CN1442031A - 导体间的连接结构及其连接方法 - Google Patents

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Abstract

一种导体间的连接结构及其连接方法，采用包含Zn的焊锡将在表面上形成了Au层的第1导体与至少在表面具有导电性的第2导体连接。上述第1导体，例如是电路板(1)上构成布线图形的一部分的端子焊盘(11a、11b、11c)，上述第2导体例如是电子零件(20、21)的端子(20a、21a)和端子板。上述第1导体和上述第2导体，通过包含Zn的焊锡中的Zn在上述第1导体的Au层中扩散所形成的Au－Zn合金层连接。

Description

导体间的连接结构及其连接方法
技术领域
本发明涉及一种在表面形成了Au层的导体和其它导体之间通过焊锡连接的技术。
背景技术
在现有技术中，例如在电路板上安装半导体芯片等电子零件时，采用了通过焊锡将设在电路板上的端子焊盘与电子零件的端子之间进行电连接以及机械连接的方法。电路板上的端子焊盘，是例如在电路板上形成Cu布线图形之后，通过在成为端子焊盘的部分上叠加形成镀Ni层以及镀Au层的构成。在此，形成镀Au层来作为最上层是为了防止端子焊盘表面的氧化，确保与电子零件的端子之间的连接可靠性。另外，实施镀Ni是因为直接在Cu布线图形上实施镀Au比较困难，而Ni本身也容易氧化。
作为焊锡，在现有技术中广泛采用63Sn-37Pb焊锡。然而，由于根据废弃物处理法等环保相关法规的限制，Pb被指定为受特殊管理的物质等，近年来担心对环境产生不良影响，所以正在不断地向不含Pb的焊锡(无Pb焊锡)的过渡。
作为无Pb焊锡，Sn-Ag焊锡或者在其中包含Cu和Bi的Sn-Ag系焊锡被看好。采用该Sn-Ag系焊锡连接上述构成的电路板和电子零件时，焊锡层中的Sn原子在镀Ni层内扩散形成Sn-Ni合金层，通过该合金层以及焊锡层将电路板端子和电子零件端子之间连接。
在这种情况下，镀Ni层的表面上的镀Au层被破坏，Au在焊锡层内扩散，但由于Au和Sn之间的反应性高，所以这些金属相互结合后会生成金属间化合物。该Au-Sn金属间化合物，成为降低焊锡层的机械强度的原因。例如，当焊锡层整体的Au-Sn金属间化合物的浓度达到5wt％的程度，或者Au-Sn金属间化合物偏析，在局部地方该金属间化合物的浓度达到5wt％的程度时，通常将显著降低连接强度。因此，甚至出现了在镀金层上不能采用焊锡与其它导体连接的结论的报告。特别是，通过电解电镀形成镀Au层时，一般情况下因镀Au层的厚度较大，所以在焊锡层中扩散的Au的量相对增多，使焊锡层中的Au-Sn金属间化合物的浓度增大，因而使连接强度的问题更加突出。
因此，也有过在电路板的端子焊盘上不形成镀金层(有时甚至也不形成镀Ni层)，而通过焊锡将该端子焊盘与电子零件的端子连接的方法的尝试。但是，在镀Ni层和Cu布线为裸露的端子上，由于在焊接加热时端子焊盘的表面上容易氧化，所以就造成了电子零件的连接可靠性的问题。虽然也有能避免这样的问题，例如在提供惰性气体的惰性气氛下进行焊接的方法，但成本较高。
另外，在携带电话等的充电电池用保护电路中使用的电路板上，除了安装电子零件的端子焊盘(安装用端子焊盘)以外，也形成有与电池的端子或充电器的端子直接连接的附加端子焊盘。这些附加端子焊盘因长期暴露在大气环境中，所以通常要实施能防止表面氧化的镀金处理。因此，如果不对安装用端子焊盘实施镀金处理，则要采用掩模覆盖该安装用端子焊盘，在电镀结束后除去该掩模，操作性差，成本方面成为不利因素。特别是，采用电解电镀实施镀金时，在该安装用端子焊盘上有必要形成掩模，操作性进一步变差。因此，在用作保护电路等的电路板中，考虑到成本的问题，即使对安装用端子焊盘，也和附加端子焊盘同时进行镀金处理是良策。
发明内容
因此，本发明正是针对上述情况的发明，其目的在于，提供一种通过焊锡将表面形成有Au层的导体，低成本且高连接可靠性地与其他导体进行连接的技术。
依据本发明的第1方案，所提供的连接结构，是通过焊锡将在表面上形成了Au层的第1导体与至少在表面具有导电性的第2导体连接的结构，其特征是上述第1导体和上述第2导体通过Au-Zn合金层连接。
优选上述第1导体具有在导体层的表面形成了镀Au层的构成，同时上述Au-Zn合金层连接在上述导体层和在上述第2导体上形成的焊锡层之间。上述Au-Zn合金层的厚度例如为0.1～10μm。
优选上述焊锡层作为Sn-Zn合金层构成。特别是上述Sn-Zn合金层以Sn和Zn大致按共晶组成的比率形成。
另外，上述Sn-Zn合金层进一步包含Bi。这时，上述Sn-Zn-Bi合金层具有例如Sn∶Zn∶Bi＝85～95∶8～12∶1～10的组成。
在良好的实施例中，上述第1导体是由Cu层、Ni层以及Au层积层构成。
依据本发明的第2方案，所提供的连接方法，是通过焊锡将在表面上形成了Au层的第1导体与至少在表面具有导电性的第2导体连接的方法，其特征是在上述第1导体和上述第2导体之间介入包含Zn的焊锡，将该焊锡熔化后，使其固化。
优选上述焊锡是Sn-Zn共晶系焊锡。该Sn-Zn共晶系焊锡也可以进一步包含Bi，其组成例如为Sn∶Zn∶Bi＝85～95∶8～12∶1～10。
上述Au层的厚度例如为0.1～10μm。该Au层例如通过电解电镀形成。
在良好的实施例中，上述第1导体是由Cu层、Ni层以及Au层积层构成。另外，上述第1导体是电路板的端子焊盘，上述第2导体是电子零件的端子或者导体板。
本发明的各种特征以及优点，可以通过以下参照附图说明的实施例更加明确。
附图说明
图1是表示将本发明的导体间的连接结构应用于将电子零件安装在电路板上时的实施例的剖面图。
图2a是表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面的状态的显微镜照片。
图2b是表示采用Sn-3.0Ag-0.5Cu焊锡时的连接处截面的状态的显微镜照片。
图3a～3f是表示采用Sn-3.0Ag-0.5Cu焊锡时的连接处截面的EPMA的结果的分布图，图3a表示同时显示所有成分的浓度分布的单色分布照片，图3b表示Sn的浓度分布的彩色分布照片，图3c表示Ag的浓度分布的彩色分布照片，图3d表示Cu的浓度分布的彩色分布照片，图3e表示Ni的浓度分布的彩色分布照片，图3f表示Au的浓度分布的彩色分布照片。
图4是表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面的EPMA的结果的分布图，图4a表示同时显示所有成分的浓度分布的单色分布照片，图4b表示Sn的浓度分布的彩色分布照片，图4c表示Zn的浓度分布的彩色分布照片，图4d表示Bi的浓度分布的彩色分布照片，图4e表示Cu的浓度分布的彩色分布照片，图4f表示Ni的浓度分布的彩色分布照片，图4g表示Au的浓度分布的彩色分布照片。
图5表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面的放大显微镜照片。
图6a～6d表示图5中a层、b层、c层以及d层的组成分析结果的彩色图表照片。
图7表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面的放大SEM照片。
图8表示对于与图7的SEM照片对应的区域中各成分的浓度分布进行俄歇能谱分析的结果的单色分布照片。
具体实施方式
本发明的其它特征以及优点，通过参照附图在以下进行的详细说明中可以表明。
以下参照图1具体说明本发明的优选实施例。在此，图1表示有关本发明的实施例的导体间连接结构的剖面图。
在图1中，电路板1具有例如为防止充电电池过充电的保护电路。该电路板1在例如玻璃环氧树脂制成的衬底10上具有Cu构成的布线图形(图中未画出)。该Cu布线图形，例如采用CVD或者蒸镀等在衬底10的一面上形成厚度为15～25μm左右的Cu膜，然后将不需要的部分蚀刻所形成。
在Cu布线图形的适当部位上形成多个端子焊盘11a、11b、11c，与电子零件20、21的端子20a、21a或者端子板22连接。端子焊盘11a、11b、11c，通过在上述Cu布线图形中的焊盘形成部位上形成镀Ni层之后形成镀Au层形成。镀Ni层例如采用电解电镀形成厚度为10μm左右。镀Au层例如采用电解电镀或者无电解电镀形成厚度为0.1～10μm，优选形成为0.5～5μm。
对于这样的电路板1，利用焊锡H安装电子零件20、21以及端子板22。在图示的实施例中，电子零件20是双芯片，电子零件21是树脂封装半导体装置21。端子板22例如由镍构成。安装在电路板1上的部件的种类并没有限制。例如，也可以将引脚插入型半导体装置或者芯片电阻等安装在电路板1上。向电路板1的安装，例如由如下方法进行。
首先，对于电路板1的端子焊盘11a、11b、11c、电子零件20、21的端子20a、21a、以及端子板22的给定部位，预先印刷焊锡浆料。此外，也可以在这些部位上实施镀焊锡。
作为在本实施例中使用的焊锡，只要是包含Zn的材料，并没有特别限制。例如，焊锡可以是只由Zn构成，也可以在Zn之外包含Pb、Sn、Cu以及Bi等中的一种或者它们之间的任意组合。例如，焊锡中，如果考虑到不使用Pb以及降低熔点的情况，更适合采用Sn-Zn共晶系焊锡。在此，Sn-Zn共晶系焊锡是指按照共晶的比率或者接近共晶的比率包含Sn和Zn，并且作为第3成分包含Bi或者Cu等。具体讲，作为Sn-Zn共晶系焊锡优选使用其重量比为Sn∶Zn∶Bi＝85～95∶8～12∶1～10构成的焊锡。此外，Sn和Zn的共晶温度由于所以约为199℃，即使Sn-Zn共晶系焊锡包含第3成分时，其熔点也在200℃左右。
然后，在电路板1上将各种电子零件20、21以及端子板22进行电连接和机械连接。更具体讲，首先将各种电子零件20等，在定位载置在电路板1上的状态下，送入已经加热到焊锡的熔点以上的反流焊炉中，使焊锡H再次融化。然后，从反流焊炉中搬出电路板1，通过使焊锡H冷却凝固，将各种电子零件20、21以及端子板22安装在电路板1上。
如上所述，Sn-Zn共晶系焊锡的熔点由于在199℃左右，所以使用Sn-Zn共晶系焊锡时的反流焊炉内的温度，例如设定在240℃左右就足够了。该温度与采用现有的Sn-Pb系焊锡的反流焊方式进行电连接时的反流焊炉内的温度大致相同，并且也是避免使电子零件等受到热损坏的足够低的温度。因此，采用Sn-Zn共晶系焊锡时，可以使用现有的设备(即不需要添置新设备)，在不会对电子零件造成热损坏的情况下，可以采用焊锡反流焊的方法将种电子零件20、21以及端子板22等安装连接在电路板1上。
在本实施例中，采用Sn-Zn共晶系焊锡时，在具有镀Au层的端子焊盘11a、11b、11c上采用包含Sn的焊锡H将电子零件20、21以及端子板22连接。因此，按照现有技术的常识，和采用Sn-Ag系焊锡时相同，也担心会出现在焊锡H内Au原子扩散形成Au-Sn金属间化合物、降低连接强度的情况。但是，本发明人，如以下说明那样，可以证明采用Sn-Zn共晶系焊锡的连接方式具有足够的机械稳定性。
为了确认采用Sn-Zn共晶系焊锡的连接结构的机械稳定性，制作了如下2种样品。样品I是在玻璃环氧树脂制成的衬底上形成的Cu布线图形(厚度约为20μm)的适当部位上形成了镀Ni层(厚度约为10μm)以及镀Au层(厚度约为0.8μm)的端子焊盘和Ni构成的端子板之间，采用Sn-Zn共晶系焊锡的Sn-8Zn-3Bi焊锡(Sn∶Zn∶Bi＝89∶8∶3(重量比))进行焊锡反流焊方式的连接。样品II是在Cu布线图形上采用Sn-Pb共晶焊锡的63Sn-37Pb焊锡(Sn∶Pb＝63∶37(重量比))通过焊锡反流焊的方法直接将Ni构成的端子板连接。此外，除了使用的焊锡种类、焊锡的涂敷条件、电路板的端子焊盘的构成以外的条件(例如反流焊温度、端子板的形式)对于各样品均相同。
然后，样品I以及样品II分别制作多个，对于各个样品，为测定端子板和电路板之间的连接强度，在端子板的垂直方向上施加负载压力，以端子板脱落时的负载压力作为连接强度。其结果，在各样品I中的连接强度，和样品II中的连接强度相同或者在之上。从该结果中，本发明人得出了也许是包含在Sn-Zn共晶系焊锡中的Zn成分抑止了镀Au层中的Au原子向焊锡层侧扩散的推测。也就是说，抑止了Au-Sn金属间化合物的产生，因而保持了足够的连接强度。为了确认这种情况，本发明人，对在分别采用包含Zn的焊锡以及不包含Zn的焊锡而将端子板连接在电路板上时的、电路板端子焊盘和端子板之间的截面组织以及组成情况进行了分析。
本发明人，首先在和上述实施例同样的电路板(Cu布线图形的厚度约为20μm，镀Ni层的厚度约为10μm，镀Au层的厚度约为0.8μm)上用焊锡连接Ni构成的端子板，然后剥离该端子板，获得在端子焊盘上凝固着焊锡的电路板。对该电路板的端子焊盘处的截面(以下称为“连接处截面”)进行研磨后，用光学显微镜(产品名称为“SZ-60”，奥林巴斯制造)观察该连接处截面。放大倍率为50倍时的连接处截面的状态如图2a、2b(显微镜彩色照片)所示。在此，图2a表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面的状态，图2b表示采用Sn-3.0Ag-0.5Cu(Sn∶Ag∶Cu＝96.5∶3.0∶0.5(重量比))焊锡时的连接处截面的状态。在这些图中，虽然可以分辨衬底上的Cu布线图形以及焊锡层，但采用包含Zn的焊锡时(图2a)和采用不包含Zn的焊锡时(图2b)，连接处截面的状态没有发现明显的差异。
然后，本发明人，采用EPMA(electron probe microanalysis：电子束微分析仪)对连接处截面中的成分进行了二维分析。图3a～3f表示采用Sn-3.0Ag-0.5Cu焊锡时的连接处截面中的浓度分布照片图，图4a～4g表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡时的连接处截面中的浓度分布照明照片图。在此，EPMA采用岛津制作所的“EPMA8705”。
图3a表示采用Sn-3.0Ag-0.5Cu焊锡连接时的所有成分的浓度分布的单色照片图。该照片表示各成分的分布区域。
图3b～3d分别表示构成Sn-3.0Ag-0.5Cu焊锡的Sn元素、Ag元素以及Cu元素的浓度分布的彩色照片图。将这些图与图3a进行比较，可以发现焊锡层由Sn元素、Ag元素以及Cu元素形成。另外，由于Cu元素构成Cu布线图形，所以在衬底上Cu浓度高。另外，可以发现Sn的一部分从焊锡层析出并向Cu布线图形扩散。
图3e表示Ni元素的浓度分布。将该图与图3a进行比较，可以发现Ni虽然向焊锡层多少有一些扩散，其大部分在Cu布线图形上止住。Ni浓度高的区域，由于和从焊锡层中析出的Sn元素的分布区域大致一致，所以可以推断在Cu布线图形上形成了Sn-Ni合金层。
图3f表示Au元素的浓度分布。将该图与图3a进行比较，可以发现Au向焊锡层扩散。另外，由于没有发现Au元素的浓度高的带状区域，所以可以认为镀Au层已经被破坏了。
图4a表示采用Sn-8Zn-3Bi焊锡连接时的所有成分的浓度分布的单色照片图。该照片表示各成分的分布区域。
图4b～4d分别表示构成Sn-8Zn-3Bi焊锡的Sn元素、Zn元素以及Bi元素的浓度分布的彩色照片图。将这些图与图4a进行比较，可以发现焊锡层由Sn元素、Zn元素以及Bi元素形成，同时与焊锡层的下层区域或者焊锡层不同另外形成有Zn元素浓度高的区域。
图4e表示Cu元素的浓度分布。将该图与图4a进行比较，可以发现Cu虽然向焊锡层多少有一些扩散，其大部分在衬底上止住，可以推断构成了Cu布线图形。
图4f表示Ni元素的浓度分布。将该图与图4a和4e进行比较，可以发现Ni虽然向焊锡层多少有一些扩散，其大部分在Cu布线图形上止住，可以推断构成了镀Ni层。
图4g表示Au元素的浓度分布。将该图与图4a和4f进行比较，可以发现Au基本上不向焊锡层扩散。可以推断Au元素在镀Ni层上止住。
如上所述，采用焊锡将形成了镀Au层的端子焊盘连接时，作为焊锡采用不包含Zn的Sn-3.0Ag-0.5Cu时，可以确认镀Au层被破坏，Au向焊锡层扩散。对此，作为焊锡采用包含Zn的Sn-8Zn-3Bi时，可以确认Au基本上不向焊锡层扩散。进一步需要特别指出的是，采用Sn-8Zn-3Bi时，从图4c以及4g确认的Zn浓度高的区域和Au浓度高的区域大致一致。这表明Zn向镀Au层扩散，形成Au-Zn层，或者在镀Au层上形成Zn层，抑止了Au原子向焊锡层侧的扩散。无论怎样，可以肯定焊锡中的Zn可以抑止Au向焊锡层中的扩散。
因此，本发明人进一步采用其它方法对作为焊锡采用Sn-8Zn-3Bi时连接处截面的状态及其组成进行了分析。
本发明人首先采用日立制作所制造的“S-4000”放大到3500倍确认连接处截面的状态。该照片如图5所示。该照片表明，连接处截面由a层～d层的4层构成。这些层中的3层，如果与由EPMA对各成分的浓度分析的结果(图4a～4g)对应，分别是Cu布线图形、镀Ni层以及焊锡层。因此，剩下的1层不是Zn单独形成的Zn层，而是与Au一起形成1层。
为了搞清楚这一点，采用电子衍射分析(ED：electron diffraction)对a层～d层的组成进行分析，该电子衍射分析仪采用堀场制作所制造的“EMAX2770”。各层中的组成分析结果如图6a～6d中的彩色图表照片所示。此外，在各彩色图标照片中，分析时覆盖连接处截面的表面上的钨采用W标记，但这并不是构成各层的成分。
图6a表示分析a层的组成的结果的图表。作为a层的构成元素检测出来的基本上是Cu，可以说a层依然是Cu布线图形。
图6b表示分析b层的组成的结果的图表。作为b层的构成元素检测出来多为C和Ni，可以说b层依然是镀Ni层。
图6c表示分析c层的组成的结果的图表。作为c层的构成元素检测出来主要是Au和Zn。因此，在c层中，可以认为不是由Zn单独构成的Zn层，而是在镀Ni层上形成的Au-Zn合金层。在c层中的Zn元素，从焊锡材料中来，因此，焊锡的回流时通过Zn向镀Au层侧扩散，可以抑制Au元素向焊锡层的扩散，以镀Au层为基础，形成Au-Zn合金层。
图6d表示分析d层的组成的结果的图表。作为d层的构成元素检测出来的是Sn和Zn。如果将该结果与图4d所示的由EMPA分析Bi元素的浓度分布的测定结果进行综合分析，d层为Sn、Zn以及Bi构成的焊锡层。另外，在d层中没有检测出Au，因此构成镀Au层的Au基本上没有在焊锡层中扩散。此外，在图6d中没有检测出可以足够看见的高度峰值的Bi，是因为在焊锡材料中Bi的含有量只有3wt％(Sn的20分之一)，而测定范围是以Sn为基准。
如上所述，电子衍射分析的结果表明，a层～d层的组成可以大致确定，特别是c层可以大致确定为Au-Zn合金层，以及d层(焊锡层)中没有检测出Au，这是非常有意义的。
本发明人，为了对采用电子衍射分析所获得的结果中的推断进行进一步确认，进一步采用更高精度的分析方法的俄歇电子能谱分析(AES：Auger electron spectroscopy)进行评价。
首先，要进行俄歇电子能谱分析的连接处截面的状态采用SEM(扫描型电子显微镜：scanning electron microscope)确认。SEM照片如图7所示，可以确认连接处截面是推断的Cu布线图形、镀Ni层，Au-Zn合金层以及Sn-Zn-Bi焊锡层的4层(a层～d层)。
然后，对图7的SEM照片所示的区域中的浓度分布采用ARUBAKKUFA(アルバツクフア)制造的“俄歇PHI689”进行俄歇电子能谱分析测定。其结果如图8a～8e中的单色照片所示。此外，由于Bi的成分浓度小，测定困难，所以没有在俄歇电子能谱分析结果中示出。
图8a表示Sn的浓度分布测定结果的照片图。根据该照片图，可以确认Sn分布在与d层对应的区域。该结果与EPMA和电子衍射分析的结果一致。
图8b表示Zn的浓度分布测定结果的照片图。根据该照片图，可以确认Zn分布在与d层对应的区域，同时在c层存在Zn浓度高的区域。该结果与EPMA和电子衍射分析的结果一致。如果将该结果与图8a综合分析，可以认为d层是Sn-Zn合金层，在该合金层中，如果考察EPMA的结果，Bi在d层中扩散，可以肯定d层是Sn-Zn-Bi焊锡层。
图8c表示Cu的浓度分布测定结果的照片图。根据该照片图，可以确认Cu分布在与a层对应的区域。该结果与EPMA和电子衍射分析的结果一致，因此，可以肯定a层是Cu布线图形。
图8d表示Ni的浓度分布测定结果的照片图。根据该照片图，可以确认Ni分布在与b层对应的区域。该结果与EPMA和电子衍射分析的结果一致，可以肯定b层是镀Ni层。
图8e表示Au的浓度分布测定结果的照片图。根据该照片图，可以确认Au分布在与c层对应的区域。此外，由于Au是测定困难的元素，所以提高了灵敏度进行测定，照片整体发白，看起来象Au在整个截面扩散，但实际上只在c层有Au分布。将该结果与图8b综合分析，可以肯定c层是Au-Zn合金层。另外，在镀Ni层上，本来形成有镀Au层，可以认为Au-Zn合金层是在镀Au层上因焊锡成分的Zn的扩散所形成。此外，图7所示的SEM照片表明，c层，即Au-Zn合金层的厚度大约为2～3μm，镀Au层形成为大约0.8μm，因此可以推断Au-Zn合金层中Au和Zn之间的比率为1∶1～3左右。
根据以上说明的各种分析结果，可以得出以下结论。衬底和端子板之间的连接结构，为Cu布线图形、镀Ni层，Au-Zn合金层、Sn-Zn-Bi焊锡层。在镀Ni层和焊锡层之间介入了Au-Zn合金层，该Au-Zn合金层将端子焊盘和焊锡之间连接。由于Ni和Au的相性好，所以在Au-Zn合金层和镀Ni层之间具有良好的连接性。而Au与Sn的相性也好，并且Au-Zn合金层及焊锡层双方中均含有Zn，所以Au-Zn合金层与焊锡层之间也具有良好的连接性。因此，在镀Ni层和Sn-Zn焊锡层之间介入了Au-Zn合金层的连接结构中，具有高机械强度。如上所述，这可以根据通过剥离实验测定端子板和电路板之间的连接强度的结果中确以。
另外，在焊锡层中Au基本上没有扩散。这是因为，在Zn在镀Au层中扩散形成Au-Zn合金层，抑制了Au的扩散。也就是说，在Zn中，具有抑制构成镀Au层的Au向焊锡层中扩散的作用。如果能抑制Au的扩散，就也可以抑制在焊锡中产生Au-Sn金属间化合物。在现有技术中，采用包含Sn的焊锡将实施了镀Au的导体(例如端子焊盘)与其它金属之间不容易形成强固连接。这是因为Au和Sn在焊锡层内产生金属间化合物，使焊锡层变得脆弱。但是，在本发明中，例如象Sn-Zn共晶系焊锡那样，通过采用包含Zn的焊锡，可以抑制产生Au-Sn金属间化合物，可以使实施了镀Au的导体与其它金属之间强固连接。

Claims (15)

1.一种导体间的连接结构，是通过焊锡将在表面上形成了Au层的第1导体与至少在表面具有导电性的第2导体连接的结构，其特征是所述第1导体和所述第2导体通过Au-Zn合金层连接。
2.根据权利要求1所述的导体间的连接结构，其特征是所述第1导体具有在导体层的表面形成了镀Au层的构成，并且，所述Au-Zn合金层连接在所述导体层和在所述第2导体上形成的焊锡层之间。
3.根据权利要求1所述的导体间的连接结构，其特征是所述Au-Zn合金层的厚度为0.1～10μm。
4.根据权利要求1所述的导体间的连接结构，其特征是所述焊锡层由Sn-Zn合金层构成。
5.根据权利要求4所述的导体间的连接结构，其特征是所述Sn-Zn合金层以Sn和Zn大致按共晶组成的比率形成。
6.根据权利要求4所述的导体间的连接结构，其特征是所述Sn-Zn合金层进一步包含Bi。
7.根据权利要求6所述的导体间的连接结构，其特征是所述Sn-Zn-Bi合金层具有Sn∶Zn∶Bi＝85～95∶8～12∶1～10的组成。
8.根据权利要求1所述的导体间的连接结构，其特征是所述第1导体是由Cu层、Ni层以及Au层的叠层构成。
9.一种连接方法，是通过焊锡将在表面上形成了Au层的第1导体与至少在表面具有导电性的第2导体连接的方法，其特征是在所述第1导体和所述第2导体之间介入包含Zn的焊锡，将该焊锡熔化后，使其固化。
10.根据权利要求9所述的连接方法，其特征是所述焊锡是Sn-Zn共晶系焊锡。
11.根据权利要求10所述的连接方法，其特征是所述Sn-Zn共晶系焊锡进一步包含Bi，其组成为Sn∶Zn∶Bi＝85～95∶8～12∶1～10。
12.根据权利要求9所述的连接方法，其特征是所述Au层的厚度为0.1～10μm。
13.根据权利要求9所述的连接方法，其特征是所述Au层通过电解电镀形成。
14.根据权利要求9所述的连接方法，其特征是所述第1导体是由Cu层、Ni层以及Au层的叠层构成。
15.根据权利要求9所述的连接方法，其特征是所述第1导体是电路板的端子焊盘，所述第2导体是电子零件的端子或者导体板。
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