JP2003218271A - 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール用基板及び高周波モジュール

Info

Publication number
JP2003218271A
JP2003218271A JP2002017619A JP2002017619A JP2003218271A JP 2003218271 A JP2003218271 A JP 2003218271A JP 2002017619 A JP2002017619 A JP 2002017619A JP 2002017619 A JP2002017619 A JP 2002017619A JP 2003218271 A JP2003218271 A JP 2003218271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
high frequency
frequency module
substrate
glass
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002017619A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4023166B2 (ja
Inventor
Akihiko Okuhora
明彦 奥洞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2002017619A priority Critical patent/JP4023166B2/ja
Priority to PCT/JP2003/000682 priority patent/WO2003063237A1/ja
Priority to CNA038001357A priority patent/CN1498421A/zh
Priority to KR10-2003-7012429A priority patent/KR20040076577A/ko
Priority to US10/472,325 priority patent/US20040130877A1/en
Publication of JP2003218271A publication Critical patent/JP2003218271A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4023166B2 publication Critical patent/JP4023166B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
    • H01P1/20363—Linear resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0275—Fibers and reinforcement materials
    • H05K2201/029—Woven fibrous reinforcement or textile
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス繊維に起因する有機基板の比誘電率等
の「ゆらぎ」の影響を低減して安定した特性の導体部が
形成されるようにする。 【解決手段】 ガラス繊維２２を網目模様に織ってなる
ガラス織布２１をコアとして有機基材２０を一体化して
なる有機基板５が、ガラス繊維２２を高周波信号を伝送
処理する共振線路や受動素子を構成する導体部１３のパ
ターン形成領域内において高周波信号の波長進行方向に
対して実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔
を以って配されるように構成されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ、携帯電話機、携帯端末機器やオーディオ
機器等の各種電子機器に搭載され或いは装填されること
により情報通信機能やストレージ機能等を有して超小型
通信機能モジュールを構成する高周波モジュール及びこ
の高周波モジュールに好適に用いられる高周波モジュー
ル用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、音楽、音声或いは画像等の各種
情報は、近年、データのデジタル化に伴ってパーソナル
コンピュータやモバイルコンピュータ等によっても手軽
に扱えるようになっている。また、これらの情報は、音
声コーデック技術や画像コーデック技術により帯域圧縮
が図られて、デジタル通信やデジタル放送により各種の
通信端末機器に対して容易にかつ効率的に配信される環
境が整いつつある。例えば、オーディオ・ビデオデータ
（ＡＶデータ）は、携帯電話機によって屋外での受信も
可能である。
【０００３】ところで、情報の送受信システムは、家庭
を始めとして小規模な地域内においても好適なネットワ
ークシステムの提案によって、様々に活用されるように
なっている。ネットワークシステムとしては、例えば４
００ＭＨｚ帯域を使用する微弱電波システムや１．９Ｇ
Ｈｚ帯域を使用するＰＨＳ（パーソナル・ハンディホン
・システム）とともに、IEEE802.11bで提案されている
２．４５ＧＨｚ帯域の無線ＬＡＮシステムやBluetoohと
称される小規模無線通信システム等或いはIEEE802.11a
で提案されている５ＧＨｚ帯域の狭域無線通信システム
のような種々の次世代無線通信システムが注目されてい
る。情報の送受信システムは、かかる無線通信システム
を有効に利用して、各種の通信端末機器により家庭内や
屋外等の様々な場所において手軽にかつ中継装置等を介
することなく様々なデータの授受、インターネット網へ
のアクセスやデータの送受信が可能な環境となってい
る。
【０００４】一方、情報の送受信システムにおいては、
上述した通信機能を有する小型軽量で携帯可能な通信端
末機器の実現が必須となる。通信端末機器においては、
送受信部においてアナログの高周波信号の変復調処理を
行うことが必要であることから、一般に送受信信号から
いったん中間周波数に変換するようにしたスーパーへテ
ロダイン方式による高周波送受信回路が備えられる。
【０００５】高周波送受信回路には、アンテナや切替ス
イッチを有し情報信号を受信或いは送信するアンテナ部
と、送信と受信との切替を行う送受信切替器とが備えら
れている。高周波送受信回路には、周波数変換回路部や
復調回路部等からなる受信回路部が備えられる。高周波
送受信回路には、パワーアンプやドライブアンプ及び変
調回路部等からなる送信回路部が備えられる。高周波送
受信回路には、受信回路部や送信回路部に基準周波数を
供給する基準周波数生成回路部が備えられる。
【０００６】かかる高周波送受信回路においては、各段
間にそれぞれ介挿された種々のフィルタ、局部発振器
（ＶＣＯ）、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ等の大型機
能部品や、整合回路或いはバイアス回路等の高周波アナ
ログ回路に特有なインダクタ、キャパシタ、レジスタ等
の受動部品の点数が非常に多い構成となっている。高周
波送受信回路は、各回路部のＩＣ化が図られるが、各段
間に介挿されるフィルタをＩＣ中に取り込めず、またこ
のために整合回路も外付けとして必要となる。したがっ
て、高周波送受信回路は、全体に大型となり、通信端末
機器の小型軽量化に大きな障害となっていた。
【０００７】一方、通信端末機器には、中間周波数への
変換を行わずに情報信号の送受信を行うようにしたダイ
レクトコンバージョン方式による高周波送受信回路も用
いられる。かかる高周波送受信回路においては、アンテ
ナ部によって受信された情報信号が送受信切替器を介し
て復調回路部に供給されて直接ベースバンド処理が行わ
れる。高周波送受信回路においては、ソース源で生成さ
れた情報信号が変調回路部において中間周波数に変換さ
れることなく直接所定の周波数帯域に変調されてアンプ
と送受信切替器を介してアンテナ部から送信される。
【０００８】かかる高周波送受信回路は、情報信号につ
いて中間周波数の変換を行うことなくダイレクト検波を
行うことによって送受信する構成であることから、フィ
ルタ等の部品点数が低減されて全体構成の簡易化が図ら
れ、より１チップ化に近い構成が見込まれるようにな
る。しかしながら、このダイレクトコンバージョン方式
による高周波送受信回路においても、後段に配置された
フィルタ或いは整合回路の対応が必要となる。また、高
周波送受信回路は、高周波段で一度の増幅を行うことか
ら充分なゲインを得ることが困難となり、ベースバンド
部でも増幅操作を行う必要がある。したがって、高周波
送受信回路は、ＤＣオフセットのキャンセル回路や余分
なローパスフィルタを必要とし、さらに全体の消費電力
が大きくなるといった問題がある。
【０００９】従来の高周波送受信回路は、上述したよう
にスーパーへテロダイン方式及びダイレクトコンバージ
ョン方式のいずれにおいても、通信端末機器の小型軽量
化等の要求仕様に対して充分な特性を満足し得ないもの
であった。このため、高周波送受信回路については、例
えばＳｉ−ＣＭＯＳ技術等を用いて簡易な構成によって
小型化を図ったモジュール化について種々の試みが図ら
れている。すなわち、高周波モジュールは、例えば特性
の良い受動素子をＳｉ基板上に形成するとともにフィル
タ回路や共振器等をＬＳＩ上に作り込み、さらにベース
バンド部分のロジックＬＳＩも集積化することで、１チ
ップ化されてなる。しかしながら、かかるＳｉ基板高周
波モジュールにおいては、Ｓｉ基板が導電性を有するこ
とから、その主面上にＱ値が高い高特性のインダクタや
キャパシタを形成することが困難となりいかにして性能
の良い受動素子を形成するかが極めて重要となる。
【００１０】図７に示した高周波モジュール１００は、
Ｓｉ基板１０１とＳｉＯ２絶縁層１０２とのインダクタ
形成部位１０３に大きな凹部１０４を形成し、この凹部
１０４に臨ませて第１の配線層１０５を形成するととも
に凹部１０４を閉塞する第２の配線層１０６を形成して
インダクタ部１０７を構成してなる。高周波モジュール
１００は、インダクタ部１０７が凹部１０４に臨ませら
れて空中に浮いた構造となっていることから、Ｓｉ基板
１０１を介しての回路内との電気的干渉が低減されて特
性の向上が図られている。しかしながら、高周波モジュ
ール１００は、インダクタ部１０７を形成する工程が極
めて面倒で工数も多く、コストアップとなるといった問
題があった。
【００１１】図８に示した高周波モジュール１１０は、
Ｓｉ基板１１１上にＳｉＯ２層１１２を形成した後にリ
ソグラフィ技術によって受動素子形成層１１３が成膜形
成されてなる。高周波モジュール１１０は、受動素子形
成層１１３の内部に詳細を省略するが配線パターンとと
もにインダクタ、キャパシタ或いはレジスタ等の受動素
子を薄膜技術や厚膜技術によって多層に形成してなる。
高周波モジュール１１０は、受動素子形成層１１３にビ
ア１１４を適宜形成して層間接続を行うとともに、表面
層に端子１１５が形成される。高周波モジュール１１０
は、端子１１５を介してフリップチップ実装法等により
高周波ＩＣやＬＳＩ等のチップ１１６が実装されて高周
波回路を構成する。
【００１２】かかる高周波モジュール１１０は、例えば
ベースバンド回路を有するマザー基板等に実装すること
で、Ｓｉ基板１１１を介して高周波回路部とベースバン
ド回路部とを区分して両者の電気的干渉を抑制すること
が可能とされる。しかしながら、高周波モジュール１１
０は、導電性を有するＳｉ基板１１１が、受動素子形成
層１１３内に精度の高い各受動素子を形成する際に有効
に機能するが、各受動素子の良好な高周波特性にとって
邪魔になるといった問題がある。
【００１３】図９に示した高周波モジュール１２０は、
上述したＳｉ基板による問題を、ガラス基板やセラミッ
ク基板等の非導電性の基板１２１を用いることで解消し
てなる。高周波モジュール１２０も、基板１２１上にリ
ソグラフィ技術等によって受動素子形成層１２２が成膜
形成されてなる。高周波モジュール１２０は、受動素子
形成層１２２の内部に詳細を省略するが配線パターンと
ともにインダクタ、キャパシタ或いはレジスタ等の受動
素子を薄膜技術や厚膜技術によって多層に形成してな
る。高周波モジュール１２０は、受動素子形成層１２２
にビア１２３を適宜形成して層間接続を行うとともに表
面層に端子１２４が形成される。高周波モジュール１２
０は、端子１２４を介してフリップチップ実装法等によ
り高周波ＩＣやＬＳＩ等のチップ１２５が実装されて高
周波回路を構成する。
【００１４】高周波モジュール１２０においては、非導
電性の基板１２１を用いることで、この基板１２１と受
動素子形成層１２２との容量的結合度が抑制されて受動
素子形成層１２２内に良好な高周波特性を有する受動素
子を形成することが可能である。高周波モジュール１２
０においては、ガラス基板を用いた場合には、例えばマ
ザー基板等に実装する際に基板１２１自体に端子形成が
できないために、受動素子形成層１２２の表面に端子パ
ターンを形成するとともにワイヤボンディング法等によ
ってマザー基板との接続が行われる。したがって、高周
波モジュール１２０は、端子パターン形成工程やワイヤ
ボンディング工程が必要となってコストアップとなると
ともに、小型化にも不利となる。
【００１５】一方、高周波モジュール１２０は、セラミ
ック基板を用いた場合には、ベースセラミック基板の多
層化が可能であることからマザー基板を介すること無く
パッケージ基板としても機能する。しかしながら、セラ
ミック基板は、セラミック粒子の焼結体であることか
ら、受動素子形成層１２２の形成面がセラミック粒子の
粒径２μｍ乃至１０μｍ程度の凹凸を有する粗面となっ
ている。したがって、高周波モジュール１２０において
は、高精度の受動素子を形成するために、受動素子形成
層１２２を形成する前工程としてセラミック基板の表面
を研磨する平坦化工程が必要となる。また、高周波モジ
ュール１２０は、基材のセラミックが低損失特性を有す
るものの比較的高い比誘電率特性（アルミナ：８〜１
０、ガラスセラミック：５〜６）を有しているために、
多層配線化を行った場合に層間での干渉が生じやすくな
り信頼性が低下したりノイズ特性が劣化するといった問
題がある。
【００１６】図１０に示した高周波モジュール１３０
は、有機基板１３２が用いられ、この有機基板１３２の
表裏主面にそれぞれプリントサーキッドボード技術等に
より配線層１３３を形成してなるベース基板部１３１
と、薄膜技術によりキャパシタ素子１３５やインダクタ
素子１３６或いは図示しないレジスタ素子等が成膜形成
された素子形成部１３４とからなる。高周波モジュール
１３０には、素子形成部１３４の表面上にＩＣチップ１
３７がフリップチップ実装されるとともに、ベース基板
部１３１の配線層１３３に分布定数回路により共振器や
フィルタ等の機能を有するストリップ線路１３８や詳細
を省略する電源回路やバイアス回路等が形成されてい
る。
【００１７】高周波モジュール１３０は、ベース基板部
１３１の配線層１３３が、有機基板１３２の表面側に第
１配線層１３３ａ及び第２配線層１３３ｂが形成される
とともに、裏面側に第３配線層１３３ｃ及び第４配線層
１３３ｄが形成されて構成されてなる。高周波モジュー
ル１３０は、上述したようにベース基板部１３１側にス
トリップ線路１３８や電源回路或いはバイアス回路等が
形成されるとともに素子形成部１３４側に受動素子１３
５、１３６が形成されるが、これらを効率よくかつ干渉
を避けて形成するために第１配線層１３３ａと第３配線
層１３３ｃとがグランド層として構成されてなる。
【００１８】高周波モジュール１３０は、比較的廉価な
有機基板１３２を用いることによりコスト低減が図られ
るとともに、プリントサーキッドボード技術によって所
望の配線層１３３が比較的容易に形成されるといった特
徴を有している。高周波モジュール１３０は、例えばベ
ース基板部１３１の表面に研磨処理を施して平坦化する
ことによって素子形成部１３４内に高精度の受動素子１
３５、１３６を形成することが可能とされ、ベース基板
部１３１と素子形成部１３４とが電気的に分離されるこ
とで特性の向上が図られるとともに、充分な面積を有す
る電源回路部等が構成されてレギュレーションの高い電
源供給が行われるようになる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波モジ
ュール１３０においては、素子形成部１３４に形成され
たキャパシタ素子１３５やインダクタ素子１３６がベー
ス基板部１３１側の第１配線層１３３ａのグランドパタ
ーンの影響を受ける。高周波モジュール１３０は、例え
ばインダクタ素子１３６が、グランドパターンとの間に
キャパシタ成分が生じて自己共振周波数やクオリティフ
ァクタのＱ値が低下するといった問題があった。高周波
モジュール１３０は、キャパシタ素子１３５やレジスタ
素子についても同様にしてその特性が変動したり劣化す
るといった問題があった。
【００２０】一方、高周波モジュール１３０において
は、ベース基板部１３１に形成した分布定数回路のスト
リップ線路１３８が、導体損失とともに誘電損失の影響
を受ける。有機基板１３２は、高周波特性、すなわち低
比誘電率特性でかつ低い誘電正接（Ｔａｎδ）による低
損失特性を以って形成される。有機基板１３２は、上述
した特性を有する有機基材、例えば液晶ポリマ、ベンゾ
シクロブテン、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリフ
ェニルエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ＢＴ−
レジン、又はこれら樹脂にセラミック粉を分散してなる
基材から選択された有機基材によって形成される。有機
基板１３２は、曲げ強度、断裂強度等の向上を図るため
に、図１０に示すようにかかる有機基材１４０がガラス
織布１４１をコア材として一体化されてなる。
【００２１】有機基板１３２は、詳細には図１１に示す
ようにガラス繊維１４２がピッチｊを以って網目状に織
られてガラス織布１４１が形成され、このガラス織布１
４１をコア材として上述した有機機材が一体化されてな
る。有機基板１３２には、第２配線層１３３ｂの一部に
銅パターンによって一対の平行なストリップ線路からな
る共振パターン１３８ａ、１３８ｂが形成されてλ／４
共振器１４３を構成している。共振器１４３は、ガラス
繊維１４２のピッチｊが大きい場合に、図１２において
実線で示すように共振パターン１３８ａ、１３８ｂがガ
ラス繊維１４２の存在する部位と同図鎖線で示すように
共振パターン１３８ａ、１３８ｂがガラス繊維１４２の
存在しない部位とに跨って形成される。
【００２２】有機基板１３２は、ガラス繊維１４２の有
無によって実効比誘電率、Ｔａｎδが変化することによ
り「ゆらぎ」が生じる。実効比誘電率の「ゆらぎ」は、
図１１のｋ−ｋ線に沿って示した場合に、ガラス繊維１
４２が密の部位が大きくかつガラス繊維１４２が粗の部
位が小さくなり、図１３に示すようにピッチｊを周期と
して最大値と最小値の差範囲で周期的に変化する。な
お、実効比誘電率の「ゆらぎ」は、縦方向のガラス繊維
１４２のみが存在するア−ア線に沿った部位では単純な
正弦波として図示されるが、ガラス繊維１４２が縦横交
わる部位でさらに複雑な波形でかつ差異も大きくなる。
共振器１４３は、このために特性のバラツキが大きくな
り、またその再現性も困難であるといった問題があっ
た。
【００２３】高周波モジュール１３０は、上述したガラ
ス繊維入り有機基板１３２の特性に起因する共振器１４
３の特性のバラツキにより、信頼性が低下しまた歩留ま
りも悪くなるといった問題があり、さらに調整工程も必
要となってコストアップとなるといった問題があった。
高周波モジュール１３０は、ベース基板部１３１に共振
器１４３ばかりでなく他の線路や薄膜技術によって種々
の受動素子を形成した場合にも、ガラス繊維に起因する
有機基板の実効比誘電率、Ｔａｎδの「ゆらぎ」に起因
して同様の問題が生じる。
【００２４】したがって、本発明は、ガラス繊維に起因
する有機基板の比誘電率、Ｔａｎδの「ゆらぎ」の影響
を低減して形成される導体部の特性のバラツキを抑制す
ることにより高精度で信頼性の向上を図った高周波モジ
ュール及びその基板を提供することを目的に提案された
ものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明にかかる高周波モジュール用基板は、ガラス繊維
を網目模様に織ってなるガラス織布のコア材に有機基材
を一体化してなり、高周波信号を伝送処理する共振線路
や受動素子を構成する導体部がパターン形成されてな
る。高周波モジュール用基板は、ガラス織布が、ガラス
繊維を各導体部のパターン形成領域内において高周波信
号の波長進行方向に対して実効波長λｅのλｅ／４単位
当たりで密なる間隔を以って配されるように構成され
る。
【００２６】以上のように構成された本発明にかかる高
周波モジュール用基板によれば、廉価であるとともに、
ガラス織布をコア材とすることで有機基板に充分な機械
的強度が保持される。高周波モジュール用基板によれ
ば、各導体部のパターン形成領域内に高周波信号の波長
進行方向に対してガラス繊維が密なる状態で配されてい
ることから、導体部がパターン形成された状態において
各パターンに対してガラス繊維がほぼ均等に存在するよ
うになるため粗密の状態によって生じる比誘電率等の
「ゆらぎ」発生が低減される。したがって、高周波モジ
ュール用基板によれば、特性が安定した導体部をパター
ン形成することが可能となる。
【００２７】また、上述した目的を達成する本発明にか
かる高周波モジュールは、ガラス繊維を網目模様に織っ
てなるガラス織布のコア材に有機基材を一体化してなる
有機基板上に、高周波信号を伝送処理する共振線路や受
動素子を構成する導体部をパターン形成してなる。高周
波モジュールは、有機基板が、各導体部のパターン形成
領域内において高周波信号の波長進行方向に対して実効
波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔を以って上
記ガラス繊維が配されるガラス織布を備えてなる。
【００２８】以上のように構成された本発明にかかる高
周波モジュールによれば、有機基板の各導体部のパター
ン形成領域内に高周波信号の波長進行方向に対してガラ
ス繊維が密なる状態で配されることから、パターン形成
された導体部に対してそれぞれの各パターンにガラス繊
維がほぼ均等に存在するようになる。したがって、高周
波モジュールによれば、導体部の各パターンに対してガ
ラス繊維が粗密の状態によって生じる比誘電率等の「ゆ
らぎ」発生が低減される。高周波モジュールによれば、
特性が安定した導体部をパターン形成することが可能と
なり、歩留まりの向上を図るとともに調整の後工程を不
要としてコスト低減が図られるようになる。
【００２９】さらに、上述した目的を達成する本発明に
かかる高周波モジュールは、ベース基板部と高周波回路
部とを備え、ベース基板部及び高周波回路部に高周波信
号を伝送処理する共振線路や受動素子を構成する導体部
がパターン形成されてなる。高周波モジュールは、ベー
ス基板部に、ガラス繊維を網目模様に織ったガラス織布
をコア材として有機基材を一体化してなる有機基板の主
面上に、多層の配線層を形成するとともに少なくとも最
上層が平坦化処理を施されてビルドアップ形成面が構成
されてなる。高周波モジュールは、ベース基板部が、高
周波回路部の受動素子形成領域と対向する部位を非パタ
ーン形成領域とされるとともに、この非パターン形成領
域のガラス織布が高周波信号の波長進行方向に対して実
効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔を以って
ガラス繊維が配されるように構成されてなる。高周波モ
ジュールは、高周波回路部が、ベース基板部のビルドア
ップ形成面上に形成した誘電絶縁層内に少なくとも受動
素子と配線パターンとを多層に形成してなる。
【００３０】以上のように構成された本発明にかかる高
周波モジュールによれば、ベース基板部の非パターン形
成領域に対向して高周波回路部に受動素子が形成される
ことから、受動素子に対してベース基板部側のパターン
の影響が低減され、安定した特性を有するようになる。
高周波モジュールによれば、有機基板の各導体部のパタ
ーン形成領域内に高周波信号の波長進行方向に対してガ
ラス繊維が密なる状態で配されることから、パターン形
成された導体部に対してそれぞれの各パターンにガラス
繊維がほぼ均等に存在するようになる。したがって、高
周波モジュールによれば、導体部の各パターンに対して
ガラス繊維が粗密の状態となることにより生じる比誘電
率等の「ゆらぎ」発生の低減が図られる。高周波モジュ
ールによれば、特性が安定した導体部をパターン形成す
ることが可能となり、歩留まりの向上を図るとともに調
整工程を不要としてコスト低減が図られるようになる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として
図１に示した高周波モジュール１は、情報通信機能やス
トレージ機能等を有しており、パーソナルコンピュー
タ、携帯電話機や携帯情報端末機或いは携帯オーディオ
機器等の各種電子機器に搭載され又はオプションとして
挿脱される超小型通信機能モジュール体等に用いられ
る。高周波モジュール１は、例えば搬送周波数帯が５Ｇ
Ｈｚの小規模無線通信システムの適合機器に用いられ
る。高周波モジュール１は、ベース基板部２と、このベ
ース基板部２上に積層形成された高周波回路部３とから
構成され、高周波回路部３の表面に例えば高周波送受信
回路部の周辺回路機能を有するＩＣチップ４等が実装さ
れてなる。
【００３２】高周波モジュール１は、ベース基板部２
が、高周波回路部３に対する電源部や制御系の回路部を
構成するとともに、図示しないインターポーザ基板等へ
の実装部を構成する。高周波モジュール１は、ベース基
板部２と高周波回路部３とが電気的に分離された構造と
なっており、高周波回路部３に対する電気的干渉が抑制
されて特性の向上が図られている。高周波モジュール１
は、ベース基板部２に充分な面積を有する電源部やグラ
ンドが形成されることにより、高周波回路部３に対して
レギュレーションの高い電源供給が行われる。
【００３３】ベース基板部２は、図１に示すように両面
銅貼り基板からなる有機基板５をコア基板として、その
表裏主面に従来の一般的なプリントサーキッドボード技
術等によって誘電絶縁層と配線層とを多層に形成してな
る。ベース基板部２は、有機基板５を挟んで一方主面側
に第１配線層部６及び第２配線層７とが形成されるとと
もに、他方主面側に第３配線層８と第４配線層９とが形
成された４層構造からなる。ベース基板部２は、第１配
線層６乃至第４配線層９が、適宜に形成されたビア１０
を介して層間接続されてなる。
【００３４】ベース基板部２は、例えば両面銅貼り有機
基板４に対して、その表裏主面の銅箔にフォトリソグラ
フ処理やエッチング処理等を施こして配線パターンや素
子パターン等を適宜形成するとともに必要に応じて図示
しない各種の受動素子を成膜形成して上述した第２配線
層７と第３配線層８とを形成してなる。ベース基板部２
は、各配線層７、８を形成した後に有機基板４の表裏主
面にそれぞれ樹脂付銅箔を接合し、同様に各銅箔にフォ
トリソグラフ処理やエッチング処理等を施して配線パタ
ーンや素子パターン等を適宜形成するとともに必要に応
じて図示しない各種の受動素子を成膜形成して上述した
第１配線層６及び第４配線層９を形成してなる。
【００３５】ベース基板部２は、第４配線層９がソルダ
レジスト等からなる保護層１１により被覆されるととも
に、この保護層１１の所定箇所にフォトリソグラフ処理
等を施こすことにより開口部を形成してなる。ベース基
板部２は、各開口部に露出された第４配線層９の適宜の
配線パターンに例えば無電解Ｎｉ−Ａｕめっきが施され
て端子１２が形成される。ベース基板部２は、これら端
子１２が、高周波モジュール１を図示しないインターポ
ーザに実装する際の接続端子を構成する。
【００３６】ベース基板部２は、第１配線層６と第３配
線層８とがグランドとして構成されてなり、内層回路部
をシールドしてなる。ベース基板部２には、第１配線層
６と第３配線層８との間の第２配線層７に、詳細を後述
するようにストリップ線路により分布定数回路、例えば
共振器１３がパターン形成されてなる。ベース基板部２
は、第３配線層８が有機基板５の全面に亘って銅箔層を
残されたいわゆるベタパターンとして構成され、第１配
線層６の詳細を後述する高周波回路部３に薄膜形成され
たキャパシタ素子２５やインダクタ素子２６と対向する
部位にそれぞれパターン開口部１４、１５が形成されて
いる。
【００３７】共振器１３は、図２に示すように５ＧＨｚ
搬送周波数帯の約λ／４の電気長、すなわち約６ｍｍの
長さｍを有して分布定数設計によって形成された互いに
平行な一対の共振器導体パターン１６、１７と、これら
共振器導体パターン１６、１７の一端部に形成されたリ
ードパターン１６ａ、１７ａを介してそれぞれ側方へと
腕状に突出する入出力パターン１８、１９とからなる。
共振器１３は、第１の共振器導体パターン１６が入力部
を構成するとともに、第２の共振器導体パターン１７が
出力部を構成する。共振器１３は、リードパターン１６
ａ、１７ａが、電波反射を避けるために共振器導体パタ
ーン１６、１７と入出力パターン１８、１９とに対し
て、略４５°の角度を付されてこれらを電気的に接続し
ている。共振器１３は、共振器導体パターン１６、１７
が詳細を省略するがビア１０を介してグランドに短絡さ
れるとともに他端側が開放されてなる。
【００３８】共振器１３は、共振器導体パターン１６、
１７がベース基板部２の内層にストリップ線路構造によ
って形成されたいわゆるトリプレート構造によって構成
されており、誘電絶縁層を介して並列共振回路を容量結
合した等価回路を構成する。共振器１３は、電界の強さ
が奇励振モード状態で共振器導体パターン１６、１７の
対向間隔によって変化するとともに偶励振モード状態で
誘電絶縁層の厚みによって変化する特性を有している。
共振器１３は、このように奇励振モード状態と偶励振モ
ード状態とで電界の強さが変化して共振器導体パターン
１６、１７の結合度が変化して特性変動が生じる。この
ため、ベース基板部２は、後述するように誘電絶縁層が
共振器１３の特性変動を抑制するように構成されてい
る。
【００３９】ベース基板部２は、低い比誘電率特性かつ
低いＴａｎδ特性、すなわち高周波特性に優れるととも
に機械的剛性と耐熱性及び耐薬品性を有する有機基板５
が用いられている。有機基板５は、かかる特性を有する
有機基材２０がガラス繊維２２を網目模様に織ったガラ
ス織布２１をコア材として一体化されるとともに、その
表裏主面に上述したようにそれぞれ銅箔が貼り付けられ
てなる。有機基材２０としては、例えば液晶ポリマ（Ｌ
ＣＰ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、
ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、ポリフェニレンエーテル
（ＰＰＥ）、ポリテトラフルオロエチレン（登録商標名
テフロン）、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉ
ｎ）、又はこれら樹脂にセラミック粉等の無機基材を分
散してなる基材から選択された有機基材が用いられる。
【００４０】ガラス織布２１は、図２に示すように所定
の線径を有するガラス繊維２２を、ピッチｐの間隔を以
って網目模様に織ってなる。有機基板５は、上述した有
機基材２０とガラス織布２１との特性によって等価的比
誘電率εｅが規定される。有機基板５は、上述したよう
に網目模様に織られたガラス繊維２２の影響を受けてガ
ラス繊維２２が存在する部位についてはその比誘電率に
より規定され、またガラス繊維２２が存在しない部位に
ついては有機基材２０の比誘電率により規定されること
で比誘電率が変化する。有機基板５は、有機基材２０と
ガラス繊維２２との比誘電率の差異分、第１の配線層６
に形成される共振器１３の特性変動を生じさせてしま
う。したがって、有機基板５は、共振器１３に対して、
比誘電率の変化の影響を及ぼさないように構成されてい
る。
【００４１】すなわち、有機基板５には、ガラス繊維２
２をピッチｐで網目模様に織ったガラス織布２１がコア
材として用いられているが、このガラス繊維２２の網目
ピッチｐが高周波モジュール１において使用される周波
数ｆの高周波信号に対してその波長進行方向に対して、
ｐ＜λｅ／１０とされてなる。なお、λｅは、有機基板
５中における高周波信号の実効波長であり、簡易的にλ
ｅ＝√εｅ×ｆで表される。有機基板５は、かかるガラ
ス織布２１が用いられることによって、図２に示すよう
にλｅ／４の長さに形成された共振器１３の共振器導体
パターン１６、１７及びこれらの対向間域内においてλ
ｅ／４単位当たりで密なる間隔を以ってガラス繊維２２
が配されるようになる。
【００４２】したがって、有機基板５は、共振器１３の
各導体パターンに対してガラス繊維２２が粗密の状態を
呈することなくほぼ均一な状態で存在するようになる。
共振器１３は、導体パターン１６、１７が比誘電率εｅ
を平均化された有機基板５の誘電絶縁層に形成されるよ
うになることから、比誘電率εｅの「ゆらぎ」発生が低
減されて安定した動作特性が得られるようになる。な
お、共振器１３は、ガラス繊維２２の網目ピッチｐがλ
ｅ／１０よりも小さい有機基板５が用いられた場合に、
共振器導体パターン１６、１７及びこれらの対向間隔領
域にガラス繊維２２が存在する状態と存在しない状態と
が生じるために比誘電率εｅの差が大きい「ゆらぎ」の
影響を受けて動作特性が劣化する。
【００４３】ベース基板部２は、詳細を省略するが第１
配線層６上に絶縁樹脂層を形成するとともに、この絶縁
樹脂層が平坦化されて高周波回路部３を形成するビルド
アップ面２ａを構成する。平坦化方法は、例えばアルミ
ナとシリカの混合液からなる研磨剤を用いて、絶縁樹脂
層を第１配線層６の配線パターンを露出させる研磨処理
によって行われる。ベース基板部２は、平坦化されたビ
ルドアップ面２ａを形成する方法として、上述した研磨
処理ばかりでなく、例えば方向性化学エッチング法（Ｒ
ＩＥ：Reactive Ion Etching）やプラズマエッチング法
（ＰＥ：PlasmaEtching）等を施して平坦化を行っても
よい。
【００４４】なお、ベース基板部２は、有機基板４の一
方主面上にのみ誘電絶縁層を介して多層の配線層や受動
素子を適宜形成するようにしてもよい。また、ベース基
板部２は、上述した第１配線層６乃至第４配線層９の４
層構造に限定されずさらに多層に構成してもよいことは
勿論である。さらに、ベース基板部２は、例えば両面銅
貼り有機基板をプリプレグを介して一体に接合して構成
するようにしてもよいことは勿論である。ベース基板部
２は、その他適宜の製造方法によって製作される。ベー
ス基板部２は、複数のガラス織布入り有機基板を用いる
場合に、共振器１３やストリップ線路或いは受動素子を
形成する有機基板についてのみガラス繊維を上述した網
目ピッチｐで織ったガラス織布をコア材とすればよい。
【００４５】また、ベース基板部２は、第２配線層７と
第３配線層８とを形成した状態で、有機基板４の表裏主
面に誘電絶縁層を形成してこの誘電絶縁層内に第１配線
層６と第４配線層９とを形成するようにしてもよい。ベ
ース基板部２は、有機基板４の主面上に例えばスピンコ
ート法やディップ法等によって誘電絶縁材を塗布して誘
電絶縁層を形成した後に、この誘電絶縁層に適宜の方法
により第１配線層６と第４配線層９に対応する所定のパ
ターン溝が形成される。ベース基板部２は、誘電絶縁層
上に例えばスパッタリング法等により導体層が全面に亘
って形成され、化学研磨法等によって誘電絶縁層とパタ
ーン溝内の導体層とを平坦化してビルドアップ面２ａを
構成するようにしてもよい。
【００４６】高周波モジュール１は、上述したベース基
板部２のビルドアップ面２ａ上に高周波回路部３が積層
形成される。高周波モジュール１は、上述したように比
較的廉価な有機基板５を用いて第１配線層６乃至第４配
線層９が一般的なプリントサーキッドボード技術等によ
り形成されることで、比較的精度が高く量産性もよくか
つ低コスト化が図られて製作される。
【００４７】以上のようにして製作されたベース基板部
２には、ビルドアップ面２ａ上に第１配線層２３と第２
配線層２４とからなる高周波回路部３が積層形成され
る。高周波回路部３は、第１配線層２３と第２配線層２
４とがビア１０を介して、相互にかつベース基板部２側
の各配線層と適宜接続されてなる。高周波回路部３は、
第１配線層２３が誘電絶縁層と適宜の導体パターンとか
ら構成される。誘電絶縁層は、ベース基板部２のビルド
アップ面２ａ上に、上述した有機基材２０と同様の誘電
絶縁材をスピンコート法やロールコート法等によって所
定の厚みを以って塗布して形成される。誘電絶縁層に
は、例えばスパッタ法等によってＡｌ、Ｐｔ或いはＡｕ
等の金属薄膜層が全面に亘って形成され、この金属薄膜
層にフォトリソグラフ処理やエッチング処理を施して導
体パターンが形成される。
【００４８】誘電絶縁層には、例えばスパッタ法等によ
って導体パターンを含んで全面に亘って窒化タンタル層
が成膜形成される。窒化タンタル層は、第１配線層２３
において抵抗体として作用するとともに陽極酸化されて
キャパシタ素子２５の誘電体膜２５ｂとして作用する酸
化タンタルのベースとなる。窒化タンタル層には、キャ
パシタ素子２５の下電極２５ａやレジスタ素子形成部に
対向する部位に開口部を設けた陽極酸化マスク層が形成
されて陽極酸化処理が施される。窒化タンタル層には、
各開口部に対応する部位が選択的に陽極酸化されること
によって酸化タンタル層が形成されるとともに、不要部
分がエッチング処理等によって除去される。なお、高周
波回路部３は、キャパシタ素子２５やレジスタ素子の形
成方法が上述した工程に限定されるものでは無く、例え
ば窒化タンタル層の全面に亘って陽極酸化処理を施して
酸化タンタル層を形成した後にパターニングを行うよう
にしてもよい。
【００４９】第２配線層２４も、上述した第１配線層２
３の誘電絶縁層や導体パターンと同様にして形成される
誘電絶縁層と適宜の導体パターンとから構成される。第
２配線層２４は、誘電絶縁層上にスパッタ法等によって
例えば高周波帯域において損失の小さい特性を有するＣ
ｕ層が成膜形成され、このＣｕ層にフォトリソグラフ処
理やエッチング処理を施して導体パターンが形成され
る。第２配線層２４は、誘電体膜２５ｂ上に形成されて
第１配線層２３側の下電極２５ａとによりキャパシタ素
子２５を構成する上電極２５ｃや、例えばスパイラルパ
ターンからなるインダクタ素子２６をパターン形成して
なる。また、第２配線層２４は、ＩＣチップ４等をフリ
ップチップ実装する適宜の端子部２７を形成してなる。
第２配線層２４は、端子部２７を外方に臨ませて全体が
例えばソルダレジスト等からなる保護層２８によって被
覆されてなる。
【００５０】以上のように構成された高周波回路部３
は、ベース基板部２の平坦化されたビルドアップ面２ａ
上に積層形成されることから、高精度のキャパシタ素子
２５やインダクタ素子２６等の受動素子が成膜形成され
る。高周波回路部３は、電源部等が形成されたベース基
板部２と電気的に分離されることによって、電気的干渉
が抑制されて特性の向上が図られる。高周波回路部３
は、上述したようにキャパシタ素子２５やインダクタ素
子２６がベース基板部２側のグランドとして作用する第
１配線層６のパターン開口部１４、１５に対向して形成
されている。したがって、高周波回路部３は、これらキ
ャパシタ素子２５等が、グランドパターンとの間にキャ
パシタ成分が生じて自己共振周波数やクオリティファク
タのＱ値の低下等を生じること無く、所定の動作特性が
保持されるようになる。なお、高周波回路部３には、必
要に応じて電磁波ノイズを遮断するシールドカバーが取
り付けられる。
【００５１】上述した高周波モジュール１においては、
ガラス繊維２２を高周波信号の波長進行方向に対してλ
ｅ／１０以下の網目ピッチｐで織ったガラス織布２１を
コア材とした有機基板５が用いられている。本発明は、
かかる有機基板５に限定されるものでは無く、例えば図
３乃至図５に示すようにガラス繊維２２の網目が共振器
１３の導体パターン１６、１７に対して高周波信号の波
長進行方向に傾き角度を付されるようにしたガラス織布
２１をコア材として形成された有機基板３０〜３２も用
いられる。
【００５２】各有機基板３０〜３２は、ガラス繊維２２
を網目模様に織ったガラス織布２１をコア材として有機
基材２０を一体化した基本的な構成を上述した有機基板
５と同様とする。また、各有機基板３０〜３２は、ガラ
ス繊維２２の網目ピッチが上述したｐ＜λｅ／１０の条
件に限定されるものではなく、例えば従来の有機基板と
同様の網目ピッチで織られてなるガラス織布２１も用い
られる。各有機基板３０〜３２については、上述した有
機基板５の各部と対応する部位については同一符号を付
すことによりその詳細を省略する。勿論、各有機基板３
０〜３２は、ガラス繊維２２の網目ピッチをλｅ／１０
以下とするようにしてよい。
【００５３】有機基板３０は、図３に示すように、ガラ
ス繊維２２の網目に対して共振器１３の共振器導体パタ
ーン１６、１７が約１０°の傾き角度θ１を以ってパタ
ーン形成されるガラス織布２１を備えてなる。換言すれ
ば、有機基板３０は、ガラス繊維２２の網目が同図矢印
で示す高周波信号の波長進行方向に対して約１０°の傾
き角度θ１を付されてなる。有機基板３０は、例えば外
周縁と平行な図示しない基準線を基準として共振器導体
パターン１６、１７が形成される。有機基板３０は、基
準線に対してガラス織布２１がガラス繊維２２の網目方
向を約１０°傾けられて有機基材２０と一体化されてな
る。
【００５４】したがって、有機基板３０においては、ガ
ラス繊維２２の網目ピッチがやや大きい場合であって
も、共振器導体パターン１６、１７を横切るガラス繊維
２２の本数が実質的に多くなるためにほぼ均等に存在す
るようになって粗密状態の発生が回避される。共振器導
体パターン１６、１７は、それぞれのリードパターン１
６ａ、１７ａが上述したように約４５°の角度を以って
連設されているが、これらリードパターン１６ａ、１７
ａや入出力パターン１８、１９にも同様にしてガラス繊
維２２がほぼ均等に配されるようになる。有機基板３０
においては、各共振器導体パターン１６、１７について
比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減されることから、特
性が安定した共振器１３の形成が可能となる。
【００５５】有機基板３１は、図４に示すように、ガラ
ス繊維２２の網目に対して共振器１３の共振器導体パタ
ーン１６、１７が約３０°の傾き角度θ２を以ってパタ
ーン形成されるガラス織布２１を備えてなる。有機基板
３１も、基準線に対してガラス織布２１がガラス繊維２
２の網目方向を約３０°傾けられて有機基材２０と一体
化されてなる。したがって、有機基板３１においては、
ガラス繊維２２の網目ピッチがやや大きい場合であって
も、上述した１０°傾斜の有機基板３０よりもさらに多
くのガラス繊維２２が共振器導体パターン１６、１７に
対してほぼ均等に存在するようになり粗密状態の発生が
回避される。有機基板３１においては、各共振器導体パ
ターン１６、１７について比誘電率等の「ゆらぎ」発生
が低減されて特性が安定した共振器１３の形成が可能と
なる。
【００５６】有機基板３２は、図５に示すように、ガラ
ス繊維２２の網目に対して共振器１３の共振器導体パタ
ーン１６、１７が約４５°の傾き角度θ２を以ってパタ
ーン形成されるガラス織布２１を備えてなる。有機基板
３２も、基準線に対してガラス織布２１がガラス繊維２
２の網目方向を約４５°傾けられて有機基材２０と一体
化されてなる。したがって、有機基板３１においては、
ガラス繊維２２の網目ピッチがやや大きい場合であって
も、上述した１０°傾斜の有機基板３０或いは３０°傾
斜の有機基板３１よりもガラス繊維２２が共振器導体パ
ターン１６、１７に対してさらに多くほぼ均等に存在す
るようになり粗密状態の発生が回避される。有機基板３
２においては、各共振器導体パターン１６、１７につい
て比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減されて特性が安定
した共振器１３の形成が可能となる。
【００５７】なお、有機基板は、基準線に対してガラス
織布２１がガラス繊維２２の網目方向を高周波信号の波
長進行方向に対して約１０°未満（対称として８０°か
ら９０°の範囲）程度を傾けて有機基材２０と一体化し
た場合には、各共振器導体パターン１６、１７を横切る
本数がやや少なくなって、比誘電率等の「ゆらぎ」発生
を確実に低減し得ないために特性が不安定となる。
【００５８】また、高周波モジュール１においては、ベ
ース基板部２の内層に共振器１３を形成するとともに、
高周波回路部３にキャパシタ素子３２やインダクタ素子
３３或いはレジスタ素子を形成するようにしたが、かか
る構成に限定されるものでは無いことは勿論である。高
周波モジュール１は、ベース基板部２の内層にストリッ
プ線路や受動素子を形成してもよく、この場合にも各導
体パターンに対してガラス織布２１のガラス繊維２２が
λ／４単位当たりで密なる間隔を以ってほぼ均等に配さ
れるように構成されればよい。
【００５９】上述した高周波モジュール１においては、
多層有機基板をベース基板部２として、このベース基板
部２の平坦化されたビルドアップ面２ａ上に各受動素子
が薄膜形成された高周波回路部３を積層形成してなる。
本発明は、かかる高周波モジュール１に限定されるもの
ではなく、例えば図６に示すようにガラス織布入り有機
基板からなる第１層有機基板４１乃至第３層有機基板４
３をプリプレグ等によって一体に積層してなる高周波モ
ジュール４０にも適用される。第１層有機基板４１乃至
第３層有機基板４３は、上述した高周波モジュール１の
有機基板５と同様に、それぞれガラス繊維を網目模様に
織ったガラス織布４１ａ〜４３ａをコア材として有機基
材が一体化されてなる。
【００６０】高周波モジュール４０は、両面銅貼り基板
からなる第１層有機基板４１の表裏主面に第１配線層４
４及び第２配線層４５が形成され、第２層有機基板４２
を介して両面銅貼り基板からなる第３層有機基板４３の
表裏主面に第３配線層４６及び第４配線層４７が形成さ
れてなる。なお、高周波モジュール４０は、例えば第１
層有機基板４１に両面銅貼り基板を用いて、第２層有機
基板４２と第３層有機基板４と３とを片面銅貼り基板を
用いるようにしてもよい。
【００６１】高周波モジュール４０は、第１配線層４４
乃至第４配線層４７が、各有機基板に対して基板に貼着
された銅箔にフォトリソグラフ処理やエッチング処理を
施すことによって所定の導体パターンがパターン形成さ
れてなる。高周波モジュール４０は、第１配線層４４乃
至第４配線層４７の適宜の導体パターンが、ビア４８を
介して適宜接続されている。最上層の第１配線層４４
は、第１のグランド面を構成するとともに、λ／４波長
分の長さを有する互いに平行なマイクロストリップ構造
の一対の共振器導体パターン４９、５０やマイクロスト
リップ線路５１等が形成されている。第２配線層４５
は、いわゆるベタパータンからなり第２グランド面を構
成している。
【００６２】高周波モジュール４０は、例えば第３配線
層４６に電源回路や制御系信号回路を構成する導体パタ
ーンを形成するとともに、第４配線層４７に電源回路を
構成する導体パターンを形成してなる。高周波モジュー
ル４０は、第４配線層４７が保護層５２によって被覆さ
れるとともに、この保護層５２の所定箇所にフォトリソ
グラフ処理等を施こすことにより開口部を形成してな
る。高周波モジュール４０は、各開口部に露出された第
４配線層４７の適宜の配線パターンに、例えば無電解Ｎ
ｉ−Ａｕめっきが施されて端子５３が形成される。高周
波モジュール４０は、これら入出力端子５３を介して図
示しないインターポーザ上に実装される。
【００６３】かかる高周波モジュール４０は、特に第１
配線層４４に形成される共振器導体パターン４９、５０
やマイクロストリップ線路５１に対して、第１層有機基
板４１の比誘電率特性が影響を及ぼすようになる。高周
波モジュール４０は、上述した高周波モジュール１と同
様に、共振器導体パターン４９、５０やマイクロストリ
ップ線路５１が第１層有機基板４１のガラス織布４１ａ
に対してガラス繊維が粗領域と密領域とに形成される場
合に比誘電率の「ゆらぎ」の影響を受ける。
【００６４】したがって、高周波モジュール４０におい
ては、第１層有機基板４１のガラス織布４１ａが、少な
くとも共振器導体パターン４９、５０やマイクロストリ
ップ線路５１の形成領域において、高周波信号の波長進
行方向に対して実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密
なる間隔を以って配されてなる。第１層有機基板４１
は、ガラス繊維が網目ピッチを周波数ｆの高周波信号に
対してその波長進行方向に対して、λｅ／１０以下にし
て織ったガラス織布４１ａをコア材としてなる。また、
第１層有機基板４１は、ガラス繊維が網目方向を共振器
導体パターン４９、５０やマイクロストリップ線路５１
に対して１０°以上傾けて織ったガラス織布４１ａをコ
ア材としてなる。
【００６５】以上のように構成された高周波モジュール
４０においては、共振器導体パターン４９、５０やマイ
クロストリップ線路５１に対してガラス繊維がほぼ均等
に配されるようになることから、第１層有機基板４１の
比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減され、安定した動作
特性の共振器や線路の形成が可能となる。
【００６６】なお、高周波モジュール４０は、第２配線
４５乃至第４配線層４７に高周波的影響が無いことか
ら、層第２層有機基板４２や第３層有機基板４３に一般
的な構造のガラス織布４２ａ、４３ａをコア材とした有
機基板が用いられる。
【００６７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明にかか
る高周波モジュール用基板によれば、ガラス繊維を網目
模様に織ってなるガラス織布のコア材に有機基材を一体
化してなり、ガラス織布がガラス繊維を高周波信号を伝
送処理する共振線路や受動素子を構成する導体部のパタ
ーン形成領域内において高周波信号の波長進行方向に対
して実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔を
以って配されるように構成されてなる。したがって、高
周波モジュール用基板によれば、ガラス織布をコア材と
することで有機基板に充分な機械的強度が保持されると
ともに、導体部がパターン形成された状態において各パ
ターンに対してガラス繊維がほぼ均等に存在して粗密の
状態によって生じる比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減
されるようになり特性が安定した導体部をパターン形成
することが可能となる。
【００６８】また、本発明にかかる高周波モジュールに
よれば、ガラス繊維を網目模様に織ってなるガラス織布
のコア材に有機基材を一体化してなる有機基板上に高周
波信号を伝送処理する共振線路や受動素子を構成する導
体部がパターン形成され、有機基板が各導体部のパター
ン形成領域内において高周波信号の波長進行方向に対し
て実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔を以
ってガラス繊維が配されるガラス織布を備えてなる。し
たがって、高周波モジュールによれば、有機基板の各導
体部のパターン形成領域内に高周波信号の波長進行方向
に対してガラス繊維が密なる状態で配されることから、
パターン形成された導体部に対してそれぞれの各パター
ンにガラス繊維がほぼ均等に存在して粗密の状態によっ
て生じる比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減されるよう
になり特性が安定した導体部をパターン形成することが
可能となるとともに、歩留まりが向上されかつ調整の後
工程を不要としてコスト低減が図られる。
【００６９】さらに、本発明にかかる高周波モジュール
によれば、ベース基板部と高周波回路部とを備えてベー
ス基板部及び高周波回路部に高周波信号を伝送処理する
共振線路や受動素子を構成する導体部がパターン形成さ
れてなり、ベース基板部にガラス繊維を網目模様に織っ
たガラス織布をコア材として有機基材を一体化してなる
有機基板の主面上に多層の配線層を形成するとともに少
なくとも最上層が平坦化処理を施されてビルドアップ形
成面が構成されてなる。高周波モジュールは、ベース基
板部が、高周波回路部の受動素子形成領域と対向する部
位を非パターン形成領域とされるとともに、この非パタ
ーン形成領域のガラス織布が高周波信号の波長進行方向
に対して実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間
隔を以ってガラス繊維が配されるように構成されてな
る。したがって、高周波モジュールによれば、ベース基
板部の非パターン形成領域に対向して高周波回路部に受
動素子が形成されることから、ベース基板部側のパター
ンの影響が低減されて安定した特性を有する受動素子が
形成される。また、高周波モジュールによれば、有機基
板の各導体部のパターン形成領域内に高周波信号の波長
進行方向に対してガラス繊維が密なる状態で配されるこ
とから、パターン形成された導体部に対してそれぞれの
各パターンにガラス繊維がほぼ均等に存在して粗密の状
態によって生じる比誘電率等の「ゆらぎ」発生が低減さ
れるようになり特性が安定した導体部をパターン形成す
ることが可能となるとともに、歩留まりが向上されかつ
調整の後工程を不要としてコスト低減が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる高周波モジュールの要部縦断面
図である。
【図２】ガラス繊維をピッチｐにより網目模様に織った
ガラス織布をコア材とした有機基板と、この有機基板に
パターン形成される共振器の共振器導体パターンとの構
成説明図である。
【図３】ガラス繊維２２の網目方向を約１０°傾けて網
目模様に織ったガラス織布をコア材とした有機基板と、
この有機基板にパターン形成される共振器の共振器導体
パターンとの構成説明図である。
【図４】ガラス繊維２２の網目方向を約３０°傾けて網
目模様に織ったガラス織布をコア材とした有機基板と、
この有機基板にパターン形成される共振器の共振器導体
パターンとの構成説明図である。
【図５】ガラス繊維２２の網目方向を約４５°傾けて網
目模様に織ったガラス織布をコア材とした有機基板と、
この有機基板にパターン形成される共振器の共振器導体
パターンとの構成説明図である。
【図６】一般的な方法によって製作される高周波モジュ
ールへの適用例を示す要部縦断面図である。
【図７】従来の高周波モジュールに形成されるインダク
タの説明図である。
【図８】従来のシリコン基板を用いた高周波モジュール
の要部縦断面図である。
【図９】従来のガラス基板を用いた高周波モジュールの
要部縦断面図である。
【図１０】ガラス織布をコア材とした銅貼り有機基板を
ベース基板部として、このベース基板部に薄膜形成され
た受動素子を有する高周波回路部を積層形成してなる高
周波モジュールの要部縦断面図である。
【図１１】ガラス繊維をピッチｊにより網目模様に織っ
たガラス織布をコア材とした有機基板と、この有機基板
にパターン形成される共振器の共振器導体パターンとの
構成説明図である。
【図１２】共振器の共振器導体パターンの形成位置によ
ってガラス繊維の粗密状態が発生する状態の説明図であ
る。
【図１３】ガラス繊維の有無による有機基板の実効誘電
率の変動状態の説明図である。
【符号の説明】
１ 高周波モジュール、２ ベース基板部、３ 高周波
回路部、５ 有機基板、６ 第１配線層、７ 第２配線
層、８ 第３配線層、９ 第４配線層、１３共振器、１
４，１５ パターン開口部、１６，１７ 共振器導体パ
ターン、２０有機基材、２１ ガラス織布、２２ ガラ
ス繊維、２３ 第１配線層、２４第２配線層、２５ キ
ャパシタ素子、２６ インダクタ素子、３０，３１，３
２有機基板、４０ 高周波モジュール、

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス繊維を網目模様に織ってなるガラ
    ス織布のコア材に有機基材を一体化してなり、周波数ｆ
    の高周波信号を伝送処理する共振線路や受動素子を構成
    する導体部がパターン形成される高周波モジュール用基
    板において、 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維を、上記各導体部の
    パターン形成領域内において上記高周波信号の波長進行
    方向に対して実効波長λｅのλｅ／４単位当たりで密な
    る間隔を以って配されるように構成されることを特徴と
    する高周波モジュール用基板。
  2. 【請求項２】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維を、
    上記高周波信号の実効波長λｅに対してλｅ／１０以下
    の網目ピッチで網目模様に織られてなることを特徴とす
    る請求項１に記載の高周波モジュール用基板。
  3. 【請求項３】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維の網
    目模様を、上記高周波信号の波長進行方向に対して１０
    °乃至８０°の傾き角度を付されるように配されること
    を特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール用基
    板。
  4. 【請求項４】 上記有機基材に、低比誘電率特性、低損
    失特性を有する液晶ポリマ、ベンゾシクロブテン、ポリ
    イミド、ポリノルボルネン、ポリフェニルエーテル、ポ
    リテトラフルオロエチレン、ＢＴ−レジン、又はこれら
    樹脂にセラミック粉を分散してなる基材から選択された
    有機基材が用いられることを特徴とする請求項１に記載
    の高周波モジュール用基板。
  5. 【請求項５】 ガラス繊維を網目模様に織ってなるガラ
    ス織布のコア材に有機基材を一体化してなる有機基板上
    に、高周波信号を伝送処理する共振線路や受動素子を構
    成する導体部をパターン形成してなる高周波モジュール
    において、 上記有機基板が、上記各導体部のパターン形成領域内に
    おいて上記高周波信号の波長進行方向に対して実効波長
    λｅのλｅ／４単位当たりで密なる間隔を以って上記ガ
    ラス繊維が配される上記ガラス織布を備えることを特徴
    とする高周波モジュール。
  6. 【請求項６】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維を、
    上記高周波信号の実効波長λｅに対してλｅ／１０以下
    の網目ピッチで網目模様に織られてなることを特徴とす
    る請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 【請求項７】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維の網
    目模様を、上記高周波信号の波長進行方向に対して１０
    °乃至８０°の傾き角度を付されるように配されること
    を特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
  8. 【請求項８】 上記有機基板が、低比誘電率特性、低損
    失特性を有する液晶ポリマ、ベンゾシクロブテン、ポリ
    イミド、ポリノルボルネン、ポリフェニルエーテル、ポ
    リテトラフルオロエチレン、ＢＴ−レジン、又はこれら
    樹脂にセラミック粉を分散してなる基材から選択された
    有機基材が用いられ、上記コア材に一体化されて成形さ
    れることを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュー
    ル。
  9. 【請求項９】 上記有機基板が、配線層を多層に形成し
    た多層配線基板であることを特徴とする請求項５に記載
    の高周波モジュール。
  10. 【請求項１０】 ガラス繊維を網目模様に織ったガラス
    織布をコア材として有機基材を一体化してなる有機基板
    の主面上に多層の配線層を形成するとともに少なくとも
    最上層が平坦化処理を施されてビルドアップ形成面を構
    成してなるベース基板部と、 上記ベース基板部のビルドアップ形成面上に形成した誘
    電絶縁層内に、少なくとも受動素子と配線パターンとを
    多層に形成してなる高周波回路部とを備え、 上記ベース基板部及び上記高周波回路部に高周波信号を
    伝送処理する共振線路や受動素子を構成する導体部がパ
    ターン形成されてなり、 上記ベース基板部が、上記高周波回路部の受動素子形成
    領域と対向する部位を非パターン形成領域とされるとと
    もに、この非パターン形成領域の上記ガラス織布が上記
    高周波信号の波長進行方向に対して実効波長λｅのλｅ
    ／４単位当たりで密なる間隔を以って上記ガラス繊維が
    配されるように構成されることを特徴とする高周波モジ
    ュール。
  11. 【請求項１１】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維
    を、上記高周波信号の実効波長λｅに対してλｅ／１０
    以下の網目ピッチで網目模様に織られてなることを特徴
    とする請求項１０に記載の高周波モジュール。
  12. 【請求項１２】 上記ガラス織布が、上記ガラス繊維の
    網目模様を、上記高周波信号の波長進行方向に対して１
    ０°乃至８０°の傾き角度を付されるように配されるこ
    とを特徴とする請求項１０に記載の高周波モジュール。
  13. 【請求項１３】 上記ベース基板部の有機基板が、低比
    誘電率特性、低損失特性を有する液晶ポリマ、ベンゾシ
    クロブテン、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリフェ
    ニルエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ＢＴ−レ
    ジン、又はこれら樹脂にセラミック粉を分散してなる基
    材から選択された有機基材が用いられ、上記コア材に一
    体化されて成形されることを特徴とする請求項１０に記
    載の高周波モジュール。
  14. 【請求項１４】 上記受動素子が、薄膜技術よって成膜
    形成されるインダクタ素子、キャパシタ素子、レジスタ
    素子であることを特徴とする請求項１０に記載の高周波
    モジュール。
JP2002017619A 2002-01-25 2002-01-25 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール Expired - Fee Related JP4023166B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002017619A JP4023166B2 (ja) 2002-01-25 2002-01-25 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール
PCT/JP2003/000682 WO2003063237A1 (fr) 2002-01-25 2003-01-24 Substrat pour module haute frequence et module haute frequence
CNA038001357A CN1498421A (zh) 2002-01-25 2003-01-24 用于高频模块的电路板以及高频模块
KR10-2003-7012429A KR20040076577A (ko) 2002-01-25 2003-01-24 고주파 모듈 장치 및 고주파 모듈
US10/472,325 US20040130877A1 (en) 2002-01-25 2003-01-24 Substrate for high-frequency module and high-frequency module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002017619A JP4023166B2 (ja) 2002-01-25 2002-01-25 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003218271A true JP2003218271A (ja) 2003-07-31
JP4023166B2 JP4023166B2 (ja) 2007-12-19

Family

ID=27606173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002017619A Expired - Fee Related JP4023166B2 (ja) 2002-01-25 2002-01-25 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040130877A1 (ja)
JP (1) JP4023166B2 (ja)
KR (1) KR20040076577A (ja)
CN (1) CN1498421A (ja)
WO (1) WO2003063237A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2079289A2 (en) 2008-01-08 2009-07-15 Fujitsu Limited Printed wiring board and printed substrate unit
JP2010258586A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Taiyo Yuden Co Ltd 通信モジュール
CN102595780A (zh) * 2003-08-15 2012-07-18 英特尔公司 电路板设计
WO2013140812A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 パナソニック株式会社 ガラスクロス及びその製造方法、プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板
WO2017090181A1 (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 富士通株式会社 回路基板及び電子装置
DE102018221036A1 (de) 2017-12-12 2019-06-13 Denso Corporation Bedrucktes substrat und drahtloskommunikationsvorrichtung

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087007A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sony Corp 高周波モジュール基板装置
JP4318417B2 (ja) * 2001-10-05 2009-08-26 ソニー株式会社 高周波モジュール基板装置
WO2006026566A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-09 Vasoya Kalu K Printed wiring boards possessing regions with different coefficients of thermal expansion
JP4185499B2 (ja) * 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7465596B2 (en) * 2005-06-30 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
USRE45637E1 (en) 2005-08-29 2015-07-28 Stablcor Technology, Inc. Processes for manufacturing printed wiring boards
US8553364B1 (en) 2005-09-09 2013-10-08 Magnecomp Corporation Low impedance, high bandwidth disk drive suspension circuit
US7829793B2 (en) * 2005-09-09 2010-11-09 Magnecomp Corporation Additive disk drive suspension manufacturing using tie layers for vias and product thereof
US8395866B1 (en) 2005-09-09 2013-03-12 Magnecomp Corporation Resilient flying lead and terminus for disk drive suspension
US7781679B1 (en) * 2005-09-09 2010-08-24 Magnecomp Corporation Disk drive suspension via formation using a tie layer and product
US20080026181A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Ravi Rastogi Synergistically-modified surfaces and surface profiles for use with thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US8395053B2 (en) * 2007-06-27 2013-03-12 Stats Chippac Ltd. Circuit system with circuit element and reference plane
JP2009164174A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujitsu Ltd プリント配線板およびプリント基板ユニット
CN102223762B (zh) * 2010-04-13 2012-09-12 北京联合大学 高精度提花玻璃纤维布
JP5471870B2 (ja) * 2010-06-17 2014-04-16 富士通株式会社 配線基板
GB201207857D0 (en) * 2012-05-04 2012-06-20 Radio Design Ltd Telecommunications apparatus and method of manufacture therof
KR20140134479A (ko) * 2013-05-14 2014-11-24 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US9332632B2 (en) 2014-08-20 2016-05-03 Stablcor Technology, Inc. Graphene-based thermal management cores and systems and methods for constructing printed wiring boards
US9456496B2 (en) * 2015-02-12 2016-09-27 International Business Machines Corporation Substrate containing low-Dk-core glass fibers having low dielectric constant (Dk) cores for use in printed circuit boards (PCBs), and method of making same
US9520356B1 (en) * 2015-09-09 2016-12-13 Analog Devices, Inc. Circuit with reduced noise and controlled frequency
US10212812B2 (en) 2016-01-15 2019-02-19 International Business Machines Corporation Composite materials including filled hollow glass filaments
US10349513B2 (en) * 2016-07-28 2019-07-09 Qualcomm Incorporated Circuits and methods providing electronic band gap (EBG) structures at memory module electrical coupling
KR102017159B1 (ko) * 2018-03-12 2019-09-02 삼성전자주식회사 안테나 모듈
KR102068813B1 (ko) 2018-10-05 2020-01-22 삼성전기주식회사 전자 부품
KR102652266B1 (ko) * 2019-01-31 2024-03-28 (주)포인트엔지니어링 다층 배선 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드
TW202119877A (zh) * 2019-11-05 2021-05-16 南韓商普因特工程有限公司 多層配線基板及包括其的探針卡
CN114420681B (zh) * 2022-01-26 2024-05-07 西安电子科技大学 一种晶圆级可重构Chiplet集成结构
CN116095943B (zh) * 2022-12-19 2024-04-16 深圳市金晟达电子技术有限公司 一种多层阻抗hdi线路板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4580132A (en) * 1983-05-04 1986-04-01 Nitto Boseki Co., Ltd. Method of and apparatus for detecting electrically conductive material in glass fibers or articles made of glass fibers
US4778950A (en) * 1985-07-22 1988-10-18 Digital Equipment Corporation Anisotropic elastomeric interconnecting system
JP2898814B2 (ja) * 1992-02-25 1999-06-02 株式会社日立製作所 印刷インダクタ付き多層配線板
US5490000A (en) * 1992-12-07 1996-02-06 Casio Computer Co., Ltd. Deformed helix ferroelectric liquid crystal display device and method of driving
JP3325351B2 (ja) * 1993-08-18 2002-09-17 株式会社東芝 半導体装置
JPH09260797A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Sony Corp 配線基板
JPH10117048A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Tec Corp プリント基板
US5967195A (en) * 1997-08-01 1999-10-19 Weavexx Corporation Multi-layer forming fabric with stitching yarn pairs integrated into papermaking surface
US6224965B1 (en) * 1999-06-25 2001-05-01 Honeywell International Inc. Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling
JP2002076544A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Nippon Pillar Packing Co Ltd フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法
JP2002076547A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Nippon Pillar Packing Co Ltd フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法
JP4529262B2 (ja) * 2000-09-14 2010-08-25 ソニー株式会社 高周波モジュール装置及びその製造方法
JP3905325B2 (ja) * 2001-04-23 2007-04-18 富士通株式会社 多層プリント配線板
US6909473B2 (en) * 2002-01-07 2005-06-21 Eastman Kodak Company Display apparatus and method

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2480056A3 (en) * 2003-08-15 2012-12-05 Intel Corporation Circuit board design
CN102595780A (zh) * 2003-08-15 2012-07-18 英特尔公司 电路板设计
EP2480054A3 (en) * 2003-08-15 2012-12-05 Intel Corporation Circuit board design
EP2480057A3 (en) * 2003-08-15 2012-12-05 Intel Corporation Circuit board design
CN102625573A (zh) * 2003-08-15 2012-08-01 英特尔公司 电路板设计
CN102625572A (zh) * 2003-08-15 2012-08-01 英特尔公司 电路板设计
EP2480053A3 (en) * 2003-08-15 2012-12-05 Intel Corporation Circuit board design
EP2480055A3 (en) * 2003-08-15 2012-12-05 Intel Corporation Circuit board design
US9596766B2 (en) 2003-08-15 2017-03-14 Intel Corporation Method of manufacturing a circuit board
US8415002B2 (en) 2003-08-15 2013-04-09 Intel Corporation Method of manufacturing a circuit board
CN102595779A (zh) * 2003-08-15 2012-07-18 英特尔公司 电路板设计
EP2079289A2 (en) 2008-01-08 2009-07-15 Fujitsu Limited Printed wiring board and printed substrate unit
JP2010258586A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Taiyo Yuden Co Ltd 通信モジュール
WO2013140812A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 パナソニック株式会社 ガラスクロス及びその製造方法、プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板
JPWO2013140812A1 (ja) * 2012-03-22 2015-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ガラスクロス及びその製造方法、プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板
WO2017090181A1 (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 富士通株式会社 回路基板及び電子装置
US10306757B2 (en) 2015-11-27 2019-05-28 Fujitsu Limited Circuit board and electronic device
DE102018221036A1 (de) 2017-12-12 2019-06-13 Denso Corporation Bedrucktes substrat und drahtloskommunikationsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US20040130877A1 (en) 2004-07-08
CN1498421A (zh) 2004-05-19
JP4023166B2 (ja) 2007-12-19
WO2003063237A1 (fr) 2003-07-31
KR20040076577A (ko) 2004-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4023166B2 (ja) 高周波モジュール用基板及び高周波モジュール
JP4318417B2 (ja) 高周波モジュール基板装置
US6714422B2 (en) High frequency module device and method for its preparation
US7599190B2 (en) High-frequency module, and method of producing same
KR100862544B1 (ko) 고주파 모듈 장치
US6972646B2 (en) Filter circuit device and method of manufacturing the same
US7439840B2 (en) Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7064630B2 (en) High-frequency module and its manufacturing method
US20050037535A1 (en) Method for fabricating high frequency module
WO2003050909A1 (fr) Dispositif de carte de circuit imprime et procede de fabrication
JP2003264348A (ja) 高周波モジュール
JP2003087007A (ja) 高周波モジュール基板装置
JP4595240B2 (ja) 高周波モジュール基板装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070911

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070924

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees