CN1279405C - 化学放大刻蚀剂材料和使用它的图案化方法 - Google Patents

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Abstract

一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。

Description

化学放大刻蚀剂材料和使用它的图案化方法
相关申请的交叉参考
该申请基于并要求在先日本专利申请No.2002-200103(2002年7月9日递交)的优先权的权益，在此将其整个内容作为参考并入本发明。
本发明的背景
1.本发明的领域
本发明涉及一种化学放大刻蚀剂材料和使用它的图案化方法。更尤其，本发明涉及一种在生产半导体设备和磁头时可用于形成微组装图案的化学放大刻蚀剂材料，和一种使用该化学放大刻蚀剂材料的图案化方法。
2.相关技术的描述
近年来，包含光酸生成剂的化学放大刻蚀剂已广泛用于微组装半导体设备(见例如，J.M.J.Frechet，等人，Proc.MicrocircuitEng.，260(1982)；H.Ito，等人，“电子学中的聚合物”，ACS讨论会系列242，T.Davidson，ed.，ACS，11(1984)；和，US专利4,491,628(1985))。化学放大刻蚀剂通过用紫外线，电子束，X-射线或会聚离子束照射由光酸生成剂产生酸，且该酸在曝光后烘烤过程中用作催化剂，其中所得催化反应将曝光部分改变为碱溶性(在正刻蚀剂的情况下)或碱不可溶(在负刻蚀剂的情况下)。因此，使用化学放大刻蚀剂有可能提高曝光敏感性。
由于化学放大刻蚀剂使用由非常少量的酸驱动的催化反应，它们易受外部杂质的影响。尤其在杂质是碱性物质的情况下，它们已知造成酸的减活化，导致通过曝光和显影形成的图案形式的变质。图案形式发生变质的那些位置非常靠近所形成的图案的上和下部(刻蚀剂膜的表面层和底)之间的界面，且该变质主要由分别存在于大气中和基材表面上的碱性物质造成。
对于存在于大气中的碱性物质的作用，因为被吸附到刻蚀剂膜的表面层的碱性物质和由表面层在刻蚀剂膜中扩散的碱性物质中和由光酸生成剂通过曝光所产生的酸，靠近曝光部分刻蚀剂膜的表面层的刻蚀剂材料的溶解作用(在正刻蚀剂的情况下)或不溶作用(在负刻蚀剂的情况下)受到损害。结果，正刻蚀剂的图案呈现T-顶的形状(形成溶解不好的表面层)，而负刻蚀剂的图案呈现圆形顶的形状(缺少图案的上部)。
另一方面，对于来自基材的碱性物质的作用，因为存在于基材表面上的碱性物质和由基材表面在刻蚀剂中扩散的碱性物质中和通过曝光所产生的酸，靠近基材界面的刻蚀剂材料的溶解作用(在正刻蚀剂的情况下)或不溶作用(在负刻蚀剂的情况下)受到损害。结果，正刻蚀剂的图案呈现基脚的形状，而负刻蚀剂的图案呈现底切的形状(缺少图案的上部)。以这种方式来自内涂层的碱性物质的作用在其中包含碱性物质如SiN，SiON，TiN，BPSG，BSG或PSG的膜在基材表面上形成的情况下甚至更加明显。另外，基脚和底切由于在刻蚀剂中产生的酸扩散到下面的膜中而同样地发生。
如上所述出现的图案缺陷如T-顶，圆形顶，基脚或底切妨碍下面的膜被处理成预定尺寸，这样难以微组装半导体设备。
尽管大气中的碱性物质的作用可通过控制工艺气氛，例如，通过使用碱性物质吸附过滤器而抑制至一定程度，该导致生产设备过度复杂的问题。
另一方面，作为一种用于避免来自基材的碱性物质的作用，已经提出在基材和刻蚀剂膜之间形成由热固性树脂等构成的保护膜。但保护膜必须通过方法如旋涂或CVD等涂覆至合适厚度以抑制碱性物质的扩散。另外，有时在刻蚀剂膜的图案化之后去除该保护膜需要一种不同于刻蚀剂的显影溶液的刻蚀剂，这样导致造成工艺更加复杂的问题。
本发明的综述
本发明的一个目的是提供一种能够抑制在化学放大刻蚀剂膜中由外部碱性物质造成的图案缺陷而不增加生产设备和工艺的复杂性的化学放大刻蚀剂材料，和一种使用该化学放大刻蚀剂材料的图案化方法。
按照本发明的化学放大刻蚀剂材料是一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的刻蚀剂材料；所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。
根据本发明的图案化方法是其中刻蚀剂图案通过光平版印刷转印至下面的膜或层并随后图案化该膜或层的图案化方法，并且包括通过其中刻蚀剂膜由本发明化学放大刻蚀剂材料在其表面上具有需要图案化的膜或层的基材上形成的步骤，其中在进行处理过程中酸或自由基由刻蚀剂膜中的活化剂产生的步骤，步骤其中刻蚀剂膜以预定图案曝光的步骤，和其中将曝光刻蚀剂膜烘烤并显影以形成刻蚀剂图案的步骤，形成刻蚀剂图案。
本发明的详细说明
本发明提供了一种能够抑制由外部碱性物质造成的刻蚀剂膜的图案缺陷的化学放大刻蚀剂材料。该化学放大刻蚀剂材料包含基础树脂和在图案化曝光波长具有敏感性的光酸生成剂，后者由于曝光产生在随后的烘烤过程中用作催化剂的酸，而且因为曝光部分由于酸的催化作用而碱溶(在正刻蚀剂的情况下)或碱不溶(在负刻蚀剂的情况下)，刻蚀剂图案可通过碱性显影溶液，使用除了基础树脂和光酸生成剂，还包含通过独立于图案化曝光的处理而产生酸或自由基的活化剂的化学放大刻蚀剂材料而形成。
本发明化学放大刻蚀剂材料中的基础树脂可以是用于普通化学放大刻蚀剂材料的任何基础树脂。如果刻蚀剂材料是负刻蚀剂，基础树脂包含交联剂或固化剂，通过与其反应使得基础树脂不溶于碱性显影溶液。
包含在本发明化学放大刻蚀剂材料中的光酸生成剂是一种通过该刻蚀剂材料直接涉及图案化，和通过图案化曝光而产生酸的物质。化学放大刻蚀剂材料领域已知的各种化合物可用于本发明刻蚀剂材料中的光酸生成剂。这些光酸生成剂的例子包括盐化合物，有机卤素化合物，砜化合物和磺酸盐化合物，且任何这些物质可用于本发明的化学放大刻蚀剂材料。
用于本发明化学放大刻蚀剂材料的活化剂是一种通过不同于由光酸生成剂产生酸的图案化曝光的处理而产生酸或自由基。该活化剂在图案化曝光之前的一个步骤中通过处理而产生酸或自由基，并在图案化曝光之前(在由光酸生成剂产生图案化刻蚀剂膜所需的酸之前)通过中和存在于刻蚀剂膜中，尤其是靠近膜的表面层部分和靠近膜和下面的膜的界面的外部碱性物质而抑制在图案化曝光过程中当存在碱性物质时所出现的刻蚀剂膜中的图案缺陷。
用于本发明的活化剂通过分解产生用于中和存在于刻蚀剂膜中的碱性物质的酸或自由基。为了分解刻蚀剂膜中的活化剂，将刻蚀剂膜在图案化曝光之前进行独立于图案化曝光的处理。
为了分解活化剂和产生酸或自由基，优选使用热酸生成剂或热自由基生成剂作为活化剂。热酸生成剂的例子包括脂族磺酸，脂族磺酸盐，脂族羧酸，脂族羧酸盐，芳族磺酸，芳族磺酸盐，芳族羧酸，芳族羧酸盐，金属盐，磷酸酯和例如描述于日本未审专利出版物No.8-248561的热不稳定且在较低温度下分解的酸增生剂。热自由基生成剂的例子包括已知为自由基反应的引发剂的各种化合物，如过氧化物和偶氮化合物。
热酸生成剂和热自由基生成剂需要通过分解在图案化曝光之前用于中和刻蚀剂膜内的碱性物质。优选，热酸生成剂和热自由基生成剂在刻蚀剂材料涂覆到基材上之后在形成和烘烤刻蚀剂膜的过程中分解。因此，热酸生成剂或热自由基生成剂的分解温度优选等于或低于在形成刻蚀剂膜过程中的烘烤温度。考虑到用于图案化刻蚀剂膜的光酸生成剂的分解温度和典型的基础树脂的软化温度，在形成刻蚀剂膜过程中的烘烤温度优选为90-200℃和，因此，优选将在约70-180℃下分解的物质选用于热酸生成剂或热自由基生成剂。
在射线照射时产生酸或自由基的物质(即，光酸生成剂或光自由基生成剂)也可用作活化剂。在这种情况下，将刻蚀剂膜在用于图案化刻蚀剂膜的光酸生成剂不具有敏感性的波长下曝光，这样活化剂分解产生酸或自由基。为此需要一个步骤，其中将刻蚀剂膜的整个表面在图案化曝光之前在独立于图案化曝光时的波长下用射线照射以分解活化剂。另外，在照射整个表面之后，可以加入烘烤步骤以通过所产生的酸促进中和靠近刻蚀剂膜的表面层和靠近与下面的基材的界面的碱性物质。
通过分解光酸生成剂或光自由基生成剂照射用以产生酸或自由基的射线优选为可见光，紫外线，电子束，X-射线或会聚离子束。另外，考虑到刻蚀剂材料的分辨率性能，刻蚀剂膜在所照射的辐射的波长下的吸光率优选为1.75或更低。
优选的是，通过分解活化剂而产生的酸分子或自由基的数目不超过由于随后的图案化曝光通过分解光酸生成剂而产生的酸分子数目的1/5。如果通过分解活化剂所产生的酸的分子或自由基的数目超过由于图案化曝光由光酸生成剂产生的酸分子数目的1/5，在中和碱性物质的阶段，即在图案化曝光之前的阶段可出现相当于进行普通图案化曝光的与基础树脂的反应(导致通过分解光酸生成剂生成酸)，这样阻碍所需图案化进行刻蚀剂膜的整个表面的溶解(在正刻蚀剂材料的情况下)，或刻蚀剂膜的整个表面的不溶(在负刻蚀剂材料的情况下)。
因此，活化剂加入刻蚀剂材料的量使得通过其分解产生的酸分子或自由基的数目不超过由于随后的图案化曝光由光酸生成剂产生的酸分子数目的1/5。但尽管如此，因为通过分解活化剂所产生的酸分子或自由基的数目根据用于分解活化剂的处理条件(如，加热温度和加热时间(在通过热分解的活化剂的情况下)，或所照射的射线的波长和曝光时间(在通过射线分解的活化剂的情况下))而波动，确定活化剂的实际用量必须考虑到活化剂的种类和分解处理条件，以及该活化剂所加入的刻蚀剂体系(由光酸生成剂所产生的酸分子的数目对于每种刻蚀剂体系是不同的)，而且该量可容易地通过简单的实验而确定。
本发明化学放大刻蚀剂材料可容易地通过将活化剂加入现有的化学刻蚀剂材料而制成，其量使得通过其分解产生的酸分子或自由基的数目不超过由于随后的图案化曝光由光酸生成剂所产生的酸分子的数目的1/5。即使在设计新的化学放大刻蚀剂材料时，基础树脂和光酸生成剂的共混可类似地确定，随后加入活化剂。
在用本发明化学放大刻蚀剂材料图案化下面的膜或层的情况下，由化学放大刻蚀剂材料构成的刻蚀剂膜可在下面的膜或层上形成，酸或自由基通过加热或通过用其波长有效地用于分解活化剂的射线照射而由刻蚀剂膜中的活化剂产生，将刻蚀剂膜曝光成预定图案，刻蚀剂图案通过烘烤和显影而形成，并随后将下面的膜或层可通过光平版印刷使用刻蚀剂图案作为光罩而图案化。
尽管化学放大刻蚀剂和使用本发明刻蚀剂的图案化方法本身有效地抑制由来自大气的碱性物质所造成的刻蚀剂图案在表面层部分中的图案缺陷，它们也非常有效地抑制由包含在其上要转印刻蚀剂图案的下面的膜或层中的碱性物质所造成的靠近刻蚀剂膜和下面的膜或层之间界面的图案缺陷。包含碱性物质的下面的膜或层的例子包括由SiN，SiON，TiN，BPSG，BSG或PSG形成的膜或层。
实施例
尽管以下通过其实施例更详细地说明本发明，但本发明不限于此这些实施例。
用于以下实施例的术语″份″是指’重量份″，除非另有所述。
以下物质用作刻蚀剂材料的组成物质。
1.基础树脂
1-1聚乙烯基苯酚/丙烯酸t-丁基酯(50/50)共聚物
1-2聚乙烯基苯酚
2.交联剂
2-1六甲氧基甲基蜜胺
3.光酸生成剂
3-1三苯基三氟甲磺酸锍
3-2二苯基三氟甲磺酸碘
3-3表示为以下结构式(I)的化合物：
4.热酸生成剂
4-1甲苯磺酸2-硝基苄基酯
4-2N-(10-樟脑磺酰基氧基)琥珀酰亚胺
5.热自由基生成剂
5-12，2’-偶氮-二-异丁酸二甲基酯
6.溶剂
6-1丙二醇单甲基醚乙酸酯
实施例1
将以下物质混合以制备具有不同的热酸生成剂的涂布液体1-3。
基础树脂：1-1(100份)
热酸生成剂：
无-涂布液体1(对比例)
4-1(5份)-涂布液体2
4-2(5份)-涂布液体3
溶剂：6-1(500份)
以下工艺使用以上的涂布液体来进行。
(1)将涂布液体旋涂到Si基材上，随后在80-130℃下烘烤60秒。
(2)涂膜的溶解速度使用4％含水四甲基氢氧化铵溶液测定。成膜温度和膜溶解速度之间的关系示于表1。
表1
  形成温度(℃)   溶解速度(nm/sec)
  涂布液体1   涂布液体2   涂布液体3
  80   0.04   0.02   0.02
  90   0.04   0.02   0.15
  100   0.03   0.2   7.5
  110   0.03   15   ＞103
  120   0.03   ＞103   ＞103
  130   0.03   ＞103   ＞103
基于基础树脂的溶解作用，热酸生成剂4-1和4-2的分解温度分别判断为120℃和110℃。
实施例2
混合以下物质以制备具有不同的加入量热酸生成剂4-1的正刻蚀剂4-8。热酸生成剂4-1加入正刻蚀剂4-8的量分别是0，10，20，30和40mol％，相对光酸生成剂3-1的量。
基础树脂：1-1(100份)
光酸生成剂：3-1(5份)
热酸生成剂：4-1
溶剂；6-1(500份)
以下工艺使用以上的刻蚀剂来进行。
(1)正刻蚀剂旋涂到其上形成有SiN膜的Si基材上至厚度100nm，随后在120℃下烘烤60秒以形成刻蚀剂膜。
(2)刻蚀剂膜使用KrF受激准分子激光(波长＝254nm)曝光装置(曝光剂量：20mJcm-2)曝光成具有宽度0.2μm和节距0.4μm的线和空间图案。
(3)在曝光之后，刻蚀剂膜在110℃下烘烤60秒(曝光后烘烤(PEB))。
(4)刻蚀剂膜随后用2.38％含水四甲基氢氧化铵溶液显影60秒。
结果，尽管在刻蚀剂4(对比例)中形成T-顶和基脚从而阻碍图案的分辨，但刻蚀剂图案在刻蚀剂5和6中直接由上表面分辨至基材。在刻蚀剂7和8中，刻蚀剂的整个表面被增溶，这样阻碍图案形成。
实施例3
混合以下物质以制备具有不同的加入量热酸生成剂4-2的正刻蚀剂9-13。热酸生成剂4-2在正刻蚀剂9-13的量分别是0，10，20，30和40mol％，相对光酸生成剂3-2的量。
基础树脂：1-1(100份)
光酸生成剂：3-2(5份)
热酸生成剂：4-2
溶剂：6-1(500份)
以下工艺使用以上刻蚀剂来进行。
(1)正刻蚀剂旋涂到其上形成有SiO2膜的Si基材上至厚度50nm，随后在110℃下烘烤60秒以形成刻蚀剂膜。
(2)刻蚀剂膜使用具有加速电压50keV的电子束曝光装置(曝光剂量：10μCcm-2)曝光成具有宽度0.15μm和节距0.3μm的线和空间图案。
(3)在曝光之后，将刻蚀剂膜在100℃下烘烤60秒(曝光后烘烤(PEB))。
(4)刻蚀剂膜随后用2.38％含水四甲基氢氧化铵溶液显影60秒。
结果，尽管在刻蚀剂9(对比例)中形成基脚从而阻碍图案的分辨，但刻蚀剂图案在刻蚀剂10，11和12中直接由上表面分辨至基材。在刻蚀剂13中，刻蚀剂的整个表面被增溶，这样阻碍图案形成。
实施例4
以下物质混合以制备正刻蚀剂14和15。
基础树脂：1-1(100份)
光酸生成剂：3-1(5份)
自由基生成剂：无-刻蚀剂14
              5-1(0.5份)-刻蚀剂15
溶剂：6-1(500份)
以下工艺使用以上刻蚀剂来进行。
(1)正刻蚀剂旋涂到其上形成有BPSG膜的Si基材上至厚度500nm，随后在110℃下烘烤60秒以形成刻蚀剂膜。
(2)刻蚀剂膜使用KrF受激准分子激光(波长＝254nm)曝光装置(曝光剂量：20mJcm-2)曝光成具有宽度0.2μm和节距0.4μm的线和空间图案。
(3)在曝光之后，刻蚀剂膜在100℃下烘烤60秒(曝光后烘烤(PEB))。
(4)刻蚀剂膜随后用2.38％含水四甲基氢氧化铵溶液显影60秒。
结果，尽管在刻蚀剂14(对比例)中形成T-顶和基脚从而阻碍图案的分辨，但T-顶和基脚在刻蚀剂15中得到改进且图案能够被分辨。
实施例5
以下物质混合以制备负刻蚀剂16和17。
基础树脂：1-2(100份)
交联剂：2-1(10份)
光酸生成剂：3-1(5份)
热酸生成剂：无-刻蚀剂16
4-1(10mol％，相对光酸生成剂3-1)-刻蚀剂17
溶剂：6-1(500份)
以下工艺使用以上刻蚀剂来进行。
(1)负刻蚀剂旋涂到其上形成有TiN膜的Si基材上至厚度80nm，随后在120℃下烘烤60秒以形成刻蚀剂膜。
(2)刻蚀剂膜使用具有加速电压50keV的电子束曝光装置(曝光剂量：15μCcm-2)曝光成具有宽度0.15μm和节距0.3μm的线和空间图案。
(3)在曝光之后，刻蚀剂膜在110℃下烘烤60秒(曝光后烘烤(PEB))。
(4)刻蚀剂膜随后用2.38％含水四甲基氢氧化铵溶液显影60秒。
结果，尽管图案在刻蚀剂16(对比例)中由于出现底切而被扰乱，但刻蚀剂图案在刻蚀剂17中直接由上表面分辨至基材，并能够形成图案。
实施例6
以下物质混合以制备正刻蚀剂18。
基础树脂：1-1(100份)
光酸生成剂(1)：3-1(5份)
光酸生成剂(2)：3-3(0.5份)
溶剂：6-1(500份)
在用于该实施例的光酸生成剂中，光酸生成剂3-1对波长300nm或更长的紫外线不敏感。
以下工艺使用以上刻蚀剂来进行。
(1)正刻蚀剂旋涂到其上形成有SiN膜的Si基材上至厚度100nm，随后在110℃下烘烤60秒以形成刻蚀剂膜。
(2)刻蚀剂膜的整个表面用g-线灯(波长365nm)(曝光剂量：100mJcm-2)曝光1分钟。
(3)刻蚀剂膜在110℃下烘烤60秒。
(4)刻蚀剂膜使用KrF受激准分子激光(波长＝254nm)曝光装置(曝光剂量：20mJcm-2)曝光成具有宽度0.2μm和节距0.4μm的线和空间图案。
(5)在曝光之后，刻蚀剂膜在100℃下烘烤60秒(曝光后烘烤(PEB))。
(6)刻蚀剂膜随后用2.38％含水四甲基氢氧化铵溶液显影60秒。
结果，尽管在没有进行以上工艺的步骤(2)和(3)时形成T-顶和基脚以阻碍图案的分辨(对比例)，但如果进行整个工艺，刻蚀剂图案直接由上表面分辨至基材。
正如以上说明，根据本发明，可以形成细刻蚀剂图案，同时抑制由外部碱性物质所造成的化学放大刻蚀剂膜的图案缺陷，且其上要进行微组装的下面的膜或层可使用该刻蚀剂图案而图案化至预定尺寸。本发明在其上要转印刻蚀剂图案的下面的膜或层包含造成化学放大刻蚀剂膜中的图案缺陷的碱性物质时特别有效。

Claims (21)

1.包含树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂，其中活化剂因为热分解而产生酸或自由基，且其中通过分解活化剂而产生的酸或自由基的分子数不超过通过分解光酸生成剂而产生的分子或酸的数目的1/5。
2.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂由于在等于或低于由刻蚀剂材料的涂膜形成刻蚀剂膜时的烘烤温度的温度下加热分解而产生酸或自由基。
3.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂分解时的温度是70-180℃。
4.根据权利要求2的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂分解时的温度是70-180℃。
5.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂是至少一种选自脂族磺酸，脂族磺酸盐，脂族羧酸，脂族羧酸盐，芳族磺酸，芳族磺酸盐，芳族羧酸，芳族羧酸盐，金属盐和磷酸酯的热酸生成剂。
6.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂是至少一种选自过氧化物和偶氮化合物的自由基生成剂。
7.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，其中活化剂通过在所述光酸生成剂不敏感的波长下曝光而产生酸或自由基。
8.根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料，它用于图案化由包含碱性物质的材料形成的膜或层。
9.根据权利要求8的化学放大刻蚀剂材料，其中包含碱性物质的材料是SiN，SiON，TiN，BPSG，BSG或PSG。
10.一种其中刻蚀剂图案通过光平版印刷转印至下面的膜或层并随后图案化该膜或层的图案化方法，包括，通过其中刻蚀剂膜由根据权利要求1的化学放大刻蚀剂材料在其表面上具有需要图案化的膜或层的基材上形成的步骤，其中在进行处理过程中酸或自由基由刻蚀剂膜中的活化剂产生的步骤，步骤其中刻蚀剂膜以预定图案曝光的步骤，和其中将曝光刻蚀剂膜烘烤并显影以形成刻蚀剂图案的步骤，形成刻蚀剂图案。
11.权利要求10的图案化方法，其中将因为热分解而产生酸或自由基的物质用作活化剂。
12.权利要求10的图案化方法，其中将由于在等于或低于由刻蚀剂材料的涂膜形成刻蚀剂膜时的烘烤温度的温度下加热分解而产生酸或自由基的物质用作活化剂。
13.权利要求11的图案化方法，其中活化剂分解时的温度是70-180℃。
14.权利要求12的图案化方法，其中活化剂分解时的温度是70-180℃。
15.权利要求10的图案化方法，其中活化剂是至少一种选自脂族磺酸，脂族磺酸盐，脂族羧酸，脂族羧酸盐，芳族磺酸，芳族磺酸盐，芳族羧酸，芳族羧酸盐，金属盐和磷酸酯的热酸生成剂。
16.权利要求10的图案化方法，其中活化剂是至少一种选自过氧化物和偶氮化合物的自由基生成剂。
17.权利要求10的图案化方法，其中活化剂的处理在形成刻蚀剂膜时通过加热进行烘烤处理而进行。
18.权利要求10的图案化方法，其中将通过在所述光酸生成剂不敏感的波长下曝光而产生酸或自由基的物质用作活化剂。
19.权利要求18的图案化方法，其中在刻蚀剂成膜步骤之后，将刻蚀剂膜的整个表面在光酸生成剂不敏感的波长下曝光。
20.权利要求10的图案化方法，其中所要图案化的下面的膜或层由包含碱性物质的材料形成。
21.权利要求20的图案化方法，其中包含碱性物质的材料是SiN，SiON，TiN，BPSG，BSG或PSG。
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