1 (en) * 1999-06-25 2001-05-01 Honeywell International Inc. Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling
JP2002076547A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Nippon Pillar Packing Co Ltd フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法
JP2002076544A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Nippon Pillar Packing Co Ltd フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法
JP4529262B2 (ja) * 2000-09-14 2010-08-25 ソニー株式会社 高周波モジュール装置及びその製造方法
JP3905325B2 (ja) * 2001-04-23 2007-04-18 富士通株式会社 多層プリント配線板
US6909473B2 (en) * 2002-01-07 2005-06-21 Eastman Kodak Company Display apparatus and method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101873119A (zh) * 2009-04-22 2010-10-27 太阳诱电株式会社 通信模块
CN101873119B (zh) * 2009-04-22 2013-06-05 太阳诱电株式会社 通信模块
CN102223762A (zh) * 2010-04-13 2011-10-19 北京联合大学 高精度提花玻璃纤维布
CN102223762B (zh) * 2010-04-13 2012-09-12 北京联合大学 高精度提花玻璃纤维布
CN110265768A (zh) * 2018-03-12 2019-09-20 三星电子株式会社 天线模块
CN116095943A (zh) * 2022-12-19 2023-05-09 深圳市金晟达电子技术有限公司 一种多层阻抗hdi线路板
CN116095943B (zh) * 2022-12-19 2024-04-16 深圳市金晟达电子技术有限公司 一种多层阻抗hdi线路板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040076577A (ko) 2004-09-01
JP4023166B2 (ja) 2007-12-19
US20040130877A1 (en) 2004-07-08
JP2003218271A (ja) 2003-07-31
WO2003063237A1 (fr) 2003-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1498421A (zh) 用于高频模块的电路板以及高频模块
US9748663B2 (en) Metamaterial substrate for circuit design
US7808434B2 (en) Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices
US9196951B2 (en) Millimeter-wave radio frequency integrated circuit packages with integrated antennas
CN1251350C (zh) 滤波电路装置及其制造方法
CN1102017C (zh) 安装基板
US8094429B2 (en) Multilayer capacitors and methods for making the same
CN103500739B (zh) 小形状因数系统级封装中嵌入组件的设备和方法
CN1476633A (zh) 高频模件板装置
US20220085485A1 (en) Chip antenna
CN1623229A (zh) 高频组件及其制造方法
JP2008524845A (ja) スルーコネクションを含む高周波用多層プリント回路基板
EP3614497A1 (en) Integrated antenna structure
US7064630B2 (en) High-frequency module and its manufacturing method
US6995733B2 (en) Frequency selective surface and method of manufacture
CN112310611A (zh) 片式天线
TWI467610B (zh) 電容結構
CN1605135A (zh) 滤波电路
TWI584526B (zh) 積層式天線結構
CN112652878A (zh) 片式天线
JP2002111226A (ja) 複合多層基板およびそれを用いたモジュール
WO2012176933A1 (ja) ノイズ抑制装置及びそれを搭載した多層プリント基板
CN1706072A (zh) 安装有天线的印刷电路板
CN113690621B (zh) 一种基于多层pcb板的小型化高效率蓝牙天线
CN201336359Y (zh) 基于ltcc技术的蓝牙天线以及蓝牙模块

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication