CN1420917A - 抛光剂和生产平面层的方法 - Google Patents
抛光剂和生产平面层的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1420917A CN1420917A CN01807432A CN01807432A CN1420917A CN 1420917 A CN1420917 A CN 1420917A CN 01807432 A CN01807432 A CN 01807432A CN 01807432 A CN01807432 A CN 01807432A CN 1420917 A CN1420917 A CN 1420917A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rumbling compound
- silicon sol
- polishing
- weight
- dioxide granule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 18
- 235000019580 granularity Nutrition 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 14
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 11
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 11
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007046 ethoxylation reaction Methods 0.000 description 9
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical compound CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001935 peptisation Methods 0.000 description 3
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052728 basic metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003818 basic metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUIOKRXOKLLURE-UHFFFAOYSA-N 2-octylphenol Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1O DUIOKRXOKLLURE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010469 Glycine max Nutrition 0.000 description 1
- 244000068988 Glycine max Species 0.000 description 1
- LEIIKVDYGMPZGS-UHFFFAOYSA-N NCC1(CC=CC=C1)C=1C(=C(C=CC1)O)CC Chemical compound NCC1(CC=CC=C1)C=1C(=C(C=CC1)O)CC LEIIKVDYGMPZGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHFFCVSWIOHPR-UHFFFAOYSA-N O(O)O.C(C)[N+](CC)(CC)CC Chemical compound O(O)O.C(C)[N+](CC)(CC)CC LVHFFCVSWIOHPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQSVNPGQCFYFIC-UHFFFAOYSA-N OOO.C(CC)[N+](CCC)(CCC)CCC Chemical compound OOO.C(CC)[N+](CCC)(CCC)CCC ZQSVNPGQCFYFIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHDAADUELLBUCA-UHFFFAOYSA-N OOO.C[N+](C)(C)C Chemical compound OOO.C[N+](C)(C)C PHDAADUELLBUCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 235000019484 Rapeseed oil Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical class [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- MAZPIOPHRNWBNG-UHFFFAOYSA-N [Cl-].Cl[NH3+].[Na] Chemical compound [Cl-].Cl[NH3+].[Na] MAZPIOPHRNWBNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005466 alkylenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000002817 coal dust Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010494 opalescence Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920001522 polyglycol ester Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 150000003626 triacylglycerols Chemical class 0.000 description 1
- UFTFJSFQGQCHQW-UHFFFAOYSA-N triformin Chemical compound O=COCC(OC=O)COC=O UFTFJSFQGQCHQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
采用包含SiO2的浆状物作为二氧化硅层平面化用的抛光剂。已发现,该浆状物在SiO2层抛光期间若所用硅溶胶具有双峰粒度分布则具有较高磨蚀速率。
Description
本发明涉及一种基于二氧化硅的抛光剂以及生产平面层的方法。
集成电路(IC)包含带图案的半导电、不导电和导电薄膜。这些带图案的层一般是通过施加层状材料,例如,通过蒸汽沉积,并采用微平印方法形成图案生产的。IC电子线路元件,例如晶体管、电容、电阻和连接器,是通过各种各样半导电、不导电和导电层状材料的组合而制成的。
IC及其功能的质量高度依赖于各种各样层状材料的施加和图案的成形所能达到的精度。
然而,随着层数的增加,这些层的平面度大大下降。超过一定层数之后,这将导致IC的一种或多种功能元件的失效,从而导致整个IC的失效。
如果必须将新层施加到已做好图案的层上的话,这些层的平面度的下降是新层不断叠加产生的后果。由于图案的成形而出现高度上的差异,有时可达每层0.6μm。这些高度的差异一层层地积累,这意味着下一层不再是施加到平面上,而是施加到不平的表面上了。这种现象的直接后果是,施加上去的下一层具有不均一的厚度。在极端情况下,这将导致瑕疵和缺陷在电子功能元件中的形成以及接触不良。不平的表面还会给图案成形带来问题。要能够生产足够小的图案,在微平印加工步骤中要求极高聚焦深度(DOF)。然而,这样的构造只能清晰地聚焦在一个平面上;某些点与该平面偏离越大,此处的聚焦清晰度就越差。
为解决这一问题,人们实施所谓化学机械抛光(CMP)。CMP通过将高出的层部分磨蚀到获得一个平面层来达到带图案表面的全面平面化。结果,下一层便可加在没有高度差的平面表面上了,同时图案的精度和IC元件正常工作的能力也得以保持。
CMP步骤借助特殊抛光机、抛光垫和抛光剂(抛光浆)实施。抛光浆是一种组合物,它与抛光机上的垫配合起来打磨待抛光材料。
有关CMP技术的综述发表在,例如,B.M.Mueller,J.S.Steckenrider,《Chemtech》(1998)第38~46页。
CMP浆对抛光过程中的抛光性能有决定性影响。迄今,一直认为,化学和机械操作都具有影响。正因为如此,各种各样的抛光步骤要求特定的抛光浆。
原则上,划分为诸如二氧化硅之类非导电层的抛光与导电层,主要指金属如钨、铝和铜的抛光这两大类抛光。二氧化硅的抛光被称作氧化物CMP。
此外,在氧化物CMP中,存在着一系列不同的抛光步骤,其差别来源于各个层结构中使用的二氧化硅,以及层结构中所涉及的层材料的数目和类型。
氧化物CMP加工中的一个重要步骤是所谓的ILD抛光步骤(层间电介质),其中被抛光的是为两个互连平面之间提供绝缘的二氧化硅。然而,另一些氧化物CMP步骤的重要性却正在与日俱增,例如,所谓的STI步骤(浅沟道绝缘),其中抛光的是半导体元件的隔离层。
特别是,在涉及半导体层中的抛光步骤中,对抛光步骤的精度以及因而对抛光浆的要求,都特别高。
一系列表征抛光浆作用的参数代表着用于评估抛光浆效力的尺度。这些参数包括磨蚀速率,即,待抛光材料被磨掉的速率,选择性,即,需要抛光的材料与存在的其他材料之间的磨蚀速率之比,以及代表平面化均一性的参数。用于代表平面化均一性的参数通常是晶片内不均匀性(WIWNU)和晶片与晶片间的不均一性(TWNU),以及单位面积缺陷数目。晶片是用于在其上构造集成电路的抛光硅切片。
诸如氧化铝、二氧化硅和氧化铈之类磨料颗粒的强碱性组合物被用作氧化物CMP的抛光浆,而二氧化硅基抛光浆则尤其得到日益广泛的应用。
生产抛光浆用的原料一般是热解法二氧化硅,它包含较小的一次颗粒组成的大聚集体,即,小的、通常为球形的一次颗粒在热解法二氧化硅中牢固地结合形成较大、形状不规则的颗粒。因此,要生产抛光浆必须使这些聚集体解体为尽可能小的颗粒。这是通过引入剪切能实现的,例如,通过剧烈搅拌水或碱性介质与热解法二氧化硅的混合物。剪切能导致热解法二氧化硅聚集体解体。然而,鉴于引入剪切能的效率取决于粒度,因此,利用剪切力不可能生产一次颗粒大小和形状的颗粒。因此,按此法生产的抛光浆存在着聚集体不能完全解体,在淤浆中仍残留一次二氧化硅颗粒的聚集体的缺点。此种粗大的颗粒级分会在被抛光表面造成划痕和形成更多的其他不希望缺陷。
EP-A-899 005公开,粗大颗粒级分可通过过滤来排除,但这样做既复杂,而且仅能部分地解决问题,因为小于过滤极限的聚集体仍存在,并且由于它们是非球形的,故可能继续损坏被抛光表面。
WO 96/027 2096、US-A-5 376222和EP-A-520 109公开pH值介于9~12.5的碱性硅溶胶的应用。该pH值是通过加入碱金属氢氧化物或胺类达到的。
此类抛光浆的优点在于,它们实际上仅包含不连续的球形颗粒,它们仅在待抛光表面上造成低程度的划痕和其他缺陷。
此类抛光浆的缺点是它们的磨蚀速率比较低。增加碱性抛光加速剂,即,碱金属氢氧化物和胺类加入量的目的正是为了补偿这一缺陷。然而,涉及二氧化硅的化学平衡,在采用基于二氧化硅抛光浆时给碱性抛光加速剂的加入施加了某些限制。氢氧根离子超过一定量,这些离子将与二氧化硅颗粒起反应,并导致硅酸盐的生成(胶溶)。因此,pH值超过12的抛光浆不稳定,在工业规模上即便使用也非常困难。
在EP-A-874 036和US-A-5 876 490中,试图通过提供带有聚合物或二氧化铈涂层的二氧化硅颗粒来解决这类问题。JP 09/324174提出用于此种目的的有机聚合物和聚硅氧烷。氧化铝涂层描述在US-A-3922 393中;用于减少表面上硅醇基团的表面改性描述在US-A-4 664679中。
结果,基于二氧化硅颗粒抛光浆的稳定性得到提高。然而,根据目前掌握的知识,要达到足够的磨蚀速率,需要一定量可自由接近的二氧化硅表面。尽管迄今有关在表面上所发生的化学过程知之甚少,但有一种想法是,要使已经从被抛光表面上除掉的材料沉积下来,要求有这些球的表面。综上所述,这样的抛光浆,尽管含有大量抛光加速剂,却依然表现出不令人满意的抛光速率。况且,抛光剂颗粒的表面处理使得抛光浆并因而使整个IC制造过程变得更加昂贵。
《Research Disclosure(RD)》419 020描述道,视平均粒度而定,最佳抛光效果是在硅溶胶平均粒度等于35nm时获得的。
然而,目前依然需要一种性能改进的抛光浆。具体地说,STI步骤希望有一种磨蚀速率足够高、选择性,特别是二氧化硅与四氮化三硅之间的选择性高,平面化作用好且缺陷密度低的抛光浆。
令人惊奇的是,这一目的通过提供一种具有双峰粒度分布的基于硅溶胶的抛光剂便可实现。
这一点之所以令本领域技术人员吃惊是因为,从RD 419 020得知,平均粒度35nm的二氧化硅颗粒据称具有最佳抛光性能。
然而,情况并非如此。所发现的抛光剂,与现有技术抛光剂相比,具有改进的磨蚀速率和提高的选择性。
因此,本发明涉及一种包含未通过键彼此连接的球形、不连续二氧化硅颗粒的抛光剂,其特征在于,该抛光剂包含,
a)5~95重量%,优选20~80重量%粒度介于5~50nm的二氧化硅颗粒,以及
b)95~5重量%,优选80~20重量%粒度介于50~200nm的二氧化硅颗粒,
条件是,所有颗粒的总体具有双峰粒度分布。
再有,本发明还涉及借助此种抛光剂生产平面层的方法。
本发明抛光剂不含有通过键彼此连接的二氧化硅颗粒。它们的固体含量介于1~60重量%,优选1~30重量%,尤其优选5~20重量%,其中可通过加水调整到所要求的固体含量。除了二氧化硅颗粒之外,本发明抛光剂还可包含其它的添加剂,例如,抛光加速剂、表面活性物质或粘度调节化合物。
硅溶胶构成本发明抛光剂的基础。硅溶胶包含未通过键彼此连接的二氧化硅颗粒。硅溶胶是无定形二氧化硅在水中或在醇和其他极性溶剂中的抗沉降胶体溶液。它们通常具有接近水的粘度并且某些市售供应产品具有高固体含量(最高达60重量%)而且是高度抗胶凝稳定的。
该硅溶胶从乳白浑浊到乳光直至无色透明,具体取决于二氧化硅颗粒的粒度。硅溶胶中的颗粒的直径介于5nm~250nm,优选5nm~150nm。这些颗粒是球形、空间受限的,优选带负电。在单个颗粒内部,通常有由[SiO4]四面体或由聚硅酸连接形成的硅氧烷键的主链,在其表面上常常排列SiOH基团。优选具有约30~1000m2/g的比表面面积的稳定硅溶胶。比表面面积可采用BET方法(参见S.Brunauer,P.H.Emmet和E.Teller,《J.Am.Chem.Soc.》1938,60,309页)对干燥二氧化硅粉末测定,或者直接在溶液中通过滴定测定,正如G.W.Sears所描述的(参见《Analytical Chemistry》卷28,第1981页,Jg.1956)。
所用硅溶胶在固体含量等于30重量%时的粘度通常小于10mPa.s。硅溶胶的粘度取决于粒度、电解质含量、二氧化硅含量和颗粒的交联度。所用硅溶胶优选是未交联的和抗胶凝稳定的。
抗硅胶形成这样一种基于三维交联以致在颗粒间形成Si-O-Si键现象的不可逆凝胶过程的稳定性,随着固体含量的提高、电解质杂质含量的增多和颗粒的变小而下降。一般地,细颗粒硅溶胶(例如粒度小于6nm的那些)只能配制到比粗颗粒硅溶胶(例如,粒度大于50nm)低的固体含量,而后者的固体含量可高达60重量%。
所用硅溶胶的pH值介于1~12。所用硅溶胶的pH值优选介于9~11。介于pH5~pH6的范围之所以不那么优选是因为在这一范围硅溶胶仅具有很低的稳定性。当pH值超过12时,颗粒大量出现胶溶和解离,以致形成碱性硅酸盐溶液。
硅溶胶当在其中加入电解质时将变得不稳定,例如对氯化钠、氯化铵和氟化钾不稳定。为使之稳定,让硅溶胶包含诸如苛性碱或苛性钠或钾溶液、氨或其他碱。因此,优选不加电解质的硅溶胶。
硅溶胶可通过新制由分子硅酸盐溶液制备的稀硅酸溶液经缩合来制取,较少通过硅胶的胶溶或通过其他方法来制取。大多数工业规模实施的硅溶胶制备方法采用工业级水玻璃作为原料。
纯碱水玻璃或钾碱水玻璃适合用于该方法,其中纯碱水玻璃由于成本的原因而更为优选。市售供应的纯碱水玻璃具有Na2O·3.34SiO2的组成,一般是通过石英砂与纯碱或硫酸钠与煤粉的混合物熔融生成被称之为片玻璃(Stückglas)的透明、无色玻璃来生产。当呈粉碎形式时,该片玻璃与水在高温和高压下起反应生成胶体、强碱性溶液,随后再对之进行净化处理。
还已知这样一种方法,其中细颗粒石英或其他适当二氧化硅原料在水热条件下用碱进行分解,从而直接生成水玻璃。
为制备抛光剂中使用的硅溶胶,必须从水玻璃中去除碱金属阳离子。最常用的去除碱金属的方法是用H+形式的阳离子交换剂处理稀水玻璃溶液。优选的是,让二氧化硅含量低于10重量%的水玻璃溶液通过离子交换柱。在溶液的pH值介于5~7的交换区内,保持短停留时间是防止溶液胶凝和离子交换树脂硅化的重要条件。
所生成的稀硅酸溶液(称作新鲜溶胶)高度不稳定,因此优选立即通过重新碱化和通过热处理以达到稳定和浓缩。硅溶胶尤其优选按如下程序达到稳定:将该溶液碱化到SiO2∶Na2O比值等于60~130∶1,其间将一部分溶液加热到60~100℃,以便增大颗粒并随后连续加入新鲜溶胶溶液,并让其生长到已有的颗粒上。与此同时或随后,溶液可通过蒸发来浓缩到要求的浓度。
通过精确的反应控制、对pH和温度的监测和通过停留时间设定的控制,可获得要求的粒度范围。除了新鲜溶胶之外,还可加入所谓核溶胶。所用核溶胶可以是具有规定粒度分布的硅溶胶。
还可采用其他方法制备使用的硅溶胶。例如,其制备可采取四乙氧基原硅酸酯(TEOS)的水解。采用该方法制取的硅溶胶,考虑到其高成本,故作为半导体制造中的抛光剂仅具有有限用途。
有关硅溶胶的全面阐述可见诸于K.K.Iler,《The Chemistry ofSilica》第四章,第312~461页,Wiley & Sons,纽约,1979。
通过从水玻璃中去除碱金属随后稳定化而制成并具有双峰粒度分布的硅溶胶是优选的。所用硅溶胶的粒度呈如下分布:其中包含5~95重量%,优选20~80重量%的5~50nm的颗粒,以及95~5重量%,优选80~20重量%的50~200nm的颗粒。术语双峰是指,在两个最大粒度分布之间至少有一个最小分布。
除电子显微镜图象术以外,各种各样其他方法也适合用来测定纳米范围的粒度,例如,激光相关光谱术、超声波测定或利用超离心的测定。考虑到其高度分辨率,超离心尤其适合用于确定双峰粒度分布。
超离心的特征在于,在实际测定之前,将分散体按照粒度分级。已知,在均匀分散体中,大颗粒形成沉淀的速度比同样也存在的中等颗粒和小颗粒更快。当超离心室以激光照射时,随着时间的推移,强度将出现明确规定的变化。颗粒浓度的变化,以及由此推断的粒度分布,可从此种强度的变化计算出来。光源是He-Ne激光器。超离心提供高精度、高分辨率,而且该分布测定准确,这在双峰分布的情况下尤其重要。
双峰硅溶胶可通过单峰硅溶胶的混合来制备。在此种情况下,可配制含有不同数量单峰硅溶胶的混合物,其中一种硅溶胶组分具有5~50nm之间的粒度最大值,而第二种硅溶胶组分具有介于50~200nm的粒度最大值。合适的话,双峰硅溶胶也可在稳定化期间制备。优选采用混合方法制备双峰硅溶胶,因为采用这种方法,要求的数量比可以重现性好得多的方式达到。构成抛光浆的溶胶的配制例如可通过加水稀释和加入可能的添加剂来实现。添加剂的加入量可介于0.01重量%~10重量%,以抛光浆为基准。
抛光剂硅溶胶的pH值优选介于9~12,尤其优选10~11。为加速抛光所要求的高pH值,例如可通过加入碱金属氢氧化物,如氢氧化钾和氢氧化钠、胺或氨或者四烷基铵氢氧化物来建立。水解期间产生碱性反应的盐,例如,碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾和碳酸氢铵也是合适的。适宜胺类的例子包括伯胺、仲胺、叔胺、杂环胺、三胺、四胺或五胺。可用的四烷基铵氢氧化物的例子包括四甲基铵氢氧化物、四乙基铵氢氧化物、四丙基铵氢氧化物和四丁基铵氢氧化物。
还可加入其它的添加剂来改善抛光浆的性能:例如,表面活性物质,如烷基硫酸盐、烷基磺酸盐、酚类、二醇或氟表面活性剂或者,例如,粘度调节物质,如聚电解质、聚丙烯酸、聚乙烯胺类和聚硅氧烷。
表面活性物质优选是阴离子、阳离子或非离子低分子量、低聚或聚合的乳化剂、表面活性剂或保护胶体。
阴离子低分子量、低聚或聚合乳化剂或表面活性剂的例子是脂肪酸的碱金属或碱土金属盐,例如,10~21个碳原子的饱和脂肪酸钠盐、12~18个碳原子的不饱和脂肪酸的钠盐、烷基醚磺酸酯,如磺基-羟基-聚乙二醇与例如,1-甲基苯基乙基-苯酚、壬基苯酚的醚或者12~18个碳原子的烷基醚,芳基-烷基-磺酸酯,例如,直链或支链-丁基-取代的萘磺酸或烷基硫酸盐如长链烷基硫酸酯的钠盐。
阳离子低分子量、低聚或聚合乳化剂或表面活性剂的例子是具有8~22个碳原子的长链烷基并与酸或者经过烷基化反应而生成铵化合物的盐,或者也可以是类似的磷化合物和类似的硫化合物。
非离子低聚或聚合乳化剂或表面活性剂的例子是烷基聚二醇醚或烷基聚二醇酯,例如具有乙氧基化的饱和/或不饱和键的长链醇,例如具有12~18个碳原子的,乙氧基化蓖麻油、乙氧基化(椰油)脂肪酸、乙氧基化豆油、乙氧基化树脂酸或乙氧基化松香酸、乙氧基化并任选丙氧基化的丁基二甘醇,或者乙氧基化烷基芳基醚,例如,乙氧基化直链和/或支链壬基苯酚或者辛基苯酚或者苄基化的对羟基联苯、乙氧基化甘油三酯和甘油二酯以及烷基聚苷。
其他合适的乳化剂或表面活性剂是乙氧基化长链烷基-或链烯基胺、卵磷脂、由聚乙二醇与二异氰酸酯得到的用长链烷基异氰酸酯改性的反应产物、菜子油与二乙醇胺的反应产物或者脱水山梨醇与长链烷-或链烯羧酸的乙氧基化反应产物。
另外,所谓保护胶体,合适的例如是聚乙烯醇或水溶性纤维素衍生物如甲基纤维素。
下面将结合实施例来解释本发明,但本发明抛光剂不限于所提到的这些实施例。
实施例:
实施例1:
双峰硅溶胶的制备
将500mL平均粒度15nm、pH值等于9.3的硅溶胶在室温下与1583mL平均粒度70nm、pH值等于9.4的硅溶胶进行混合。该硅溶胶的双峰粒度分布可从图3中看出。pH值等于9.4的该双峰硅溶胶被用于在实例2中做抛光试验。
实施例2~4
抛光试验
实施例2~4连同本发明硅溶胶以及对比硅溶胶的磨蚀速率和选择性一并载于表中。抛光条件总括如下。在实施例2中,采用来自实施例1的本发明双峰硅溶胶配制的抛光浆所获得的抛光试验结果载于表2。一种平均粒度70nm的硅溶胶被用作抛光试验3中的抛光浆(图2)。抛光试验4中的抛光浆包含平均粒度分布为15nm的细颗粒硅溶胶(图1)。
试验采用的抛光条件
抛光机:IPEC 472
压力: 0.5bar
反压: 0bar
板速: 32rpm
支持体速度: 28rpm
抛光浆的加入速率 175ml/min
抛光时间: 1min
抛光垫: Rodel IC 1400
采用直径200mm的无图案(空白)晶片。氧化物层(TEOS)的厚度是10,000埃,氮化物层的厚度是6000埃。
氧化物(TEOS)的磨蚀速率是以埃每分钟为单位给出的,而选择性则表示氧化物与四氮化三硅的比值。
表:包含硅溶胶的抛光浆的磨蚀速率和选择性
抛光浆 | 磨蚀速率(埃/分钟) | 选择性(氧化物/氮化物) |
实施例2双峰硅溶胶粒度分布(图3) | 3051 | 8.0 |
对比例3单峰硅溶胶粒度分布(图2) | 2857 | 6.6 |
对比例4单峰硅溶胶粒度分布(图1) | 2109 | 4.0 |
从表格中给出的结果可以看出,用来自实施例1的本发明双峰硅溶胶配制的抛光浆与每个都采用单峰硅溶胶的两个对比例中使用的抛光浆相比具有明显高的磨蚀速率和改善的选择性。
Claims (7)
1.一种包含未通过键彼此连接的球形、不连续的二氧化硅颗粒的抛光剂,其特征在于,该抛光剂包含,
a)5~95重量%粒度介于5~50nm的二氧化硅颗粒,和
b)95~5重量%粒度介于50~200nm的二氧化硅颗粒,
条件是,所有颗粒的总体具有双峰粒度分布。
2.权利要求1的抛光剂,其特征在于,该抛光剂包含,
a)20~80重量%粒度介于5~50nm的二氧化硅颗粒,和
b)80~20重量%粒度介于50~200nm的二氧化硅颗粒。
3.权利要求1和2的抛光剂,其特征在于,该抛光剂的pH值介于9~12。
4.权利要求1~3的抛光剂,其特征在于,该抛光剂的固体含量介于1~60重量%。
5.权利要求1~4的抛光剂,其特征在于,该抛光剂是通过不同粒度的单峰硅溶胶的混合制取的。
6.权利要求1~5的抛光剂,其特征在于,该抛光剂的选择性介于6~15。
7.一种生产平面氧化物层的方法,其特征在于,采用权利要求1~5的抛光剂。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10016020 | 2000-03-31 | ||
DE10016020.4 | 2000-03-31 | ||
DE10063870.8 | 2000-12-21 | ||
DE10063870A DE10063870A1 (de) | 2000-03-31 | 2000-12-21 | Poliermittel und Verfahren zur Herstellung planarer Schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1420917A true CN1420917A (zh) | 2003-05-28 |
CN1240797C CN1240797C (zh) | 2006-02-08 |
Family
ID=26005114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB018074324A Expired - Fee Related CN1240797C (zh) | 2000-03-31 | 2001-03-19 | 抛光剂和生产平面层的方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030061766A1 (zh) |
EP (1) | EP1274807B1 (zh) |
JP (1) | JP2003529662A (zh) |
CN (1) | CN1240797C (zh) |
AT (1) | ATE302830T1 (zh) |
AU (1) | AU2001256208A1 (zh) |
HK (1) | HK1056194A1 (zh) |
IL (1) | IL151794A0 (zh) |
TW (1) | TW526250B (zh) |
WO (1) | WO2001074958A2 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101611476A (zh) * | 2007-02-27 | 2009-12-23 | 日立化成工业株式会社 | 金属用研磨液以及研磨方法 |
CN101838503A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-09-22 | 佛山市柯林瓷砖护理用品有限公司 | 抛光砖、石材、人造石翻新用抛光剂 |
CN102732157A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 化学机械抛光液、系统和方法 |
CN110655867A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 凯斯科技股份有限公司 | 抛光料浆组合物 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10152993A1 (de) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Bayer Ag | Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität |
US6884144B2 (en) | 2002-08-16 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for planarizing microelectronic devices with Ge-Se-Ag layers |
TWI307712B (en) * | 2002-08-28 | 2009-03-21 | Kao Corp | Polishing composition |
JP2004128069A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
US20050056810A1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-03-17 | Jinru Bian | Polishing composition for semiconductor wafers |
JPWO2005029563A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | 日本化学工業株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
ATE463838T1 (de) * | 2003-09-30 | 2010-04-15 | Fujimi Inc | Polierzusammensetzung und polierverfahren |
JP4291665B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-07-08 | 日本化学工業株式会社 | 珪酸質材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法 |
CN1667026B (zh) * | 2004-03-12 | 2011-11-30 | K.C.科技股份有限公司 | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 |
EP1586614B1 (en) * | 2004-04-12 | 2010-09-15 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
TWI283008B (en) * | 2004-05-11 | 2007-06-21 | K C Tech Co Ltd | Slurry for CMP and method of producing the same |
US7988878B2 (en) * | 2004-09-29 | 2011-08-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
JP4852302B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2012-01-11 | 信越半導体株式会社 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 |
US7790618B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective slurry for chemical mechanical polishing |
US20100146864A1 (en) * | 2005-08-10 | 2010-06-17 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd | Nodular Silica Sol and Method of Producing the Same |
CN1955249B (zh) * | 2005-10-28 | 2012-07-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料 |
JP4963825B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2012-06-27 | 日揮触媒化成株式会社 | 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物 |
TW200734436A (en) * | 2006-01-30 | 2007-09-16 | Fujifilm Corp | Metal-polishing liquid and chemical mechanical polishing method using the same |
JP2007214518A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
US7902072B2 (en) * | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Fujifilm Corporation | Metal-polishing composition and chemical-mechanical polishing method |
JP5289687B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2013-09-11 | 株式会社アドマテックス | 研磨材用砥粒及びその製造方法、並びに研磨材 |
DE102006046619A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Streichfähiger SiO2-Schlicker für die Herstellung von Quarzglas, Verfahren zur Herstellung von Quarzglas unter Einsatz des Schlickers |
JP5329786B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-10-30 | 株式会社東芝 | 研磨液および半導体装置の製造方法 |
PT103838B (pt) * | 2007-09-28 | 2008-11-03 | Cuf Companhia Uniao Fabril Sgp | Óxidos cerâmicos esféricos nanocristalinos, processo para a sua síntese e respectivas utilizações |
JP5236283B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-07-17 | 花王株式会社 | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
CN102210013B (zh) * | 2008-11-10 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | 研磨用组合物和半导体集成电路装置的制造方法 |
CN102533117A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-04 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于3d封装tsv硅抛光的化学机械抛光液 |
WO2013069623A1 (ja) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US9238755B2 (en) * | 2011-11-25 | 2016-01-19 | Fujima Incorporated | Polishing composition |
KR101480179B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2015-01-09 | 제일모직주식회사 | Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
KR20150014924A (ko) * | 2012-04-18 | 2015-02-09 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
CN102796460B (zh) * | 2012-08-31 | 2014-05-07 | 安特迪(天津)科技有限公司 | 一种二氧化硅基cmp抛光液及其制备方法 |
MY189765A (en) * | 2013-04-17 | 2022-03-03 | Silbond Corp | Colloidal sol and method of making same |
US9633831B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
JP6506913B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-04-24 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP6316680B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-04-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP2016155900A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法 |
JP6436018B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-12-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物単結晶基板の研磨スラリー及びその製造方法 |
US11400458B2 (en) * | 2018-06-08 | 2022-08-02 | Green Coal Technologies (Pty.) Ltd. | Process and equipment assembly for beneficiation of coal discards |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0773270B1 (en) * | 1995-11-10 | 2001-01-24 | Tokuyama Corporation | Polishing slurries and a process for the production thereof |
FR2754937B1 (fr) * | 1996-10-23 | 1999-01-15 | Hoechst France | Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium |
US6143662A (en) * | 1998-02-18 | 2000-11-07 | Rodel Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
JP4105838B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2008-06-25 | 株式会社トクヤマ | 研磨剤及び研磨方法 |
US6293848B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
-
2001
- 2001-03-19 IL IL15179401A patent/IL151794A0/xx unknown
- 2001-03-19 EP EP01929438A patent/EP1274807B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 AT AT01929438T patent/ATE302830T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 US US10/239,464 patent/US20030061766A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-19 JP JP2001572637A patent/JP2003529662A/ja active Pending
- 2001-03-19 WO PCT/EP2001/003113 patent/WO2001074958A2/de active IP Right Grant
- 2001-03-19 AU AU2001256208A patent/AU2001256208A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-19 CN CNB018074324A patent/CN1240797C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-26 TW TW090107018A patent/TW526250B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-11-21 HK HK03108503A patent/HK1056194A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101611476A (zh) * | 2007-02-27 | 2009-12-23 | 日立化成工业株式会社 | 金属用研磨液以及研磨方法 |
US8821750B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-09-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Metal polishing slurry and polishing method |
CN102690607B (zh) * | 2007-02-27 | 2015-02-11 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及其应用 |
CN101838503A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-09-22 | 佛山市柯林瓷砖护理用品有限公司 | 抛光砖、石材、人造石翻新用抛光剂 |
CN102732157A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 化学机械抛光液、系统和方法 |
CN110655867A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 凯斯科技股份有限公司 | 抛光料浆组合物 |
US11279851B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-03-22 | Kctech Co., Ltd. | Polishing slurry composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW526250B (en) | 2003-04-01 |
AU2001256208A1 (en) | 2001-10-15 |
US20030061766A1 (en) | 2003-04-03 |
WO2001074958A3 (de) | 2002-02-28 |
EP1274807B1 (de) | 2005-08-24 |
CN1240797C (zh) | 2006-02-08 |
JP2003529662A (ja) | 2003-10-07 |
WO2001074958A2 (de) | 2001-10-11 |
EP1274807A2 (de) | 2003-01-15 |
IL151794A0 (en) | 2003-04-10 |
HK1056194A1 (en) | 2004-02-06 |
ATE302830T1 (de) | 2005-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1240797C (zh) | 抛光剂和生产平面层的方法 | |
CN1245471C (zh) | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 | |
CN1667026B (zh) | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 | |
KR101068068B1 (ko) | 반도체용 연마제, 그 제조 방법 및 연마 방법 | |
CN1230486C (zh) | 氧化铈淤浆和制造基材的方法 | |
CN1161999A (zh) | 抛光组合物 | |
CN1185471A (zh) | 抛光剂组合物 | |
CN1248994A (zh) | 用于氧化物cmp的组合物 | |
JP2001139935A (ja) | 研磨用組成物 | |
CN1572424A (zh) | 用于浅沟槽隔离的化学/机械抛光方法 | |
CN1648191A (zh) | 化学机械研磨用水性分散剂及其化学机械研磨方法 | |
CN1944496B (zh) | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 | |
Dong et al. | Preparation of non-spherical silica composite abrasives by lanthanum ion-induced effect and its chemical–mechanical polishing properties on sapphire substrates | |
CN1083618C (zh) | 用于硅衍生物或硅的绝缘材料层的化学机械抛光方法和研磨制品 | |
CN1437643A (zh) | 研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法 | |
CN1153823C (zh) | 用于机械化学抛光低介电常数聚合物类绝缘材料层的组合物 | |
Lu et al. | Silica nano-particle anneal treatment and its effect on chemical mechanical polishing | |
JP2006041252A (ja) | Cmp研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 | |
KR100679198B1 (ko) | 연마재 및 평탄한 층을 제조하기 위한 방법 | |
CN1131288C (zh) | 抛光组合物 | |
JP2001348563A (ja) | 研磨剤 | |
CN1696236A (zh) | 化学机械抛光浆料及抛光基板的方法 | |
KR100679460B1 (ko) | 세리아-판상마이카 복합연마재 및 그 제조방법 | |
JP6797665B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2001351883A (ja) | 半導体絶縁膜層用研磨剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060208 Termination date: 20100319 |