JPH03232229A - 半導体基板の洗浄装置およびその洗浄方法 - Google Patents

半導体基板の洗浄装置およびその洗浄方法

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JPH03232229A
JPH03232229A JP2915490A JP2915490A JPH03232229A JP H03232229 A JPH03232229 A JP H03232229A JP 2915490 A JP2915490 A JP 2915490A JP 2915490 A JP2915490 A JP 2915490A JP H03232229 A JPH03232229 A JP H03232229A
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JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
holding
semiconductor substrate
wafers
holding case
Prior art date
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JP2915490A
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Masaaki Sadamori
貞森 将昭
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、洗浄槽内の半導体基板を洗浄する半導体基板
の洗浄装置およびその洗浄方法に関するものである。
〔従来の技術〕
通常、半導体基板(以下、ウェハと称する)を洗浄する
には、第3図に示すような洗浄装置が従来より広く採用
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号1で示す洗浄装置には、その内部に純水2
が供給される管体3を有する洗浄槽4と、この洗浄槽4
内に挿抜自在に設けられ多数のウェハ5を所定の間隔を
もって並列保持する凹溝6を有する保持ケース7とが備
えられている。
また、従来の洗浄装置には第4図に示すようなものもあ
る。これを同図に基づいて説明すると、同図において、
符号9で示す洗浄装置には、その内部に純水10が供給
される洗浄槽11と、この洗浄槽ll内に設けられウェ
ハ120周縁一部を保持する保持体13〜15とが備え
られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、この種の洗浄装置においては、ウェハ6.1
2の口径が大型化(6イン升以上)すると、洗浄が効果
的に行われないという一問題があった。すなわち、各ウ
ェハ6.12の並列間隔は、ウェハ径と比較して通常き
わめて小さい寸法に設定されているからである。このこ
とは、例えばウェハ6.12を酸によってエツチングし
、瞬時に大量の純水で希釈しても、ウェハ6.12が外
観上変色することから理解することができる。これは、
ウェハ6.12の並列間隔が狭いと、第5図(alに示
すように洗浄水16が相互に隣接する2つのウェハ12
間を通過する速度が遅くなり、同図(b)および(C)
に示すようにウェハ6.12の表面に洗浄水の停滞層1
7が形成されしまうことに起因する。ここで、同図にお
いて、符号18はウェハ6.12を保持する保持溝19
を有する保持体である。
そこで、ウェハ6.12の並列間隔を拡げて洗浄効果を
高めることが考えられるが、この場合洗浄スペースが広
くなり、洗浄装置が大型化するという不都合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、半導
体基板の洗浄効果を高めることができると共に、洗浄装
置の大型化を防止することができる半導体基板の洗浄装
置およびその洗浄方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体基板の洗浄装置(第1の発明)は、
その両側方に開口する液噴出孔を有し洗浄槽内に等間隔
をもって並列する半導体基板を保持する多数の保持体と
、これら保持体の周囲に昇降自在に設けられ等間隔をも
って並列する半導体基板を保持する保持ケースとを備え
、この保持ケースの保持ピッチを前記保持体の保持ピッ
チの2に設定したものである。
また、本発明の別の発明に係る半導体基板の洗浄方法(
第2の発明)は、洗浄槽に対して挿抜する保持ケース内
に等間隔をもって並列保持される多数の半導体基板のう
ち相互に隣接する2つの半導体基板を各々上下方向に位
置付けて洗浄する方法であって、この洗浄処理は、保持
ケースの挿入時に予め液噴出孔が設けられた保持体によ
って一部の半導体基板を保持ケース外に保持すると共に
、保持ケース内に残る半導体基板に向かって液噴出孔か
ら洗浄液を噴射することにより半導体基板に対して施さ
れるものである。
さらに、本発明の別の発明に係る半導体基板の洗浄装置
(第3の発明)は、洗浄槽内に挿抜自在に設けられ等間
隔もって並列する多数の半導体基板を保持する保持ケー
スと、この保持ケース内に進退自在に並設され相互に隣
接する2つの半導体基板を上下方向に交互に保持する多
数の保持体とを備え、これら保持体の並列ピッチを保持
ケース内の保持ピッチと等しい寸法に設定したものであ
る。
さらにまた、本発明の別の発明に係る半導体基板の洗浄
方法(第4の発明)は、洗浄槽に対して挿抜する保持ケ
ース内に等間隔をもって並列保持される多数の半導体基
板のうち相互に隣接する2つの半導体基板を上下方向に
交互に位置付けて洗浄する方法であって、この洗浄処理
は、上下方向に進退する保持体によって保持ケース内外
に半導体基板を保持することにより半導体基板に対して
施されるものである。
0作 用〕 第1の発明および第2の発明においては、各々が互いに
隣接する2つの半導体基板の並列間隔を拡げることがで
きると共に、保持体によって保持される半導体基板に液
噴出孔から洗浄液を噴出させることができる。
また、第3の発明および第4の発明においては、各々が
互いに隣接する2つの半導体基板の並列間隔を拡げるこ
とができると共に、保持体によって半導体基板を交互に
上下方向に進退させることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
第1図は本発明に係る半導体基板の洗浄装置を示す原理
図である。同図において、符号21で示すものは上方に
開口する洗浄槽で、酸エツチング槽(図示せず)近傍に
設けられ、かつ保持台22上に載置されている。この洗
浄槽211こは、槽内に洗浄用の純水23が供給される
管体24が取り付けられている。25は前記管体24に
連通ずる液通路26を有する基盤で、前記洗浄槽21内
の底部に設けられている。27は前記洗浄槽21内に等
間隔をもって並列するウェハ28を保持する多数の保持
体で、前記基盤25上に立設されており、内部には前記
液通路24に連通しかつ両側方に開口する多数の液噴出
孔29が設けられている。
なお、これら保持体27の上端面には、前記ウェハ28
の周縁一部を保持する凹溝(図示せず)が形成されてい
る。30は等間隔をもって並列するウェハ28を保持す
る保持ケースで、前記保持体27の周囲に昇降自在に設
けられている。この保持ケース30の保持ピッチは、前
記保持体27の保持ピッチの2に設定されている。
このように構成された半導体基板の洗浄装置においては
、ウェハ28がその内部に保持された保持ケース30を
酸エツチング槽(図示せず)から洗浄槽21内に垂直に
挿入すると、相互に隣接する2つのウェハ28を各々上
下方向に位置付けることができる。このとき、保持ケー
ス30内に並列するウェハ28を順に例えば番号1,2
,3゜・・・を付けると、偶数番号と奇数番号のウェハ
28が各々上下に位置付けられる。
したがって、本実施例においては、洗浄槽21内のウェ
ハ28を並列間隔を拡げることができると共に、液噴出
孔29から保持体27上のウェハ28に純水を噴射する
ことができる。
また、本実施例において、洗浄時に相互に隣接するウェ
ハ28を上下方向に各々位置付けたことは、保持ケース
30内のウェハ28の並列間隔を拡げる必要がなくなる
次に、本発明の別の発明における半導体基板の洗浄方法
(第2の発明)について説明する。すなわち、この洗浄
方法は、洗浄槽21に対して挿抜する保持ケース30内
に等間隔をもって並列保持される多数のウェハ28のう
ち相互に隣接する2つのウェハ28を各々上下方向に位
置付けて洗浄する方法であって、この洗浄処理は、保持
ケース30の挿入時に予め液噴出孔29が設けられた保
持体27によって一部のウェハ28を保持ケース30外
に保持すると共に、保持ケース30内に残るウェハ28
に向かって純水23を液噴出孔29から噴射することに
よりウェハ28に対して施されるのである。
なお、洗浄後には、保持ケース30を上方に引き抜くこ
とにより、この保持ケース30によってウェハ28を保
持することができる。
次に、本発明の別の発明における洗浄装置(第3の発明
)について説明する。
第2図は本発明の別の発明に係る半導体基板の洗浄装置
を示す原理図である。同図において、符号31で示すも
のtよ上方に開口する洗浄槽で、酸エツチング槽(図示
せず)近傍に設けられ、かつ保持台32上に載置されて
いる。この洗浄槽31には、槽内に洗浄用の純水33が
供給される管体34が−取り付けられている。35は等
間隔をもって並列する多数のウェハ36を保持する保持
ケースで、前記洗浄槽31内に挿抜自在に設けられてい
る。37はモータ38によって回転するクランクシャフ
トで、前記洗浄槽31内に支承されている。39は相互
に隣接する2つのウェハ36を上下方向に交互に保持す
る多数の保持体で、前記保持ケース35内に並設され、
かつ前記クランクシャフト37に立設されている。これ
ら保持体39の並列ヒツチは、前記保持ケース35の保
持ピッチと等しい寸法に設定されている。なお、これら
保持体39の上端面には、ウェハ34の周縁一部を保持
する凹溝(図示せず)が形成されている。
また、40は水密用のブッシングである。
このように構成された半導体基板の洗浄装置においては
、ウェハ36がその内部に保持された保持ケース35を
酸エツチング槽(図示せず)から洗浄槽31内に垂直に
挿入すると、相互に隣接する2つのウェハ36を保持体
39によって各々上下方向に位置付けることができる。
このとき、モータ38によってクランクシャフト37を
回転させると、相互に隣接する2つの保持体39が交互
に上下方向に進退する。
したがって、各々が互いに隣接する−2つのウェハ36
の並列間隔を拡げることができると共に、保持体39に
よってウェハ36を交互に上下方向に進退させることが
できる。
また、本実施例において、洗浄時に相互に隣接するウェ
ハ36を上下方向に各々位置付けたことは、保持ケース
35内のウェハ36の並列間隔を拡げる必要がなくなる
次に、本発明の別の発明における半導体基板の洗浄方法
(第4の発明)について説明する。すなわち、この洗浄
方法は、洗浄槽31に対して挿抜する保持ケース35内
に等間隔をもって並列保持される多数のウェハ36のう
ち相互に隣接する2つのウェハ36を上下方向に交互に
位置付けて洗浄する方法であって、この洗浄処理は、上
下方向に進退する保持体39によって保持ケース35内
外にウェハ36を保持することによりウェハ36に対し
て施される。
なお、洗浄後には、保持ケース35を上方に引き抜くこ
とにより、この保持ケース35によってウェハ36を保
持することができる。
また、本実施例においては、純水による洗浄に適用する
例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく
、例えば有機溶剤中に浸漬して脱脂洗浄する場合にも適
用することができ、他の液中洗浄にも実施例と同様に適
用できることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように第1の発明および第2の発明によれ
ば、半導体基板がその内部に保持された保持ケースを洗
浄槽内に垂直に挿入すると、相互に隣接する2つの半導
体基板を各々上下方向に位置付けることができるから、
洗浄槽内の半導体基板を並列間隔を拡げることができる
と共に、液噴出孔から保持体上の半導体基板に純水を噴
射することができ、また、第3の発明および第4の発明
によれば、半導体基板がその内部に保持された保持ケー
スを洗浄槽内に垂直に挿入すると、相互に隣接する2つ
の半導体基板を保持体によって各々上下方向に位置付け
ることができるから、各々が互いに隣接する2つの半導
体基板の並列間隔を拡げることができると共に、保持体
によって半導体基板を交互に上下方向に進退させること
ができ、半導体基板の洗浄効果を高めることができる。
また、第1〜第4の発明によれば、半導体ウェハの保持
ピッチを拡げることができるから、洗浄時に相互に隣接
する半導体基板を上下方向に各々位置付けたことは、保
持ケース内の半導体基板の並列間隔を拡げる必要がなく
なるから、洗浄スペースの拡大による装置の大型化を防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体基板の洗浄装置を示す原理
図、第2図は本発明の別の発明に係る半導体基板の洗浄
装置を示す原理図、第3図および第4図は従来の半導体
基板の洗浄装置を示す斜視図と断面図、第5図(al〜
(C1は従来の洗浄装置による洗浄不良例を示す断面図
である。 21・・・・洗浄槽、24・・・・管体、27・・・・
保持体、28・・・・ウェハ、29・・・・液噴出孔、
30・・・・保持ケース、31・・・・洗浄槽、34・
・・・管体、35・・・・保持ケース、36・・・・ウ
ェハ、37・・・・クランクシャフト、39・・・・保
持体。 代   理   人   大 岩 増 雄第1図 21: 24: 27: ソしシ争撞 着4番 沼千滓)俸 28:  ウェハ 29: 虚横土)L 30: イ禾持ケース 第2図 31:洗浄槽 34: や−ヒイ#ト・ 35:4兄待ケース 36:  ウェハ 37: クランク シャフト 39: イうin* 第3図 第4図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)その両側方に開口する液噴出孔を有し洗浄槽内に
    等間隔をもって並列する半導体基板を保持する多数の保
    持体と、これら保持体の周囲に昇降自在に設けられ等間
    隔をもって並列する半導体基板を保持する保持ケースと
    を備え、この保持ケースの保持ピッチを前記保持体の保
    持ピッチの1/2に設定したことを特徴とする半導体基
    板の洗浄装置。
  2. (2)洗浄槽に対して挿抜する保持ケース内に等間隔を
    もって並列保持される多数の半導体基板のうち相互に隣
    接する2つの半導体基板を各々上下方向に位置付けて洗
    浄する方法であって、この洗浄処理は、前記保持ケース
    の挿入時に予め液噴出孔が設けられた保持体によって一
    部の半導体基板を前記保持ケース外に保持すると共に、
    前記保持ケース内に残る半導体基板に向かって前記液噴
    出孔から洗浄液を噴射することにより半導体基板に対し
    て施されることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
  3. (3)洗浄槽内に挿抜自在に設けられ等間隔もって並列
    する多数の半導体基板を保持する保持ケースと、この保
    持ケース内に進退自在に並設され相互に隣接する2つの
    半導体基板を上下方向に交互に保持する多数の保持体と
    を備え、これら保持体の並列ピッチを前記保持ケース内
    の保持ピッチと等しい寸法に設定したことを特徴とする
    半導体基板の洗浄装置。
  4. (4)洗浄槽に対して挿抜する保持ケース内に等間隔を
    もって並列保持される多数の半導体基板のうち相互に隣
    接する2つの半導体基板を上下方向に交互に位置付けて
    洗浄する方法であって、この洗浄処理は、上下方向に進
    退する保持体によって前記保持ケース内外に半導体基板
    を保持することにより半導体基板に対して施されること
    を特徴とする半導体基板の洗浄方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6247198B1 (en) * 1997-12-09 2001-06-19 Tdk Corporation Cleaning apparatus
US6354313B1 (en) * 1998-03-05 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Apparatus for rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a movable side wall
JP2016009729A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法

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