TW526250B - Polishing abrasive and process for producing planar layers - Google Patents

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j^25〇 A7 B7 五 '發明說明（ 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 本發明係關於一種以Si〇2為底的拋光磨擦劑及擊、告 平面層的方法。 、造 積體笔路(1C)包含圖樣化的半導體、非導體與導體y 膜’這些印花層（patterned layers)通常是經施力口 —居 料，例如經蒸氣澱積，與經使用，微平版印刷法e 二 择 上之圖 僳’ 1C的電路組件（C0mp0nents)，例如電晶體、恭办 兒各器、 黾阻與連線，是由各種的半導體、非導體與導體層 合產生。 " 組 1C的σ口貝及其功能極度倚賴可被施加上及圖样化的 各層次材料之精密性。 ' 然而，隨著層次的增加，層次的平整性逐漸減至相各 私度，在一定數目的層次後，這會導致IC的一或多個功 能性組件失效並因此使整個IC失效。 層次失去平整性係由於添加新層次於已印有圖樣之層 次所致，每層的高度差至多可達〇·6微米，這些高度差在 經過層層累積後即表示下一層次不再是施加在平整的表面 而是在不平的表面上，第一種結果為施加上的下一層次厚 度不均勻，最不好的‘情況為由此形成有缺陷、瑕疵之電的 功能之組件及不良接觸點，不平整的表面也會產生印上花 樣的問題，為能夠產生足夠的小圖樣，在微平版印刷步驟 中需要求焦點的極限高度(DOF)，然而這些結構僅可於一 平面上被明確地聚集；愈多的點不在此平面，則聚焦變得 愈不敏銳。 為解決此問題’乃進行所謂的化學機械的拋光 90067Α -------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

I n I ϋ ϋ ϋ n I I ϋ -I n I n I ϋ ϋ ϋ «I n n H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ -ϋ ϋ I 526250 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π Α7 Β7 五、發明說明（） (CMP)，CMP藉磨擦突起的層次部分至取得平面層，使印 有圖樣的表面產生全面的平面化，結果，下一層次可施加 於無高度差之平面上並印上精密圖樣及保有IC組件的功 能。 5 CMP步驟係藉助於特殊的拋光機器、拋光墊與拋光 磨擦劑（拋光料漿）來進行，拋光料漿是種組成物，經與拋 光機器上的拋光墊配合，用來磨擦將被拋光的材料。 CMP技術被整體回顧於，例如，B.M.Muller， J.S.Steckenrider Chemtech(1998) ρρ·38-46 ° 10 於拋光過程中，CMP料漿決定性地影響拋光性能， 至今已被假設其間化學與機械作業均具影響，因此，需要 求特定的拋光料漿供各種的拋光步驟使用。 原則上，差別是被引導介於非導電的層次（例如二氧 化矽）的拋光，與導電層（主要金屬為，例如鎢、鋁與銅）， 15 二氧化矽的拋光為已知的氧化物CMP。 ^此外，在氧化物CMP中，有一系列的不同之拋光步 鉢就個別的層次結構與包含於層次結構中的層次材料的 數目與類型，二氧化‘石夕之應用均有不同。 八。氧化物CMP方法中的重要步驟為所謂的江以中間層 20 電的）拋光的步驟，其中是將提供兩連接層的絕緣作用 :二氧化矽層予以拋光，然而，更進一步的氧化物CMp 二驟的重要性正增加巾，例如所謂的STI(m緣）步 …’其中係將半導體元件的隔離層被拋光。 特別是對於包含半導體層的抛光步财，騎到精確 [紙張尺度1規格⑵。x (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · 線- -4- 526250 A7 B7 五、發明說明（ 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 的印刷，對拋光的步驟與因此有關的拋光料漿的要求就特 別的大。 用於描述拋光料漿的作用之參數範圍代表對拋光料漿 的有效性之評估尺度，這些參數包括磨擦速率，即欲被拋 光的材料受磨蝕之速率；選擇性，即欲被拋光的材料相對 也存在的其他材料之磨餘速率之比例；以及代表平面性均 勻度之參數；用於代表平面化均勻性的參數通常為晶片内 不均勻性(within-wafer-nonuniformity，WIWNU)與晶片-對 -晶片間不均勻性(wafer-to-wafer-nonuniformity，TWNU)， 以及每單位面積的缺陷數，晶片係指其上已建構上積體電 路之經拋光的矽薄片。 氧化物CMP中係使用磨擦粒子(例如氧化鋁、二氧化 矽與二氧化鈽）之強鹼性配方做為拋光料漿，以二氧化矽 為底的抛光料漿在實際上已變成相當普及。 產製拋光料漿的生原料通常為生熱的二氧化矽，其包 含由較小的基本粒子所成集結體，即由小的、通常為球形 之基本粒子繫密結合於生熱的二氧化矽以形成較大的、不 規則形的粒子，故，為產生拋光料漿，有必要將這些集結 物打破成儘可能的小粒子，這可藉引入剪切能量（例如強 力攪動）於水或鹼性介質與生熱的二氧化矽的混合物達 成，韵切旎ϊ可使集結的生熱的二氧化矽打散，然而，由 於引入韵切旎1的效盈要視粒子大小而定，利用剪切力量 不可能產生得如基本粒子般大小與形狀的粒子，故，以此 方式製出的料漿具有其巾的集結物沒法充分被打散的缺點 c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

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五、發明說明（4) 且基本二氧化矽粒子的集結物仍留在料漿中，此粗粒子部 分可能導致增加的刮痕形成與其他不想要的缺點於欲被拋 光的表面上。 EP-A-899 005中教示可藉過濾法除去粗粒子，但這種 5 方法相當複雜且僅能部分解決問題，乃由於集結物遠小於 過濾限度且由於非球形結構，仍可能傷害將被抛光的表 面。 WO 96/027 2096、US-A-5 376 222 與 EP-A-520 109 教 示可使用pH介於9與12.5間的驗性二氧化石夕溶膠，其 10 PH係經添加鹼性氫氧化物或胺類來達成。 這類拋光料漿的優點為其實際上僅包含分離的球形粒 子’其僅會造成欲被拋光的表面低度刮痕及其他缺陷。 這些拋光料漿的缺點為其低磨擦速率，為彌補這項缺 點而予增加添加的鹼性拋光催速劑，即鹼性氫氧化物與胺 15類；然而，當使用以二氧化矽為底的拋光料漿時，供二氧 化矽排版的化學平衡限制了鹼性拋光催速劑之添加，在加 入一定量的氫氧化物離子後，這些離子會與二氧化矽粒子 反應並使形成矽酸鹽‘類(膠溶作用），故，pH超過12之拋 光料漿是不安定的且要成具工業化規模生產相當困難。 20 在 Ep-A-874 036 與 US-A-5 876 490 中，其中嘗試藉 提供帶聚合物塗層的二氧化矽粒子或二氧化鈽以解決這些 問題。 JP 09/324 174提出有機聚合物與聚矽氧烷類供此目 的’氧化紹的塗覆物被揭示於US-A-3 922 393，且有為了 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一-口*" · ;線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526250 A7 五、發明說明（ 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 減少位於表面的矽烷醇基團而做表面修飾的方法被揭示於 US-A-4 664 679 ° 結果，以二氧化石夕粒子為底的拋光料漿之穩定性被提 昇了，然而，依目前的知識，為得到足夠的磨擦速率，需 要求有量的自由地可接近之二氧化梦表面，甚至就= 前對化學法在表面上發生了什麼變化了解不多之情況下， 有個想法為，需要這些球形表面是為了丨殿積此材料，其係 已被自欲被拋光的表面移開者’因此，這類抛光料聚，不 管高量的拋光催速劑，呈現不理想的拋光速率；此外，拋 光磨擦劑粒子的表面處理使得抛光料t與因此的整個工c 建構過程更昂貴。 在研究成果(Research DiScl〇sure(RD))4i9 020 中，其 中揭示，以平均粒子大小而言，最好的拋光結果係得自應 用平均大小為35納米之二氧化矽溶膠粒子者。 然而，仍持續需要具改良的性質之拋光料漿，特別是 具，夠高磨擦速率、具高選擇性的，特別是介於二氧化石夕 與氮化秒間者、具良好平面化作用與低缺陷密度之抛光料 漿供進行STI步驟。‘ 令人驚#地’此目的可籍提供以帶有雙形態的粒子大 小分佈的二氧化矽溶膠為底之拋光磨擦劑達成。 足讓從事本行者驚奇的是，由於先前從RD 419 〇2〇 已知，具平均粒子大小為35納米之二氧化矽溶膠粒子被 認為是具有最適合的拋光性質者。 然而，此情況並非如此，現在被揭示的磨擦劑，其與 个週用甲國國冢標準（cns)A4規格公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · -線_ 526250 A7 五、發明說明（ 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 先前文獻所知的磨擦劑比較，具改良的磨擦速率與增進的 選擇性。 本發明係關於含有球形的、非經鍵結彼此相連之 氧化矽粒子之拋光磨擦劑，特點為此磨擦劑含有 5至95%重量計，宜為20至80%重量計，粒子 大小為5至50納米之二氧化矽粒子，與 95至5%重量計，宜為80至20%重量計，粒子 大小為50至200納米之二氧化矽粒子 附帶條件為整組的粒子具有雙形態的粒子分佈。 此外，本發明相關藉助於這些拋光磨擦劑以製造平面 層的方法。 本發明的拋光磨擦劑不含有彼此經鍵結連結著的二^ 化矽粒子，它們含固形物量為自丨至6〇%重量計，宜為氣 至30%重量計，特別是5 i 2〇%重量計，它有可能經添^ 水以使得到所想要的固形物含量，除了二氧化石夕粒子^ 本發明的拋光磨擦劑也可能含有其他的添加物，例如拋井 催速劑、表面活性物質或粘度調整化合物。 “ 本發明的拋光磨丨察劑主要由二氧化矽溶膠形成，二& 化石夕溶膠含有彼此雜鍵結連結著的二氧切粒子，= =夕溶膠是種在水或酒精及其他難溶射騎搬積= 〜生、不定形二氧化碎的膠體溶液，它們通常對水 ^度，且部分市售產品具高的固形物濃度(達_重： 〇t)且為高度安定於對抗產生凝膠。 里 故 分立的 a)b) 氧化石夕溶膠的範圍從牛奶般雲霧狀至澄清乳色與無 中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

526250 A7 B7 五 、發明說明（ 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 色狀，視二氧化矽的粒子大小 一 子具有5至250納米，宜為自，二氧化石夕溶膠中的粒 為球形、空間受限制的且宜為帶負Γ::米之粒徑’粒子 内部，通常有錢㈣的骨架，二何者，在個別的粒子 結或屬於聚石夕酸類sioH基團;、vl [sl04]四面體的連 面積為…嶋克的團二^ 者，载比表面面積的方法—=切溶膠為較佳 Bmnauer，P.H.Emmet and Ε. Τ ” 贿法（麥考 1938 ^ 60 ^ ν〇Γ28™Γ Chemis；ry! 〇1·28 ρ·1981 ’ 1956)滴定測定。 所用的二氧化矽溶膠通常 下具有少於1〇mPa.s的枯度，二的固形物含量 子大小、電解質含量、二氧化；^化;夕轉的'钻度視粒 :者，二一為:二 :會因:氧化梅量增加、電解質污染升高與粒 子Π牛二ΐ常，細分的顆粒二氧化石夕溶膠類(例如粒 子大小為# 6納米者)僅可較㈣雖二氧切溶 大小為大於5〇納米者)被設定成較低的固形物 重量計），粗粒子的固形物含量至多可達 -9- ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · —線- ί ί n n n I · 本紙張尺度刺巾關家料(CNS)A4規格（210 X 297公爱） 526250 A7 B7 五、發明說明（8 斤用的—氧化％溶膠其 用的二氧切 1與12間，通常使 安定性Γί 由於位於此範圍的二氧化石夕溶膠之 分解的現象，=12的各ΡΗ下，粒子有增加膠溶及 一卜泵而形成鹼性矽酸鹽溶液。 膠含有驗，^ ^^的，為安定化的㈣，二氧化石夕溶 因此m °可軸或苛_紐、氨水或其他驗類， 10 15 20 二，加有電解質的二氧切溶膠料較佳者。 罕見:ϊΐ石夕溶谬類可製自：將剛從分子石夕酸鹽溶液，較 進行縮合;:t切Γ或其他方法製備得的稀德液 方法係使用^ Γ 工業化供製備二氧化石夕溶膠之 _用技術-級的水玻璃做為起始材料。 補^ 或切水玻璃(《 水玻；：;)為適:此目的使用者，就成淋 Na2a3.34Sl〇^f面上可靖得的含納水玻璃具有 硫酸納與木且通常是由溶融二氧切砂與納或

Tik . _ 在杨饪型悲，此片玻璃在高溫及 匕，成膠體狀、強驗性溶液，隨後變成澄清。 打碎在^^細的石英顆粒或其他適當的叫生原料 法。在'、、、液條件下與驗類一起直接形成含水的水玻璃的製 為製傷用於抛光磨擦劑中的二氧化石夕溶膠，有必要自 I -ίο-

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526250 五、發明說明（9) it螭移去鹼金屬陽離子，最常用供移去鹼金屬的方法是 藉王H+型態的陽離子交換劑處理稀的水玻璃溶液，較 亦X f有石夕含量低於重量計的水玻璃溶液通過交換 η ά為防止/谷液產生凝膠及離子交換樹脂的；e夕酸鹽 5化，在交換帶(其中的PH為5至7)中的短滯留時間相當重 要。 形成的稀矽酸溶液（已知的新鮮溶膠）為高度不安定 =且立即藉更新的鹼化反應與藉熱處理予以安定化及濃 、、倚一氧化矽溶膠的安定化，尤適宜方法為，將溶液鹼化 10 ,，，:Na2〇的比例為60至130:1，在60至10(TC下加熱 口(^刀 >谷液以便放大粒子並接著連續添加新鮮溶膠溶液並讓 /、生長附加於己存在的粒子上，同時或接著，可藉蒸發作 用將溶液濃縮至所要濃度。 … ^經正確控制反應、監測PH與溫度或經控制滯留時間 、又疋有可月匕没定出所要的粒子大小範圍，也有可能加 =二謂的核溶膠與新鮮的溶膠，所用的核溶膠可以是具有 特定粒子大小分佈的二氧化矽溶膠。 制也有可能使用另‘種方法製備二氧化矽溶膠，例如，此 製法可能藉四乙基正矽酸鹽(TE〇s)的水解，利用此法製得 、氧化石夕’谷聲受限僅能做為半導體建構中的抛光磨擦劑 使用’乃因其昂貴價格。 有關二氧化矽溶膠的更詳細說明被提供於KKIler，

Chemistry 〇f Silica ’ Chapter 4，ρρ· 312-461，Wiley &

Sons，New York，1979。 -11- 本紙張尺度適用中國規格（21G x 297公爱） -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： T !線丨； 526250 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1G) 較佳的二氧化矽溶膠為，藉移除水玻璃中的鹼金屬， 接著予以安定化的方法製備、且其具有雙形態粒子大小分 佈者，所用的二氧化矽溶膠的粒子大小分佈為其含有5至 95%重量計，宜為20至80%重量計，粒子大小為5至50 5 納米者，與95至5%重量計，宜為80至20%重量計，粒 子大小為50至200納米者，“雙形態的”意指在兩類粒子 大小分佈間應至少包括其最少量。 除電子顯微鏡影像外，也有多種其他方法適宜供測定 納米範圍下的粒子大小，例如雷射相關光譜法、超音波測 10 量法或利用超離心的測量法，就分離的高度精確性考量， 超離心法尤適合供測定雙形態的粒及大小分佈。 超離心法的特徵為，分散物在真正的測量之前已被依 粒子大小劃分，已知，在均質的分散物中，大的粒子較也 存在的中型粒子與小粒子更快形成沈澱，當超離心管以雷 15 射光照射時，隨時間而發生依密度的清楚界限改變，粒子 的濃度之改變且，由此，可從密度的此種改變計算出粒子 大小分佈。光源是使用He-Ne雷射光。超離心法可達到高 度正確性、高解析度‘、與正確測定出分佈狀態，這在雙形 態的分佈上特別重要。 20 雙形態的二氧化矽溶膠可藉混合單形態的二氧化矽溶 膠而得，此情形下，有可能以不同量的單形態二氧化矽溶 膠組合混合物，其中一種二氧化矽溶膠具有粒子大小為介 於5與50納米，另種二氧化矽溶膠具有粒子大小為介於 50與200納米，如適合的話，二氧化石夕溶膠也可於安定 -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨·裝 訂： --線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526250 A7 B7 五、發明說明（11、 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 類 量 類 間製備，宜使用混合的作業法製備雙形態的二氧化矽 命膠，由於用這種方法，可製得再現性較高符合所要量比 例的產u ，以溶膠做成拋光料漿的配方之做法為，例如， 、火稀釋且可能添加添加物以進行，添加物之加入量馮自 o.oiy舌旦上 里计至10%重量計，相對總量的掀光料漿而計。 拋光磨擦的二氧化矽溶膠具有較適當的9至12之pH 值’特別適宜為10至11，有必要的高pH值是為了可加 二建立抛光作業，例如，經添加驗性氫氧化物類，例如氫 氧化卸與氫氧化鈉、胺類或氨水或四烷基銨氫氧化物，水 解時，、鱼 ^ 運刊驗性反應之鹽類，例如碳酸鈉、碳酸氳鈉、碳 次卸、奴酸氫鉀與碳酸氫銨也為適合者，適當的胺類包括 ^、、及私類、二級胺類、三級胺類、雜環胺類、三胺類、四 月女4或五胺類’可被應用的四烷基銨氫氧化物類之例子為: 甲基錢氫氧化物、四乙基銨氫氧化物、四丙基銨氫氧化 物與四丁基銨氫氧化物。 有可能另加試劑以供改良拋光料漿的性能，例如，表 面活性物質’例如烷基硫酸酯類、烷基磺酸酯類、酚類、 甘醇類或含氟表面活‘性劑類或，例如粘度_調節物質類， 例如ΛΚ包解質類、聚丙烯酸類、聚乙二胺類與聚矽氧烷 表面活性劑類宜為陰離子、陽離子或非離子的低分子 养來或多聚乳化劑類、表面活性劑類或保護的膠體 陰離子之低分子量、寡聚或多聚乳化劑類或表面活性 -13- 本纸張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規^ χ挪 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526250 A7 —一一一 五、發明說明（12) J顯之例子為脂族酸類之驗金屬或驗土金屬鹽類，例如具 10-12個碳原子的飽和脂肪酸之鈉鹽、具12-18個碳原子 的不飽和脂肪酸之納鹽、烧基_績酸醋類，例如續基-經 基-聚乙二醇與，例如1-甲基笨基乙基—酚、壬基酚、或與 5具1孓18個碳原子的烷基醚類之醚類、芳基-烷基磺酸酯 類，例如直鏈-或支鏈-丁基-取代的萘磺酸類或烷基硫酸酯 類’例如長鏈烷基硫酸酯類之鈉鹽。 陽離子之低分子量、寡聚或聚乳化劑類或表面活性劑 類之例子為胺類之鹽類，此胺類為具長烷基且為得自具8-10 22個碳原子且已與酸類反應或經烷基化反應產生銨化合 物者，或為類似的含磷化合物與類似的含硫化合物。 非離子之低分子量、寡聚或多聚乳化劑類或表面活性 劑類之例子為烷基聚甘醇醚類或烷基聚甘醇酯類，例如具 乙氧基化飽和的或不飽和鍵的醇類，例如具12_18個碳原 15子的乙氧基化的蓖麻油、乙氧基化的（椰子）脂肪酸類、乙 氧基化的大豆油、乙氧基化的樹脂酸類或乙氧基化的松子 酸類、乙氧基化的與，有必要的話，丙氧基化的丁基二甘 醇、或乙氧基化的烧基芳基醚類，例如乙氧基化的直鏈及 /或支鏈壬基盼或辛基g分或bennylated對-經基聯苯、乙氧 20基化的三酸甘油酯與二酸甘油酯及烷基聚糖苷類。 其他適當的乳化劑或表面活性劑類為乙氧基化的長鏈 烷基-或烯胺類、卵磷脂、聚乙二醇與經長鏈烷基異氰酸 酯類修飾過的二異氰酸酯類之反應產品、菜籽油與二乙醇 胺的反應產品或山梨聚醣與長鏈烷_或烯羧酸類的乙氧基 -14- 本紙張尺度剌+關家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： •線· 526250 A7 五、發明說明（13、 化產品 此外，適當的所謂的保護性膠體為，例如聚乙稀醇類 或可溶解於水的纖維衍生物類，例如甲基纖維素。 本發明述實舰朗參考，本發明所指 擦劑非僅限於此。 磨 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印复 20 ： ： 製備雙形態的矽溶膠 在室溫下令500毫升具平均粒子大小為15、納米與阳 為9·3的二氧化矽溶膠與1583毫升具平均粒子大小為7〇 納米與PH為9.4的二氧㈣溶膠混合，此二氧化石夕溶膠 的雙形恶粒子大小分佈可由圖3看出，使用此種具pH為 9.4的雙形態二氧化矽溶膠供實例2的拋光試驗。 實例2至4丄 抛光試驗 實例2至4與磨‘擦速率與選擇的本發明之二氧化石夕溶 膠及對的一氧化石夕溶膠被列於表中，抛光的條件被摘錄 如下’在貫例2中，使用含有得自實例1之本發明的具雙 形態的二氧化矽溶膠的拋光料漿的結果被示於實例2，拋 光試驗3中的拋光料漿係使用具平均粒子大小為7〇納米 (圖2)的二氡化矽溶膠，拋光試驗4中之拋光料漿含有極 細顆粒的，具平均粒子大小分佈為15納米的二氧化矽溶 •15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁)

526250 A7 B7 五、發明說明（ 14、 10 膠（圖1)。 這些試驗的抛光條件為： 拋光機：IPEC472 壓力： 對流壓力： 面板速率： 支撐速率： 拋光料漿的計量速率 拋光時間： 拋光墊： 0.5巴 0巴 32 rpm 28 rpm 175毫升/分鐘 1分鐘 Rodel 1C 1400 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 使用具直徑為200毫米之未印上花樣（空白）的晶片， 氧化物層（TEOS)的厚度為10,000埃且氮化物層的厚度為 6000 埃。 供氧化物(TEOS)的磨擦速率為每分鐘以埃計，且選擇 性顯示氧化物對氮化矽的比例。 . •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526250 A7 B7 五、發明說明（15) 表：含有二氧化矽溶膠的拋光料漿的磨擦速率與選擇性 拋光料漿 磨擦速率 選擇性 [埃/分鐘] 氧化物/氮化物 實例2 雙形態二氧化矽溶膠 粒子大小分佈 (圖3) 3051 8.0 對照實例3 單形態二氧化矽溶膠 粒子大小分佈 (圖2) 2857 6.6 對照實例4 早形悲二氧化碎溶膠 粒子大小分佈 (圖1) 2109 4.0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .¾ -I線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如表中試驗結果可看出，從實例1的本發明帶雙形態 5 二氧化矽溶膠製得的拋光料漿，相較於兩對照例中使用單 形態之二氧化矽溶膠的拋光料漿，具有明顯較高的磨擦速 率與改良的選擇性。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. D8 六、申請專利範圍 專利申請案第90107018號 ROC Patent Appln. No. 90107018 修正之申請專利範圍中文本-附件（三） Amended Claims in Chinese - Enel. (IH) (民國91年10月 π曰送呈） (Submitted on October >j〇 , 2002) 1. 一種拋光磨擦劑，其含有球形的、彼此非經鍵結結合 著之分離的二氧化矽粒子之拋光磨擦劑，特點為其中 的拋光磨擦劑包含 a) 5至95%重量比，大小為5至50納米之二氧化矽 粒子，與 b) 95至5%重量比，大小為50至200納米之二氧化 矽粒子。 附帶條件為整組的粒子具有雙形態的粒子大小分佈。 2. 根據申請專利範圍第1項的拋光磨擦劑，其中拋光磨 擦劑包含 a) 20至80%重量比，大小為5至50納米之二氧化矽 粒子，與 b) 80至20%重量比，大小為50至200納米之二氧化 碎粒子。 3. 根據申請專利範圍第1或2項的拋光磨擦劑，其中拋 光磨擦劑具有自9至12的pH。 4. 根據申請專利範圍第1或2項的拋光磨擦劑，其中拋 光磨擦劑具有自1至60%重量比的固形物含量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 根據申請專利範圍第1或2項的拋光磨擦劑，其中拋 光磨擦劑係得自經混合具不同粒子大小的單形態之二 氧化矽溶膠。 6. 根據申請專利範圍第1或2項的拋光磨擦劑，其中拋 光磨擦劑具有自6至15的選擇性。 7. —種製造平面的氧化物層的方法，特點為使用根據申 請專利範圍第1至5項的拋光磨擦劑。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 90067B