CN1360463A - 用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法 - Google Patents

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Abstract

一种用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法,在覆铜叠层上形成电路图样作为标准印刷电路板,对制作过程的改进可提高耐蚀膜解像度和精细焊接性,从而实现印刷图样的精细结构。本法包括:在印刷电路板顶面上叠置耐蚀干膜;利用掩膜使耐蚀干膜曝光于紫外线的照射下,形成所需电路图样;以红外线照射,使上述所得材料热处理;通过显影除去未曝光的耐蚀膜区。使用预定厚度之耐蚀干膜形成印刷电路板的电路图样的方法包括:将耐蚀干膜叠层于印刷电路板顶面上,使耐蚀干膜曝光于UV照射下并热处理所得的材料,以增强耐蚀膜的解像度和精细焊接性,实现电路图样的精细结构。热处理步骤在提高薄耐蚀干膜的解像度和精细焊接性和增强厚耐蚀干膜的跟摄能力方面效果明显。

Description

用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法
技术领域
本发明涉及用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法，具体地说，涉及一种在作为普通印刷电路板的铜覆盖层上形成电路图样的使用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法，其中制作过程的修正可以提高耐蚀膜的解像度和精细焊接性，用以实现电路图样的最小化。
背景技术
一般地说，耐蚀干膜(下称“DFR”)用于在印刷电路板(下称“PCB”)上形成电路图样。图1以示意的方式示出用DFR制作PCB的方法。
为了形成铜覆盖层，作为PCB的基板，在步骤10实行预处理。预处理包括外层处理步骤和内层处理步骤，所述外层处理依序包括钻孔、去毛刺和外观处理，内层处理包括反蚀刻或酸洗。
伴随着预处理，在步骤20，将DFR叠层在所述铜覆盖层的铜层上。在这一叠层步骤中，用层压机剥离DFR的保护膜，并将DFR的耐蚀膜叠层于所述铜层的表面上。通常，在如下条件下实行所述的叠层：叠层速率0.5-3.5m/min，温度100-130℃，加热辊压强10-90psi。
继叠层之后，在步骤30，使PCB保持15分钟，使所述基板稳定，在步骤40，再用掩膜使DFR的耐蚀膜经过曝光，在其中形成所要的电路图样。曝光期间，照射在掩膜上的UV线(紫外线)造成包含于耐蚀膜之曝光区内的光引发剂，用以激活耐蚀膜中的聚合反应。消耗耐蚀膜中的氧，以聚合活性单体，同时引起链接，然后与大量单体聚合。相反，在耐蚀膜的未曝光区内难于发生这种链接。
接下去，在步骤50实行显影，以除去耐蚀膜的未曝光区。在该显影步骤中，将含0.8-1.2wt.％碳酸钾或碳酸钠的水溶液用作显影剂，用以碱性显影DFR。同时，由于显影剂中所含的羧酸胶合物的皂化作用，耐蚀膜的未曝光区被洗掉，留下铜层表面上已固化的耐蚀膜。
在步骤60实行内层和外层的处理，形成电路图样。所述内层处理步骤包括腐蚀和剥离，以便在基板上形成电路图样，而所述外层处理步骤包括蚀刻和涂敷及养护之后除去焊剂，以形成所规定的电路图样。
当用DFR在PCB上绘制电路时，如此形成的电路图样的线宽可以作到为0.1mm。由于电子设备的最新趋向，包括小型化、重量轻、高性能和高可靠性，渴望需要电子设备中所用PCB的致密化、高性能和高精度，以及减小电路图样线宽的方法。于是，也就要求DFR的解像度和精细焊接性。
为了提高DFR的解像度和精细焊接性，本专利的发明人发明了所谓后期曝光热处理，这包括在耐蚀膜的曝光与除去耐蚀膜未曝光区之间的热处理步骤，这种处理已经得到应用(韩国专利申请KR 98-14380)和认可(韩国专利KR 271216)。
以下参照图2详细描述所述后期曝光热处理。
首先，在步骤10使基板按与上述参照图1同样的方式受到预处理。随着所述预处理，在步骤20，将DFR叠层于基板的顶面上，并在步骤30整体保持。随后，在步骤40，利用掩膜，使DFR曝光于UV的照射下，形成所需的电路图样。
接下去，在步骤45′，使所得的材料被热处理。这种热处理是采用本领域所熟知的加热辊或者热风烘箱来实现的。采用加热辊热处理是在以下条件下实行的，即至少满足下列要求之一：使用1-3个加热辊；加热辊的温度为80-160℃；加热辊的驱动速率为0.2-5.0m/min；以及加热辊的压强为10-90psi。采用热风烘箱的热处理是在高于80-200℃的温度下进行5-600秒钟。
虽然用于提高耐蚀膜的解像度和精细焊接性的后期曝光热处理能够增强干膜的基础特性，但使用热风烘箱恶化了实用性和生产能力，而使用加热辊又要求对过程的精确控制，因为具有不适宜的材料的加热辊的污染可能增大固定的相关缺陷。
发明内容为解决上述后期曝光热处理的问题，本发明的发明人发现，利用红外线(IR)干燥区代替加热辊或热风烘箱，可以减少在该过程中因不适宜的材料所造成的固定的相关缺陷，并提高生产效率，以及实现热处理所规定的目的。
本发明的目的在于提供一种方法，用以在用耐蚀干膜(DFR)制作印刷电路板(PCB)或引线框时继曝光之后实行的热处理步骤中，减少因不适宜的材料所造成的固定的相关缺陷，并提高生产效率。
本发明的另一目的在于，证明在使用加热辊、热风烘箱或IR干燥区的所谓后期曝光热处理过程之后实行的热处理步骤中使用具有预定厚度之DFR的效果。
为实现本发明的目的，提供一种使用DFR制作PCB和引线框的方法，它包括：预处理、叠层、保持、曝光及显影步骤，其中，所述制作方法还包括：在耐蚀膜曝光与除去未曝光的耐蚀膜区域之间，用红外线干燥区实行5-600秒钟的加热干燥步骤。
本发明的另一方面，提供一种PCB的制作方法，它包括：在厚度为如下范围之耐蚀膜曝光的步骤与除去未曝光之耐蚀膜区域的步骤之间的热处理步骤
5μm≤t≤100μm其中，t表示DFR的基膜与覆膜之间的耐蚀膜层厚度，设为将20μm≤t≤30μm排除在外。
以下将参照图3详细描述本发明的制作方法。
按与普通制作方法同样的方式实行各步程序，包括：预处理(步骤10)、叠层(步骤20)、保持(步骤30)和曝光(步骤40)。继而，以红外线干燥区实行加热干燥(步骤45)。
以30-300cm长的红外线干燥区，在30-150℃温度下实行加热干燥5-600秒钟，在这样的条件下，难于发生耐蚀膜的热固化。
加热干燥条件可总述如下：
30cm≤L≤300cm；30℃≤T≤150℃；5sec≤t≤600sec其中：L是所述红外线区域的长度，T是干燥区域的温度，t是红外线区域的滞留时间。
在超出上述范围的条件下，不能使耐蚀膜充分地热处理，以便去增强精细焊接性和解像力。另外，过分的热处理可能引起耐蚀膜未曝光区域的热剥离，并因此而在接下去的显影和脱模步骤中不能充足地在耐蚀膜上显影和脱模。
接下去的步骤是显影(步骤50)和内/外层处理(步骤60)。
在PCB的连续制作过程中的以红外线干燥区热处理解决了固定的相关缺陷问题，如图2所示，在用加热辊热处理步骤中，由于加热辊的污染，所述的这种缺陷可能会增强。这种由红外线干燥区热处理的步骤比起用热风烘箱热处理来，还提高了干燥的效率，从而以高效率减少了热处理的时间，并增强了电路图样的性质，如感光性、解像度和精细焊接性。
另一方面，本发明还包括在规定的耐蚀膜厚度范围内，用加热辊或热风烘箱的热处理，以及上述用红外线干燥区热处理。
在至少满足以下要求之一的条件下，实行用加热辊热处理，即使用1-3个加热辊、加热辊的温度为80-160℃；加热辊的驱动速率为0.2-5.0m/min；以及加热辊的压强为10-90psi。采用热风烘箱的热处理是在高于80-200℃的温度下进行5-600秒钟。
DFR的热处理效果与DFR耐蚀膜层的厚度有关。也就是关于薄膜或厚膜的热处理明显地增强了DFR的基础特性，如独立细线、解像度和跟摄能力等。
DFR的耐蚀膜层厚度最好约为5-100μm，同时排除20-30μm的厚度范围。
所谓“薄DFR(耐蚀干膜)”具有厚度等于或大于5μm而小于20μm的耐蚀膜。具有厚度大于30μm而小于或等于100μm之耐蚀膜的DFR被称为“厚DFR”。
所述热处理明显地增强了薄DFR和厚DFR的基础特性，如解像度或精细焊接性，特别提高了DFR的跟摄能力，这对提高生产效率有所贡献。
伴随所述热处理步骤，实行显影和内/外层处理。
附图说明
图1是表示一般印刷电路板(PCB)制作方法的方框图；
图2是表示包含继曝光之后热处理的PCB制作方法的方框图；
图3是表示按照本发明包含继曝光之后用红外线(IR)干燥区域热处理的PCB制作方法的方框图；
图4是测试布线图，用以在覆铜叠层(CCL)上形成描线，为的是评估DFR的跟摄能力；
图5是在图4所示布线图下，在CCL表面上形成描线之后的测试布线图；
图6是在CCL上沿垂直方向形成电路图样用的测试布线图。
具体实施方式
以下将通过下述各举例的方式详细描述本发明，所示各例的意思并非要限制本发明的范围。例1和2及比较例1和2
具有表1或2所示耐蚀膜组分的耐蚀干膜(DFR)被叠层于位于印刷电路板(PCB)的铜层上，并经过曝光、热处理和显影。继而，测试如此固化的耐蚀膜的特性。
                                    表1
                                    DFR-A
               组分     含量(wt.％)
    聚合胶合物    聚合胶合物A      50
    光引发剂    二苯甲酮      2.0
   4，4′-双(二乙基氨基)二苯甲酮      1.0
   无色结晶紫      3.0
   一水合甲苯磺酸盐      0.5
   宝石绿GH      0.5
    光聚合单体    9G      10.0
   APG-400      10.0
   BPE-500      10.0
    溶剂    甲基·乙基酮      13.0
                                 表2
                                DFR-B
               组分     含量(wt.％)
    聚合胶合物  聚合胶合物B      50
    光引发剂  二苯甲酮      2.0
 4，4′-双(二乙基氨基)二苯甲酮      1.0
 无色结晶紫      3.0
 一水合甲苯磺酸盐      0.5
 宝石绿GH      0.5
    光聚合单体  9G      10.0
 APG-400      10.0
 BPE-500      10.0
    溶剂  甲基·乙基酮      13.0
在比较例1和2中，DFR-A和DFR-B各自在热风烘箱内于120-150℃下热处理12秒钟。从曝光到热处理耗时35秒钟。
代替热风烘箱，在例1和2的热处理步骤中使用红外线干燥区，其中红外线干燥区的长度为50cm，干燥温度是70-90℃，干燥速率是2.5m/min(热处理时间12秒钟)。
继而，根据耐蚀膜厚度和照射在耐蚀膜上的光量，对各个耐蚀膜的灵敏度、解像度和精细焊接性进行测量。结果示于表3中。
                                                           表3
         比较例1             比较例2              例1              例2
    (1)           DFR-A(20μm厚)              DFR-B(20μm厚)             DFR-A(20μm厚)             DFR-B(20μm厚)
       热风烘箱温度           热风烘箱温度          IR干燥区域温度          IR干燥区域温度
  不加热   120℃     150℃   不加热     120℃   150℃   不加热   50℃     80℃  不加热     50℃     80℃
(2)     10     5.0   4.3     4.9   5.0     -   -     5.0   5.0     5.0     5.0     5.0     4.0
    15     6.0   -     -   6.0     4.0   4.2     6.0   5.8     5.7     6.0     5.8     5.2
    20     7.0   7.0     6.9   7.0     -   -     7.0   7.0     6.8     7.0     7.0     6.5
    25     7.5   -     -   7.5     6.4   6.2     7.5   7.3     7.2     7.5     7.5     7.0
    30     8.0   -     -   8.0     -   -     8.0   8.0     7.8     8.0     7.8     7.5
    40     -   -     -   9.0     -   -     -   8.5     7.8     9.0     -     7.5
(3)     10     13   11     11   14     -   -     13   11     11     14     10     10
    15     16   -     -   15     13   11     16   11     -     15     10     10
    20     20   16     17   19     -   -     20   13     15     19     14     14
    25     22   -     -   21     15   15     22   15     15     21     14     14
    30     24   -     -   22     -   -     24   15     15     22     16     14
    40     -   -     -   24     -   -     -   15     15     24     16     14
(4)     10     26   25     25   27     -   -     26   24     22     27     22     22
    15     21   -     19   23     23   21     21   18     18     23     20     18
    20     20   19     -   20     -   16     20   18     18     20     18     18
    25     18   -     -   18     16   -     18   18     16     18     18     18
    30     16   -     -   17     -   -     16   14     14     17     18     18
    40     -   -     -   -     -   -     -   14     14     -     16     18
        (5)     12        11.5   14.5            14     12   12     11.5     14.5     14.5     14
说明)(1)在布线图下，照射在耐蚀膜上的光量(mJ/cm2)(2)以Stouffer 21分级表测得的灵敏度(3)以被分成1∶1的电路线之间的间隔测得的解像度(μm)(4)精细焊接性(μm)(5)显影时间最小值(hr.)·DFR的显影条件：显影液含1wt.％的Na2CO3；温度30℃；喷雾压强1.5kg/cm2；破裂点50％
有如从表3所能看到的那样，以红外线干燥区热处理所用的时间比用热风烘箱热处理所用的时间短，并有更多的优点，其中，如此形成的电路图样具有极好的特性，如灵敏度、解像度及精细焊接性，并对接下去的处理有促进作用。再有，在红外线干燥区的温度为50℃时，还可使包括灵敏度、解像度及精细焊接性在内的耐蚀膜特性得以提高，而无需改变最小的显影速率
例3
将具有表4所示耐蚀膜组分的DFR叠层在覆盖PCB的铜层上，并经历曝光、热处理及显影。接下去测量如此固化之耐蚀膜的特性。
在热处理步骤，使用加热辊、热风烘箱或红外线干燥区。然后，根据DFR的厚度和照射在DFR上的光量，对DFR的灵敏度、解像度及精细焊接性进行测量。结果被示于表5中。在如下条件下，实行示于加热辊的热处理步骤，即加热辊的温度为120℃、压强80psi、热处理速率2.5m/min，并使用两级辊子。在150℃下实行用热风烘箱的热处理步骤12秒钟。在如下条件下实行以红外线干燥区热处理的步骤，即热处理温度120℃、热处理速率2.5m/min，所述红外线干燥区的长度100cm。
                               表4
                              DFR-C
                组分     含量(wt.％)
    聚合胶合物    聚合胶合物C      48
    光引发剂    二苯甲酮      2.0
   4，4′-双(二乙基氨基)二苯甲酮      3.0
   无色结晶紫      3.0
   一水合甲苯磺酸盐      0.5
   宝石绿GH      0.5
    光聚合单体    9G      15.0
   APG-400      5.0
   BPE-500      10.0
    溶剂    甲基·乙基酮      13.0
                                              表5
   (1)               DFR-C(10μm厚)               DFR-C(20(μm厚)               DFR-C(30μm厚)
                热处理方法                热处理方法                热处理方法
    I     II     III     IV     I     II     III     IV     I     II     III     IV
    (2)     20     7.0     6.7     6.8     6.8     7.0     6.8     6.7     6.5     7.0     6.5     6.7     6.5
    30     8.0     7.7     7.5     7.7     7.0     7.7     7.7     7.7     8.0     7.7     6.5     7.4
    40     9.0     8.5     8.5     8.7     9.0     8.7     8.6     8.5     9.0     8.5     8.7     8.5
    50     10.0     9.8     9.5     9.7     10.0     9.7     9.7     9.7     10.0     9.5     9.7     9.5
    (3)     20     21     17     16     15     26     24     24     22     28     27     26     24
    30     25     20     20     18     30     28     27     27     35     33     33     31
    40     30     24     24     23     34     31     31     30     42     40     40     39
    50     34     29     30     28     40     38     36     36     45     43     42     42
    (4)     20     30     20     23     24     35     33     32     31     37     34     34     33
    30     25     18     20     20     30     28     28     26     35     32     33     32
    40     20     13     18     20     25     23     23     21     30     28     28     27
    50     20     12     16     18     25     23     22     20     27     27     25     25
说明)(1)在布线图下曝光所用的光量，即照射在DFR上的光量(mJ/cm2)(2)以Stouffer 21分级表测得的灵敏度(3)以被分成1∶1的电路线之间的间隔测得的解像度(μm)·耐蚀膜的厚度意思是DFR的基膜与覆膜之间的耐蚀膜层(4)精细焊接性(μm)·方法I：曝光后不热处理·方法II：以加热辊热处理·方法III：以热风烘箱热处理·方法IV：以红外线干燥区热处理·DFR的叠层条件：HAKUTO MaCH 610i；温度115℃；压强4kg/cm2；速率2.5m/min；预热器温度120℃·DFR的曝光条件：使用由Perkin-Elmer提供的OB7120平行光曝光装置·DFR的显影条件：显影液含1wt.％的Na2CO3；温度30℃；喷雾压强1.5kg/cm2；破裂点50％
有如从表5所能看到的那样，关于DFR-C(10μm)组分热处理具有最为满足的效果，提高解像度和独立细线。特别是在使用加热辊(方法II)时，在DFR-C(μm)组分内最大地提高了独立细线。
也就是说，以加热辊热处理，提高薄DFR-C(μm)的跟摄能力，以改善精细焊接性，这在较厚的DFR-C(μm)中是被显著地提高了的。
为了证明这些结果，在方法I(不热处理)与方法II(用加热辊热处理)之间进行被提高的特性的比较。结果被示于表6中。
                                        表6
    (1)       DFR-A(10μm厚)        DFR-A(20μm厚)       DFR-A(30μm厚)
        热处理方法         热处理方法         热处理方法
   I    II     ΔI-II     I     II   ΔI-II   I   II   ΔI-II
    (2)     20   30   20     10     35     33     2   37   34     3
    30   25   18     7     30     28     2   35   32     3
    40   20   13     7     25     23     2   30   28     2
    50   20   12     8     25     23     2   27   27     0
说明)(1)：在布线图下曝光所用的光量(mJ/cm2)(4)：精细焊接性(μm)
接下去，以与上述同样的方式评述在厚DFR上热处理的效果。结果被示于表7中。
                                          表7
  (1)                DFR-C(30μm厚)               DFR-C(50μm厚)               DFR-C(70μm厚)
                热处理方法                热处理方法                热处理方法
    I   II   III   IV    I     II    III   IV   I   II   III   IV
  (2)   30   8.0   7.7   7.5   7.4   8.0   7.6   7.9   7.5   8.0   7.7   7.5   7.7
  40   9.0   8.5   8.7   8.5   9.0   8.8   8.8   8.5   9.0   8.6   8.7   8.5
  50   10.0   9.5   9.7   9.5   10.0   9.5   9.7   9.5   10.0   9.6   9.8   9.5
  (3)   30   35   33   33   31   50   43   42   45   60   57   57   56
  40   42   40   40   39   55   53   53   51   65   63   63   59
  50   45   43   42   42   60   57   55   54   70   68   64   64
  (4)   30   35   32   33   32   40   35   38   36   42   38   40   38
  40   30   28   28   27   35   32   34   30   35   31   33   30
  50   27   27   25   25   30   27   27   26   30   27   29   26
说明)(1)在布线图下曝光所用的光量，即照射在DFR上的光量(mJ/cm2)(2)以Stouffer 21分级表测得的灵敏度(3)以被分成1∶1的电路线之间的间隔测得的解像度(μm)·耐蚀膜的厚度意思是DFR的基膜与覆膜之间的耐蚀膜层(4)精细焊接性(μm)·方法I：曝光后不热处理·方法II：以加热辊热处理·方法III：以热风烘箱热处理·方法IV：以红外线干燥区热处理·DFR的叠层条件：HAKUTO MaCH 610i；温度115℃；压强4kg/cm2；速率2.5m/min；预热器温度120℃·DFR的曝光条件：使用由Perkin-Elmer提供的OB7120平行光曝光装置·DFR的显影条件：显影液含1wt.％的Na2CO3；温度30℃；喷雾压强1.5kg/cm2；破裂点50％
有如从表7所能看到的那样，经过热处理的厚DFR增强了一般的特性，如解像度和精细焊接性，这些都比薄DFR的一般特性差。相反，在热处理步骤之后，对于PCB制作时的生产率是必需的跟摄能力却非常明显地得到增强。
关于跟摄能力评估厚DFR，其结果被示于表8中。
用三种方法测量所述的跟摄能力。具体地说，在图4所示的布线图下，利用软蚀刻方法，使覆铜叠层(CCL)的表面凸出以图4所示的描线，并使DFR沿垂直方向叠层在CCL上。继叠层之后，沿与所示描线正交的方向形成有如图6所示的电路，计数电路中的断点(断路缺陷)数目。所述描线的深度为10±1μm或25±2μm。采用激光扫描显微镜测量所述描线的深度。
                                                            表8
       DFR-C(30μm厚)         DFR-A(50μm厚)       DFR-A(70μm厚)
         热处理方法           热处理方法         热处理方法
  描线深度(μm)   电路宽度(μm)     I     II     IV     I     II     IV     I     II     IV
产率(％)     10     100     65     62     66     88     98     87     94     100     94
    150     68     69     67     92     99     92     95     100     95
    200     70     73     69     90     99     90     95     100     95
    25     100     12     2     10     83     95     83     93     99     92
    150     14     5     17     85     93     82     92     100     93
    200     10     3     13     88     9     8     93     100     93
断路缺陷计数(x/500)     10     100     175     190     170     60     10     65     30     0     30
    150     160     155     165     40     5     40     25     0     25
    200     150     135     155     50     5     50     25     0     25
    25     100     440     490     450     85     25     85     35     5     40
    150     430     475     415     75     35     90     40     0     35
    200     450     485     435     60     15     65     35     0     35
说明)·耐蚀膜的厚度意思是DFR的基膜与覆膜之间的耐蚀膜层。·方法I：曝光后不热处理。·方法II：以加热辊热处理。·方法IV：以红外线干燥区热处理。·用描线方法测量跟摄能力，其中电路(线/间隔＝1/1)受到蚀刻(断点70％)并被剥离，以计数断路缺陷数，并比较产率。·CCL的厚度是1mm，铜膜是2oz。·DFR的叠层条件：HAKUTO MaCH 610i；温度115℃；压强4kg/cm2；速率2.5m/min；预热器温度120℃。·DFR的曝光条件：使用由Perkin-Elmer提供的OB7120平行光曝光装置。·DFR的显影条件：显影液含1wt.％的Na2CO3；温度30℃；喷雾压强1.5kg/cm2；破裂点50％。·蚀刻条件：氯化铜过氧化氢体系；断点70％；ORP450mV。
如上所述，在曝光与显影之间，用红外线干燥区实行的加热干燥，使得能够在短时间内以较高的干燥效率进行有效的热处理处理，增强电路的特性，如灵敏度、解像度和精细焊接性，并减少在常规用热风烘箱或加热辊加热干燥中因加热辊之污染而可能发生的固定相关缺陷问题。就薄DFR而言，也即具有厚度等于或大于5μm而小于20μm之耐蚀膜层的膜，在曝光与显影之间所实行的热处理，明显地增强了耐蚀膜的解像度和独立细线。对于具有厚度大于30μm而小于或等于100μm之耐蚀膜层的厚DFR而言，曝光与显影之间的热处理，增强了耐蚀膜的解像度和精细焊接性，特别是DFR的跟摄能力，这对于提高生产率有所贡献。

Claims (9)

1.用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法，其特征在于，包括在曝光耐蚀膜的步骤与除去未曝光的耐蚀膜区域的步骤之间的热处理步骤。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，以红外线干燥区使所述热处理实行5至600秒钟的加热干燥。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在至少满足以下要求之一的条件下，实行所述热处理步骤，即红外线干燥区的长度为30-300cm；温度为30-150℃；在红外线干燥区的滞留时间为5-60秒钟。
4.一种用耐蚀干膜制作印刷电路板的方法，其特征在于，在厚度为下述范围的耐蚀膜曝光步骤与除去未曝光耐蚀膜区域的步骤之间的热处理步骤，所述厚度范围为
5μm≤t≤100μm其中，t表示所述耐蚀干膜的基膜与覆膜之间的耐蚀膜层厚度，设为将20μm≤t430μm排除在外。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，由加热辊或热风烘箱实行所述热处理步骤。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，由红外线干燥区实行所述热处理步骤。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，至少在满足以下条件之一的条件下，实行所述使用加热辊的热处理步骤，即使用1-5个加热辊；加热辊的温度为30-160℃；加热辊的驱动速率为0.2-5.0m/min；以及加热辊的压强为10-90psi。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，至少在满足以下条件之一的条件下，实行所述使用热风烘箱的热处理步骤，即温度为30-200℃，热处理时间是5-600秒钟。
9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，至少在满足以下条件之一的条件下，实行所述使用红外线干燥区的热处理步骤，即所述红外线干燥区的长度是30-300cm，温度为30-150℃，在红外线干燥区滞留的时间为5-60秒钟。
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