CN1716603B - 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器 - Google Patents

电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN1716603B
CN1716603B CN200510080518.1A CN200510080518A CN1716603B CN 1716603 B CN1716603 B CN 1716603B CN 200510080518 A CN200510080518 A CN 200510080518A CN 1716603 B CN1716603 B CN 1716603B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
lug plate
tft
layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200510080518.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1716603A (zh
Inventor
金恩雅
李正鲁
李树美
申奉周
李美真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020040050446A external-priority patent/KR100563068B1/ko
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN1716603A publication Critical patent/CN1716603A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1716603B publication Critical patent/CN1716603B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种电子器件，用以避免或减少引起像素故障的静电释放。根据本发明原理制造的电子器件可以包含多个导电层以及接线片，多个导电层彼此交叉但不接触，其中至少一个导电层包含宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少其中一个导电层的长度方向变化，接线片在不与相邻导电层交叉的区域连接到至少一个导电层上。可替代地，宽度变化部分的宽度可以沿着至少一个导电层的长度方向连续变化，并且也可以具有钝的拐角边缘。本发明还提供了包含这种电子器件的平板有机电致发光显示器(OELD)或LCD显示设备。

Description

电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器
与相关申请的交叉引用
本申请要求2004年6月30日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请10-2004-0050445和10-2004-0050446的优先权，在此将其公开全部引入作为参考。
技术领域
本发明总地来说涉及如薄膜晶体管(TFT)的电子器件和具有该器件的平板显示设备。然而，本发明具体涉及其中避免或减少了由静电引起的静电破坏的电子器件和具有该电子器件的平板显示设备。
背景技术
有多种显示设备可以用来显示图像。最近，多种平板显示设备已经替代了阴极射线管(CRT)显示器。平板显示设备根据使用的发光类型可以分为发射型和非发射型。发射型显示设备包括平面CRT显示设备、等离子显示板设备、真空荧光显示设备、场发射显示设备和有机/无机电致发光显示设备，而非发射型显示设备包括液晶显示设备。平面发射型有机电致发光显示设备(OELD)由于是发射型的，而且不包括例如背光的发光设备并且能在低功耗和高效率下工作，因此备受关注。OELD设备具有工作电压低、重量轻、外形薄、视角宽和视频响应时间快等优点。
OELD设备常规的电致发光单元包括在基板上以层叠型形成的第一电极(阳极)、第二电极(阴极)和插在第一电极和第二电极之间的有机发光层(薄膜)。在工作时，OELD设备通过由激子产生的能量发射具有特定波长的光，激子是由通过阳极和阴极注入的电子和空穴在有机薄膜中重新结合而形成的。电子传输层(ETL)可以设置在阴极和有机发光层之间。类似地，空穴传输层(HTL)可以设置在阳极和有机发光层之间。并且，可以在阳极和HTL之间设置空穴注入层(HIL)。此外，电子注入层(EIL)可以设置在阴极和ETL之间。
无源矩阵(PM)OELD设备可以使用手工驱动方法，而主动矩阵(AM)型可以使用激活驱动方法。在PM OELD设备中，阳极按列布置，阴极按行布置。行驱动电路向阴极提供扫描信号，列驱动电路提供数据信号到每个像素。另一方面，AM OELD设备使用薄膜晶体管(TFT)控制输入到像素的信号。由于TFT的使用使AM OELD可以迅速地处理大量信号，因此AMOELD广泛用于执行激励。
常规AM OELD设备的缺点是在制造或使用设备时，由于静电的产生和/或释放在显示区可能会产生一个或多个错误的像素。
图1A是常规OELD设备的平面照片图，其中将错误的像素显示为亮点。图1B是图1A中记为A的正常像素的放大图，图1C是图1A中记为B的错误像素的放大图。图1B和图1C是图1A的常规OELD设备的底面视图。底面视图是透过基板的多层结构和安装在其上的不同的电子和电致发光元件而得到的。因此，图1B和图1C中，栅极线3a和3b出现在导电层5之上。
在图1B和图1C中，每个像素1a和1b都包括电致发光单元、栅电极(图1B的2a和图1C的2b)和发光薄膜晶体管(图1B的Ma和图1C的Mb)，发光薄膜晶体管传送来自驱动TFT(未示出)的电信号至像素。发光TFT Ma和Mb的源电极经由导电层5电连接到驱动TFT(未示出)上。
图1D是图1C中记为B’的部分放大平面图。参见图1D，导电层5可以延伸穿过其它导电层。例如，在图1D放大的底面视图中，示出了导电层5穿过栅极线3a/3b。在示例的图中，栅极线3a/3b出现在导电层5之上。工作中，栅极线3a/3b起扫描线和/或扫描线延伸单元的作用，用于向薄膜晶体管提供电信号。
为了满足设计规范，每个栅极线3a/3b的宽度可能沿着它的长度变化。例如，图1B、图1C和图1D所示的常规设计中，每个栅极线3a/3b的宽度在与导电层5交叉的部分发生变化。如图1D所示，栅极线3b较宽的部分可以是宽度改变部分Aw，栅极线3a/3b较窄的连接部分可以是交叉单元Ac。宽度改变部分Aw和交叉单元Ac可以与导电层5绝缘并且位于各自边界之内。因为电流趋向于在导体的尖端放电，所以静电释放(ESD)趋向于发生在图1D所示的宽度改变部分Aw的角部分Ad。在大多数情况下，ESD损坏相应的像素1a/1b，引起它过度发光(例如，出现诸如图1A中显示的亮点B的亮点)。由于静电集中在交叉部分，所以很容易诱导这样的ESD，因此，如果插入导电层之间的绝缘层受到破坏，交叉的导电层之间产生短路的可能性就会增加。如图1B和图1C所描述的，即使输入相同的电流信号至图1B中的像素1a和图1C中的像素1b，图1C中的像素1b也会出错，产生比图1B中正常像素有更大亮度的亮点。因为不同的导电层3b和导电层5之间的短路电流引起和使用多于期望的一个的不同电流信号，所以会出现更大的亮度。这种不希望的ESD可能会降低平面OELD的图像质量，而平面OELD在整个显示区要求很高的均匀度。
发明内容
本发明提供一种电子器件和一种TFT结构，其中减少或避免了导电层的静电破坏引起的错误像素的产生，并且提供一种具有该结构的平面发射型有机电致发光显示(OELD)设备。
本发明一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分。电子器件进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
本发明另一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分。TFT结构进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
本发明另一方面提供一种平板显示设备包括基板、形成在基板上的TFT层和包括电连接到TFT层的多于一个像素的像素层。TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分。平板显示设备进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
本发明另一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少一个导电层的长度方向变化。电子器件进一步包括一个两个线段之间的小于90°的夹角，一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点，另一条线段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽段沿着至少一个导电层的长度方向变化。TFT结构进一步包括一个两个线段之间的小于90°的夹角，一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点，另一条线段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另一方面提供一种平面显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT层、至少一个形成于TFT层之上的绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形成在绝缘层上的通孔电连接到TFT层的多于一个像素。TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层包括一个宽度变化部分，宽度变化部分的宽度沿着至少一个导电层的长度方向变化。TFT层可以进一步包括一个两个线段之间的小于90°的夹角，一条线段连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点，另一条线段与至少一个导电层的长度方向平行。
本发明另一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分。电子器件可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
本发明另一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分。TFT结构可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
本发明另一方面提供一种平板显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT层和包括电连接到TFT层的多于一个像素的像素层。TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分。平板显示设备可以进一步包括在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
本发明另一方面提供一种电子器件，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部分。连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90°。
本发明另一方面提供一种TFT结构，包括彼此交叉但不接触的多个导电层，其中至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部分。连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90°。
本发明另一方面提供一种平板显示设备，包括基板、形成于基板上的TFT层、至少一个形成于TFT层之上的绝缘层、以及像素层，该像素层包括通过形成在绝缘层上的通孔电连接到TFT层的多于一个像素。TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层。至少一个导电层包括剖面面积沿着至少一个导电层的长度方向变化的部分。连接位于宽度变化部分的外部线的同一平面上的两点的线段和与至少一个导电层的长度方向平行的线段之间的夹角小于90°。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性的实施例，本发明的以上和其它特征和优点将更加明显。
图1A是常规有机电致发光显示设备的显示区的照片；
图1B是图1A中记为A的正常像素的部分放大照片；
图1C是图1A中记为B的错误像素的部分放大照片；
图1D是图1C中记为B’的像素的一部分的放大底面视图；
图1E是图1C中记为B’的像素的一部分的剖面照片；
图2A是根据本发明一个实施例的有机电致发光显示设备的平面示意图；
图2B是图2A中记为C的OELD设备的像素的电路示意图；
图2C是根据本发明一个实施例的图2A中记为C的像素的部分剖面图；
图2D是显示在图2C中的一部分的修改实施例的部分平面图；
图2E是图2C中像素的部分放大照片；
图3A是根据本发明另一个实施例的图2A中记为C的像素的部分剖面图；
图3B是根据本发明一个实施例的图3A中记为D的部分的放大图；
图3C是显示在图3A中的像素的部分放大照片。
具体实施方式
下面参照其中显示了本发明示例性实施例的附图更加充分地描述本发明。
图2A是根据本发明的原理制造的有机电致发光显示(OELD)设备的平面示意图。参照图2A，基板110包括其上布置了诸如有机电致发光显示设备的发光设备的显示区200，沿着显示区200的边缘封接基板110与密封基板(未示出)的密封部分800，以及其上布置多种端子的端子区700。然而，本发明并不限于此，它可以具体化为多种不同的形式。例如，可以包含起密封部分作用的密封层。
用于提供电源到显示区200的驱动电源供给线300可以布置在显示区200和密封部分800之间。图2A示出了本发明的驱动电源供给线的示例，但是本发明并不限于此。为了确保显示区200的均匀亮度，驱动电源供给线300可以围绕显示区200，以提供均匀的驱动电源给整个显示区200。
驱动电源供给线300可以与驱动电源线310相连，驱动电源线310可以跨越显示区200布置，并且电连接到布置在保护层180(图2C中所示)下面的源电极170a(图2C中所示)。
此外，在显示区200的边界外可以布置垂直和水平的驱动电路单元500和600。垂直电路单元500可以是施加扫描信号到显示区200的扫描驱动电路单元，水平驱动电路单元600可以是施加数据信号到显示区200的数据驱动电路单元。垂直和水平的驱动电路单元500和600可以作为外部集成电路(IC)或玻璃上芯片(COG)单元布置在密封区边界的外面。
提供电极电源到显示区200的电极电源供给线410可以布置在显示区200的边界外，并且通过电极电源供给线410和第二电极层之间形成的绝缘层中的通孔430电连接到第二电极层，第二电极层是在显示区200的上部上形成的。
驱动电源供给线300、电极电源供给线410以及垂直的和水平的驱动电路单元500和600分别包括端子320、420、520和620，并通过引线与布置在密封区边界外的端子区700电连接。
显示区200包含多个像素，下面将参照图2B和图2C对此加以描述。图2B是一个像素的电路示意图，该像素位于图2A中记为C的本发明实施例的OELD设备的第n列和第m行。
如图2B所示，像素包含五个晶体管和两个电容器，并且每个晶体管被描述为PMOS TFT，但是本发明并不限于此。
使用时，第一扫描信号和第二扫描信号分别通过多条第一扫描线和第二扫描线从垂直电路单元500输入至显示区200(参见图2A)。第一扫描信号S[n]和S[n-1]以及第二扫描信号E[n]通过第一扫描线和第二扫描线输入，并且作为数据信号的数据电压Vdata[m]通过数据线输入到图2A中记为C的处于第n列和第m行的像素中。
第一TFT M1将对应于通过第二TFT M2施加到第一TFT M1的数据电压的电流提供给有机发光二极管(OLED)。
第二TFT M2响应于第一扫描线提供的第n个选择信号S[n]，转换施加到数据线的数据电压。
第三TFT M3响应于施加到第一扫描线的第(n-1)个选择信号S[n-1]，二极管连接第一TFT M1。
第四TFT M4响应于施加到第一扫描线的第(n-1)个选择信号S[n-1]，为第一电容器C1的一端提供固定电压。
第五TFT M5响应于施加到第二扫描线的发光信号E[n]，将第一TFT M1提供的电流传送给OLED。
第一电容器C 1保持第一TFT M1的栅极和源极之间的电压的一部分至少一帧的时间，第二电容器C2将作为补偿的阈值电压的数据电压施加到第一TFT M1的栅极。
下面描述包含本实施例的TFT层和像素层的OELD设备的操作。TFT层可以包含至少一个TFT和例如电容器的其它电子元件。TFT层可以看作是像素电路单元。
当第(n-1)个选择信号S[n-1]激发时，第三TFT M3导通，接着，第一TFT M1，也即是驱动薄膜晶体管，进入二极管连接状态，并且由于第五TFT M5断开，第一TFT M1的阈值电压存储在第二电容器C2中。
如果在第三TFT M3响应于第(n-1)个选择信号S[n-1]断开并且第一TFT M1响应于第n个选择信号S[n]接通之后输入数据电压，那么将补偿阈值电压的经校正的数据电压被施加到第一TFT M1的栅极。
同时，如果第五TFT M5响应于第n个发光信号E[n]导通，那么通过第五TFT M5将电流信号传送至OLED，OLED发光，这个电流信号是经过施加到第一TFT M1的栅极的电压调整过的。
图2C是OELD的部分剖面图，OELD包括像素层RP和TFT层RT，也就是电致发光单元和像素层，像素层包括第一TFT M1和第五TFT M5，第一TFT M1是驱动薄膜晶体管，第五TFT M5是为像素层提供电信号的开关薄膜晶体管。
参见图2C，例如第一TFT M1的TFT层形成在基板110的一部分上。第一TFT M1的半导体有源层130形成在缓冲层120的上表面的一部分上，缓冲层120形成在基板110的表面上。半导体有源层130可以是非晶硅层或者是多晶硅层。尽管未详细描述，半导体有源层130包括掺有P型或N型掺杂剂的源区和漏区以及沟道区。然而，包括半导体有源层130的薄膜晶体管可以按多种不同的方式构成。
第一TFT M1的栅电极150可以布置在半导体有源层130的一部分之上。鉴于与相邻层接触、叠层的表面光滑度和处理能力，栅电极150较佳地由例如MoW和A1的材料组成，但并不局限于此。
用于从半导体有源层130绝缘栅电极150的栅绝缘层140布置在二者之间。作为绝缘层的中间层160是单层或多层并且形成在栅电极150和栅绝缘层140上。第一TFT M1的源电极和漏电极170a和170b形成在中间层160上。源电极和漏电极170a和170b可以由诸如MoW的金属形成，并且在形成之后热处理，以便与半导体有源层130光滑地欧姆接触。
保护层180是绝缘层，可以由钝化层和/或平整层组成，用于保护和/或平整更低的层，并且形成在源电极和漏电极170a和170b上。如图2C所描述，保护层180可以是单层，由诸如SiNx的无机材料组成或例如苯并环丁烯或丙烯基的有机材料组成，也可以是多层的叠层。
第一TFT M1通过漏电极170b的延伸单元170c电连接到起开关TFT作用的第五TFT M5。第五TFT M5的第五半导体有源层230形成在缓冲层120上，缓冲层120形成在基板110的表面上。第五半导体绝缘层230可以与第二扫描线和/或第五栅电极250绝缘，第五栅电极250形成在栅绝缘层140的上面。中间层160和第五源/漏电极270a和270b可以形成在第五栅电极的表面上。第五源电极和漏电极270a和270b以及第五半导体有源层230可以通过形成在中间层160和栅绝缘层140中的接触孔电连接。至少一个起绝缘层作用的保护层180可以形成在第五源电极和漏电极270a和270b上，包括顺序层叠的第一电极层290、电致发光单元292和第二电极层400的像素层RP可以形成在保护层180上。
下面描述形成像素层RP的方法。首先，在形成第一电极层290之后，像素限定层291可以形成在像素开放区294外的保护层180的上面。包括发光层的电致发光单元292可以布置在像素开放区294的第一电极层290的表面上，第二电极层400可以形成在合成品的整个表面。
电致发光单元292可以由低分子或聚合物有机膜组成。如果电致发光单元292由低分子有机膜组成，那么HIL、HTL、EML、ETL和EIL可以层叠为单个结构或复合结构，并且可以使用的低分子有机材料包括铜酞菁(CuPc)、N，N’-Di(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)，或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子有机膜可以使用蒸发法形成。
如果电致发光单元292由聚合物有机膜组成，那么它可以包括HTL和EML。HTL可以由PEDOT组成，而EML可以由聚-1，2-亚乙烯基苯基(PPV)和聚芴形成。聚合物有机膜可以通过各种方法形成，包括但不限于丝网印刷方法和喷墨印刷方法。
第二电极层400起阴极的作用，并可以沉积在电致发光单元292的整个上表面上。第二电极层400并不限于沉积在整个上表面上。它可以由如Al/Ca、ITO或Mg-Ag材料形成。第二电极层400可以由例如多层的多种不同的形式形成，并可以进一步包括碱氟化或碱土氟化层，如LiF层。
第一扫描线和/或扫描线延伸单元240(下文称为第一扫描线)可以形成在第一TFT M1和第五TFT M5之间。第一扫描线240可以无接触地穿过第一TFT M1的漏电极170b的延伸单元170c。如图2B所示，第一扫描线240可以是一个导电层，第(n-1)个选择信号S[n-1]通过该导电层被传送到第三和第四TFT M3和M4，并且第一扫描线240包含宽度变化部分Aw，其由于TFT具有不同的设计规范而在第一扫描线的长度方向上宽度有所变化。
也就是，如图2C所示的部分平面图，第一扫描线240可以形成为具有交叉区Ac的导电层，在交叉区Ac第一扫描线至少穿过但不接触延伸单元170c。第一扫描线240可以布置在从漏电极170b延伸出来的延伸单元170c下面。第一扫描线240包括宽度变化部分Aw，它的宽度从第一宽度Wc变化到第二宽度Ww，或者从第二宽度Ww变化到第一宽度Wc。第一宽度Wc和第二宽度Ww彼此不同，而且宽度Wc可以比宽度Ww宽。第一扫描线240的宽度变化部分Aw也可以限定为这样的一部分：它的剖面面积在第一扫描线240的长度方向上变化。
第一扫描线240可以在不与相邻导电层170c交叉的区域包括一个接线片241。由于充电集中在接线片241而不是宽度变化部分Aw，就可以避免由于静电释放宽度变化部分Aw的短路电流的产生。
接线片241的有效宽度Ws和接线片241的有效长度Wd的比值可以小于第二宽度Ww和第一宽度Wc的比值，以便静电集中在接线片241中。也就是，Ws/Wd＜Ww/Wc＜1。这里，第一宽度Wc可以是宽度变化部分最大宽度的测量值，而第二宽度Ww可以是宽度变化部分最小宽度的测量值。
在本实施例中，第一扫描线240可以是导电层，包括接线片241，并起栅电极或栅极线的作用。然而，这是本发明的示例性实施例，本发明不局限于此。
如图2C所示，接线片241可以形成在向第一TFT M1延伸的第一扫描线240(或第一扫描线的延伸部分即导电层)上。然而，接线片241可以形成多种不同的形式，只要接线片241不穿过相邻导电层。这样，连接在接线片241的导电层可以形成在源电极和漏电极的同一层。接线片241也可以以相对于第一TFT M1的方向延伸。可替代地，如图2D所示，接线片241可以形成在包含宽度变化部分Aw的导电层和/或相邻导电层上。
图2E是显示在图2C中的像素的部分放大照片的平面图。在图2E中，接线片241接触导电层区。为了避免和/或减少静电释放，接线片241接触导电层的区域远离导电层重叠的区域。由于静电释放不发生在宽度变化部分Aw而是发生在不与导电层交叉的接线片241，这个结构可以避免或减少对TFT层的导电层的静电破坏。这样，交叠的导电层和/或像素之间的短路电流故障就可以避免或减少。
图3A、3B和3C示出了根据本发明的原理制造的OELD设备的像素。第一扫描线和/或扫描线延伸单元240(下文称为第一扫描线)形成在第一TFT M1和第五TFT M5之间。第一扫描线240穿过但不接触第一TFT M1的漏电极170b的延伸单元170c。如图2B所示，第一扫描线240是第(n-1)个选择信号S[n-1]被传送至此的导电层，传送第(n-1)个扫描信号S[n-1]指第三和第四TFT M3和M4。第一扫描线240可以包含宽度变化部分Aw，其宽度在第一扫描线240的长度方向上变化。也就是，如图3A所示的部分平面图所示，第一扫描线240可以形成为具有交叉区Ac的导电层，交叉区穿过但不接触至少从漏电极170b延伸出来的延伸单元170c的一部分。第一扫描线可以布置在延伸单元170c下面。第一扫描线240可以包括在第一扫描线240的长度方向上的宽度变化部分Aw，并且宽度变化部分Aw的宽度可以从Wc到Ww连续变化。
如图3A所示，如果相应的宽度变化部分包含尖端，记为参考数字的P1和P2(参见图2B)的位于相邻导电层交叉区的点很容易被静电释放所损坏。然而，在本发明的实施例中，宽度变化部分Aw不包含任何可能导致静电释放的尖锐的拐角边缘。相反，宽度变化部分Aw的宽度沿着第一扫描线240连续地变化，以至于宽度变化部分包含弯曲的和不是90°角的拐角边缘。因此，引起静电释放的电荷不集中在宽度变化部分Aw，从而避免或减少了对像素的静电破坏。
宽度变化部分Aw的拐角较佳地可以具有钝角并且是圆形的。图3B是图3A中部分D的放大图。参见图3B，角θ形成于线段O1O2和线段O1O3之间，线段O1O2从点O1延伸到点O2，这两个点位于彼此交叉但不接触的宽度变化部分Aw的同一平面上，线段O1O3从点O1延伸到点O3，点O3位于第一扫描线240的长度方向上。为了避免电荷集中在第一扫描线240的边缘，两条线段之间的角θ可以小于45°。
图3C是显示在图3A中像素的部分放大照片。参见图3C，由于穿过至少一个相邻导电层的导电层的宽度变化部分Aw的宽度由于钝角而平滑变化，可以避免对薄膜晶体管的导电层的静电破坏和/或相邻导电层之间的短路电流，因此可以避免错误像素的产生。
上述的实施例是示例性的，本发明并不局限于此。也就是，上述实施例描述了关于形成于漏电极和扫描线之间的延伸部分的导电层，但是本发明可以适用于其它导电层。同时，本发明描述了具有五个上栅极型晶体管和两个电容器的TFT结构，和包含TFT结构的OELD设备。然而，本发明可以进行多种形式的修改，只要具有宽度变化部分的导电层在不穿过相邻导电层的导电层区域连接在接线片241上。此外，连接宽度变化部分的拐角的线段和平行于具有宽度变化部分的导电层延伸的方向的线段之间的角度可以小于90°。本发明的原理可以不管晶体管的类型而应用于OELD设备和LCD设备。进一步地，本发明也可以适用于具有多个彼此交叉但不接触的导电层的电子器件。
本发明可以提供下述的一些或全部优点。首先，包括在不穿过相邻导电层的导电层区的接线片241以及在至少一个TFT中使用本发明的接线片式的导电层，可以避免和/或减少在制造和/或使用TFT时产生的静电对形成于导电层之间的绝缘层的静电释放损坏。
其次，在例如包含一个TFT层的OELD的平板显示设备中，其中TFT层包含多个导电层，接线片241是连接到不穿过相邻导电层的导电层区，接线片241连接到至少一个具有宽度变化部分的导电层，或者连接到相邻导电层，该相邻导电层能避免由接线片241提供的静电释放所引起的错误像素的产生。这样的结构可以提高图像质量。
第三，包含不只一个TFT的导电层可以包含其中的穿过但是不接触相邻导电层的一部分。导电层可以包含宽度变化部分，形成这部分用以充分交叠交叉区。宽度变化部分的宽度可以连续地变化，以便宽度变化部分的拐角是钝角。因为没有尖锐的拐角边缘出现以集中静电电荷，所以对导电层之间形成的绝缘层的由于静电释放的损坏可以被避免和/或减少，因此避免产品故障。
第四，在例如包含一个TFT层的OELD的平板显示设备中，具有交叉但不接触相邻导电层的区域的导电层可以包含一个宽度变化部分。因此，通过在宽度变化部分避免静电的集中可以减少或排除错误像素产生的可能性，错误像素的产生是由于在生产或操作TFT过程中产生静电。这可以通过连续地改变宽度变化部分的宽度和使其中的拐角变圆而取得。这样的结构可以避免或减少静电电荷在宽度变化部分的产生，从而提高了图像质量。
以上参照其中的示例性实施例示出和描述了本发明，本领域技术人员应该理解形式和细节上的各种变化都不脱离以下权利要求限定的本发明的精神和范围。

Claims (34)

1.一种电子器件，包括：
彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是包括宽度变化部分的导电层中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是薄膜晶体管TFT的栅电极或TFT栅电极的延伸部分。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是TFT的源电极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于宽度变化部分的最小宽度与宽度变化部分的最大宽度之比。
6.一种TFT结构，包括：
彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
7.根据权利要求6所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是包括宽度变化部分的导电层中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是栅电极。
9.根据权利要求6所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是源电极或漏电极。
10.根据权利要求6所述的TFT结构，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于宽度变化部分的最小宽度与宽度变化部分的最大宽度之比。
11.一种平板显示设备，包括：
基板；
形成在基板上的TFT层；和
包括电连接到TFT层的多于一个像素的像素层，
其中TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括宽度变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述宽度变化部分。
12.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是包括宽度变化部分的导电层中的至少一个。
13.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是TFT的栅电极或TFT栅电极的延伸部分。
14.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是TFT的源电极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
15.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于宽度变化部分的最小宽度与宽度变化部分的最大宽度之比。
16.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中像素层包括：
第一电极；
包括至少一个发射层并形成于第一电极之上的中间层；和
形成于电致发光单元之上的第二电极。
17.根据权利要求11所述的平板显示设备，进一步包括形成于TFT层之上的至少一个绝缘层，其中像素层的像素通过形成于至少一个绝缘层的接触孔电连接到TFT层。
18.一种电子器件，包括：
彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
19.根据权利要求18所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是包括剖面面积变化的部分的至少一个导电层。
20.根据权利要求18所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是TFT的栅电极或TFT栅电极的延伸部分。
21.根据权利要求18所述的电子器件，其中连接到接线片的导电层是TFT的源电极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
22.根据权利要求18所述的电子器件，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于剖面面积变化的部分的最小宽度与剖面面积变化的部分的最大宽度之比。
23.一种TFT结构，包括：
彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
24.根据权利要求23所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是包括剖面面积变化的部分的至少一个导电层。
25.根据权利要求23所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是栅电极。
26.根据权利要求23所述的TFT结构，其中连接到接线片的导电层是源电极或漏电极。
27.根据权利要求23所述的TFT结构，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于剖面面积变化的部分的最小宽度与剖面面积变化的部分的最大宽度之比。
28.一种平板显示设备，包括：
基板；
形成于基板上的TFT层；和
包括电连接到TFT层的多于一个像素的像素层，
其中TFT层包括彼此交叉但不接触的多个导电层，
其中至少一个导电层在与相邻导电层交叠的区域包括剖面面积变化部分；和
在远离导电层交叠区域的区域连接到至少一个导电层或相邻导电层的接线片，其中所述接线片被配置为使得充电集中在所述接线片本身而不是所述剖面面积变化部分。
29.根据权利要求28所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是包括剖面面积变化的部分的至少一个导电层。
30.根据权利要求28所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是TFT的栅电极或TFT栅电极的延伸部分。
31.根据权利要求28所述的平板显示设备，其中连接到接线片的导电层是TFT的源电极或漏电极，或者是TFT的源电极或漏电极的延伸部分。
32.根据权利要求28所述的平板显示设备，其中接线片有效宽度与接线片有效长度之比小于剖面面积变化的部分的最小宽度与剖面面积变化的部分的最大宽度之比。
33.根据权利要求28所述的平板显示设备，其中像素层包括：
第一电极；
包含至少一个发射层并形成于第一电极之上的中间层；和
形成于电致发光单元之上的第二电极。
34.根据权利要求28所述的平板显示设备，进一步包括至少一个形成于TFT层之上的绝缘层，其中像素层的像素通过形成于至少一个绝缘层的接触孔电连接到TFT层。
CN200510080518.1A 2004-06-30 2005-06-30 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器 Active CN1716603B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0050445 2004-06-30
KR1020040050446 2004-06-30
KR1020040050445A KR100563067B1 (ko) 2004-06-30 2004-06-30 박막 트랜지스터 구조체 및 이를 구비하는 평판디스플레이 장치
KR1020040050445 2004-06-30
KR1020040050446A KR100563068B1 (ko) 2004-06-30 2004-06-30 박막 트랜지스터 구조체 및 이를 구비하는 평판디스플레이 장치
KR10-2004-0050446 2004-06-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101755624A Division CN101414620B (zh) 2004-06-30 2005-06-30 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1716603A CN1716603A (zh) 2006-01-04
CN1716603B true CN1716603B (zh) 2010-09-29

Family

ID=35822225

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101755624A Active CN101414620B (zh) 2004-06-30 2005-06-30 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器
CN200510080518.1A Active CN1716603B (zh) 2004-06-30 2005-06-30 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101755624A Active CN101414620B (zh) 2004-06-30 2005-06-30 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100563067B1 (zh)
CN (2) CN101414620B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103515941B (zh) * 2012-06-21 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 静电放电保护电路、阵列基板和显示装置
CN104051384B (zh) * 2013-03-13 2017-09-29 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件的封装方法和装置
CN105989350B (zh) * 2015-03-05 2019-11-22 上海箩箕技术有限公司 像素单元、结构、结构阵列、读出电路及控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247289A (en) * 1989-12-15 1993-09-21 Seiko Epson Corp. Liquid crystal display device with commonly connected capacitor electrodes
CN1417631A (zh) * 2001-11-07 2003-05-14 株式会社日立制作所 液晶显示装置
CN1497506A (zh) * 2002-10-03 2004-05-19 ������������ʽ���� 配线基板及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3507117B2 (ja) * 1993-02-26 2004-03-15 キヤノン株式会社 Ｔｆｔ基板及び該基板を有する液晶表示装置
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
KR19990047262A (ko) * 1997-12-03 1999-07-05 김영환 액정 표시 소자용 박막 트랜지스터
JP2001007333A (ja) 1999-06-21 2001-01-12 Seiko Epson Corp Ｓｏｉ構造のｍｏｓ電界効果トランジスタ及びその製造方法
KR100346045B1 (ko) * 1999-10-25 2002-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2001343669A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6559904B1 (en) * 2000-11-01 2003-05-06 Lg Philips Lcd Co, Ltd. Liquid crystal display with high aperture ratio
KR100648008B1 (ko) * 2000-12-29 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
KR100867537B1 (ko) * 2002-08-29 2008-11-06 엘지디스플레이 주식회사 탑 게이트형 폴리 실리콘 박막트랜지스터 및 그제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247289A (en) * 1989-12-15 1993-09-21 Seiko Epson Corp. Liquid crystal display device with commonly connected capacitor electrodes
CN1417631A (zh) * 2001-11-07 2003-05-14 株式会社日立制作所 液晶显示装置
CN1497506A (zh) * 2002-10-03 2004-05-19 ������������ʽ���� 配线基板及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平5-5896A 1993.01.14

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060001344A (ko) 2006-01-06
CN101414620A (zh) 2009-04-22
KR100563067B1 (ko) 2006-03-24
CN1716603A (zh) 2006-01-04
CN101414620B (zh) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100504998C (zh) 平板显示装置
KR100573149B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100581903B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치
US7705356B2 (en) Electronic device, thin film transistor structure and flat panel display having the same
CN100565911C (zh) 电子器件薄膜晶体管结构和使用该电子器件的平板显示器
KR100739065B1 (ko) 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100573154B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN1716603B (zh) 电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器
KR100563065B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100592272B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치
KR100563068B1 (ko) 박막 트랜지스터 구조체 및 이를 구비하는 평판디스플레이 장치
KR100592268B1 (ko) 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090109

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20120928

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20120928

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.