JPH02109334A - 半導体ウェハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェハの洗浄装置Info
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- JPH02109334A JPH02109334A JP26048588A JP26048588A JPH02109334A JP H02109334 A JPH02109334 A JP H02109334A JP 26048588 A JP26048588 A JP 26048588A JP 26048588 A JP26048588 A JP 26048588A JP H02109334 A JPH02109334 A JP H02109334A
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- semiconductor wafer
- wafer
- cleaning
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 51
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハの洗浄に超音波を利用する半
導体ウェハの洗浄装置に関するものである。
導体ウェハの洗浄装置に関するものである。
第４図は従来の超音波を利用した半導体ウェハの洗浄装
置であり１図において、１は洗浄される半導体ウェハ、
２は半導体ウェハ１を収納するがご状のウェハ収納容器
、３はこのウェハ収納容器２を収容する液槽、４は液槽
３内に設けられた底板である。該底板４には多数の／ｈ
孔４ａが設けられている。５は液槽３内に洗浄液１２を
供給する制御を行う供給弁、６は液槽３に組付けられて
いる超音波発生器である。
置であり１図において、１は洗浄される半導体ウェハ、
２は半導体ウェハ１を収納するがご状のウェハ収納容器
、３はこのウェハ収納容器２を収容する液槽、４は液槽
３内に設けられた底板である。該底板４には多数の／ｈ
孔４ａが設けられている。５は液槽３内に洗浄液１２を
供給する制御を行う供給弁、６は液槽３に組付けられて
いる超音波発生器である。
次に動作について説明する。液槽３へは使用中。
常時供給弁５より洗浄液１２が供給され、底板４の小孔
４ａを通して液槽３に満たされ、オーバーフローするよ
うになっている。このような液槽３の中に、ウェハ収納
容器２で支持された半導体ウェハ１を入れ、底部から供
給される洗浄液１２で該半導体ウェハ１の表面を洗浄す
る。この時に、超音波発生器６により発生した和波波で
、半導体ウェハ１の表面の洗浄効果を上げている。
４ａを通して液槽３に満たされ、オーバーフローするよ
うになっている。このような液槽３の中に、ウェハ収納
容器２で支持された半導体ウェハ１を入れ、底部から供
給される洗浄液１２で該半導体ウェハ１の表面を洗浄す
る。この時に、超音波発生器６により発生した和波波で
、半導体ウェハ１の表面の洗浄効果を上げている。
従来の超音波による半導体ウェハの洗浄装置は以上のよ
うに構成されているため、超音波洗浄時に定在波が発生
し、洗浄効果の全くない所と１強力過ぎる所が位置によ
り起こり、洗浄むらが発生する問題点があった。
うに構成されているため、超音波洗浄時に定在波が発生
し、洗浄効果の全くない所と１強力過ぎる所が位置によ
り起こり、洗浄むらが発生する問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、定在波の発生を防止できると共に、水流を乱
すことでウェハ表面の洗浄効果をさらに上げることがで
きる半導体ウェハの洗浄装置を得ることを目的とする。
たもので、定在波の発生を防止できると共に、水流を乱
すことでウェハ表面の洗浄効果をさらに上げることがで
きる半導体ウェハの洗浄装置を得ることを目的とする。
ＣＩＩＩＭを解決するための手段〕
この発明に係る半導体ウェハの洗浄装置は、液槽内の洗
浄液の液面から半導体ウェハまでの深さを変えるウェハ
上液深可変手段を設けたものである。
浄液の液面から半導体ウェハまでの深さを変えるウェハ
上液深可変手段を設けたものである。
この発明におけるウェハ上液深可変手段は、液面から半
導体ウェハまでの深さを変えることで。
導体ウェハまでの深さを変えることで。
半導体ウェハにかかる超音波の定在波の位置を変化させ
る。
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、従来技術を示す＠４図と相対応する部分に
は同一符号をつけて示している。
図において、従来技術を示す＠４図と相対応する部分に
は同一符号をつけて示している。
７は液槽３の上縁に取り付けて洗浄液１−２の液面１２
ａから半導体ウェハ１までの深さを可変するウェハ上液
深可変手段としての曲管である。
ａから半導体ウェハ１までの深さを可変するウェハ上液
深可変手段としての曲管である。
次に動作について説明する。液槽３内で洗浄液１２がオ
ーバーフローする状態になると、ウェハ上ＮｊｉＦ！Ｒ
可変手段としての曲管７のサイフオン作用により、液槽
３内の洗浄液１２をオーバーフロー欲よりも多く汲み出
し、液面１２ａを通常よりも低くする。−旦、液槽３内
における曲管７の下面よりも液面１．２ ａが低くなれ
ば１曲管７のサイフオン効果はなくなり、再び洗浄液１
２が所定の液面に戻る。このｆｆ？１に、液面１２ａか
ら半導体ウェハ１までの深さが連続的に変化する。これ
に伴い。
ーバーフローする状態になると、ウェハ上ＮｊｉＦ！Ｒ
可変手段としての曲管７のサイフオン作用により、液槽
３内の洗浄液１２をオーバーフロー欲よりも多く汲み出
し、液面１２ａを通常よりも低くする。−旦、液槽３内
における曲管７の下面よりも液面１．２ ａが低くなれ
ば１曲管７のサイフオン効果はなくなり、再び洗浄液１
２が所定の液面に戻る。このｆｆ？１に、液面１２ａか
ら半導体ウェハ１までの深さが連続的に変化する。これ
に伴い。
半導体ウェハ１にかかる超音波の定在波の位置を連続的
に変化させながら洗浄を行う。
に変化させながら洗浄を行う。
なお、上記実施例では、液槽３にウェハ上液深可変手段
として曲管７を設けたものを示したが。
として曲管７を設けたものを示したが。
第２図に示すようにパツキン９で液槽３に接触させた底
板４を浮遊させ、圧力可変袋？！８を供給弁５に接続し
、供給液の圧力を変えることで底抜４の高さを変え、液
面１２ａから半導体ウェハ１までの深さを変えてもよい
、即ち、この場合には、可動形の底板４と圧力可変装置
８とでウェハ上液深可変手段を構成している。１０ａ、
１０ｂは底板４の上限及び下限を決めるストッパーであ
る。
板４を浮遊させ、圧力可変袋？！８を供給弁５に接続し
、供給液の圧力を変えることで底抜４の高さを変え、液
面１２ａから半導体ウェハ１までの深さを変えてもよい
、即ち、この場合には、可動形の底板４と圧力可変装置
８とでウェハ上液深可変手段を構成している。１０ａ、
１０ｂは底板４の上限及び下限を決めるストッパーであ
る。
また、第３図に示すように、液槽３の底部側にバブリン
グ装［１１１を接続し、バブリングによって半導体ウェ
ハ１に付着した泡で半導体ウェハｌを浮遊させてもよい
、即ち、この場合には、バブリング装置１１がウェハ上
液深可変手段を構成している。この時、超音波は不連続
にかける必要がある。即ち、超音波をかけると、泡は消
えて半導体ウェハ１が沈み、超音波を停止すると、泡が
発生して半導体ウェハ１が上昇し、半導体ウェハ１上の
液深が可変することになる。
グ装［１１１を接続し、バブリングによって半導体ウェ
ハ１に付着した泡で半導体ウェハｌを浮遊させてもよい
、即ち、この場合には、バブリング装置１１がウェハ上
液深可変手段を構成している。この時、超音波は不連続
にかける必要がある。即ち、超音波をかけると、泡は消
えて半導体ウェハ１が沈み、超音波を停止すると、泡が
発生して半導体ウェハ１が上昇し、半導体ウェハ１上の
液深が可変することになる。
（発明の効果）
以上のように、この発明によれば、超汁波洗浄を行うに
際し、ウェハ上液深可変手段を用い、液面から半導体ウ
ェハまでの深さを変えるように構成したので、半導体ウ
ェハに当る定在波の位置を変えて定在波をウェハ而に均
一に当てることができ、洗浄むらをなくして洗浄を行う
ことができる効果がある。
際し、ウェハ上液深可変手段を用い、液面から半導体ウ
ェハまでの深さを変えるように構成したので、半導体ウ
ェハに当る定在波の位置を変えて定在波をウェハ而に均
一に当てることができ、洗浄むらをなくして洗浄を行う
ことができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ウェハの洗浄
装置の断面側面図、第２図はこの発明の他の実施例を示
す断面側面図、第３図はさらに別の実施例の断面側面図
、第４図は従来の半導体ウェハの洗浄装置の断面側面図
である。 ｌは半導体ウェハ、２はウェハ収納容器、３は液槽、４
は底板、４ａは小孔、５は供給弁、６は超音波発生器、
７は曲管（ウェハ上液深可変手段）。 ８は圧力可変装置（ウェハ上液深可変手段）、１１はバ
ブリング装置（ウェハ上液深可変手段）、１２は洗浄液
、１２ａは液面。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 ４゛見根 ４０°フ１＼糺 ５゛供袷キ ロ°超舌慮發曳落 ７４曲管（ウニへ上液原町）チＪグ） 第１ 図 第２図
装置の断面側面図、第２図はこの発明の他の実施例を示
す断面側面図、第３図はさらに別の実施例の断面側面図
、第４図は従来の半導体ウェハの洗浄装置の断面側面図
である。 ｌは半導体ウェハ、２はウェハ収納容器、３は液槽、４
は底板、４ａは小孔、５は供給弁、６は超音波発生器、
７は曲管（ウェハ上液深可変手段）。 ８は圧力可変装置（ウェハ上液深可変手段）、１１はバ
ブリング装置（ウェハ上液深可変手段）、１２は洗浄液
、１２ａは液面。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 ４゛見根 ４０°フ１＼糺 ５゛供袷キ ロ°超舌慮發曳落 ７４曲管（ウニへ上液原町）チＪグ） 第１ 図 第２図
Claims (1)
- 半導体ウェハを収容するウェハ収納容器と、前記ウェハ
収納容器が浸漬される液槽と、前記液槽に設けられた超
音波発生器とを備えた半導体ウェハの洗浄装置において
、前記液槽の液面から前記半導体ウェハまでの深さを可
変するウェハ上液深可変手段を有することを特徴とする
半導体ウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26048588A JPH02109334A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26048588A JPH02109334A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109334A true JPH02109334A (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=17348618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26048588A Pending JPH02109334A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02109334A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US6247198B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
| US6671109B2 (en) | 2001-07-27 | 2003-12-30 | Nidec Copal Corporation | ND filter having composite PVD film of metal and its oxide |
| DE102015226300A1 (de) | 2015-12-21 | 2017-07-06 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Scheiben aus Halbleitermaterial |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26048588A patent/JPH02109334A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US6378534B1 (en) | 1993-10-20 | 2002-04-30 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US6247198B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
| US6254688B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-07-03 | Tdk Corporation | Cleaning method |
| US6671109B2 (en) | 2001-07-27 | 2003-12-30 | Nidec Copal Corporation | ND filter having composite PVD film of metal and its oxide |
| DE102015226300A1 (de) | 2015-12-21 | 2017-07-06 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Scheiben aus Halbleitermaterial |
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