CN1219758A - 清洗方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗。在用清洗装置20清洗晶片11时,将清洗液30容纳在清洗槽31内,在将刷子33a、33b打开的状态下,将晶片11插入清洗槽31内,将其保持在摇动、旋转滚子32a—32d上。此后,将刷子33a、33b闭合,用刷子33a、33b夹持晶片11。其次使刷子33a、33b旋转,还用摇动－旋转滚子32a—32d等使晶片11摇动及旋转,再用超声波发生装置36对清洗槽31内的清洗液30附加超声波。

Description

清洗方法及装置
本发明涉及用刷子清洗晶片等被清洗物用的清洗方法及装置。
在半导体制造工序或薄膜磁头的制造等工序中，为了将晶片表面上的污垢除去而包括适当的晶片的清洗工序。这样的晶片清洗方法之一是刷洗。刷洗是一种使旋转的刷子与清洗液一起压在晶片等被清洗物的表面上，通过用刷子擦洗被清洗物的表面，将被清洗物表面上的附着物除去的清洗方法。
这里，参照图12说明相关技术中的刷洗工序之一例。在该图所示的刷洗工序中，首先从装料槽101中取出作为被清洗物的晶片111，将其输送给刷洗装置102。
图13是表示刷洗装置102的概略结构的正视图，图14是表示刷洗装置102的概略结构的侧视图。如这些图所示，刷洗装置102备有：图中未示出的转台；配置在该转台上的呈圆筒状的旋转刷112；以及配置在该旋转刷112的上方、有沿着旋转刷112的轴向排列的多个清洗液喷出口的清洗液喷出部113。用该刷洗装置102进行晶片111的清洗时，晶片111被固定在转台上，对旋转刷112进行定位使其能与该晶片111的表面接触，从清洗液喷出部113的各清洗液喷出口朝向旋转刷112及晶片111呈喷射状地喷出清洗液114。在该状态下，利用转台使晶片111旋转，另外，旋转刷112也被旋转。因此，晶片111的表面被清洗。另外，清洗液114是清洗剂或超纯净水。
其次，如图12所示，将晶片111从刷洗装置102取出后输送给旋转干燥机103，经过兆赫级超声波漂洗(megasonic rinse)工序后，用旋转干燥机103进行干燥。其次，将晶片111从旋转干燥机103取出，用卸料机将起容纳在托架104上。
如上所述，作为相关技术的刷洗方法，一般是使清洗液呈喷射状，一边喷射到旋转刷112上，一边进行清洗的方法。另外还有将超声波振动加在呈喷射状的水中进行清洗的方法。
作为相关技术中的刷洗的其它方法，如特开平7-86218号公报所述，提出了下述方法，即使用备有包括台式刷子和配置在该刷子附近的清洗液喷出部的清洗部的清洗装置，从清洗液喷出部一边喷出带有超声波振动的清洗液，一边用刷子擦被清洗物，同时进行刷洗和超声波清洗。
可是，在用图12至图14说明的清洗方法或上述公报中所述的清洗方法中，在被清洗物的表面上只形成少量的清洗液层。因此，从被清洗物上除去的污垢的微小粒子和从刷子上磨掉的细渣很容易混入被清洗物的表面上的清洗液内，故存在容易使它们再次附着在被清洗物的表面上的问题。
另外，在相关技术的刷洗方法中，即使在将超声波振动附加在清洗水中同时进行超声波清洗的情况下，由于在被清洗物的表面上只形成少量的清洗液层，所以存在不能期待得到超声波清洗应有的效果的问题。
本发明就是鉴于上述问题而完成的，其第一个目的在于提供一种能抑制被除去的污垢或刷子上磨掉的细渣再次附着在被清洗物上的清洗方法及装置。
除了上述第一个目以外，本发明的第二个目的在于提供一种能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗的清洗方法及装置。
本发明的清洗方法是这样一种清洗方法：将清洗液容纳在容纳清洗液用的清洗液容纳部中，将被清洗物保持在清洗液容纳部中容纳的清洗液中，在被容纳在清洗液容纳部中的清洗液中，用刷子擦洗被保持的被清洗物。
在本发明的清洗方法中，被清洗物被保持在清洗液容纳部中所容纳的清洗液中，而且用刷子擦洗。
在本发明的清洗方法中，最好对清洗液容纳部中所容纳的清洗液附加超声波振动。因此，在清洗液容纳部中所容纳的清洗液中，对被清洗物进行用刷子进行的刷洗和用超声波振动进行的超声波清洗。另外，在本发明的清洗方法中，最好包括在清洗液容纳部中所容纳的清洗液中使被清洗物的位置发生变化的装置。
另外，在本发明的清洗方法中，最好包括一边将清洗液从清洗液容纳部排出，一边向清洗液容纳部供给新的清洗液的装置。另外，利用本发明的清洗方法进行清洗的被清洗物是一种在例如有多层结构的元件的制造过程中被进行过利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物。
本发明的清洗装置备有：容纳清洗液用的清洗液容纳部；将被清洗物保持在由该清洗液容纳部容纳的清洗液中的被清洗物保持装置；以及在由清洗液容纳部容纳的清洗液中，对由被清洗物保持装置所保持的被清洗物进行擦洗用的刷子。
在本发明的清洗装置中，被清洗物由被清洗物保持装置保持在由清洗液容纳部所容纳的清洗液中，用刷子擦洗该被清洗物。
本发明的清洗装置最好还备有对清洗液容纳部中所容纳的清洗液附加超声波振动用的超声波振动附加装置。在此情况下，在清洗液容纳部中容纳的清洗液中，对被清洗物进行用刷子进行的刷洗和用由超声波振动附加装置对清洗液附加的超声波振动进行的超声波清洗。另外，本发明的清洗装置中的被清洗物保持装置最好包括在清洗液容纳部中容纳的清洗液中改变被清洗物的位置的装置。
另外，本发明的清洗装置最好还备有一边将由清洗液容纳部容纳的清洗液排出，一边向清洗液容纳部供给新的清洗液用的清洗液供给排出装置。另外，用本发明的清洗装置进行清洗的被清洗物是一种在例如有多层结构的元件的制造过程中被进行过利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物。
本发明的其它目的、特征及优点通过以下的说明就会完全明白了。
图1是本发明的一实施例的清洗装置的一部分被切去后的正视图。
图2是本发明的一实施例的清洗装置的一部分被切去后的侧视图。
图3是本发明的一实施例的清洗装置的一部分被切去后的平面图。
图4A、4B、4C及4D是说明本发明的一实施例的清洗装置中的晶片的摇动·旋转机构的工作用的说明图。
图5是说明使用本发明的一实施例的清洗方法及清洗装置的清洗工序用的说明图。
图6是表示为了检查清洗后的被清洗物的质量而设定的检查区域的说明图。
图7是表示相关技术中的薄膜磁头的结构之一例的剖面图。
图8是示意性地表示用图7所示的薄膜磁头对硬盘进行记录时一条磁道上的记录区域的说明图。
图9是表示使写入间隙膜平坦化了的薄膜磁头的结构的剖面图。
图10是示意地表示用图9所示的薄膜磁头对硬盘进行记录时一条磁道上的记录区域的说明图。
图11是表示图9所示的薄膜磁头的中间制造物的剖面图。
图12是表示相关技术中的刷洗工序之一例的说明图。
图13是表示图12中的刷洗装置的简略结构的正视图。
图14是表示图12中的刷洗装置的简略结构的侧视图。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。
首先，参照图5，说明使用了本发明的一实施例的清洗方法及清洗装置的清洗工序。另外，以下以被清洗物为晶片的情况为例进行说明。在该清洗工序中，作为被清洗物的晶片11被容纳在托架12上，该托架12被容纳在装料槽13内。托架12利用设置在装料槽13附近的托架升降用的升降机14以可升降的方式被保持在装料槽13内。在装料槽13的底部附近设有超纯净水供给口15。在装料槽13内，由该超纯净水供给口15供给超纯净水，多余的超纯净水从装料槽13的上端排出。另外，向装料槽13供给的超纯净水的量例如为1.5升/分。
在图5所示的清洗工序中，首先利用晶片输送用机械手16将晶片11从装料槽13内的托架12上取出，并输送给清洗装置20。在晶片输送用机械手16中，为了防止所输送的晶片11的干燥而设有向晶片11上加喷射状的超纯净水18用的喷嘴17，以及向该喷嘴17供给超纯净水的供给管道。
本实施例的清洗装置20在液体中对晶片11进行刷洗。关于清洗装置20的结构和作用将在后文详细说明。清洗后的晶片11由晶片输送用机械手16从清洗装置20中取出，并送给旋转干燥机21。
旋转干燥机21备有：保持晶片11用的保持部22；使该保持部22旋转用的电机23；以及使保持部22和电机23沿前后方向移动用的前进后退机构24。电机23使保持部22例如以1800转/分的转速旋转。另外，在旋转干燥机21的前方设有对由保持部22保持的晶片11喷洒附加了1MHz左右的超声波的超纯净水进行兆赫级超声波漂洗用的兆赫级超声波漂洗装置25。在该兆赫级超声波漂洗装置25附近设有向由保持部22保持的晶片11吹干燥用的氮气(N2)用的喷嘴26。
在图5所示的工序中，对由旋转干燥机21的保持部22保持的晶片11进行漂洗和干燥，上述漂洗是由兆赫级超声波漂洗装置25进行的，上述干燥是利用旋转干燥机21及喷嘴26进行的。
经过了漂洗及干燥后的晶片11由晶片输送用机械手27从旋转干燥机21的保持部22取出，然后被容纳在卸料部的托架28上。
其次，参照图1至图3，说明本实施例的清洗装置20的结构。图1是清洗装置20的一部分被切去后的正视图，图2是清洗装置20的一部分被切去后的侧视图，图3是清洗装置20的一部分被切去后的平面图。
清洗装置20备有：容纳清洗液30用的作为清洗液容纳部的清洗槽31；设置在该清洗槽31内、在被容纳在清洗槽31中的清洗液30中保持作为被清洗物的晶片11用的作为被清洗物保持装置的四个摇动·旋转滚子32a～32d；以及设置在该清洗槽31内、在被容纳在清洗槽31中的清洗液30中擦洗由摇动·旋转滚子32a～32d保持的晶片11用的两个圆筒状的刷子33a、33b。
刷子33a、33b是将PVA(聚乙烯醇)海绵缠绕在例如圆筒状的保持构件上、或者将许多毛状的耐伦(商品名)树脂等纤维设置在该保持构件上构成的。
如图1所示，在清洗槽31的下部设有将新的清洗水供给到清洗槽31内用的清洗液供给口34。另外，如图1及图2所示，在清洗槽31的上端部分的外壁上呈环绕状地设有排出从清洗槽31溢出的清洗水用的流槽状的排出部35。这些清洗液供给口34及排出部35与本发明的清洗液供给排出装置相对应。
如图1及图2所示，在清洗槽31的底部设有将超声波振动附加在清洗槽31中容纳的清洗液30中用的作为超声波振动附加装置的超声波发生装置36。
现在详细说明使用摇动·旋转滚子32a～32d的晶片的摇动·旋转机构。横向长的板状的底座构件40安装在清洗槽31的正面一侧的外壁上。轴支撑板41通过间隔柱42离开规定的间隔与该底座构件40相对地安装。另外，轴承部43安装在清洗槽31的正面一侧的内壁上。而且，沿水平方向设有穿通轴承部43、清洗槽31的正面一侧的外壁及底座构件40的四条滚子驱动轴44a～44d。滚子驱动轴44a～44d以自由旋转的方式由轴承部43支撑着。沿与滚子驱动轴44a～44d正交的方向延伸的臂45a～45d的一端结合在位于清洗槽31内的滚子驱动轴44a～44d的一端上，与滚子驱动轴44a～44d平行配置的滚轴46a～46d的一端结合在臂45a～45d的另一端上。而且，摇动·旋转滚子32a～32d被固定在滚轴46a～46d的另一端上。臂45a～45d的纵向长度相等，而且从滚子驱动轴44a～44d向同一方向延伸。摇动·旋转滚子32a～32d被配置在沿晶片11的下侧外周形状的位置，以便能从下侧保持沿垂直方向配置的晶片11。
滚子驱动轴44a～44d的另一端由轴支撑板41以自由旋转的方式支撑着。在底座构件40和轴支撑板41之间，时序轮47a～47d分别安装在滚子驱动轴44a～44d上。另外，轴48也以自由旋转的方式安装在底座构件40和轴支撑板41之间，在该轴48上安装着时序轮49。
晶片摇动·旋转用防水电机51安装在底座构件40的朝向清洗槽31一侧的面上，该防水电机51的驱动轴51a穿过底座构件40，突出到轴支撑板41一侧。在突出到轴支撑板41一侧的电机51的驱动轴51a上安装着时序轮52。而且，时序带53挂在时序轮52、47a～47d、以及49上。另外，在时序轮47a～47d附近，设有安装在底座构件40上的拉紧轮54a～54d，时序带53经过这些拉紧轮54a～54d。
在这样构成的晶片的摇动·旋转机构中，通过使晶片摇动·旋转用防水电机51旋转，时序轮47a～47d便通过时序轮52及时序带53而沿同一方向旋转，因此，滚子驱动轴44a～44d沿同一方向旋转，以这些滚子驱动轴44a～44d为中心，臂45a～45d便沿同一方向旋转。其结果，摇动·旋转滚子32a～32d以滚子驱动轴44a～44d为中心，沿同一方向进行圆周运动，由摇动·旋转滚子32a～32d保持着的晶片11便进行摇动及旋转。
其次，说明刷子33a、33b的旋转·开闭机构。横向长的板状的底座构件60安装在清洗槽31的右侧的外壁上。轴支撑板61通过间隔柱62离开规定的间隔与该底座构件60相对地安装。而且，以自由旋转的方式设置着两个呈圆筒状的轴容纳构件63a、63b，使其沿水平方向穿过清洗槽31的右侧外壁及底座构件60。在位于清洗槽31内的轴容纳构件63a、63b的一端上连接着中空的臂状的时序带容纳部64a、64b的下端部分。该时序带容纳部64a、64b在清洗槽31内沿上下方向配置。
时序轮65、66以自由旋转的方式设置在时序带容纳部64a、64b内的上端部分附近及下端部分附近。刷子33a、33b的轴分别穿过时序带容纳部64a、64b而被连接在各时序带容纳部64a、64b内的时序轮65上。在各时序带容纳部64a、64b内，时序带67挂在时序轮65、66之间。
刷子驱动用轴68a、68b的一端分别连接在各时序带容纳部64a、64b内的时序轮66上。这些刷子驱动用轴68a、68b通过轴容纳构件63a、63b后，其另一端以自由旋转的方式由轴支撑板61支撑着。在底座构件60和轴支撑板61之间，刷子驱动用齿轮69a、69b分别安装在刷子驱动用轴68a、68b上。另外，刷子驱动用齿轮69a、69b互相啮合。
在底座构件60和轴支撑板61之间，还设置着与刷子驱动用齿轮69a啮合的刷子驱动用齿轮69c，以及与该刷子驱动用齿轮69c啮合的刷子驱动用齿轮69d。刷子驱动用齿轮69c、69d由底座构件60和轴支撑板61支撑着。四个刷子驱动用齿轮69a、69b、69c、69d的直径和齿数相等。刷子驱动用防水电机71安装在底座构件60的朝向清洗槽31一侧的面上，该电机71的驱动轴71a穿过底座构件60而被连接在刷子驱动用齿轮69d上。
在底座构件60和轴支撑板61之间，刷子开闭用杠杆构件72a、72b分别安装在轴容纳构件63a、63b上。该刷子开闭用杠杆构件72a、72b的底部一侧的一部分构成齿轮，这些齿轮互相啮合。刷子开闭用杠杆构件72a、72b的前端部分一侧配置成向上方延伸。
两个刷子开闭用汽缸73a、73b安装在底座构件60上。该刷子开闭用汽缸73a、73b的各活塞分别连接在刷子开闭用杠杆构件72a、72b的前端部分附近。
在这样构成的刷子33a、33b的旋转·开闭机构中，通过使刷子驱动用防水电机71旋转，从而使刷子驱动用齿轮69d、69c、69a、69b旋转，从而刷子驱动用轴68a、68b互相沿相反的方向旋转。刷子驱动用轴68a、68b的旋转动作通过时序轮66、时序带68及时序轮65而被传递给刷子33a、33b，刷子33a、33b互相沿相反的方向旋转。
另外，通过使刷子开闭用汽缸73a、73b的活塞进退，而使刷子开闭用杠杆构件72a、72b旋转。于是，连接在刷子开闭用杠杆构件72a、72b上的轴容纳构件63a、63b及时序带容纳部64a、64b随之旋转，从而刷子33a、33b能开闭。
其次，说明本实施例的清洗装置20的作用。另外，在以下的说明中还同时说明本实施例的清洗方法。
在用清洗装置20清洗晶片11时，首先将清洗液30从清洗液供给口34供给到清洗槽31内，将清洗液30容纳在清洗槽31内。清洗液30是超纯净水或清洗剂。
其次，使刷子33a、33b呈打开状态，由晶片输送用机械手16将晶片11插入清洗槽31内，并被放置保持在摇动·旋转滚子32a～32d上。此后，使刷子开闭用汽缸73a、73b工作，将刷子33a、33b闭合，用刷子33a、33b夹持晶片11。
其次，将新的清洗液30从清洗液供给口34供给到清洗槽31内，一边使多余的清洗液30从排出部35排出，一边使刷子驱动用防水电机71旋转，从而使刷子33a、33b旋转，使晶片摇动·旋转用防水电机51旋转，从而使晶片11摇动及旋转，还使超声波发生装置36工作，将超声波振动附加到清洗槽31内的清洗液30中。另外，在本实施例中，清洗时虽然最好同时进行晶片11的摇动及旋转和超声波振动的附加，但这些工作未必都需要进行，也可以根据情况，进行其中的某一种或两种。
这样一来，利用刷子33a、33b擦晶片11的表面，与对晶片11进行刷洗的同时，在清洗液30中将超声波振动加在晶片11上，对晶片11进行超声波清洗。
另外，清洗液30的供给量最好为例如1升/分以上，这里，作为一例假定为2升/分。另外，所供给的清洗液30最好是加过热的，其温度最好为30～70℃，这里，作为一例假定为50℃。
另外，刷子33a、33b的转速最好为30～200rpm，这里，作为一例假定为50rpm。
另外，由超声波发生装置36发生的超声波振动最好为例如28～200kHz，这里，作为一例假定为28kHz。
现在参照图4，详细说明晶片的摇动·旋转机构的工作情况。图4A至4D是表示在滚子驱动轴44a～44d的旋转位置每隔45°的不同状态下晶片11及摇动·旋转滚子32a～32d附近情况的说明图。滚子驱动轴44a～44d全部沿图4A中用符号75表示的方向旋转。其结果，如图4A至4D所示，摇动·旋转滚子32a～32d分别以滚子驱动轴44a～44d为中心进行圆周运动。因此，由摇动·旋转滚子32a～32d保持的晶片11沿上下左右方向摇动。另外，由于摇动·旋转滚子32a～32d经由滚轴46a～46d相对于被结合在滚子驱动轴44a～44d上的臂45a～45d被固定，所以摇动·旋转滚子32a～32d进行圆周运动，于是晶片11在图4A中沿着用符号76表示的方向旋转。
在清洗槽31内，虽然超声波振动的强度不均匀，但如上所述，由于在清洗槽31内使晶片11摇动及旋转，所以对于晶片11上的全部区域平均来说，能施加其强度大致均匀的超声波振动。
另外，由晶片的摇动·旋转机构产生的晶片11的摇动范围例如在作为晶片11使用3英寸的晶片的情况下，从摇动的中心位置至上下左右各个方向最好在10～30mm的范围，这里，作为一例假定从摇动的中心位置至上下左右各个方向在15mm的范围。另外，由晶片的摇动·旋转机构进行的晶片11的旋转运动的转速最好为20～100rpm，这里，作为一例假定为40rpm。
这样，如果采用本实施例的清洗装置20及本实施例的清洗方法，则由于在被容纳在清洗槽31内的清洗液30中，用刷子33a、33b擦被清洗物(晶片11)的表面，对被清洗物进行刷洗，所以从被清洗物上除去的污垢或刷子33a、33b被磨掉的渣能容易地分散在清洗槽31内的全部清洗液30中，同时在被清洗物和刷子33a、33b之间容易形成污垢少的清洗液层，能抑制被除去的污垢或被刷子磨掉的渣再次附着在被清洗物上，能提高被清洗物的清洗效率。
另外，如果采用本实施例的清洗装置20及本实施例的清洗方法，则由于在用刷子33a、33b擦洗被清洗物时，一边从排出部35排出清洗槽31内的清洗液30，一边从清洗液供给口34向清洗槽31内供给新的清洗液30，所以能使清洗槽31内的清洗液30经常保持在污垢少的状态下，更能提高被清洗物的清洗效率。
另外，如果采用本实施例的清洗装置20及本实施例的清洗方法，则由于与上述刷洗的同时，在清洗液30中对被清洗物施加超声波振动，对被清洗物进行超声波清洗，所以能将超声波振动通过清洗液30加在全部被清洗物上，能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗的清洗，更能提高被清洗物的清洗效率。
另外，如果采用本实施例的清洗装置20及本实施例的清洗方法，则由于在清洗槽31内使被清洗物摇动及旋转，所以对被清洗物的全部区域平均来说，能施加其强度大致均匀的超声波振动，更能提高被清洗物的清洗效率。
另外，如果采用本实施例的清洗装置20及本实施例的清洗方法，则由于刷子33a、33b位于清洗液30中，所以在对被清洗物进行清洗的同时，能进行刷子33a、33b的清洗，能简化清洗的附加工作。另外，由于刷子33a、33b经常被清洗液30浸湿，所以能防止被清洗物最初与刷子33a、33b接触时使被清洗物产生损伤，同时不需要在相关技术中为了防止被清洗物上产生损伤所需要的防止刷子干燥的机构。
另外，在相关技术中，在用刷洗装置对被清洗物进行刷洗后，需要将被清洗物移到漂洗装置中进行漂洗，但如果采用本实施例的清洗装置20及清洗方法，则由于在对被清洗物进行刷洗和超声波清洗后，使刷子33a、33b不旋转，而由超声波发生装置36将超声波振动加在清洗槽31内的清洗液30中，所以不用移动被清洗物，就能直接对被清洗物进行超声波清洗，能有效地进行擦洗和其后的漂洗。
现在说明使用图13及图14所示的相关技术中的刷洗装置进行刷洗、以及使用本实施例的清洗装置20进行清洗后，对被清洗物的质量进行比较的结果之一例。在该例中，如图6所示，在作为被清洗物的晶片11的中央部分77及外周附近部分78两处，分别选择140微米×190微米的矩形检查区，用金相显微镜将该检查区放大200倍进行观察，对该检查区内的1微米以上的微粒数进行计数。其结果，在两处的每个检查区中1微米以上的微粒数的平均值为：在使用相关技术中的刷洗装置进行刷洗的情况下为125个，在使用本实施例的清洗装置20进行清洗的情况下为3个，如果使用本实施例的清洗装置20进行清洗，则与使用相关技术中的刷洗装置进行刷洗相比较，可知清洗后的被清洗物的质量能飞跃地提高。
可是，作为使用本实施例的清洗装置20及清洗方法进行清洗的被清洗物举出了一般的基板、或在其被清洗面上有作为该物的本来的形状的微小的凹凸(0.1～2微米左右)的物体。作为这样的被清洗物，举出了在具有多层结构的元件的制造过程中进行了利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物。本实施例的清洗方法及清洗装置能用来除去附着在这样的中间制造物上的屑渣或研磨用的糊膏等污垢。
这里，作为使用本实施例的清洗装置20及清洗方法进行清洗的上述中间制造物之一例，说明薄膜磁头制造过程中的中间制造物。
首先，为了与采用本实施例的薄膜磁头制造过程中的中间制造物进行比较，参照图7所示的剖面图，说明相关技术中的薄膜磁头的结构之一例。图7所示的薄膜磁头80是将使用磁阻(MR)元件的再生专用的MR磁头以及把磁性薄膜和平面线圈组合起来的记录用的薄膜磁头一体化了的复合磁头。该薄膜磁头80是这样构成的，即在基板(晶片)81上依次形成基板保护膜82、下部密封膜83、下部间隔膜84、MR膜85及硬质磁性膜86、端子87、上部间隔膜88、上部密封膜兼下部磁极89、写入间隔膜90及上部磁极91。另外，在图7中虽然未出现，但在写入间隔膜90上还通过绝缘层形成线圈。
基板81由氧化铝·碳化钛(Al2O3·TiC)等形成。基板保护膜82、下部间隔膜84、上部间隔膜88及写入间隔膜90由Al2O3等形成。下部密封膜83由FeAlSi、NiFe等形成。MR膜85由显示出具有磁阻效应的NiFe等形成。另外，作为薄膜磁头也可以设置显示出GMR(巨大的磁阻)效应的GMR膜，以代替MR膜85。硬质磁性膜86由CoPt等形成。端子87由Ta等形成。上部密封膜兼下部磁极89及上部磁极91由NiFe等形成。
在图7所示的薄膜磁头80中，MR膜85及硬质磁性膜86的面是平坦的，但端子87是在硬质磁性膜86中的与下部间隔膜84相对的一侧的面上形成的，上部间隔膜88是以覆盖MR膜85及端子87的方式形成的，所以在上部间隔膜88上产生台阶。而且，在图7所示的薄膜磁头80中，在与产生该台阶的上部间隔膜88上的端子87相对的一侧的面上依次形成上部密封膜兼下部磁极89、写入间隔膜90及上部磁极91，所以在上部密封膜兼下部磁极89和上部磁极91之间写入间隔膜90呈弯曲形状。
图8示意地表示利用图7所示的薄膜磁头80对硬盘进行记录时一条磁道上的记录区域。在图8中，符号92表示磁道，符号93表示1位的记录区。如该图所示，在使用图7所示的薄膜磁头80的情况下，由于在上部密封膜兼下部磁极89和上部磁极91之间写入间隔膜90呈弯曲形状，所以记录区93也呈弯曲形状。这样，如果记录区93弯曲，则再生时来自记录区93的再生信号的半幅值变大，记录密度不可能大。
为了解决这样的问题，可以考虑图9所示的薄膜磁头95。该薄膜磁头95将上部密封膜兼下部磁极89的与上部间隔膜88相对一侧的面平坦化，其结果，写入间隔膜90及上部磁极91也被平坦化。图9所示的薄膜磁头95的其它结构与图7所示的薄膜磁头80相同。
图10示意地表示利用图9所示的薄膜磁头95对硬盘进行记录时一条磁道上的记录区域。在图10中，符号96表示磁道，符号97表示1位的记录区。如该图所示，在使用图9所示的薄膜磁头95的情况下，由于在上部密封膜兼下部磁极89和上部磁极91之间写入间隔膜90呈平坦状态，所以记录区97大致呈矩形。这样，在记录区97大致呈矩形的情况下，再生时来自记录区97的再生信号的半幅值变小，能增大记录密度。
在图9所示的薄膜磁头95的制造过程中，在形成了上部密封膜兼下部磁极89之后，必须对上部密封膜兼下部磁极89的与上部间隔膜88相对一侧的面进行平坦化处理。图11表示对上部密封膜兼下部磁极89这样地进行了平坦化处理后薄膜磁头的中间制造物99。在图11中，符号89a表示平坦化处理前的上部密封膜兼下部磁极89的与上部间隔膜88相对一侧的面的位置，符号89b表示平坦化处理后的上部密封膜兼下部磁极89的与上部间隔膜88相对一侧的面的位置。
在上部密封膜兼下部磁极89的平坦化处理中，例如采用化学·机械·抛光(CNP)等化学及利用机械方式的平坦化处理方法。作为应用本实施例的被清洗物，举出了在图9所示的薄膜磁头95的制造过程中，如图11所示，对上部密封膜兼下部磁极89进行了利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物99。在此情况下，在进行了平坦化处理后的中间制造物99的表面上、特别是在上部密封膜兼下部磁极89的表面上附着了利用机械方式的平坦化处理所产生的屑渣和研磨用的糊膏等污垢，利用本实施例的清洗装置20及清洗方法将这些污垢除去。另外，在一片基板(晶片)81上形成多个图11所示的中间制造物99。因此，中间制造物99的清洗与实施例的晶片11的情况同样地进行。另外，在一片基板(晶片)81上形成了多个中间制造物99的被清洗物，作为该被清洗物本来的形状，在被清洗面上有微小的凹凸。
因此，在将本实施例的清洗装置20及清洗方法应用于进行过平坦化处理后的图11所示的中间制造物99的情况下，能有效地除去由这样的平坦化处理产生的屑渣和研磨用的糊膏等污垢，能制造质量好的薄膜磁头95。另外，在本实施例的清洗装置20及清洗方法中的被清洗物的被清洗面上有微小的凹凸的情况下，如果采用本实施例的清洗装置20及清洗方法，能特别有效地除去容易留在微小的凹凸上的污垢。
另外，本发明不限定于上述实施例，例如，在上述实施例中虽然将被清洗物沿垂直方向配置在清洗槽31内，但也可以将被清洗物沿水平方向配置在清洗槽31内。在此情况下，将刷子33a、33b配置成能从上下方向夹持被清洗物。另外，保持被清洗物并进行摇动及旋转用的摇动·旋转滚子32a～32d按照沿水平方向配置的被清洗物的外周形状的位置等间隔地配置，而且作成从下侧保持被清洗物的形状，再者，分别以沿垂直方向配置的滚子驱动轴为中心进行圆周运动。
另外，在上述实施例中，作为被清洗物之一例，举出了将MR磁头和薄膜磁头一体化了的复合磁头型的薄膜磁头的中间制造物，但本发明也能适用于不包括MR磁头的薄膜磁头的中间制造物的清洗。另外，这些薄膜磁头的中间制造物中各层的重叠顺序不特别限定。另外，本发明还能适用于半导体制造过程中的中间制造物等其它种类的被清洗物。
如上所述，如果采用本发明的清洗方法或清洗装置，则由于在用清洗液容纳部容纳的清洗液中用刷子擦洗被清洗物，所以具有能抑制被除去的污垢或刷子被磨掉的渣再次附着在被清洗物上的效果。
另外，如果采用本发明的清洗装置，则由于将超声波振动附加在用清洗液容纳部容纳的清洗液中，所以具有能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗的效果。
另外，如果采用本发明的清洗方法或清洗装置，则由于在用清洗液容纳部容纳的清洗液中使被清洗物改变位置，所以对被清洗物的全部区域平均来说，能施加其强度大致均匀的超声波振动，具有能进一步提高被清洗物的清洗效率的效果。
另外，如果采用本发明的清洗方法或清洗装置，则由于一边从清洗液容纳部排出清洗液，一边将新的清洗液供给清洗液容纳部，所以更具有能进一步提高被清洗物的清洗效率的效果。
另外，如果采用本发明的清洗方法或清洗装置，则由于将被清洗物设定为在具有多层结构的元件的制造过程中进行过利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物，所以能更有效地将利用机械方式的平坦化处理所产生的污垢从中间制造物上除去，具有能制造质量好的元件的效果。
根据以上的说明可知，可以按各种形态和变形例来实施本发明。因此，在与以下的权利要求同等的范围内，可以按照上述详细说明的形态以外的形态来实施本发明。

Claims (10)

1．一种清洗方法，其特征在于：
将清洗液容纳在容纳清洗液用的清洗液容纳部中，
将被清洗物保持在清洗液容纳部中容纳的清洗液中，
在被容纳在清洗液容纳部中的清洗液中，用刷子擦洗被保持的被清洗物。
2．根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：对清洗液容纳部中所容纳的清洗液附加超声波振动。
3．根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：在清洗液容纳部中所容纳的清洗液中使被清洗物的位置发生变化。
4．根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：一边将清洗液从清洗液容纳部排出，一边向清洗液容纳部供给新的清洗液。
5．根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：被清洗物是在具有多层结构的元件的制造过程中被进行过利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物。
6．一种清洗装置，其特征在于备有：
容纳清洗液用的清洗液容纳部；
将被清洗物保持在由该清洗液容纳部容纳的清洗液中的被清洗物保持装置；以及
在由清洗液容纳部容纳的清洗液中，对由被清洗物保持装置所保持的被清洗物进行擦洗用的刷子。
7．根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：还备有对清洗液容纳部中所容纳的清洗液附加超声波振动用的超声波振动附加装置。
8．根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：上述被清洗物保持装置包括在清洗液容纳部中容纳的清洗液中使被清洗物的位置发生变化的装置。
9．根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：还备有一边将由上述清洗液容纳部容纳的清洗液排出，一边向上述清洗液容纳部供给新的清洗液用的清洗液供给排出装置。
10．根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：被清洗物是在具有多层结构的元件的制造过程中被进行过利用机械方式的平坦化处理后的中间制造物。
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