CN1249276C - 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 - Google Patents
化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1249276C CN1249276C CN 03128315 CN03128315A CN1249276C CN 1249276 C CN1249276 C CN 1249276C CN 03128315 CN03128315 CN 03128315 CN 03128315 A CN03128315 A CN 03128315A CN 1249276 C CN1249276 C CN 1249276C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- concentration
- solution
- whiskers
- cuprous oxide
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 title claims abstract description 12
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 title claims abstract description 7
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine hydrochloride Chemical compound Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims abstract description 10
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims abstract description 7
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulphite Substances [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 21
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 7
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 6
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- GIDDQKKGAYONOU-UHFFFAOYSA-N octylazanium;bromide Chemical compound Br.CCCCCCCCN GIDDQKKGAYONOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 2
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 fully stirred Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002917 insecticide Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000004917 polyol method Methods 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供一种化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜Cu2O晶须的方法。该方法利用葡萄糖或水合肼或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐作还原剂，在水性介质中将二价铜离子还原为氧化亚铜Cu2O，生产微米或纳米粒径的粉体或微米级立方、六边形晶体的技术，并在其体系中加入多量Cu2O的结晶生长抑制剂，控制反应时间和反应条件，最后用抗氧化剂处理后，制备得宽度＜50nm，长度＜500nm的稳定的Cu2O棒状和/或针状晶须。
Description
技术领域
本发明属于具有光电化学性能和特殊光、电性能、以及化学催化性能的纳米氧化亚铜晶须的制备方法。
背景技术
氧化亚铜(Cu2O)是p型半导体材料，用途广泛。在有机合成中可作为催化剂使用，也可以作为船舶防腐涂料及杀虫剂，更应用于陶瓷和电子器件方面。由于量子尺寸效应，纳米级Cu2O具有特殊的光学、电学及光电化学性质，在太阳能电池、传感器、超导体、制氢和电致变色等方面有着潜在的应用，甚至有专家预言纳米Cu2O可以在环境中处理有机污染物。而纳米Cu2O晶须因具有特殊的棒状和针状结构将在光电化学、某些光和电方面拥有更优异的性能。
目前，已研究出来的纳米Cu2O的形态包括Cu2O粉体(J.Colloid Int.Sci，2001，243：85)、Cu2O薄膜(J.Nanoparticle Res.，2001，3：385)及Cu2O纳米线(Adv.Mater.，2002，14(1)：67)。其相应的制备方法包括化学沉淀法(J.Appl.Phys.，2002，92(3)：1292；物理化学学报，1993，9(1)：107；J.Nanoparticle Res.，2001，3：385；Adv.Mater.，2002，14(1)：67)、电化学法(J.Appl.Phys.，2002，92(3)：1292)、γ-射线辐照法(张曼维.辐射化学入门，合肥：中国科技大学出版社，1993)、多元醇法(Angew.Chem.Int.Ed.，2001，40(2)：359)、活性反应蒸发法(Thin SolidFilm，2001，396：90)、电沉积法(流体晶相及自组装)(Chem.Mater.，2002，14：876)等。迄今为止，用这些化学和物理方法尚未制备出纳米Cu2O晶须，也没有发现制备纳米Cu2O晶须的专利出现。
在稳定剂或络合剂或抑制剂的存在下，用还原剂如葡萄糖、水合肼还原铜盐的方法，可制备出均分散的纳米Cu2O颗粒(J.Colloid Int.Sci.1973，214：95)，这些颗粒可以是球形的，也可以是立方体和六边形的。基于以上的化学沉淀法制备纳米Cu2O颗粒的方法，就有了以下的发明内容。
发明内容
本发明目的是利用化学沉淀法制备纳米Cu2O材料的工艺流程简单、经济、成熟和易于控制的优点来制备稳定的纳米Cu2O棒状和/或针状晶须。
本发明的原理为：在二价铜盐(CuX，X＝SO4 2-，NO3 -，CH3COO-，Cl-，等)溶液中，当溶液中含有碱时，会发生水解反应，产生[Cu(OH)4]2-。
该形式的二价铜离子在弱还原剂如水合肼、葡萄糖、的作用下，将被还原为一价的铜离子，进而生成Cu2O。
一般，新生成的Cu2O会在先前形成的结晶中心沿轴向和径向继续生长，使结晶长大，最后形成微米级材料。本发明用如下方法抑制Cu2O的晶体尺寸，并使其沿轴向和径向的生长速率不同，最终生成稳定的纳米晶须：(1)加入Cu2O的结晶生长抑制剂，生长抑制剂可以是聚乙烯醇、十六烷基三甲基溴化胺、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚乙二醇、葡萄糖，也可以是铜表面吸附剂如辛基溴化铵、苯并三唑。(2)将反应条件变得较温和，反应的时间延长。(3)最后的产品用抗氧化剂处理，抗氧化剂有苯并三唑、多酚类抗氧化剂。这三种方法需联合使用。这样得到的Cu2O晶须量多而尺寸较小，只要再进行超声分散，即可获得所需要的纳米Cu2O晶须。然后进行合适的洗涤、真空干燥，最终得到稳定的、可长期保存的纳米Cu2O棒状和/或针状晶须。
实现本发明目的的方案为：一种化学沉淀法制备稳定的纳米Cu2O晶须的方法，该方法步骤是：(1)将铜盐溶解于碱性溶液中；(2)加入结晶生长抑制剂，充分搅拌，其抑制剂为聚乙烯醇、十六烷基三甲基溴化胺、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚乙二醇、葡萄糖、辛基溴化铵、酒石酸钾钠及苯并三唑中任一种；(3)加入还原剂水合肼或葡萄糖或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐，并控制铜盐的浓度在1×10-5-4.0M、碱的浓度1×10-5-3.0M、抑制剂浓度1×10-4-1.0M，还原剂浓度1×10-7-1.0M、反应温度0-50℃、反应时间1-12小时，制得径向尺寸＜50nm、轴向尺寸＜500nm的Cu2O棒状和/或针状晶须。将该晶须在抗氧化剂中浸泡稳定≥24小时，分离、洗涤去杂质后即得稳定的纳米氧化亚铜Cu2O晶须。
上述的反应液中Cu2O的结晶生长抑制剂浓度较好的为1×10-3-1×10-1M。
上述的反应液中二价铜盐CuX溶液浓度较好的为0.01-1.0M。
上述的反应液中所含碱的浓度较好的为1×10-4-1×10-1M。
上述的反应液中所含还原剂浓度较好的为1×10-4-1×10-1M。
上述的反应较好的温度范围是20-35℃。
上述的反应进行较好的时间范围是2-4小时。
上述反应生成的纳米Cu2O晶须的稳定处理所用的抗氧化剂为苯并三唑、对苯二酚，其浓度范围为1×10-8-1.0M。较好的浓度为1×10-5-1×10-2M。
具体实施方式
实施例1：将硫酸铜3.5g、氢氧化钠3.0g，十六烷基三甲基溴化胺0.030g加入到800mL反应器中，超声搅拌30分钟，30℃时加入水合肼0.2g，在隔绝空气的条件下边搅拌边反应，持续3小时后，离心分离或过滤除去水溶液，沉淀用蒸馏水洗涤3次，放入1×10-3M的苯并三唑的溶液中稳定化24小时，最后离心洗涤除去杂质后，所得的红褐色固体在真空干燥器中60℃烘干。
用透射电镜(TEM)观察所得的Cu2O为聚集的片状纳米晶须，在高分辨TEM下观察发现Cu2O呈棒状为主的晶须，长约200nm，宽约20nm，晶体上有一些空洞。该红褐色的纳米Cu2O晶体放置30天后仍然保持颜色和结构不变。
实施例2：在实施例1所述的溶液中，加入醋酸铜5.0g，氢氧化钠4.0g，聚乙烯吡咯烷铜0.1g，超声搅拌后，室温加入葡萄糖2.0g，隔绝空气反应2小时后，洗涤、并在1×10-3M对苯二酚中稳定化24小时，离心洗涤，所得红色固体在真空烘箱中烘干。TEM观察发现Cu2O是棒状和针状结合在一起的纳米晶须，中间的宽度约10nm，长约300nm。
实施例3：在实施例1所述的溶液中，加入硝酸铜4.0g，氢氧化钠5.0g，聚乙二醇0.2g，超声搅拌充分后，室温加入盐酸羟胺0.3g，充分搅拌反应3h后，洗涤并在1×10-3M的苯并三唑溶液中稳定化24小时后，过滤洗涤，所得红色固体在真空干燥箱中烘干。TEM观察发现Cu2O是针形的纳米晶须，直径约为10～20nm，长约为250～350nm。
实施例4：在实施例1所述的溶液中，加入氯化铜2.0g，氢氧化钠3.0g，聚乙烯醇0.5g，超声搅拌充分后，室温中加入硼氢化钠0.1g，充分搅拌反应4h后，洗涤并在1×10-3M的对苯二酚溶液中稳定化24小时后，过滤洗涤，所得红色固体在真空干燥箱中烘干。TEM观察发现Cu2O是棒形和针形结合在一起的纳米晶须，直径约为30～50nm，长约为350～400nm。
Claims (8)
1、一种化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜Cu2O晶须的方法，其特征是制备步骤为：
(1)将二价铜盐溶解于碱性溶液中，
(2)加入Cu2O结晶生长抑制剂，充分搅拌溶解，其抑制剂为聚乙烯醇、十六烷基三甲基溴化胺、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚乙二醇、葡萄糖、辛基溴化铵、酒石酸钾钠及苯并三唑中任一种，
(3)加入还原剂水合肼或葡萄糖或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐，并控制反应液中铜盐的浓度为1×10-5-4.0M、碱的浓度为1×10-5-3.0M、抑制剂的浓度为1×10-4-1.0M，还原剂的浓度为1×10-7-1.0M、反应温度为0-50℃、反应时间为1-12小时，制得径向尺寸＜50nm、轴向尺寸＜500nm的Cu2O棒状和/或针状晶须，
(4)将步骤3中所得的晶须在抗氧化剂溶液中浸泡稳定≥24小时，分离、洗涤去杂质后，即得到稳定的纳米氧化亚铜Gu2O晶须，其中所述的抗氧化剂为苯并三唑或对苯二酚溶液，其浓度范围为1×10-8-1.0M。
2、如权利要求1所述的方法，其特征是反应液中Cu2O的结晶生长抑制剂的浓度为1×10-3-1×10-1M。
3、如权利要求1所述的方法，其特征是二价铜盐CuX溶液浓度为1×10-2-1.0M。
4、如权利要求1所述的方法，其特征是反应液中碱的浓度为1×10-4-1×10-1M。
5、如权利要求1所述的方法，其特征是反应液中还原剂水合肼或葡萄糖或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐的浓度为1×10-4-1×10-1M。
6、如权利要求1所述的方法，其特征是所述的反应温度为20-35℃。
7、如权利要求1所述的方法，其特征是反应进行时间为2-4小时。
8、如权利要求1所述的方法，其特征是所述的抗氧化剂溶液的浓度范围为1×10-5-1×10-2M。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 03128315 CN1249276C (zh) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 03128315 CN1249276C (zh) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1490439A CN1490439A (zh) | 2004-04-21 |
| CN1249276C true CN1249276C (zh) | 2006-04-05 |
Family
ID=34153338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 03128315 Expired - Fee Related CN1249276C (zh) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1249276C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101134245B (zh) * | 2006-08-29 | 2010-06-16 | 三星电机株式会社 | 用于制备立方形铜或氧化铜纳米颗粒的方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305772C (zh) * | 2005-04-26 | 2007-03-21 | 黄德欢 | 纳米氧化亚铜粉的制备方法 |
| CN100427246C (zh) * | 2005-11-04 | 2008-10-22 | 清华大学 | 一种合成氧化亚铜纳米球的方法及氧化亚铜纳米球的应用 |
| CN100389230C (zh) * | 2005-12-20 | 2008-05-21 | 厦门大学 | 电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微/纳米晶体的方法 |
| CN101157851B (zh) * | 2007-08-28 | 2010-05-19 | 华中师范大学 | 量子点自组装超级纳米结构材料的制备方法 |
| CN101549883B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氧化亚铜菱形十二面体及低温还原反应的制备方法 |
| CN103764544A (zh) | 2011-07-26 | 2014-04-30 | 1D材料有限责任公司 | 纳米结构的电池活性材料及其制备方法 |
| CN102320646A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-18 | 樊余杰 | 一种用废铜箔制备氧化铜、氧化亚铜的方法 |
| CN103668425B (zh) * | 2013-12-11 | 2016-03-23 | 山东理工大学 | 一种利用羟基磷灰石自含铜溶液中回收铜晶须的方法 |
| CN103787401B (zh) * | 2014-01-16 | 2015-06-17 | 复旦大学 | 一种氧化亚铜纳米线材料及其制备方法 |
| CN103771492B (zh) * | 2014-01-28 | 2015-06-17 | 复旦大学 | 一种片状氧化锌纳米材料的简易制备方法 |
| CN104289725B (zh) * | 2014-09-15 | 2016-08-24 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | Pd基复合纳米粒子及其制备方法 |
| CN104591257B (zh) * | 2015-01-12 | 2016-01-06 | 广东光华科技股份有限公司 | 一种立方体微纳米氧化亚铜粉末的制备方法 |
| CN105129837B (zh) * | 2015-09-09 | 2017-03-22 | 上海应用技术学院 | 一种纳米氧化亚铜的制备方法 |
| JP7155104B2 (ja) | 2016-07-15 | 2022-10-18 | ワンディー マテリアル、 インコーポレイテッド | 電池における使用のために炭素系粉末上にシリコンナノワイヤを作るための製造装置および方法 |
| CN108484150A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-04 | 胡果青 | 一种致密型高导热陶瓷基板的制备方法 |
| CN109081949A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-12-25 | 佛山市高明区爪和新材料科技有限公司 | 一种树脂包覆金属复合导热填料的制备方法 |
| CN109053177A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-21 | 宋连贵 | 一种电子电路用高导热陶瓷基板的制备方法 |
| CN110026550A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-07-19 | 扬州工业职业技术学院 | 一种纳米零价铜及其制备方法及应用 |
| US11873566B2 (en) * | 2019-02-28 | 2024-01-16 | Honda Motor Co., Ltd. | Cu/Cu2O interface nanostructures for electrochemical CO2 reduction |
| CN110642285A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 中南大学 | 一种纳米氧化亚铜粉体的制备方法 |
-
2003
- 2003-07-11 CN CN 03128315 patent/CN1249276C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101134245B (zh) * | 2006-08-29 | 2010-06-16 | 三星电机株式会社 | 用于制备立方形铜或氧化铜纳米颗粒的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1490439A (zh) | 2004-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1249276C (zh) | 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 | |
| Ishikawa et al. | Preparation of zinc oxide nanorods using pulsed laser ablation in water media at high temperature | |
| Zhou et al. | Microsphere organization of nanorods directed by PEG linear polymer | |
| CN101157851B (zh) | 量子点自组装超级纳米结构材料的制备方法 | |
| CN103506630B (zh) | 一种超低松装密度片状银粉的制备方法 | |
| CN103100724A (zh) | 银纳米线的制备方法 | |
| WO2016033862A1 (zh) | 一种在水相介质中制备纳米银线的方法 | |
| CN108237223B (zh) | 核壳型金-氧化钌纳米复合材料及其制备方法 | |
| Mahmood et al. | Growth Parameters for Films of Hydrothermally Synthesized One‐Dimensional Nanocrystals of Zinc Oxide | |
| Mamat et al. | Controllable growth of vertically aligned aluminum-doped zinc oxide nanorod arrays by sonicated sol–gel immersion method depending on precursor solution volumes | |
| CN105127446A (zh) | 一种贵金属纳米双锥体及其制备方法 | |
| CN107413354A (zh) | 一种负载银的氧化铜纳米复合材料的制备方法 | |
| CN111362296B (zh) | 金属氧化物半导体纳米材料的组合物 | |
| Zhang et al. | Solvothermal synthesis of manganese sulfides and control of their phase and morphology | |
| Wang et al. | Fabrication of copper oxide dumbbell-like architectures via the hydrophobic interaction of adsorbed hydrocarbon chains | |
| CN1155524C (zh) | 一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法 | |
| Barzegar et al. | Template-free preparation and characterization of nanocrystalline ZnO in aqueous solution of [EMIM][EtSO4] as a low-cost ionic liquid using ultrasonic irradiation and photocatalytic activity | |
| CN106670496A (zh) | 一种铜纳米线或铜纳米颗粒的制备方法 | |
| Xu et al. | Green synthesis of highly pure nano-silver sols—electrolysis | |
| Esmaili et al. | Preparation and characterization of ZnO nanocrystallines in the presence of an ionic liquid using microwave irradiation and photocatalytic activity | |
| Gandhi et al. | Facile and green synthesis of ZnO nanostructures using ionic liquid assisted banana stem extract route | |
| Li et al. | Hydrothermal synthesis of transition-metal sulfide dendrites or microspheres with functional imidazolium salt | |
| Liu et al. | Effect of hydrothermal conditions on crystal structure, morphology and visible-light driven photocatalysis of WO3 nanostructures | |
| CN105110362A (zh) | 一种基于纤维素纳米球晶为模板的花簇状氧化锌杂化材料的制备方法 | |
| Taghvaei et al. | Simple and Low Temperature Method for Preparation of Nanocrystalline ZnO in Presence of [EMIM][EtSO4] and Their Photocatalytic Activities |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |