CN1181505A - 半导体装置及半导体装置的内部功能识别方法 - Google Patents

Abstract

根据压焊区的电位从外部用非破坏方法检测设定内部功能的压焊选择功能。设有活化时根据特定压焊区(22)的电位将连接内部电路的压焊区有选择地导电性地连接到基准电位源节点上的检查用电路(30)。该检查用电路(30)在筛选方式检查信号(BI)活化时呈活化状态。通过检测该电路连接的压焊区导电性地连接的引线端子的漏电流,能在外部鉴别特定压焊区的电位即设定的内部功能。

Description

半导体装置及半导体装置的内部功能识别方法

本发明涉及能根据特定压焊区的电位转换内部功能的半导体装置，尤其涉及具有由特定压焊区的设定电位确定数据输出波形的转换速率控制(Slew Rate Control)功能的半导体存储器。

半导体装置、特别是半导体存储器有各种各样的用途，对应于不同的用途所要求的性能/功能也不同。例如，半导体存储器中使用的字结构随着用途的不同而不同。这种字结构不同时，例如在×8位结构的存储器和×16位结构的存储器中，内部有效的地址位及转换成可工作状态的输入输出缓冲电路的数量不同。内部电路的结构相同，只是字结构不同而要求的工作特性相同时，包含各种字结构在内设计存储器时，在内部电路的工作特性相同的情况下，设计效率很低。在这种情况下，设计成能实现两种字结构的存储器，随着用途的不同，进行字结构的切换。通过用1个芯片可实现多种存储器，能用相同的制造工序制作多种存储器，可改善设计效率。这种字结构的切换可根据所要求的字结构设定特定的压焊区的电位来进行。

通过利用压焊丝或掩模布线设定这种特定的压焊区电位来变更字结构变换等的规格的结构还被用于其它安装工作方式及性能/功能的设定中。在以下的说明中，“内部功能”这一术语除了这种字结构、以及用EDO(扩展数据输出)和静态列方式的工作方式、8K更新周期及4K更新周期这样的规格规定的结构外，还包括以下说明的存储器输出数据时数据的变化速度的设定等的全部结构。即，“内部功能”表示根据特定的压焊区电位能设定其方式/形态的“压焊选择”的全部功能/结构。

图15是表示用压焊区电位设定内部功能的结构示意图。在图15中，压焊区PD通过内部布线INL导电性地连接着压焊选择功能电路BOF。这里，“导电性地连接”表示在被连接的两者之间形成电流能流过的路径。压焊选择功能电路BOF根据压焊区PD的电位决定实现的功能。压焊区PD通过压焊丝B1导电性地连接在供给第1基准电位即电源电压Vdd的帧引线端子VFd上、或者通过压焊丝B2导电性地连接在传递第2基准电位或接地电压Vss的帧引线端子VFs上。通过将压焊区PD设定成电源电压Vdd的电平或接地电压Vss的电平，能决定压焊选择功能电路BOF实现的功能。

为了保护半导体装置不受机械损伤而用树脂将其密封或装在封壳中。这时，不能从外部与压焊区PD接触。帧引线VFd及VFs只能通过外部引线端子从外部接触。因此，将半导体装置装在封壳中后(树脂密封后)，从外部不能知道压焊区PD的电位呈电源电压Vdd电平还是呈接地电压Vss电平，因此不容易判断压焊选择功能电路BOF是否实现所要求的内部功能。为了判断压焊选择功能电路BOF实现的内部功能，必须去掉该密封树脂，使压焊区PD部分露出来。这时该半导体装置就不能再使用了。

因此，产品出厂时有可能生产出具有不同的内部功能的半导体装置。

因此，本发明的目的在于提供一种能从外部容易地测定实现压焊选择功能的特定的压焊区的设定电位的半导体装置。

本发明的另一目的在于提供一种能从外部容易地识别是否象所要求的那样准确地设定了数据输出时改变其输出端的信号波形的转换速率控制功能的半导体存储器。

本发明的半导体装置具有与赋与决定内部功能的电位的特定压焊区分开设置的与内部电路作导电性连接的普通压焊区；以及接收检查指示信号和该特定压焊区的电位，当检查指示信号活化时被激活后根据特定压焊区的电位将普通压焊区导电性地连接在基准电位源节点上的检查用装置。

本发明的半导体装置中的普通压焊区包含与第1内部电路导电性连接的第1压焊区，及与该第1压焊区分开设置且与第2内部电路导电性连接的第2压焊区。另外，本发明的半导体装置中的检查用装置接收检查指示信号和特定压焊区的电位，具有当检查指示信号活化时根据特定压焊区的电位将第1压焊区导电性地连接到基准电位源节点上的第1装置，以及当检查指示信号活化时根据特定压焊区的电位与第1装置互补工作将第2压焊区导电性地连接到基准电位源节点上的第2装置。

本发明的半导体装置中的检查用装置具有当检查指示信号活化时将普通压焊区导电性地连接到第1基准电位源节点上的第1装置；以及当检查指示信号活化时根据特定压焊区的电位与第1装置互补工作将普通压焊区导电性地连接到与第1基准电位源节点的电位电平不同的电压电平的第2基准电位源节点上的第2装置。

本发明的半导体装置是一种检索自如地存储数据的存储器，其内部功能在于将数据输出到装置外部的输出电路的输出节点的电位变化速度。根据特定压焊区的电位设定该电位变化速度。

本发明的半导体装置中的存储器是与从装置外部反复输入的时钟脉冲信号同步取入来自外部的信号及数据的时钟脉冲同步型静态随机存取存储器，检查指示信号与来自筛选方式检查装置的筛选方式检查信号通用。

本发明的半导体装置的内部功能识别方法是一种根据特定压焊区的电位设定内部功能的半导体装置的内部功能识别方法，它包括：将检查指示信号送给该半导体装置的步骤；测定在导电性地与该半导体装置的预定的内部电路连接的引线端子上产生的漏电流的步骤；以及根据测定的漏电流值鉴别半导体装置的设定的内部功能的步骤。半导体装置包括输入检查指示信号后根据特定压焊区的电位将预定的引线端子有选择地连接到装置内部的基准电位源节点上的装置。

当检查指示信号活化时，根据特定压焊区的电位普通压焊区被有选择地导电性地连接在基准电位源节点上。普通压焊区被导电性地连接在内部电路上，从而被导电性地连接在外部引线端子上。通过该外部引线端子测定普通压焊区上产生的漏电流，由此能识别普通压焊区是否被导电性地连接在基准电位源节点上。该普通压焊区和基准电位源节点之间导电性地连接/非连接对应于特定压焊区的电位。因此，通过测定漏电流，能鉴别特定压焊区的电位，相应地能鉴别设定的内部功能。

图1是本发明的第1半导体装置的总体结构略图。

图2(A)是图1所示的筛选检测电路的结构之一例图，(B)是其工作波形图。

图3(A)是图1所示的单元选择控制电路的结构之一例图，(B)是其工作波形图。

图4是图1所示的输出缓冲电路的结构之一例图。

图5是说明输出缓冲电路的转换速度控制功能用的图。

图6是说明利用转换速度功能的波形用的图。

图7是图1所示的检查用电路的第1结构略图。

图8是表示使用图7所示的检查用电路时的半导体装置的测试环境的图。

图9是本发明的检查用电路的第2结构略图。

图10是本发明的检查用电路的第3结构略图。

图11是表示使用图10所示的检查用电路时的测试环境的图。

图12是本发明的检查用电路的第4结构略图。

图13是激活检查用电路用的检查指示信号发生电路的另一结构略图。

图14是本发明的第2半导体装置的主要部分的结构略图。

图15是现有的半导体装置的主要部分的结构略图。

[实施形态1]

图1是本发明的实施形态1的半导体装置的总体结构的简略框图。图1中作为半导体装置示出了与时钟脉冲信号CLK同步取入来自外部的控制信号及数据的时钟脉冲同步型静态随机存取存储器。

图1中半导体装置含有：静态型存储单元被排列成行列状的存储单元阵列1；根据送来的行地址信号将存储单元阵列1的对应的行(字线)驱动到选择状态的行选择电路2；以及根据送来的列地址信号选择存储单元阵列1的对应的列(位线对)的列选择电路3。该行选择电路2含有对送来的行地址信号进行译码的行译码器，以及根据来自行译码器的译码信号将配置在对应的行上的字线驱动到选择状态的字线驱动器。列选择电路3含有对送来的列地址信号进行译码并生成列选择信号的列译码器，以及根据来自列译码器的列译码信号选择存储单元阵列1的对应的列(位线对)并连接到内部数据总线(写入/读出数据总线)上的列选择门电路。

半导体装置还含有：与通过时钟脉冲输入端子5输入的时钟脉冲信号CLK的上升同步将送给输入端子4a～4f的写入控制信号/GW、/MBW、/BW1、/BW2、/BW3及/BW4取入并产生内部写入控制信号的写入控制缓冲器6；根据来自写入控制缓冲器6的内部写入控制信号控制对存储单元阵列1的写入工作的写入控制电路7；以及根据来自写入控制电路7的写入控制信号和从输入寄存器8送来的写入数据，将数据写入存储单元阵列1的选择存储单元的写入驱动器9。

信号/GW是全局写入信号，指示同时写入从输入寄存器8送来的32位的全部数据。信号/MBW是主字节写入信号，它活化时能以字节为单位对从32位的输入寄存器8送来的数据进行写入控制。信号/BW1、/BW2、/BW3及/BW4是字节写入信号，用来进行32位数据分别与第1字节、第2字节、第3字节、第4字节对应的写入控制。写入控制电路7与时钟脉冲信号CLK的上升同步锁存从该写入控制缓冲器6送来的写入控制信号，以字节为单位控制写入。输入寄存器8与时钟脉冲信号CLK同步取入通过数据输入端子10送来的32位数据，送给写入驱动器9。在写入驱动器9中，根据来自该写入控制电路7的写入控制信号，对指定写入的字节设的驱动电路被激活，将从该输入寄存器8送来的写入数据写入对应的存储单元字节。半导体装置还含有：与时钟脉冲信号CLK的上升同步取入通过输入端子11a、11b及11c送来的信号/CS、/ADSC及/ADSP，当信号/CS活化时，对信号/ADSC及/ADSP进行译码，根据该译码结果给出地址取入指示信号及地址取入时间的地址控制缓冲器12；响应来自地址控制缓冲器12的地址取入指示信号，将信号/CS锁存起来的片选择寄存器13；来自地址控制缓冲器12的地址取入指示信号活化时被激活后将来自外部的地址信号锁存起来的地址寄存器14；以及根据来自地址控制缓冲器12的地址取入指示信号及地址取入时间指示信号，取入来自地址寄存器14的地址后产生内部地址信号的地址发生电路15。

信号/CS是片选择信号，表示该半导体装置处于选择状态。来自片选择寄存器13的内部片选择信号ZCS活化时，该半导体装置的内部电路工作，进行数据的写入/读出。信号/ADSC是地址状态控制信号，表示从存储控制器给出了地址。信号/ADSP是地址状态处理信号，表示从处理机给出地址取入指示信号。当该信号/ADSC及/ADSP两者之一处于活化状态时，地址控制缓冲器12给出地址取入时间及地址取入指示信号。当从地址控制缓冲器12给出地址取入指示信号时，地址发生电路15便取入来自地址寄存器14的内部地址信号，将该取入的地址信号送给行选择电路2及列选择电路3。

地址控制缓冲器12还与时钟脉冲信号CLK的上升同步取入被送给输入端子11d的地址超前指示信号/ADV，并送给地址发生电路15。当时钟脉冲信号CLK上升而该地址超前指示信号/ADV处于活化状态时，地址发生电路15改变取入的地址，生成内部地址信号，送给行选择电路2及列选择电路3。该地址发生电路15根据地址超前指示信号/ADV自动地生成地址信号时，地址的变化顺序由送给输入端子16的信号MODE决定。该信号MODE被设定为高电平或低电平时，该地址变化形态被设定为交错方式或线性方式。在线性方式的情况下，地址发生电路15将取入的地址作为初始地址，依次改变地址。为交错方式时，地址发生电路15将低位的2位互相颠倒，生成内部地址信号。这时，地址发生电路15能连续地生成地址，这是假定只有4个地址的结构。该地址发生电路15依次生成内部地址信号的方式称为“脉冲串方式”。

半导体装置还含有：根据从连接端子17送来的流程通过指示信号FT，设定数据输出方式，而且接收由存储单元阵列1的列选择电路3选择的存储单元数据的输出寄存器18；以及当送给输入端子19的输出允许信号/OE活化时被激活后对从输出寄存器18送来的数据进行缓冲处理，再输出到输出端子10的输出缓冲器20。当流程通过指示信号FT处于活化状态(高电平)时，输出寄存器18被设定为通过状态，只对存储单元阵列1中的选择存储单元数据进行缓冲处理，并进行传递。另一方面，当流程通过指示信号FT被设定在非活化状态时，输出寄存器18将与时钟脉冲信号CLK同步从存储单元阵列1读出的数据锁存起来，送给输出缓

冲器20。输出缓冲器20根据特定的压焊区22的电位电平，设定输出节点(数据输入输出端子10)的驱动速度。因此能实现具有与处理用途相适应的数据输出速度的半导体存储器。

半导体装置还含有：根据时钟脉冲信号CLK和方式信号MODE检测是否指定了筛选方式的筛选检测电路24；当来自筛选检测电路24的筛选方式检测信号BI活化时，变更行选择电路2及列选择电路3的活化期间的单元选择控制电路26；以及根据压焊区22的设定电位SR(转换速率控制信号)和筛选方式检测信号BI，有选择地将与内部电路连接的端子28连接到基准电位源节点上的检查用电路30。

当该筛选方式检测信号BI活化时，单元选择控制电路26使行选择电路2及列选择电路3处于正常工作状态。另一方面，当该筛选方式检测信号BI非活化时，单元选择控制电路26检测来自地址发生电路15的地址信号的变化，只在从检测出该变化的时刻算起的规定时间内使行选择电路2及列选择电路3处于活化状态。

在本实施形态1中，由压焊区22的设定电位(转换速率控制信号SR)规定的内部功能是输出缓冲器20的输出节点驱动速度。

图2是图1所示的筛选检测电路24的结构之一例图。图2中，筛选检测电路24包含：将方式信号MODE延迟规定时间且将该逻辑反相的反相延迟电路24a；接收方式信号MODE和反相延迟电路24a的输出信号的AND电路24b；以及在时钟脉冲信号CLK的上升边取入AND电路24b的输出信号的D锁存器24c。从该D锁存器24c的输出端Q输出筛选方式检测信号BI。其次参照图2(B)所示的波形图说明工作情况。

方式信号MODE和时钟脉冲信号CLK以相同的周期交替地反复进行高电平及低电平的变化。这时，当时钟脉冲信号CLK上升时，方式信号MODE为高电平。反相延迟电路24a将该方式信号MODE的逻辑反相且延迟规定时间。从而，响应方式信号MODE的上升，具有反相延迟电路24a的延迟时间的高电平信号被从AND电路24b送到D型触发电路24c的D输入端。该AND电路24b的输出信号在时钟脉冲信号CLK的上升边由D型触发电路24c取入。因此，在AND电路24b的输出信号变为高电平期间，即在方式信号MODE从低电平回到向高电平上升的动作期间，来自该D型触发电路24c的筛选方式检测信号BI被保持在高电平。当方式信号MODE被固定在低电平时，AND电路24b的输出信号也被固定在低电平。因此在该状态下，当时钟脉冲信号CLK上升时，AND电路24b的输出信号为低电平，来自该D型触发电路24c的筛选方式检测信号BI变为低电平，指示筛选方式结束。

该半导体装置的用途一旦确定后，便固定地设定地址顺序(因为该脉冲串地址顺序根据适用的程序的种类设定)。因此，利用在高电平和低电平期间触发方式信号MODE的工作方式来检测筛选方式，使用者不会错误地设定筛选方式。筛选方式是在产品出厂前进行的最后测试，使用者不使用这种方式，通过用使用者不使用的工作方式设定筛选方式，能防止使用者在实际使用半导体装置时错误地设定筛选方式。

该图2(A)所示的筛选检测电路24的结构只是一例，也可以采用这样的结构，即用使用者通常工作时不使用的信号状态的组合设定筛选方式。

[单元选择列控制电路的结构]

图3(A)是图1所示的单元选择控制电路26的结构之一例略图。在图3(A)中，单元选择控制电路26含有：检测从地址发生电路15给出内部地址信号的变化的地址变化检测电路26a；响应来自地址变化检测电路26a的地址变化检测信号ATD，发生具有规定的时间间隔的单触发脉冲信号PU的单触发脉冲发生电路26b；以及接收筛选方式检测信号BI和来自单触发脉冲发生电路26b的单触发脉冲信号PU的OR电路26c。从OR电路26c给出使图1所示的行选择电路2及列选择电路3呈活化状态的信号ACT。当该信号ACT呈活化状态时，行选择电路2及列选择电路3处于工作状态。图3(B)是表示图3(A)所示的单元选择控制电路26工作的波形图。以下，参照图3(B)所示的波形图说明图3(A)所示的单元选择控制电路26的工作情况。

内部地址变化后，地址变化检测电路26a检测该变化，生成具有规定的时间间隔的单触发脉冲信号的脉冲变化检测信号ATD。单触发脉冲发生电路26b响应该地址变化检测信号ATD的上升，生成单触发脉冲信号。当筛选方式检测信号BI为低电平时，作为活化信号从OR电路26c给出来自该单触发脉冲发生电路26b的脉冲信号PU。因此，当筛选方式检测信号BI呈低电平的非活化状态时，即在正常工作方式时，不管按照地址变化时钟脉冲信号CLK的循环周期如何，行选择电路2及列选择电路3只在一定的时间间隔呈活化状态。

另一方面，当筛选方式检测信号BI为高电平时，根据地址变化检测信号ATD生成脉冲信号PU，但不管该脉冲信号PU如何，活化信号ACT被固定在高电平的活化状态。在筛选方式时，将电压加在各电路构成元件上。因此，当时钟信号的周期长时，使行选择电路2及列选择电路3在该时钟脉冲周期长的期间工作，足够大的电压加在各电路上。

在该图3(A)所示的单元选择控制电路26的结构中，地址变化检测电路26a也可以这样构成，即只在内部片选择信号ZCS活化时生成地址变化检测信号ATD。例如对应于地址信号的各位设延迟电路，通过采用接收与该延迟电路的输出对应的地址信号位的一致检测电路，就能容易地实现地址变化检测电路。

[输出缓冲器的结构]

图4是图1所示的输出缓冲器20的结构略图。图4中示出了对1位数据输入输出端子10a设的输出缓冲电路的结构。图4中，输出缓冲器20含有：当输出允许信号/OE活化时被激活后对来自内部的读出数据RD进行缓冲处理，然后传递到数据输入输出端子10a的缓冲电路20a；以及根据图1所示的压焊区22的设定电位(用信号SR表示)调整供给该缓冲电路20a的电流量的驱动力调整电路20b、20C。

缓冲电路20a根据从该驱动力调整电路20b及20c供给的电流量，将该输入输出端子10a驱动到与内部读出数据RD对应的电位电平。驱动力调整电路20b含有：连接在内部电源节点和缓冲电路20a的一个工作电源节点之间、其栅极的接地电压为Vss的p沟道MOS晶体管PQ1；以及与该MOS晶体管PQ1并联设置、其栅极接收将压焊区22的设定电位的逻辑反相后的信号ZSR的p沟道MOS晶体管PQ2。使MOS晶体管PQ2的电流供给能力比MOS晶体管PQ1的大。MOS晶体管PQ1处于经常导通状态，具有由选通脉宽和选通脉高之比决定的电流供给能力，从电源节点向缓冲电路20a的一个工作电源节点供给电流。

驱动力调整电路20c含有：连接在缓冲电路20a的另一个工作电源节点和接地节点之间、且其栅极接收电源电压Vdd的n沟道MOS晶体管NQ1；以及与该MOS晶体管NQ1并联连接、且其栅极接收压焊区22(参照图1)的设定电位(信号SR)的n沟道MOS晶体管NQ2。使MOS晶体管NQ2的电流供给能力比MOS晶体管NQ1的大。MOS晶体管NQ1的栅极接收电源电压Vdd，经常导通，并吸收缓冲电路20a的放电电流。

压焊区22被固定在电源电压Vdd电平时，信号SR变成高电平信号。在该状态下，激励功率调整电路20b中的p沟道MOS晶体管PQ2及驱动力调整电路20c中的n沟道MOS晶体管NQ2都处于导通状态。因此，驱动力调整电路20b通过MOS晶体管PQ1及PQ2，从电源节点向缓冲电路20a的一个工作电源节点供给电流，另一方面，驱动力调整电路20c通过MOS晶体管NQ1及NQ2将电流从缓冲电路20a的另一个工作电源节点放到接地节点。因此，如图5所示，缓冲电路20a的数据输入输出端子10a驱动力增大，数据输入输出端子10a上的数据DQa高速变化。

另一方面，压焊区22被设定在接地电压电平时，信号SR变成低电平，MOS晶体管PQ2及NQ2都呈截止状态。在该状态下，驱动力调整电路20b只通过MOS晶体管PQ1向缓冲电路20a供给电流，驱动力调整电路20c通过MOS晶体管NQ1将来自缓冲电路20a的放电电流放到接地节点。因此在该状态下，如图5所示，缓冲电路20a的电流驱动力减小，其数据输入输出端子10a上的数据DQa较慢地变化。

因此，通过将该压焊区22的电位设定成电源电压Vdd电平或接地电压Vss电平，就能设定输出缓冲器20的工作速度(输出负载相同时)。

通过固定该压焊区22的电位(信号SR)的电平，能用一个芯片实现高速输出数据的芯片和以较低的速度输出数据的芯片。特别是在时钟同步型半导体装置的情况下，与时钟信号同步进行数据的抽样。因此在该时钟信号的上升边，数据必须呈可靠的确定状态。因此，必须确保该时钟脉冲信号的读出数据的准备时间和保持时间。通过有选择地设定该压焊区22的电位，根据使用的工作环境(时钟频率)，能设定其输出节点驱动速度及准备时间。

如图6所示，半导体存储器40和处理机50互相用电路板上的布线BIL连接时，该板上的布线BIL的电阻及电容随板上的半导体存储器40和处理机50的配置情况的不同而不同。因此该板上的布线BIL的负载较小时，输出缓冲器的驱动力减小，该板上的布线BIL的负载大时，该输出缓冲器的驱动力增大。这时，输出缓冲器20达到与板上的布线BIL的负载对应的电流供给能力(输出节点驱动力)。因此，在用相同的系统时钟频率工作的环境中，通过使板上的布线BIL的负载一致来调整输出缓冲器的驱动力，不会发生振铃等，能可靠地生成正确的数据，能实现与系统性能相应的半导体存储器。

[检查用电路结构1]

图7是图1所示的检查用电路的结构图。在图7中作为导电性地连接在内部电路上的通常的压焊区28，作为一例示出了与接收字节写入信号/BW1的端子4c连接的压焊区。因此，通过内部布线51导电性地连接在该压焊区28上的内部电路50与图1所示的写入控制缓冲器6对应。内部电路50在其输入初级包含由p沟道MOS晶体管及n沟道MOS晶体管构

成的CMOS反相器50a。

检查用电路30包含接收筛选方式检测信号BI和压焊区22上的电位(信号SR)的双输入AND电路30a，以及连接在内部布线51和接地节点Vss之间且其栅极接收AND电路30a的输出信号的n沟道MOS晶体管30b。压焊区22通过图7中用虚线表示的压焊丝设定为电源电压Vdd电平或接地电压Vss电平。其次说明工作情况。

在通常工作方式时，筛选方式检测信号BI呈低电平，AND电路30a的输出信号固定在低电平。因此在该状态下，MOS晶体管30b呈截止状态，内部电路50(写入控制缓冲器6)根据通过其引线端子4c的压焊区28及内部布线51送给的信号而工作。

被指定为筛选方式后，筛选方式检测信号BI变成高电平，AND电路30a作为缓冲电路工作。压焊区22被设定为电源电压Vdd电平时，信号SR为高电平，AND电路30a的输出信号变成高电平，MOS晶体管30b变成导通状态。另一方面，压焊区22被设定为接地电压Vss电平时，信号SR变为低电平，AND电路30a的输出信号也变为低电平，MOS晶体管30b变成截止状态。内部电路50的输入初级缓冲器50a的构成元件即MOS晶体管的栅极连接在内部布线51上。因此不存在从该内部布线51流经输入初级缓冲器50a的电流路径。因此通过将高电平信号送给该引线端子4c，根据MOS晶体管30b的导通状态/截止状态，如果构成电流有选择地从压焊区28经过内部布线51流到接地节点Vss的路径，则用外部的测试器就能识别MOS晶体管30b是处于导通状态还是处于截止状态，即能识别压焊区22的设定电压电平。通过识别压焊区22的设定电压电平，能识别输出缓冲器的转换速率是否降低了。

设定为筛选方式时，半导体装置被设定在初始状态，字节写入信号/BW1呈高电平。因此在筛选方式时，用通常的测试器就能识别该半导体装置的被设定的内部功能(输出节点驱动速度)。

图8是表示进行半导体装置的内部功能识别的测试环境的结构略图。在图8中，按规定的顺序将信号(电压)从测试器60加到半导体装置40的引线端子40a、40b及4c上。该测试器60包含存储该半导体装置40测试时加的信号波形且按规定的顺序施加信号(电压)的测试控制电路60a，以及连接在测试控制电路60a和引线端子4c之间、将测试控制电路60a的输出信号和普通压焊区28导电性地连接起来的电流计60b。通过测试控制电路60a设定筛选方式。这时，测试控制电路60a将高电平信号输出给引线端子4c。通过测定流过该电流计60b的电流量，能测定半导体装置40的引线端子4c有无漏电流，从而能识别该半导体装置40的转换速率是否已调整。

在引线端子4c上在准备时存在允许的漏电流。MOS晶体管30b供给比该允许的漏电流大的电流即可，MOS晶体管30b不要求那么大的电流驱动力。通常在筛选方式时，可同时测试多个半导体装置。因此，同时对用同一制造工序制造的半导体装置进行筛选试验时，即使检查用电路30中的漏电流小，但由于将这些多个同时进行筛选测试的半导体装置的引线端子的漏电流相加，所以该电流值增大，即使各半导体装置40的检查用电路30中的MOS晶体管30b的电流驱动力小，但利用该电流计60b能充分地识别半导体装置40中是否通过检查用电路30将普通压焊区28与接地节点导电性地连接起来。

[检查用电路2]

图9是检查用电路的变更例的结构图。图9所示的检查用电路包含接收筛选方式检测信号ZBI和压焊区22上的电位(信号SR)的NOR电路30c，以及NOR电路30c的输出信号活化时将内部布线51导电性地连接到接地节点上的n沟道MOS晶体管30b。筛选方式检测信号ZBI在筛选方式设定时呈低电平，在通常工作方式时呈高电平。另一结构与图7所示的

结构相同，对应的部分标以相同的参照编号，它们的说明从略。

在该图9所示的检查用电路结构的情况下，在通常工作方式时，筛选方式检测信号ZBI为高电平，NOR电路30c的输出信号变成低电平，内部布线51从接地节点导电性地断开。在该状态下，内部电路50输出与送给压焊区28的信号对应的信号。设定在筛选方式时，筛选方式检测信号ZBI变为低电平，NOR电路30c作为反相电路工作。因此，当压焊区22的电位为电源电压Vdd电平时，信号SR变为高电平，NOR电路30c的输出信号变成低电平。另一方面，当压焊区22的电位被设定为接地电压Vss电平时，信号SR变为低电平，NOR电路30c的输出信号变成高电平。

因此，该MOS晶体管30b对应于信号SR的电位电平，被设定为导通状态或截止状态。因此在与外部引线端子4c导电性地连接的压焊区28处形成电流路径。将高电平信号送给引线端子4c，测定该引线端子4c的漏电流，根据该漏电流的大小(有无)能识别压焊区22的设定电位电平。即当压焊区22被设定为电源电压Vdd电平时，引线端子4c不产生漏电流(或漏电流极小：只内部电路50有漏电流)，当压焊区22被设定为接地电压Vss电平时，引线端子4c流过很大的漏电流。

[检查用电路3]

图10是按照本发明构成的检查用电路的第3种结构图。在图10中，与图9所示的结构相同，对内部布线51设有根据压焊区22的电位(信号SR)和筛选方式检测信号ZBI，导电性地连接到内部布线51的接地节点上的检查用电路30。该内部布线51将内部电路50导电性地连接在与外部引线端子4a连接的压焊区28上。图1所示的全局写入信号/GW被送给该引线端子4a。检查用电路30包含接收筛选方式检测信号ZBI和压焊区22上的电位(信号SR)的NOR电路30c，以及根据该NOR电路30c的输出信号将内部布线51导电性地连接到接地节点上的n沟道MOS晶体管30b。

在图10所示的结构中，还对内部布线56设有第2检查用电路62，该内部布线56将与内部电路50分开设置的内部电路54导电性地连接在另外的压焊区52上。压焊区52被导电性地连接在接收主字节写入信号/MBW的引线端子4b上。

检查用电路62包含：接收压焊区22上的电位(信号SR)的反相器62a；接收反相器62a的输出信号和筛选方式检测信号ZBI的NOR电路62b；以及根据NOR电路62b的输出信号将内部布线56导电性地连接到接地节点上的n沟道MOS晶体管62c。其次说明工作情况。

在通常工作方式时，筛选方式检测信号ZBI为高电平，NOR电路30c及62b都输出低电平信号，MOS晶体管30b及62c都处于截止状态。因此内部布线51及56都被从接地节点导电性地断开，内部电路50及54根据分别通过压焊区28及52从引线端子4a及4b送来的信号工作。

在筛选方式时，筛选方式检测信号ZBI为低电平，NOR电路30c及62b作为反相器工作。信号SR(压焊区22上的电位)被送给NOR电路30c，信号SR通过反相器62a被送给NOR电路62b。因此，该检查用电路30及62在筛选方式时彼此互补地工作。即压焊区22被设定为电源电压Vdd电平，当信号SR为高电平时，检查用电路62的MOS晶体管62c变成导通状态，内部配线56被导电性地连接在接地节点上。另一方面，检查用电路30的MOS晶体管30b为截止状态，内部配线51被从接地节点导电性地断开。因此，当压焊区22被设定为电源电压Vdd电平时，漏电流流过引线端子4b，引线端子4a上没有漏电流(或极小)。

另一方面，当压焊区22被设定为接地电压Vss电平时，信号SR为低电平时，检查用电路30的MOS晶体管30b为导通状态，另一方面，检查用电路62的MOS晶体管62c变成截止状态。因此，在该状态下，内部配线51被导电性地连接在接地节点上，内部配线56被从接地节点导电性地断开，漏电流流过引线端子4a，引线端子4b上不产生漏电流(或产生极小的漏电流)。这时，在进行压焊区电位检测时，高电平信号被加在引线端子4a及4b上。因此，通过识别漏电流流过引线端子4a及4b中的哪一个，能鉴别压焊区22的设定电位。

图11是表示进行具有图10所示的检查用电路的半导体装置的测试的结构略图。在图11中，遵照规定顺序的信号(电压)被从测试器60送给半导体装置40的引线端子4a、4b、…、40c。测试器60包含按规定顺序将信号加在半导体装置40的各引线端子4a、4b、…、40c上的测试控制电路60a，以及设在引线端子4a及4b和测试控制电路60a的输出端之间的电流计60ba及60bb。来自测试控制电路60a的信号通过电流计60ba及60bb被送给引线端子4a及4b。设定为筛选方式时，用该电流计60ba及60bb测定流过的电流，识别具有允许漏电流以上大小的漏电流流过哪一个引线端子，鉴别该半导体装置40的压焊区22的电位、即半导体装置40的内部功能(转换速率调整)。

即使采用图10所示的检查用电路，也不需要任何另外的压焊区及引线端子，只在现有的测试器中附加电流计，就能鉴别半导体装置40被设定的内部功能(转换速率调整功能)。

[检查用电路4]

图12是检查用电路的第4种结构略图。在图12中，检查用电路30根据指定为筛选方式时压焊区22的设定电位，将通过压焊区28把内部电路50导电性地连接在外部引线端子65上的内部布线51有选择地导电性地连接在电源节点或接地节点两者中的一个上。即检查用电路30包含：接收筛选方式检测信号ZBI和压焊区22上的电位(信号SR)的双输入NOR电路30c；根据NOR电路30c的输出信号将内部布线51导电性地且有选择地连接到接地节点上的n沟道MOS晶体管30b；将压焊区22上的电位(信号SR)的逻辑反相的反相器30d；接收筛选方式检测信号ZBI和反相器30d的输出信号的OR电路30e；以及根据OR电路30e的输出信号将内部布线51导电性地且有选择地连接在电源节点上的p沟道MOS晶体管30f。其次说明工作情况。

在通常工作方式时，筛选方式检测信号ZBI为高电平，NOR电路30c的输出信号为低电平，OR电路30e的输出信号变成高电平，MOS晶体管30b及30f都变成截止状态。内部电路50根据从引线端子65送来的信号工作。

指定为筛选方式时，筛选方式检测信号ZBI被设定为低电平，NOR电路30c作为反相器工作，OR电路30e作为缓冲电路工作。压焊区22被设定为电源电压Vdd电平时，NOR电路30c的输出信号变成低电平，OR电路30e的输出信号变成低电平。因此MOS晶体管30b变成截止状态，MOS晶体管30f变成导通状态。内部布线51导电性地连接在电源节点上。

另一方面，当压焊区22被设定为接地电压Vss电平时，NOR电路30c的输出信号为高电平，OR电路30e的输出信号变成高电平，MOS晶体管30f变成截止状态，MOS晶体管30b变成导通状态。在该状态下，内部布线51导电性地被连接在接地节点上。在图12所示的检查用电路30的情况下，作为识别压焊区22的设定电位的方法可考虑以下方法。

首先，作为方法之一，先将高电平信号加在引线端子65上，检查有无漏电流。当MOS晶体管30f处于导通状态时，内部布线51导电性地被连接在电源节点上，引线端子65的漏电流在允许值以下。当MOS晶体管30b处于导通状态时流过大的漏电流。因此能识别压焊区22的设定电位。这时还可增加这样的步骤，即接着将低电平信号加在引线端子65上，检查有无漏电流。当MOS晶体管30f处于导通状态时，电流从检查用电路30流到端子65。当MOS晶体管30b处于导通状态时，漏电流在允许值以下。因此，当加在引线端子65上的电压呈低电平时，识别电流是否从引线端子65流出。经过2个步骤能可靠地识别压焊区22的设定电位。

作为另一种方法，将电源电压Vdd和接地电压Vss的中间电压信号加在引线端子65上。在该状态下，检查通过引线端子65流的漏电流的大小及方向。当MOS晶体管30f处于导通状态时，电流从检查用电路30流向引线端子65。另一方面，当MOS晶体管30b处于导通状态时，漏电流从引线端子65流向检查用电路30。因此通过识别该漏电流的大小及其方向，能识别压焊区22的设定电位，从而能识别设定的内部功能(转换速率调整功能)。

这时用的测试环境与图1所示的相同。

在上述实施例中，内部电路采用信号输入电路。该输入电路的输入初级由CMOS反相器构成，不存在从内部布线51流经内部电路的输入初级的电流路径，因此能根据压焊区的设定电位可靠地识别是否形成了电流路径。之所以不使用信号输出电路，是因为在筛选方式时，检查用电路工作，所以要抑制在信号输出电路的最后输出级形成多余的电流路径，另外还为了防止由最后输出级的电流路径产生的漏电流对压焊区电位鉴别的不良影响。因此，作为该检查指示信号不使用筛选方式检查信号，而使用另外的信号(专用信号)时，在检查指示信号活化时输出缓冲器被设定在高输出阻抗状态的情况下，也可以有选择地对与这种输出缓冲器连接的压焊区形成电流路径。

[其它应用例]

图13是本发明的半导体装置的变更例的主要部分的结构略图。在该图13所示的结构中包含接收来自外部的信号、片选择信号/CS、可输出信号/OE、可写入信号/WE及特定的地址信号位Ad(也可是多位)，且当这些信号被设定在预定的状态时使检查指示信号TE呈活化状态的检查指示信号发生电路70，以及来自该检查指示信号发生电路70的检查指示信号TE活化时被激活、根据压焊区22上的电位(信号SR)将内部布线51及压焊区28导电性地连接在接地节点(基准电位源节点)上的检查用电路30。

当使用者在通常不使用的状态下设定了外部信号/CS、/OE、、WE及Ad时，该检查指示信号发生电路70将检查指示信号TE激活。作为这种信号状态的组合，例如使片选择信号/CS为高电平，信号/OE及/WE都为低电平，而且将多个地址信号位Ad设定为特定的逻辑电平。

在该图13所示的结构中，为了指示检查方式，用专用的信号TE使检查用电路30活化/非活化。因此，将检查用电路30设在压焊区22附近的压焊区28，能将检查指示信号发生电路70配置在该检查用电路30附近，该检查用电路系统的设计布局变得容易了。

该半导体装置不仅可以是与时钟信号同步工作的时钟同步型静态随机存取存储器，也可以是通常的静态随机存取存储器。另外，既可以是动态随机存取存储器(DRAM)，也可以是其它存储器(例如快擦写存储器)

[其它应用例2]

图14是本发明的半导体装置的另一种结构略图。在图14中，半导体装置包含根据压焊区80的设定电位设定其实现的内部功能的压焊选择功能电路82。该压焊选择功能电路82可以是根据压焊区80的设定电位确定字结构的数据输入输出电路，也可以是设定更新周期数(DRAM的情况下)的更新地址系统电路部分，或者还可以是设定数据输出方式(EDO方式或静态列方式、或设定其工作方式即锁存输出方式、寄存输出方式及透明输出方式之类的数据输出定时的方式)的电路。

半导体装置还包含根据输出信号的状态发生检查指示信号TE的检查指示信号发生电路84，以及接收压焊区80上的电位(信号PS)和来自检查指示信号发生电路84的检查指示信号TE、当该检查指示信号TE活化时被活化后根据信号PS的逻辑将内部布线89导电性地连接到规定的基准电位源(电源电压Vdd供给节点或接地电压Vss供给节点)上的检查用电路86。该内部布线89通过压焊区90将内部电路88导电性地连接在外部引线端子92上。内部电路88可以是在该检查用电路86活化时从内部布线89经过内部电路88不形成电流路径的电路。因此内部电路88不仅可以是信号输入电路，也可以是不工作时被设定在高输出阻抗状态的输出电路。

如该图14所示的半导体装置所示，根据压焊区80的设定电位确定内部功能时，通过利用检查用电路86，能从外部容易地鉴别该半导体装置是否被设定在规定的内部功能即是否实现了该内部功能。

设定压焊区22或80的电位时，可以采用通过压焊丝将压焊区22或80导电性地连接在电源引线端子或接地引线端子中的一个端子上的结构。也可以采用下述结构代替这种结构，即在压焊区22或80附近只设一个引线端子(电源引线或接地引线)，根据有无对该附近的引线端子的压焊连接，设定特定压焊区的电位。例如可以采用这样的结构，即无压焊丝时，压焊区22或80的电位被设定在电源电位电平，接地端子设在附近，当压焊区22或80通过压焊丝被连接在接地端子上时，该压焊区22或80的电位被设定在接地电位电平。可在压焊工序时设定这些压焊区22或80的电位，从而能设定内部功能。

如上所述，如果按照本发明，在根据特定压焊区的电位设定内部功能的结构中，根据该特定压焊区的电位和检查方式指示，将预定的内部电路连接的普通压焊区导电性地连接在内部基准电位源上，从外部检测该普通压焊区上连接的引线端子的漏电流，因此能容易地识别特定压焊区的电位即设定的内部功能。

另外，如果这样来构成，即，使用2个压焊区作为普通压焊区，根据特定压焊区的电位，将这2个压焊区中的一个导电性地连接在基准电位源节点上，则根据哪一个端子上有漏电流流过，能可靠地鉴别特定压焊区的电位即设定的内部功能。

另外，如果根据特定压焊区的电位，在检查方式时将普通压焊区有选择地连接在第1及第2基准电位源中的一个上，则只用一个压焊区检测漏电流的方向，就能可靠地检测特定压焊区的电位即设定的内部功能。

另外，在调整输出电路的输出节点的速度的转换速率控制功能的情况下，能用简单的测试方法容易地识别用通常的工作方法不容易检测的内部功能，能可靠地防止产品的误出厂。

另外，通过使用筛选方式检查信号作为检查指示信号，不需要特别设置设定检查方式用的检测电路，就能与筛选方式时一致地识别内部功能，不需要设专用的测试器或测试方式，不会降低测试效率。另外，在半导体装置内部不需要设已有的方式检测电路，能减少半导体装置的检查用电路的占有面积。

另外，只检测外部引线端子有无漏电流，就能识别内部功能，能简单地用非破坏方法检测内部功能。

Claims (6)

1.一种能根据特定压焊区的电位确定内部功能的半导体装置，其特征在于具有：

与上述特定压焊区分开设置的、与内部电路导电性地连接的普通压焊区；

以及接收检查指示信号和上述特定压焊区的电位，当上述检查指示信号活化时被激活后根据上述特定压焊区的电位将上述普通压焊区导电性地连接在基准电位源节点上的检查用装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述普通压焊区包含：

与第1内部电路导电性连接的第1压焊区；

以及与上述第1压焊区分开设置且与第2内部电路导电性连接的第2压焊区，

上述检查用装置具有：

接收上述检查指示信号和上述特定压焊区的电位，当上述检查指示信号活化时根据上述特定压焊区的电位将上述第1压焊区导电性地连接到上述基准电位源节点上的第1装置；

以及当上述检查指示信号活化时根据上述特定压焊区的电位，与上述第1装置互补工作，将上述第2压焊区导电性地连接到上述基准电位源节点上的第2装置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述检查用装置具有：

当上述检查指示信号活化时将上述普通压焊区导电性地连接到第1基准电位源节点上的第1装置；

以及当上述检查指示信号活化时根据上述特定压焊区的电位，与上述第1装置互补工作，将上述普通压焊区导电性地连接到其电压电平与上述第1基准电位源节点的电位电平不同的的第2基准电位源节点上的第2装置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体装置是一种检索自如地存储数据的存储器，

上述内部功能是将数据输出到装置外部的输出电路的输出节点的电位变化速度。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述存储器是与从装置外部反复输入的时钟信号同步取入来自外部的信号及数据的时钟同步型静态随机存取存储器，

上述检查指示信号与来自检测是否指定了筛选方式的筛选方式检查装置的筛选方式检测信号通用。

6.一种半导体装置的内部功能识别方法，该方法是根据特定压焊区的电位确定内部功能的半导体装置的内部功能识别方法，其特征在于包括：

将检查指示信号送给上述半导体装置的步骤；

测定在导电性地与上述半导体装置的预定的内部电路连接的引线端子上产生的漏电流的步骤；

以及根据上述测定步骤中测定的漏电流值鉴别上述半导体装置的设定的内部功能的步骤，

上述半导体装置包括输入检查指示信号后根据上述特定压焊区的电位将上述预定的引线端子有选择地导电性地连接到内部的基准电位源节点上的装置。

Images