CN1498041A - 电光装置、矩阵基板以及电子设备 - Google Patents
电光装置、矩阵基板以及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1498041A CN1498041A CNA03156836XA CN03156836A CN1498041A CN 1498041 A CN1498041 A CN 1498041A CN A03156836X A CNA03156836X A CN A03156836XA CN 03156836 A CN03156836 A CN 03156836A CN 1498041 A CN1498041 A CN 1498041A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- source line
- electro
- negative electrode
- optical device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 106
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical class C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRTLROCMFSDSNF-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-pyrrole Chemical class C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=C1 IRTLROCMFSDSNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001061127 Thione Species 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- NOVHEGOWZNFVGT-UHFFFAOYSA-N hydrazine Chemical class NN.NN NOVHEGOWZNFVGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 150000003966 selones Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有能够向电光元件的共用电极供给充分的电力的电源布线结构的电光装置。该装置是由包含在基板(15)的有效区域(11)的上方形成的第一电极层与设置在所述第一电极上方的第二电极层(14)的叠层结构所构成的电光元件的电光装置,其特征在于:所述第一电极层中包含实施电压供给的第一电源线及与所述第二电极层相互电连接的第二电源线(16),所述第一电源线与所述第二电源线同时被设置在所述有效区域的上方,且在所述第一电极层的同层或第一电极层以下的层上。
Description
技术领域
本发明涉及适合于具有电光元件的电光装置中的电源布线结构。
背景技术
由于有机EL(electro luminescence)元件是电流驱动型的自发光元件,所以它不需要背照光,而且还具有消费电力低、视角宽、能够得到高对比度等的优点,可用于开发平面板显示器。有机EL元件是在阳极与阴极之间夹持含有荧光性物质的发光层所构成的电光元件,通过对两极间供给顺偏置电流,由阳极注入的孔穴与由阴极注入的电子再结合时的再结合能量而自发光。因此,使有机EL元件发光时,必须由外部电路供给电源。在以往的有源矩阵变换驱动型有机EL显示器面板中,在像素领域内设置的各个像素中配置成为阳极的像素电极,另一方面,作为共用电极的阴极,一般是采用在像素区域全体覆盖的结构。例如在特平开11-24606号公报(专利文献1)中,公布了以布线布局的最优化来降低消费电力与提高发光效率为特征的显示装置。
[专利文献1]特平开11-24606号公报
但是,为了使用电光元件实现显示器面板,共用电极的布线电阻就成为问题。也就是说,由于在共用电极的布线电阻大时,图像中央附近的像素的电压下降也增大,所以就不能对图像中央附近供给充分的电流,难以进行正确的灰度表示,使显示器面板的显示性能下降。由于显示器面板越大,共用电极的布线电阻就越大,这样的问题也就越严重。
特别是在从透明的阴极一侧射出光的顶部发射结构中,能够作为具有与金属层同等电阻值的透光性电极的合适的材料尚未开发,所以共用电极的低电阻化仍是一个问题。
发明内容
因此,本发明的目的是,提供一种具有能够向电光元件的共用电极供给充分电力的电源布线结构的电光装置及矩阵基板。而且,本发明的又一目的是提供能够实现显示器面板的窄边缘化的电光装置及矩阵基板。
本发明的电光装置是,是包含由在基板的有效区域上方形成的第一电极层和在所述第一电极层的上方设置的第二电极层的叠层结构所构成电光元件的电光装置,其特征在于:具有向所述第一电极层进行电压供给的第一电源线以及与所述第二电极层电连接的第二电源线,所述第一电源线及所述第二电源线,同时被设置在所述有效区域的上方,且被设置在与所述第一电极层同层或在第一电极层的下层。
这样,通过在基板的有效区域上叠层的多层结构的任意一层中形成与第二电极层相电连接的第二电源线,即使是在第二电极层高电阻化的情况下,也能够供给充分的电力。而且,由于第二电极层与第二电源线的电连接点能够设置在多层叠层结构的内部,所以能够实现显示器面板的窄边缘化。
这里,所谓“电光元件”,是指在电的作用下使光的光学状态发生变化的一般电子元件,除了有机电致发光元件等自发光元件之外,还包含液晶元件等通过使光的偏向状态发生变化来进行灰度显示的电子元件。还有,所谓“有效区域”是指基板上对电光显示有贡献的区域,即应该形成电光元件的区域,与本实施例中的“显示区域”的意义相同。所谓“多层叠层结构”,是指由基板上叠层的多层薄膜所组成的叠层结构,不仅包含构成电光元件的设备层,还包含层间绝缘膜、电极层、电源线等。而且,在本发明中,在第一电极层与第一电源线之间,还可以存在晶体管等电子元件。
而且,根据制造工艺的情况,第一电源线与第二电源线可以在同一层内形成,也可以分别在不同的层内形成。
在本发明的电光装置中,理想的是把所述第一电源线与第二电源线的至少一部分配置在同一层内。这样的结构,能够使制造工艺简易化。
在本发明的电光装置中,最好使所述第二电极层具有作为所述电光元件的阴极的功能。由第二电极层作为阴极,能够使电光元件的电阻值下降。
在本发明的电光装置中,最好使所述第二电源线具有作为阴极辅助布线的功能。由此,能够向电光元件的阴极供给充分的电力。
在本发明的电光装置中,最好使所述第二电极层具有透光性。由此,能够实现从第二电极层发射光的顶部发射结构,使数值孔径提高。
在本发明的电光装置中,最好使所述第二电源线在构成所述多层叠层结构中以规定的分散密度形成线状。通过第二电源线以所规定的分散密度的分散,能够使第二电极层的电阻值下降。
在本发明的电光装置中,最好把所述第二电源线与所述第二电极层在所述多层叠层结构的不同层内形成,使两者在所述多层叠层结构内相电连接。通过将第二电极层与第二电源线的电连接点可设置在多层叠层结构的内部,能够实现显示器面板的窄边缘化。
在本发明的电光装置中,最好是所述第二电源线与所述第二电极层相电连接的位置是在沿着所述第二电源线的延长方向上的多个部位。通过将第二电源线与所述第二电极层相电连接点设置为多处,能够实现第二电极层的低电阻化。
在本发明的电光装置中,最好把所述第二电源线与所述第二电极层以层间绝缘层为媒介在不同的层内形成,使两者通过在所述层间绝缘层上开口的导电孔而电连接。通过第二电源线与第二电极层在多层叠层结构体的不同层内形成,能够使两者的形成工序分离。
在本发明的电光装置中,最好使所述第二电源线的排列方向与在略呈直角的两个方向上排列的电光元件的排列方向中的任意一个排列方向大体平行。通过第二电源线的排列方向与电光元件的排列方向的平行设置,能够对呈直角的两个方向上排列电光元件的第二电极层供给充分的电力。
在本发明的电光装置中,希望所述第二电源线的排列间距略为等间隔。通过第二电源线的等间隔排列,能够对呈直角的两个方向上排列电光元件供给均等的电力。
在本发明的电光装置中,所述电光元件最好是有机电致发光元件。通过使用有机电致发光元件,能够由电流的驱动调节发光灰度。
本发明的电子设备设置有所述的电光装置。作为电子设备只要是设置有显示装置的设备即可人,并无特别的限制,例如,可以用于移动电话、摄像机、个人计算机、主安装显示器、放映机、传真装置、数码相机、携带型电视机、DSP(Digital Signal Processing数字信号处理)装置、PDA(Personal Digital Assistant个人数字助理)、电子手册等。
25.本发明的矩阵基板,是用于形成由包含第一电极层与第二电极层的多层叠层结构所构成的电光元件的矩阵基板,其特征在于:包含:形成在基板上方的第1电极层、向所述第一电极层进行电压供给的第一电源线、及与应在所述第一电极层的上方形成的第二电极层电连接的第二电源线,所述第一电源线及所述第二电源线,被同时设置在所述有效区域的上方,且在与所述第一电极层的同层或在第一电极层以下的层上。
这样,通过应在基板有效区域的上方叠层的电光元件的多层叠层结构中的任意一层形成为了与第二电极层相电连接的第二电源线,即使是在第二电极层高电阻化的情况下,也能够供给充分的电力。而且,由于第二电极层与第二电源线的电连接点能够设置在多层叠层结构的内部,所以能够实现显示器面板的窄边缘化。这里,所谓“矩阵基板”,是指尚未形成电光元件的布线基板。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第一电源线与第二电源线至少有一部分配置在同一层内。这样的结构能够使制造工艺简易化。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电极层具有作为所述电光元件的阴极的功能。通过第二电极层作为阴极,能够使电光元件的阴极电阻值下降。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线具有作为阴极辅助布线的功能。由此,能够对电光元件的阴极供给充分的电力。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电极层具有透光性。由此,能够实现从第二电极层发生光的顶部发射结构,使数值孔径提高。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线在构成所述多层叠层结构的任意层中以规定的分散密度形成线状。通过第二电源线以规定的分散密度的分散,能够使第二电极层的电阻值下降。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线与所述第二电极层在所述多层叠层结构的不同层内形成,两者在所述多层叠层结构内相电连接。通过将第二电极层与第二电源线的电连接点能够设置在多层叠层结构的内部,能够实现显示器面板的窄边缘化。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线与所述第二电极层相电连接的位置是在沿着所述第二电源线的延长方向上的多个部位。通过将第二电源线与所述第二电极层相电连接点设置为多处,能够实现第二电极层的低电阻化。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线与所述第二电极层是以层间绝缘层为媒介在不同的层内形成,两者通过在所述层间绝缘层上开口的导电孔构成电连接。通过第二电源线与第二电极层在多层叠层结构体的不同层内形成,能够使两者的形成工序分离。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线的排列方向与在略呈直角的两个方向上排列的电光元件的排列方向中的任意一个排列方向大体平行。通过第二电源线的排列方向与电光元件的排列方向的平行设置,能够对呈直角的两个方向上排列电光元件的第二电极层供给充分的电力。
在本发明的矩阵基板中,希望所述第二电源线的排列间距为大致等间隔。通过第二电源线的等间隔排列,能够对呈直角的两个方向上排列电光元件供给均等的电力。
附图说明
图1是本发明的有机EL显示器面板的全体结构图。
图2是像素的主要电路构成图。
图3是本发明第一实施例中布线布局的说明图。
图4是沿图3中A-A′线的剖面图。
图5是本发明第二实施例中布线布局的说明图。
图6是沿图5中B-B′线的剖面图
图7是本发明第三实施例中布线布局的说明图。
图8是沿图7中C-C′线的剖面图
图9是沿图7中D-D′线的剖面图
图10是表示本发明的有机EL显示器面板的适用例的图。
图中:10-像素,11-像素区域,12-扫描线驱动器,13-数据线驱动器,14-阴极,15-基板,16-阴极辅助布线,16-1-第一阴极辅助布线,16-2-第二阴极辅助布线,17-像素电极,18-ITO层,19-堤岸层,20-平坦化膜,21-层间绝缘膜,30-多层叠层结构,100-有机EL显示器面板,Tr1-开关晶体管,Tr2-驱动晶体管,C-保持电容,OLED-发光部,Vsel-扫描线,Idat-数据线,Vdd-电源供给线。
具体实施方式
实施例1
以下参照附图对本实施例加以说明。
图1是本发明的有机EL显示器面板100的全体结构图。如该图所示,在基板15上设置有,由在显示区域11上形成的多层叠层结构所构成的多个像素10、向连接于在行方向排列的一组像素10的扫描线输出扫描信号的扫描线驱动器12以及向连接于在列方向排列的一组像素10的数据线及电源供给线供给数据信号及电源电压的数据线驱动器13。像素10以N行M列在垂直的两个方向上排列,形成像素矩阵。在各个像素10内,形成RGB(红绿蓝)三原色的发光有机EL元件。在显示区域11上形成的多层叠层结构,被作为共用电极的阴极14全面覆盖成膜。作为阴极14中所使用的材料,最好是能够注入尽量多的电子的材料,即,最好是功函数小的材料。作为这样的导电材料,理想的是钙、锂、铝等金属薄膜。
还有,在同图中所表示的有机EL显示器面板100,虽然是从基板15侧发射光,即底部发射结构的类型,但本发明并不限于此,也可以通过使用透光性的导电膜作为阴极14,采用从阴极发射光,即顶部发射结构的类型。在采用顶部发射结构的情况下,作为阴极14,可以采用ITO等透光性导电材料,此外,还可以采用将钙、锂、铝等金属薄膜进行透光性薄膜处理而得到的导电性半透明金属层。通过使用导电性半透明金属层,能够实现阴极14的低电阻化。
图2是像素的主要电路构成图。像素10设置有开关晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2、保持电容C、以及发光部OLED而构成,以2晶体管方式进行驱动控制。开关晶体管Tr1是n沟道型FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),其栅极端子连接有扫描线Vsel,漏极端子连接有数据线Idat。驱动晶体管Tr2是p沟道型FET,其栅极端子与开关晶体管Tr1的源极端子相连接。而且,该晶体管的源极端子与电源供给线Vdd相连接,漏极端子与发光部OLED相连接。进而,在该晶体管的栅极/源极之间形成保持电容C。在所述结构中,对扫描线Vsel输出选择信号,使开关晶体管Tr1为开状态时,通过数据线Idat供给的数据信号则作为电压值写入保持电容C。这样,保持电容C中写入的保持电压就能够在一个帧期间保持,根据相应的保持电压,驱动晶体管Tr2的电导模拟地变化,向发光部OLED供给与发光灰度相对应的顺偏置电流。
图3是说明像素区域中的布线布局的说明图。在本发明中,为了实现阴极14的低电阻化,在与显示区域11上覆盖叠层的多层结构的上面的面状阴极14所不同的层上形成细线状的阴极辅助布线16,两者通过层间绝缘膜而电气导通。形成阴极辅助布线16的层虽然没有特别的限制,但考虑到显示器的制造工艺,通过在同一工序中与扫描线Vsel等金属布线在同一工序中同一层上形成,能够不增加工序,以低成本制造。与扫描线Vsel在同一工序中形成的阴极辅助布线16也可以称为栅极金属层。而且,形成阴极辅助布线16的位置应尽量利用像素10的无效区。由于相应的无效区因数据线Idat、扫描线Vsel、电源供给线Vdd、开关晶体管Tr1等各自的布局位置而不同,所以应选择各种布局的最佳位置形成阴极辅助布线16。但是,如果在对于数据线Idat平面重合位置形成阴极辅助布线16,则在数据线Idat与阴极辅助布线16就会产生寄生容量,可能会产生向保持电容C的数据的写入不充分等情况,所以需要在考虑与数据线Idat的关系的基础上形成阴极辅助布线16。
在同图所示的例子中,由两条扫描线Vsel所组成的一组扫描线与阴极辅助布线16在行方向上交互布局。即每隔一行形成N/2条阴极辅助布线16。扫描线Vsel与阴极辅助布线16在各自的同一层中,通过将金属布线一并形成图案而得到,阴极辅助布线16的线宽,调整得与两条扫描线Vsel的合计线宽大体相等。另一方面,在列方向上,数据线Idat与电源供给线Vdd在各自的方向上每一列布线一条。同图中所示布线模式是表示周期重复的一个单元。对多层叠层结构中任意一个像素10都是同图中所示的布线布局。即,本实施例的布线布局对于任意的行都是线对称,像素节距对于行方向及列方向都是等间隔设定。而且,在数据线Idat与扫描线Vsel交叉的位置形成开关晶体管Tr1。驱动晶体管Tr2的栅极端子位于开关晶体管Tr1的源极端子的延长方向上,驱动晶体管Tr2的漏极端子通过导通孔h1与像素电极17相导通。在电源供给线Vdd上形成与像素电极17的长度方向平行的保持电容C。
图4是沿图3中A-A′线的剖面图。如同图中所示,在基板15上形成由阴极辅助布线16、层间绝缘膜21、源金属层22、平坦化膜20、ITO层18、及堤岸层19顺次叠层所组成的多层叠层结构30。该多层叠层结构30是在显示区域11上形成。在多层叠层结构30的上层成膜有阴极14。层间绝缘膜21是为了将数据线Idat及扫描线Vsel从阴极辅助布线16电气分离的绝缘膜,在层间绝缘膜21上,形成在与数据线Idat及扫描线Vsel同一工序中形成图案的岛状源金属层22。源金属层22通过在层间绝缘膜21内开口的导通孔h5与阴极辅助布线16相导通。在层间绝缘膜21上叠层有经平坦化处理的绝缘性平坦化膜20,在其上层形成岛状图案的ITO层18。ITO层18与源金属层22通过在平坦化膜20内开口的导通孔h3相导通。导通孔h3在沿着阴极辅助布线16的延长方向上有多个开口,通过设置多个ITO层18与源金属层22的接触点而降低电阻值。
另一方面,在平坦化膜20的上层成膜有由感光性有机材料等组成的堤岸层19。堤岸层19是分割各个像素10的区分部件,在精密校直调整下开口,使长圆形的开口部h2位于像素电极17上(参照图3)。在开口部h2内露出表面的像素电极17上从基板的下层一侧起顺次成膜孔穴输送层及发光层,进而成膜作为共用电极的阴极14,覆盖在显示区域11上叠层的多层叠层结构30的上面。由此形成由阴极/发光层/孔穴输送层/像素电极所组成的发光部OLED。
作为构成发光部OLED的设备层的叠层结构,并不限于所述构成,还可以采用阴极/发光层/像素电极,阴极/电子输送层/发光层/像素电极,阴极/电子输送层/发光层/孔穴输送层/像素电极等结构。也就是说,孔穴输送层与电子输送层并非必须,这些层可以任意地追加。作为孔穴输送层,可以使用三苯胺衍生物(TPD)、肼(联氨)衍生物、芳基胺衍生物等。作为电子传送层,可以使用铝螯合络合物(Alq3)、联苯乙烯(DPVBi)衍生物、二唑啉硫酮衍生物、?蒽衍生物、苯基唑噻吩衍生物、二萘嵌苯类、噻唑等。而且,发光材料也不限于有机材料,也可以使用无机材料。
在堤岸层19的表面通过ITO层18的位置,在精密校直调整下开口的开口部h4分布在阴极辅助布线16的延长方向上的多点处。在堤岸层19的上层成膜的阴极14通过导通孔h4与ITO层18导通,进而,通过源金属层22与阴极辅助布线16导通。这样,通过在多层叠层结构30内形成的阴极辅助布线16与阴极14的导通,能够使阴极14的电阻值下降,向像素10供给充分的电流。
根据本实施例,使阴极14的电阻值减低是可能的,能够减低由于对各像素供给电流量的不均匀而引起的亮度深浅不均的发生。进而,以往的技术中,在显示器面板的画边上设置有阴极14与阴极辅助布线的导通区域,但根据本发明,由于能够确保与多层叠层结构30内阴极14的导通,所以可达到窄边缘化,能够实现无效区少的显示器面板。而且,由于由有机材料构成的堤岸层的耐热性、耐药品性较差,所以在堤岸层上形成阴极辅助布线16困难,但如果是在由FET等所形成的基板15上,则容易形成阴极辅助布线16等金属布线。
还有,在本实施例中是按两行中一条的比例形成阴极辅助布线16,但并不限于此,也可以按n行(n是大于3的整数)中一条的比例,以适当的分散密度形成阴极辅助布线16。而且,形成阴极辅助布线16的位置也不限于基板15的表面,可以在多层叠层结构30内的任意一层形成。
[第二实施例]
图5是表示本发明第二实施例的有机EL 示器面板100的布线布局图。在本实施例中,阴极辅助布线16是在列方向上形成,在这一点上与第一实施例不同。在同图所示的例中,假定由RGB三像素构成一个像素单元,则按每2个像素单元3条的比例在列方向上等间隔形成阴极辅助布线16。而且,在阴极辅助布线16的两侧形成两条数据线Idat。在邻接的阴极辅助布线16与阴极辅助布线16之间的列中形成以两条为一组的电源供给线Vdd,以一条阴极辅助布线16及两条数据线Idat的合计宽度与两条电源供给线Vdd的合计宽度大体相等而布局。由此,同图中所示的布线布局,能够具有对任意的列都是线对称的结构。另一方面,在行方向的各行中形成一条扫描线Vsel,在扫描线Vsel与数据线Idat的交叉点形成开关晶体管Tr1。驱动晶体管Tr2的栅极端子位于开关晶体管Tr1的源极端子的延长方向上,驱动晶体管Tr2的漏极端子通过导通孔h1与像素电极17相导通。在电源供给线Vdd上形成与像素电极17的长度方向平行的保持电容C。
图6是沿图5中B-B′线的剖面图。如同图中所示,在基板15上形成由扫描线Vsel、层间绝缘膜21、阴极辅助布线16、平坦化膜20、ITO层18、及堤岸层19顺次叠层所组成的多层叠层结构30。该多层叠层结构30是在显示区域11上形成。在多层叠层结构30的上层成膜有阴极14。层间绝缘膜21是为了将扫描线Vsel与阴极辅助布线16电气分离的绝缘膜,在层间绝缘膜21上,形成线状的阴极辅助布线16。阴极辅助布线16上成膜的平坦化膜20上,形成图案的ITO层18在沿着阴极辅助布线16的延长方向上多处分布。在平坦化膜20上开口形成导通孔h3,ITO层18与阴极辅助布线16具有通过导通孔h3而导通的结构。在平坦化膜20上形成由感光性有机材料组成的堤岸层19,与像素电极17的位置相吻合形成长圆形的开口部h2(参照图5)。在开口部h2中与第一实施例同样形成发光部OLED。
另一方面,在堤岸层19的表面通过ITO层18的位置,在精密校直调整下开口的开口部h4分布在阴极辅助布线16的延长方向上的多点处。在堤岸层19的上层成膜的阴极14通过导通孔h4与ITO层18导通,进而,与阴极辅助布线16导通。这样,通过沿像素10的列方向形成的多条线状阴极辅助布线16与阴极14的电气导通,具有能够向像素10供给充分的电流的结构。
根据本实施例,与第一实施例相同,使阴极14的电阻值减低是可能的,能够减低由于对各像素供给电流量的不均匀而引起的亮度深浅不均的发生。进而,由于能够确保与多层叠层结构30内阴极辅助布线16与阴极14的导通,所以可达到窄边缘化,能够实现无效区少的显示器面板。还有,在本实施例中是按两列中一条的比例形成阴极辅助布线16,但并不限于此,也可以按n行(n是大于3的整数)中一条的比例,以适当的分散密度形成阴极辅助布线16。
[第三实施例]
图7是表示本发明第二实施例的有机EL显示器面板100的布线布局图。在本实施例中,阴极辅助布线16是在行方向及列方向上形成,在这一点上与第一、第二实施例不同。这里,为了便于区别在行方向及列方向上形成的阴极辅助布线16,将沿行方向形成的阴极辅助布线16记作第一阴极辅助布线16-1,沿列方向形成的阴极辅助布线16记作第二阴极辅助布线16-2。而且,在单独提到阴极辅助布线16时,只要没有预先说明,都是指包含两者。在同图所示的例中,假定由RGB三像素构成一个像素单元,则按每2个像素单元3条的比例在列方向上等间隔形成第二阴极辅助布线16-2。而且,在第二阴极辅助布线16-2的两侧形成两条数据线Idat。在邻接的两条阴极辅助布线16-2之间的列中形成两条为一组的电源供给线Vdd,以一条第二阴极辅助布线16-2及两条数据线Idat的合计宽度与两条电源供给线Vdd的合计宽度大体相等而布局。由此,同图中所示的布线布局,能够具有对任意的列都是线对称的结构。
另一方面,在行方向上,由两条扫描线Vsel组成的一组扫描线与第一阴极辅助布线16-1交互布局。扫描线Vsel与第一阴极辅助布线16-1在各自的同一层中,通过与金属布线一起形成图案而得到,调整第一阴极辅助布线16-1的线宽,使其与两条扫描线Vsel的合计线宽大体相等。由该结构,同图中所示的布线布局,能够具有对任意的行及列都是线对称。
在扫描线Vsel与数据线Idat的交叉点形成开关晶体管Tr1。驱动晶体管Tr2的栅极端子位于开关晶体管Tr1的源极端子的延长方向上,驱动晶体管Tr2的漏极端子通过导通孔h1与像素电极17相导通。在电源供给线Vdd上形成与像素电极17的长度方向平行的保持电容C。
图8是沿图7中C-C′线的剖面图。如同图中所示,在基板15上形成由第一阴极辅助布线16-1、层间绝缘膜21、平坦化膜20、源金属层22、ITO层18、及堤岸层19顺次叠层所组成的多层叠层结构30。该多层叠层结构30是在显示区域11上形成。在多层叠层结构30的上层成膜有阴极14。层间绝缘膜21是为了将数据线Idat及扫描线Vsel与第一阴极辅助布线16-1电气分离的绝缘膜。在数据线Idat及扫描线Vsel的同一层上,形成与第一阴极辅助布线16-1垂直取向的第二阴极辅助布线16-2,两者通过在层间绝缘膜21上开口的导通孔h6而电连接。
而且,在层间绝缘膜21的与第二阴极辅助布线16-2的同一层上,沿第一阴极辅助布线16-1的延长方向形成多处岛状的源金属层22。
源金属层22通过层间绝缘膜21上开口的导通孔h5与第一阴极辅助布线16-1导通。而且,在平坦化膜20上沿第一阴极辅助布线16-1的延长方向形成多处分布的岛状ITO层18,在与像素电极17的位置相吻合形成长圆形的开口部h2(参照图7)。在开口部h2中与第一实施例同样形成发光部OLED。在堤岸层19的表面通过ITO层18的位置,在精密校直调整下开口的开口部h4分布在第二阴极辅助布线16-2的延长方向上的多点处。在堤岸层19的上层成膜的阴极14在多层叠层结构30内与阴极辅助布线16导通,通过使阴极14的电阻值下降,能够向像素10供给充分的电流。
图9是沿图7中D-D′线的剖面图。如同图中所示,在基板15上形成由第一阴极辅助布线16-1、扫描线Vsel、层间绝缘膜21、第二阴极辅助布线16-2、平坦化膜20、ITO层18、及堤岸层19顺次叠层所组成的多层叠层结构30。第一阴极辅助布线16-1及第二阴极辅助布线16-2是夹在层间绝缘膜21之间相互垂直而形成,通过在层间绝缘膜21上开口的导通孔h6而相互导通。在第二阴极辅助布线16-2的上层叠层的平坦化膜20上,形成沿第二阴极辅助布线16-2的延长方向形成多处分布的岛状ITO层18,平坦化膜20上开口有导通孔h3,ITO层18与第二阴极辅助布线16-2相导通。而且,在堤岸层19上沿第二阴极辅助布线16-2的延长方向多处开口有导通孔h4。这样,通过阴极14与在多层叠层结构30的内部相互垂直的2方向上形成的阴极辅助布线16的导通,具有能够使阴极14的电阻大幅度下降,对像素10供给充分电力的结构。因此,能够减低由于对各像素供给电流量的不均匀而引起的亮度深浅不均的发生,实现优异的表示性能。进而,由于能够确保在多层叠层结构30的内部阴极辅助布线16与阴极14的导通,所以可达到窄边缘化,能够实现无效区少的显示器面板。
[第四实施例]
图10是表示可能适用本发明的电光装置的电子设备的例的图。同图中(a)是适用于移动电话的例子,移动电话230设置有天线部231、声音输出部232、声音输入部233、操作部234、以及本发明的有机EL显示器面板100。这样可以利用本发明的有机EL显示器面板100作为移动电话230的显示部。同图中(b)是适用于摄像机的例子,摄像机240设置受像部241、操作部242、声音输入部243、以及本发明的有机EL显示器面板100。这样可以利用本发明的有机EL显示器面板100作为探测器及显示部等。同图中(c)是适用于笔记本计算机(携带型个人计算机)的例子,计算机250设置有照相机部251、操作部252、以及本发明的有机EL显示器面板100。这样可以利用本发明的有机EL显示器面板100作为显示装置。
同图中(d)是适用于头盔式显示器的例子,头盔式显示器260设置有带子261、光学系收纳部262、以及本发明的有机EL显示器面板100。这样可以利用本发明的有机EL显示器面板100作为图像显示源。同图中(e)是适用于后背投式放映机的例子,放映机270具有框体271、光源272、合成光学系273、反射镜274、275、屏幕276以及本发明的有机EL显示器面板100。同图中(f)是适用于前面投影型放映机的例子,放映机280设置有框体282、光学系281、以及本发明的有机EL显示器面板100,可以将图像在屏幕283上显示。这样可以利用本发明的有机EL显示器面板100作为图像显示源。
Claims (24)
1.一种电光装置,是包含由在基板的有效区域上方形成的第一电极层和在所述第一电极层的上方设置的第二电极层的叠层结构所构成电光元件的电光装置,其特征在于:
具有向所述第一电极层进行电压供给的第一电源线以及与所述第二电极层电连接的第二电源线,
所述第一电源线及所述第二电源线,同时被设置在所述有效区域的上方,且被设置在与所述第一电极层同层或在第一电极层的下层。
2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于:所述第一电源线与第二电源线的至少一部分被配置在同一层内。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置,其特征在于:所述第二电极层具有作为所述电光元件的阴极的功能。
4.根据权利要求3所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线具有作为阴极辅助布线的功能。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的电光装置,其特征在于:所述第二电极层具有透光性。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线在构成所述多层叠层结构的任意层中以所规定的分散密度形成线状。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层分别形成在所述多层叠层结构的不同层内,两者在所述多层叠层结构内相互电连接。
8.根据权利要求7所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层相互电连接的位置是在沿着所述第二电源线的延长方向上的多个部位。
9.根据权利要求7或8所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层是以层间绝缘层为媒介形成在不同的层内,两者通过在所述层间绝缘层上开口的导电孔构成电连接。
10.根据权利要求1~9中任意一项所述的电光装置,其特征在于:所述电光元件被排列设置在大致呈直角的2方向上,所述第二电源线的排列方向与在略呈直角的两个方向上排列的电光元件的排列方向中的任意一个排列方向大体平行。
11.根据权利要求10所述的电光装置,其特征在于:所述第二电源线的排列间距略为等间隔。
12.根据权利要求1~11中任意一项所述的电光装置,其特征在于:所述电光元件是电致发光元件。
13.一种设置有权利要求1~12中任意一项所述的电光装置的电子设备。
14.一种矩阵基板,是用于形成由包含第一电极层与第二电极层的多层叠层结构所构成的电光元件的矩阵基板,其特征在于:
包含:形成在基板上方的第1电极层、
向所述第一电极层进行电压供给的第一电源线、及
与应在所述第一电极层的上方形成的第二电极层电连接的第二电源线,
所述第一电源线及所述第二电源线,被同时设置在所述有效区域的上方,且在与所述第一电极层的同层或在第一电极层以下的层上。
15.根据权利要求14所述的矩阵基板,其特征在于:所述第一电源线与所述第二电源线的至少一部分被配置在同一层内。
16.根据权利要求14或15所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电极层具有作为所述电光元件的阴极的功能。
17.根据权利要求16所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线具有作为阴极辅助布线的功能。
18.根据权利要求14~17中任意一项所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电极层具有透光性。
19.根据权利要求14~18中任意一项所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线在构成所述多层叠层结构的任意层中以规定的分散密度形成线状。
20.根据权利要求14~19中任意一项所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层在所述多层叠层结构的不同层内形成,两者在所述多层叠层结构内相互电连接。
21.根据权利要求20所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层相电连接的位置是在沿着所述第二电源线的延长方向上的多个部位。
22.根据权利要求20或21所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线与所述第二电极层是以层间绝缘层为媒介在不同的层内形成,两者通过在所述层间绝缘层上开口的导电孔构成电连接。
23.根据权利要求14~22中任意一项所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线的排列方向与在略呈直角的两个方向上排列的电光元件的排列方向中的任意一个排列方向大体平行。
24.根据权利要求23所述的矩阵基板,其特征在于:所述第二电源线的排列间距为大致等间隔。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002278970 | 2002-09-25 | ||
JP2002278970 | 2002-09-25 | ||
JP2002-278970 | 2002-09-25 | ||
JP2003286292A JP3922374B2 (ja) | 2002-09-25 | 2003-08-04 | 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器 |
JP2003-286292 | 2003-08-04 | ||
JP2003286292 | 2003-08-04 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008102138557A Division CN101355098A (zh) | 2002-09-25 | 2003-09-10 | 电光装置、矩阵基板以及电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1498041A true CN1498041A (zh) | 2004-05-19 |
CN100433353C CN100433353C (zh) | 2008-11-12 |
Family
ID=32473092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB03156836XA Expired - Lifetime CN100433353C (zh) | 2002-09-25 | 2003-09-10 | 电光装置、矩阵基板以及电子设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6887100B2 (zh) |
JP (1) | JP3922374B2 (zh) |
KR (2) | KR100633367B1 (zh) |
CN (1) | CN100433353C (zh) |
TW (1) | TW591569B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101009308B (zh) * | 2006-01-24 | 2012-05-30 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子机器 |
CN1735290B (zh) * | 2004-05-29 | 2012-09-26 | 三星移动显示器株式会社 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
CN102737598A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
CN102903731B (zh) * | 2005-11-30 | 2016-02-24 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子设备 |
CN107768545A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-06 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN110310572A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
WO2021103003A1 (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006113597A (ja) * | 2002-09-25 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP4224831B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2009-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
CN101355098A (zh) * | 2002-09-25 | 2009-01-28 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、矩阵基板以及电子设备 |
US20040189195A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Devices including, methods using, and compositions of reflowable getters |
JP2004349097A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Sony Corp | 表示装置 |
US7161184B2 (en) | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP4663257B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
US7224118B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
JP4593179B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR100552963B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 휘도 불균일이 개선된 평판표시장치 |
JP4148182B2 (ja) | 2004-05-17 | 2008-09-10 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR100592273B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
KR100637164B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치 |
KR100683677B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
KR100696471B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자 |
JP4725054B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR100685399B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
JP5017826B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2012-09-05 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル及びその駆動方法 |
JP2006113376A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置及びアレイ基板 |
KR100611660B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 및 동작 방법 |
JP4832781B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR100696525B1 (ko) | 2005-06-23 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
US7652291B2 (en) * | 2005-05-28 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
EP1760776B1 (en) * | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
CN100511700C (zh) * | 2005-11-14 | 2009-07-08 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置和电子仪器 |
JP4513777B2 (ja) | 2005-11-14 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2007156388A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
US20070171154A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for creating sequenced motion using electroluminescence |
JP5316659B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP5228910B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2013-07-03 | ソニー株式会社 | 発光表示装置およびその製造方法 |
JP5092306B2 (ja) | 2006-08-02 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および画素回路のレイアウト方法 |
JP4752818B2 (ja) | 2007-07-06 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置、電子機器、有機el表示装置用の基板および有機el表示装置の製造方法 |
JP2009122652A (ja) | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
JP2009128577A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
JP4775408B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2011-09-21 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置における配線のレイアウト方法および電子機器 |
JP2010062003A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2011158303A1 (ja) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | パナソニック株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2012014868A (ja) | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sony Corp | 表示装置 |
CN102455552B (zh) * | 2010-10-19 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示器 |
JP5786601B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
TWI461104B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-11-11 | Au Optronics Corp | 有機電致發光元件 |
US8912547B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and semiconductor device |
TWI565048B (zh) | 2012-05-22 | 2017-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光顯示單元結構與有機發光顯示單元電路 |
JP6056072B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2017-01-11 | 株式会社Joled | 表示装置 |
KR102061791B1 (ko) | 2012-11-13 | 2020-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102038076B1 (ko) | 2013-04-04 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102077723B1 (ko) * | 2013-05-23 | 2020-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP2016057488A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 自発光型表示装置 |
CN105789251B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-03-26 | 昆山国显光电有限公司 | Amoled显示装置 |
JP6063492B2 (ja) * | 2015-01-21 | 2017-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20180047578A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102534051B1 (ko) * | 2018-04-06 | 2023-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전층의 연결 구조 |
CN109037465B (zh) * | 2018-07-26 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制备方法、显示面板 |
WO2020044170A1 (ja) | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
KR20220079760A (ko) * | 2020-12-04 | 2022-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20220096854A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN117099149A (zh) * | 2021-04-08 | 2023-11-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、电子设备以及显示装置的制造方法 |
CN117693782A (zh) * | 2021-08-05 | 2024-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4432604A (en) * | 1982-04-28 | 1984-02-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Self-adjusting fiberoptic connector assembly |
JP2948640B2 (ja) * | 1990-09-18 | 1999-09-13 | 旭光学工業株式会社 | 内視鏡のコネクタ装置 |
JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3830238B2 (ja) | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
JP3203227B2 (ja) | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2000173766A (ja) | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2000239995A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁基材とプリプレグおよびそれを用いた回路基板 |
JP3259774B2 (ja) | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
US6833668B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
JP4748847B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置および電気器具 |
JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
JP4360015B2 (ja) | 2000-03-17 | 2009-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法 |
JP2002040486A (ja) * | 2000-05-19 | 2002-02-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP3864678B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP3989718B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | メモリ一体型表示素子 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP4310984B2 (ja) | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
JP2004014447A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-08-04 JP JP2003286292A patent/JP3922374B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-11 US US10/637,638 patent/US6887100B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-10 CN CNB03156836XA patent/CN100433353C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-16 KR KR1020030064004A patent/KR100633367B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-23 TW TW092126224A patent/TW591569B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-06 US US11/099,594 patent/US7198515B2/en not_active Ceased
- 2005-11-01 KR KR1020050103837A patent/KR100558645B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-04-03 US US12/418,349 patent/USRE42623E1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1735290B (zh) * | 2004-05-29 | 2012-09-26 | 三星移动显示器株式会社 | 电致发光显示装置及其制造方法 |
CN102903731B (zh) * | 2005-11-30 | 2016-02-24 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子设备 |
CN102610632A (zh) * | 2006-01-24 | 2012-07-25 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子机器 |
CN101009308B (zh) * | 2006-01-24 | 2012-05-30 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子机器 |
CN102244089B (zh) * | 2006-01-24 | 2014-09-10 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子机器 |
CN102610632B (zh) * | 2006-01-24 | 2015-06-03 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子机器 |
CN102737598A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
CN102737598B (zh) * | 2011-03-29 | 2016-05-11 | 株式会社日本显示器 | 显示装置和电子设备 |
CN107768545A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-06 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107768545B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-09-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN110310572A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
WO2021103003A1 (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11849617B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-12-19 | Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3922374B2 (ja) | 2007-05-30 |
US6887100B2 (en) | 2005-05-03 |
KR100558645B1 (ko) | 2006-03-14 |
KR100633367B1 (ko) | 2006-10-13 |
KR20050119088A (ko) | 2005-12-20 |
TW200405231A (en) | 2004-04-01 |
TW591569B (en) | 2004-06-11 |
USRE42623E1 (en) | 2011-08-16 |
US20050186839A1 (en) | 2005-08-25 |
CN100433353C (zh) | 2008-11-12 |
US20040115989A1 (en) | 2004-06-17 |
JP2004139970A (ja) | 2004-05-13 |
KR20040027341A (ko) | 2004-04-01 |
US7198515B2 (en) | 2007-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100433353C (zh) | 电光装置、矩阵基板以及电子设备 | |
US8654040B2 (en) | Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment | |
CN1301498C (zh) | 电光装置以及电子机器 | |
CN100504998C (zh) | 平板显示装置 | |
CN100401356C (zh) | 电源线与栅极线平行的有机电致发光显示器及其制造方法 | |
CN1670981A (zh) | 有机发光二极管及包含其的显示面板与通讯装置 | |
CN1636235A (zh) | 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1658726A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1477912A (zh) | 双面板型有机电致发光显示装置 | |
CN1454034A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN1909753A (zh) | 驱动膜、驱动封装和包括该封装的有机发光二极管显示器 | |
JP2006113597A (ja) | 発光装置 | |
KR100696671B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN110943104A (zh) | 有机发光二极管显示屏及电子设备 | |
CN101355098A (zh) | 电光装置、矩阵基板以及电子设备 | |
CN1716603B (zh) | 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器 | |
KR100739652B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR100709230B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN100353560C (zh) | 有机发光显示面板 | |
JP4224831B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2006278229A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHIJI SHIDUN TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SEIKO EPSON CORP. Effective date: 20130808 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130808 Address after: Delaware, Newcastle, USA Patentee after: Zhiji Shidun Technology Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Seiko Epson Corp. |
|
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20081112 |
|
CX01 | Expiry of patent term |