CN1179623A - 存储器大规模集成电路特定部分的搜索方法和装置 - Google Patents

Abstract

搜索存储器大规模集成电路的特定存储单元的方法,用于参考对应于对多个重复配置的存储单元的阵列结构的集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址部分操作为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测。此外,参考包含存储单元的阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标,根据亮度或发光度的变化对现有存储单元号进行计数,计算值和物理地址值彼此一致的部分选为所述逻辑地址的部分。

Description

存储器大规模集成电路特定部分的搜索方法和装置

本发明涉及分析、处理和观测具有内部存储器单元的大规模集成电路(LSI)。

在存储器大规模集成电路的生产过程中，为了弄清楚引起所制造的晶片表面的缺陷，至今一直用扫描电子显微镜精密观测大规模集成电路的有缺陷部分，用聚焦离子束(FIB)切割大规模集成电路之后观测大规模集成电路的剖面，以及用诸如电子束探测微量分析(EPMA)等方法对大规模集成电路进行综合分析。

为了对大规模集成电路的有缺陷部分进行观测和综合分析，必须用从晶片表面上固定的原点所算出的坐标表示要观测的部位。作为把某一部分指定为所要观测的有缺陷部分的判断标准是以宽的方式把这部分的状态划分成两类。第一类是利用光学可视检验装置检测的形状异常的部分，第二类则是利用测试仪发现电气功能有缺陷的部分。

利用光学可视检验装置把某一部分定为形状异常例如是利用美国KLA有限公司的晶片可视检验装置、即型号KLA21 xx系列而进行的。有了这种型号的装置，通过将靠近晶片表面中心设置的大规模集成电路的一个角选为原点，移动晶片或装有晶片的工作台，计算从原点到形状异常部分的距离，从而确定形状异常的部分。

用测试仪发现大规模集成电路中电气功能低劣的部分是利用存储器大规模集成电路中有规则排列的存储单元而选定的。通常，利用逻辑地址和通过选定叫做I/O的数据输入/输出端子的号而进行存储单元的选定，逻辑地址是不同于物理地址的电路图的电路图上的坐标，物理地址则表示晶片表面的相对布置。

当用测试仪测试电气功能低劣的部分的结果是用逻辑地址确定时，必须把来自逻辑地址的数据转换成晶片表面的物理地址，再转换成用以确定电气功能低劣部分的实际阵列坐标，完成了这个步骤之后，就能首次进行综合分析或各种观测。

利用加密功能进行从逻辑地址到物理地址的转换。加密功能是通过利用逻辑地址或I/O号作为输入的逻辑算符的任何一个或组合而构成的，这些算符诸如NOT(或INV，意思是倒相)、AND、OR、NAND、NOR、XOR、XNOR、BUFFER(意思是对输入不加以处理)，这种组合是根据所要组合的大规模集成电路的种类而不同的。由于物理地址表示存储单元之间的相对位置坐标，所以通过把物理地址乘以存储单元的尺寸，并加上要插在存储单元之间的布线的尺寸、外部电路的尺寸以及从存储器大规模集成电路上实际阵列的坐标原点到物理地址原点的距离就能清楚地表示有缺陷存储单元的实际分布坐标。

位映象显示器用作通过把测试仪检测出的电气功能低劣的部分表示在参考晶片表面而制作的分布图上而找出缺陷分布的装置。在这种显示器中，对应于存储器中有缺陷存储单元的物理地址表示为坐标上的点，一种情况是在纸上指明点，或者另一种情况是在诸如工作站等的屏幕上显示点。

在上述情况下，利用诸如上述测试仪等确定电气功能缺陷的部分，利用加密功能把逻辑地址转换成物理地址，以在晶片表面求出离开已知原点的位置，使晶片或装有晶片的工作台移动离开原点的所需距离，以进行分析或各种观测。

在上述现有技术中，利用光学可视检验装置确定形状异常的部分的技术指令晶片或装有晶片的工作台移动离开原点的所需距离，以进行分析或各种观测。然而，当工作台移动机构或距离测量机构的精度比指明有缺陷部分所需的精度差时，就会在不同于实际有缺陷部分的部分上进行分析或观测，从而错失了准确找到引起缺陷的真正原因。

在利用测试仪指明有缺陷部分之后，对有缺陷部分进行分析或观测时，同样会发生上述问题。由于电气测试的结果，可以从缺陷地址确定有缺陷的存储单元，通过从设计信息了解存储器大规模集成电路芯片的尺寸或存储单元的尺寸，就可以计算出有缺陷的存储单元离开原点的距离。然而，如果工作台移动的精度较低，就不可能对有缺陷的存储单元进行正确的分析和各类观测。例如，16兆位的动态随机存取存储器(下文称为DRAM)的存储单元的尺寸小于1微米，而工作台的移动精度大于1微米。随着大规模集成电路变得越大，其集成度更高达诸如64兆位或256兆位，存储单元的尺寸变得更加小于工作台的移动精度。

当通过集合存储器大规模集成电路晶片上原点和有缺陷的存储单元之间包含的存储器大规模集成电路数量所获得的值乘以存储器大规模集成电路的尺寸或者乘以存储单元的尺寸，计算出距离，包含在存储单元或者存储器大规模集成电路的尺寸中的误差就被扩大了集成数。

当利用位映射显示器把对应于存储器中有缺陷存储单元的物理地址表示为坐标上的点时，甚至在引起缺陷的原因不是在存储单元上，而是在驱动存储单元的外部电路时，位映射显示器也计算出对应于缺陷地址的存储单元的位置。因此，存在不能通过对大规模集成电路的分析、处理和观测弄清楚引起缺陷的原因是在存储单元上还是在外部电路上的问题。

当引起缺陷的原因是在驱动存储单元的外部电路上时，在对有缺陷的存储单元进行分析、处理和观测之前，必须把位置和尺寸从有缺陷的存储单元校正至驱动存储单元的外部电路。在根据电气测试的结果判断缺陷的状态之后，必须作这种校正。此外，由于对于各类存储器大规模集成电路来说，要作校正的外部电路的位置信息是各不相同的，就会发生难以很好进行工作的问题，除非工程师十分精通电路设计信息和电路布图(layout)设计信息，此外校正本身要化很多时间去完成。

本发明就是鉴于现有技术的上述问题而开发的。本发明的第一个目的是提供能用于在对存储器大规模集成电路中有电气缺陷的存储单元进行分析或各种观测时搜索真正有缺陷的存储单元，消除装置的工作台移动机构的精度差或数字计算误差的的装置和方法。

本发明的第二个目的是提供甚至在存储器大规模集成电路展现的缺陷地址的缺陷原因不是在存储器大规模集成电路存储单元侧，而是在驱动存储单元的外部电路侧时，也能用于对引起缺陷的原因进行分析或各种观测的装置和方法。

本发明的搜索存储器大规模集成电路的特定存储单元的方法是这样一种方法，在包括多个重复配置的存储单元的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试，参考对应于作为电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测。其中：

参考包含所述存储单元的阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标，根据亮度或发光度的变化对存储器大规模集成电路上现有的存储单元数进行计数，所述计算值和所述物理地址值彼此一致的部分选择为所述逻辑地址的部分。

本发明另一个实施例的搜索存储器大规模集成电路特定部分的方法是这样一种方法，在存储器大规模集成电路上进行电气测试，根据电气测试的输出结果确定特定部分，以及为存储器大规模集成电路进行分析、处理和观测，其中：

根据存储器大规模集成电路的电气测试结果从检测的缺陷现象假定引起缺陷的原因，对应于假定的缺陷原因的有缺陷电路的位置和尺寸所指明的部分定为特定部分。

本发明的存储器大规模集成电路特定部分搜索装置是这样一种装置，在包括多个重复配置在其上的存储单元的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试，参考对应于作为电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的部分为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测，这种装置包括：

用以移动所述存储器大规模集成电路的装置；

用以观测所述存储器大规模集成电路的图形识别器；

用以接收所述图形识别器的观测结果，计数亮度或发光度变化的数量的计数器；

控制计算机，用以控制所述移动装置移动所述存储器大规模集成电路，把所述计数器的计数值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分定为所述逻辑地址的部分，使得所述图形识别器参考包括所述存储单元的阵列结构端部、存储单元和存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标。

根据本发明另一个实施例的存储器大规模集成电路特定部分搜索装置是这样一种装置，在包括多个重复配置在其上的存储单元的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试，参考对应于作为电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测，这种装置还包括：

用以移动所述存储器大规模集成电路的装置；

用以观测所述存储器大规模集成电路的图形识别器；

用以接收所述图形识别器的观测结果，计数亮度或发光度变化的数量的计数器；

控制计算机，具有存储对应于存储器大规模集成电路的电气测试结果所展现的缺陷现象的缺陷电路的位置和尺寸的数据库，如果所述缺陷现象没有存入所述数据库，控制计算机控制所述移动装置移动所述存储器大规模集成电路，把所述计数器的计数值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分定为所述逻辑地址的部分，使得所述图形识别器参考包括所述存储单元的阵列结构端部、存储单元和存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标；如果所述缺陷现象存入所述数据库，控制计算机把对应于所述数据库所存的缺陷电路的位置和尺寸所表示的部分定为所述特定部分。

在上述结构的本发明的装置或方法中，通过持续观测存储单元阵列和根据亮度或发光度的变化确定位置的方法或装置，对存储单元的每个移动都进行检测，因此，每当检测到误差时，就消除每个移动所产生的误差。

采用这种装置和方法，从展现的缺陷现象假定缺陷的原因，对应于假定的缺陷原因的有缺陷电路的位置和尺寸所表示的部分定为特定部分，有实际缺陷的部分定为特定部分，因此能精确地进行分析。

从根据例示本发明的最佳实施例的实例的附图所作的以下描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点就会显得很清楚。

图1是表示本发明的实施例的结构的方框图。

图2是表示本发明的实施例的工作的流程图。

图3是表示本发明的实施例的工作的流程图。

图4(a)和4(b)是表示缺陷的一般类型、对应这些类型的缺陷以及ID号的一览表。

图5是表示本发明的实施例的是工作的流程图。

图6是表示本发明的实施例的是工作的流程图。

图7是表示从物理地址转换成绝对位置坐标的实例的简图。

图8(a)至8(c)表示缺陷的一般类型，诸如所要替换的缺陷内容、位置或尺寸的对应项目，以及ID号的实例。

接着参照附图描述本发明的第一实施例。

图1是表示本发明的第一实施例的结构的简图。图2和图3各是表示本发明的第一实施例的工作的流程图。

本实施例结构成通过搜索包括端到端具有绝对地址的一组存储单元(下文称为存储单元块)的存储器大规模集成电路中一个区，然后通过计数存储单元块中存储单元的数目而进一步搜索存储单元块，从而消除在分析、处理和观测工作中可能产生的工作台移动机构的数字计算误差或精度不够的影响。

本实施例包括图形识别器1、计数器2、工作台移动机构4、工作台移动距离测量装置5、观测单元7、存储器测试仪8、以及构成移动装置连同工作台移动机构4的工作台6，工作台6的移动距离由控制计算机3控制，控制计算机3控制各组件和工作台移动机构4。

开始工作时，首先由存储器测试仪8根据固定的程序对存储器大规模集成电路进行电气功能的测试，准备描述表示测试结果的逻辑地址的结果文件(步骤S1)。

控制计算机3把在步骤S1中所准备的由逻辑地址所写成的结果文件利用加密功能转换成物理地址(地址S2)。然后，参考在步骤S2中转换成物理地址的数据，控制计算机3根据缺陷类型通过将缺陷地址的各行编组而减少缺陷数据的数目，制作数据库，其中每一组都附有表示其特征的分类号ID(步骤S3)。如图4中所示，将缺陷类型编组是要用实验方法把产品晶片的缺陷分布分类成若干种。然后，控制计算机3通过将物理地址乘以存储单元的尺寸，加上要插在存储单元之间的布线尺寸、外部电路的尺寸以及从绝对位置坐标的原点到存储器大规模集成电路上物理地址的原点的距离，而计算出缺陷的绝对位置坐标(步骤S4)。

接着，晶片和存储器大规模集成电路芯片原点的位置数据从控制计算机3传送到工作台移动距离测量装置5，用以设定原点和坐标轴(步骤S5)。在完成步骤S5之后，在步骤S4中所算出的绝对位置坐标传送到各种分析、处理和观测单元7，然后，通过选定存储器测试仪8的逻辑地址可以用普通的绝对位置坐标表示晶片上的点。

然后，把从控制计算机3送到图形识别器1的数据与在图形识别器1中所获得的数据进行比较，通过这种程序，存储单元块端部和存储单元形状的图象以及根据所要处理的存储器大规模集成电路所固定的掩模设计数据传送到图形识别器1(步骤S6)。依次地，将图形识别器1所获得的存储单元块端和存储单元形状的图象彼此进行比较(步骤7)。根据对应于图象的位置坐标而发生的亮度或发光度的变化，从存储单元块和存储单元的形状，对应于存储单元的数量获得必需的移动距离。

其后，有缺陷的存储单元的物理地址传送到计数器(步骤S8)，缺陷的绝对地址坐标传送到装有晶片的工作台移动机构4(步骤S9)。收到这个通知之后，工作台6移向缺陷的绝对位置坐标(步骤S10)。由图形识别器1所识别的存储单元的数目用计数器2逐个计数(步骤S11)，当计数器2的计数值与在步骤S7中所获得的存储单元或一致时，工作台6的移动就停止了。

上述步骤S8至S11的一系列操作以如下方式进行。控制计算机3将有缺陷的存储单元的地址传送到计数器2，同时将缺陷的绝对位置坐标传送到工作台移动机构4，以指示工作台6的移动。在收到指令后，工作台移动机构4把工作台6移到有缺陷存储单元的绝对位置坐标。另一方面，图形识别器1把逐个识别的存储单元的数目传送到计数器2。计数器2把由图形识别器1所识别的存储单元号与从控制计算机所收到的地址进行比较，当两者的值彼此一致时，计数器2就向工作台移动机构4发送停止命令(S12)。

于是，工作台移动机构4使工作台6停下来，以及通知控制计算机3工作台6停止了(步骤S13)。收到这个通知后，控制计算机3认识到向缺陷位置的移动完成了，容许分析、处理和观测单元7进行分析、处理和观测工作(S14)。因此，在移动位置上进行各种分析、处理和观测工作。

接着，在步骤S14中在所需位置上进行的各类分析、处理和观测工作的结果传送到控制计算机3(步骤S15)，存入数据库，数据库附有存储器测试仪8的有关文件的ID(步骤S16)。

当分析、处理和观测单元7已经完成了所需位置的分析、处理和观测工作，并且已经把所获得的数据依次传送到控制计算机3时，就实现各步骤S15和S16，在把与来自存储器测试仪8的文件有关的文件ID附加在数据上之后，控制计算机3就把所获得数据存入其自己的数据库内。

上述步骤S1至S16的一系列操作是重复进行的，控制计算机3指令重复下一个缺陷的分析、处理和观测操作(步骤S17)。

当在最后缺陷上所进行的分析、处理和观测的结果存入控制计算机3的数据库时，操作就完成了(步骤S18)。

下面描述本发明的第二实施例。这个实施例的结构是与图1中所示的第一实施例的结构相同的，只是其操作是不同的。图5和图6各是表示本实施例的工作的流程图。

本实施例的结构成当缺陷的原因不是在存储单元侧，而是在驱动存储单元的外部电路侧时，在进行分析、处理和观测操作之前，通过从有缺陷存储单元侧移动到驱动有缺陷存储单元的外部电路侧而校正位置和尺寸，就能进行外部电路的缺陷原因的分析、处理和观测。

在图5和图6的流程图所示的操作中，步骤S1至步骤S5是与图2中所示的第一实施例的步骤S1至步骤S5相似的。在步骤S5后所要进行的步骤S19中，确认缺陷的原因是否在外部电路中，如果确认缺陷的原因不是在外部电路中，其后所要进行的操作是与在图2和图3所示的步骤S6和后面的步骤中的操作相同的。

通过从步骤S1至S5的操作，对工作台移动距离测量装置5设定工作台6的原点和坐标轴。如果在上述步骤S19确认缺陷的原因不是在存储单元侧，而是在驱动存储单元的外部电路侧，操作就移到步骤S20。

在步骤S20，进行校正，用驱动缺陷地址的的存储单元的外部电路的位置和尺寸代替对应于缺陷地址的存储单元的位置和尺寸，然后，把所述外部电路的坐标数据传送到工作台移动机构4。

接着，计算机3把校正数据传送到工作台移动机构4，工作台移动机构4把工作台6移到外部电路的位置坐标。因此装有晶片的工作台6根据在步骤S20中所传送的数据而移位(步骤S21)。

然后，测量工作台6的移动距离(步骤S22)，把所需的移动距离与实际移动距离进行比较，当两个移动距离彼此一致时，就使工作台停止。再把工作台6的这种停止情况通知控制计算机3(步骤S23)。

上述步骤S22、S23的一系列操作以下列方式进行。

工作台移动距离测量装置5测量工作台6的移动距离，并把测定的移动距离传送到工作台移动机构4。工作台移动机构4把从工作台移动距离测量装置5所收到的位置坐标与从控制计算机3所收到的位置坐标进行比较，当两种坐标彼此一致时，工作台移动机构4使工作台6停止，并通知控制计算机3工作台6已经停止。

其后，以与第一实施例同样的方式，步骤转到S14，其中控制计算机3容许分析、处理和观测单元7进行分析、处理和观测操作。

第一实施例：

下面参照图1至图3描述实现上述第一实施例的具体实例。

市场上的存储器测试仪就能满足存储器测试仪8的要求，对于其机械和功能的种类没有如何限制。存储器测试仪8根据测试程序测试存储器大规模集成电路，把不同于期望值的输出值的地址表以及测试时所载有的电流连同文件ID写入结果文件。此外，除了上述数据，还容许历史ID写入所述结果文件，上述历史描述了不同于期望值的输出值是如何产生的。这种操作对应于步骤S1。

控制计算机3是工程工作站或个人计算机，具有包含数据库的存储媒体和通信电路，以及控制本实施例的整个装置。上述数据库包括下列数据和转换方法，作为各类存储器大规模集成电路进行数据转换所必需的数据和转换方法。

控制计算机3观测存储器测试仪8，当它检测到所述结果文件完成时就获得所述结果文件，根据输入所述文件的这类ID准备这类所述存储器大规模集成电路的加密功能，利用所述加密功能把缺陷逻辑地址转换成物理地址。这种操作对应于步骤S2。

接着，控制计算机3按图4(a)和图4(b)中所示的缺陷类型和测试历史把各行缺陷地址逐个编组，把表示这组特性的类别ID附加到每一组上，再把从所述结果文件所能联想到的所述结果文件ID或文件ID附加到每一组上，并且把它们存入其自己的数据库。这种操作对应于步骤S3。

如图7中所示的那样，控制计算机3通过把物理地址乘以存储单元尺寸，加上要插在存储单元之间的布线的尺寸，再加外部电路的尺寸以及从绝对位置坐标的原点到存储器大规模集成电路的物理地址的原点的距离，从而计算出有缺陷存储器大规模集成电路芯片上的绝对位置坐标，在把从所述结果文件所能联想到的所述结果文件ID或文件ID附加到计算结果上之后，把这样获得的计算结果存入其自己的数据库。这种操作对应于步骤S4。

控制计算机3参照工作台移动距离测量装置5整理晶片本身所固有的特性，表达利用诸如取向平面(下文称为OF)或缺口等表示的晶片取向、晶片的尺寸、晶片上的原点和芯片坐标轴、存储器大规模集成电路芯片的尺寸、以及芯片上的原点和位置坐标轴。这种操作对应于步骤S5。

控制计算机3把对应于目标存储器大规模集成电路的种类和掩模设计数据所获得的块端和存储单元形状的图象传送到图形识别器1。这个步骤对应于步骤S6。

图形识别器1利用固态图象光学检测装置，以及测量对应于离开存储单元块端部的距离的亮度信号或发光度信号所产生的变化。图形识别器1参照这些数据和存储单元块端部或存储单元的图象或掩模设计数据之间的位置坐标，比较亮度变化和发光度变化的相似性。然后通过比较一组多个存储单元的检测到的尺寸以及尺寸离差(dispersion)和一组掩模设计数据的存储单元尺寸，图形识别器1消除在存储单元上有外来物质或者图形毁坏已经发生的情况下可能产生的异常数据，用对应于异常数据的存储单元号代替异常数据。此外，通过参考掩模设计数据，了解要用作虚拟或用于替换的存储单元的位置和号，就可以根据存储单元的号除去虚拟存储单元和替换存储单元，清楚地识别存储单元块端部和存储单元的形状。

图形识别器1把通过它自己的运行所获得的存储单元块端部附近或存储单元区的图象与从控制计算机3所获得的图象作比较，参考亮度和发光度的变化，这种变化是对应于各图象所位置而产生的，因此能识别存储单元块端部和存储单元的形状。这种操作对应于步骤S7。

控制计算机3把有缺陷的存储单元的地址传送到计数器2，这种操作对应于步骤S8。

计数器2参考由图形识别器1和通信电路所识别的存储单元号而具有执行加、减和清除运算的功能。通过加或减图形识别器1的存储单元识别频率，计数器2计算出与缺陷地址相一致的识别频率，因此计数器2能搜索有缺陷的目标存储单元。

控制计算机3向工作台移动机构4给出工作台移动命令。这种操作对应于步骤S9。

工作台移动机构4把工作台6移到所述有缺陷存储单元的绝对位置坐标。装置操作对应于步骤S10。

图形识别器1参考通过它自己的运行所获得的存储单元块端部或存储单元区附近的图象和从控制计算机3所获得的图象，比较对应于图象的位置坐标所产生的亮度或发光度的变化，从而识别存储单元块端部和存储单元的形状。图形识别器1还把多个存储单元的尺及其离差和设计数据的存储单元的尺寸作比较，以除去在存储单元上有外来物质或已经发生图象毁坏的情况下可能出现的异常值(存储单元尺寸平均值的n倍或1/n的值，其中n是整数)，用对应于异常值的存储单元号代替异常值。

图形识别器1还参考掩模设计数据，求出不包含在实际存储单元中用于替换的虚拟存储单元和冗余存储单元。通过从识别的存储单元号中除去虚拟存储单元和冗余存储单元的号，图形识别器1就能防止在计数地址时可能引起的误差。图形识别器1把所述识别的存储单元的号送到计数器2。这种操作对应于步骤S11。

计数器2把从图形识别器1所收到的被识别的存储单元的号与从控制计算机3所获得的地址进行比较，当上述数据彼此一致时，就向工作台移动机构4发送停止命令。这种操作对应于步骤S12。

工作台移动机构4使工作台6停下来，通知控制计算机3工作台6已经停止。这种操作对应于步骤S13。

如上所述，参照所需要的部分进行各种观测、分析和处理操作。

此外，本实施例的图形识别器1可以结构成利用电子显微镜或激光显微镜代替固态图象光学检测装置，以及利用对应于离开存储单元块端部的距离所产生的电子束或激光束的强度的变化进行图形识别活动。换言之，分析、处理和观测单元7可以用作图形识别器1。

第二实施例：

下面参照图1、图5和图6描述为实现第二实施例的具体例子。

控制计算机3根据电流的类型或缺陷地址的分类结果，分析引起存储器测试仪8的测试结果中所显示的缺陷现象的缺陷原因是在存储单元侧还是在驱动存储单元的外部电路侧。这种分析是根据图8(a)至8(c)中所示的分类内容进行的，当引起缺陷的原因是在驱动存储单元的外部电路侧时，就将位置和尺寸校正到外部电路的位置和尺寸。通过在DRAM生产过程中所获得的技术知识的积累已经发展和形成了这类技术。这种操作对应于步骤S19。

当引起缺陷的原因是在驱动存储单元的外部电路侧时，控制计算机3把所述外部电路的坐标数据传送到工作台移动机构4。这种操作对应于步骤S20。

工作台移动机构4具有通信功能和移动工作台6的驱动单元。

工作台移动机构4把工作台6移到所述外部电路的位置坐标。这种操作对应于步骤S21。

工作台移动机构4把所述位置坐标和从工作台移动距离测量装置5所收到的位置坐标作比较，当两种数据一致时就使工作台6停下来，并通知控制计算机3工作台6已经停止。这种操作对应于步骤S22。

工作台移动距离测量装置5具有通信功能和用以测量工作台6的移动距离的测量装置。现在用工作台移动机构4移动工作台6。工作台6耦合工作台，一个是粗略移动的粗移动工作台，另一个是在很小范围内移动的微移动工作台。工作台6还可以耦合反射镜、透镜或管子，管子引导由进行图形识别的装置或进行分析、处理和观测操作的装置所产生的电磁波或带电粒子。

控制计算机3容许分析、处理和观测单元7进行分析、处理和观测操作。这种操作对应于步骤S14。

分析、处理和观测单元7是一个包括通信功能和分析、处理和观测功能的装置，分析、处理和观测功能采用了利用电磁波(激光，它是包括可见光、红外线、紫外线、X射线、无线电波和相位的电磁波)或带电粒子(电子、离子、等离子体)的装置之一或选择组合。

分析、处理和观测单元7在所述坐标上进行分析、处理和观测操作，在完成了这种操作之后，它把结果数据传送到控制计算机3。这种操作对应于步骤S15。

当收到结果数据时，控制计算机3把结果数据存入其自己的附加了文件ID的数据库，文件ID是根据从存储器测试仪8所要获得的结果文件所能联想到的。这种操作对应于步骤S16。

当对一个缺陷的分析操作完成时，控制计算机3重复对下一个缺陷的分析、处理和观测操作。这种操作对应于步骤S17。

在完成了把对最后的缺陷所作的分析、处理和观测结果存入控制计算机3的数据库的操作之后，工作就完成了。这个操作对应于步骤S18。

如上所述，参考所需要的部分可以进行各种观测、分析和处理操作。

由于本发明是如上所述那样构成的，它具有下述效果。

采用本发明的系统和装置，能获得良好的定位精度，不会受到移动装置移动精度差的严重影响，因此，本发明具有能在短时间内高精度定位的基础上进行分析、处理和观测操作的效果。

由于实际有缺陷的部分是特定的，就能避免在不正确位置上的分析、处理和观测操作，这样就容许对真正有缺陷的部分迅速进行分析、处理和观测操作，也容易掌握引起缺陷的原因的分布的正确状态。

然而，要理解的是虽然在以上说明书中对本发明的特性和优点作了叙述，但是这些公开内容只是例示性的，在所附权利要求书的范围内在各部分的布置方面是可以作各种变化的。

Claims (4)

1.一种存储器大规模集成电路的特定存储单元的搜索方法，所述方法用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，其中：

参考包含所述存储单元的阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标，根据亮度或发光度的变化对存储器大规模集成电路上现有的存储单元或进行计数，所述计算值和所述物理地址所表示的值彼此一致的部分选择为所述逻辑地址的部分。

2.一种存储器大规模集成电路特定部分的搜索装置，所述装置用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，所述装置包括：

用以移动所述存储器大规模集成电路的装置；

用以观测所述存储器大规模集成电路的图形识别器；

用以接收所述图形识别器的观测结果，计数在结果数据中所测得的亮度或发光度变化的数量的计数器；

控制计算机，用以通过所述移动装置移动所述存储器大规模集成电路，使得所述图形识别器参考包括所述存储单元的阵列结构端部、存储单元和存储单元之间部分的区域持续观测坐标，用以通过选择所述计数器的计数值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分确定所述逻辑地址的部分，

3.一种存储器大规模集成电路特定部分的搜索方法，所述方法用于参考根据在存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果所确定的特定部分进行分析、处理和观测操作，其中：

根据存储器大规模集成电路的电气测试结果从检测的缺陷现象假定引起缺陷的原因，对应于假定的缺陷原因的缺陷电路的位置和尺寸所表示的部分定为特定部分。

4.一种存储器大规模集成电路特定部分的搜索装置，所述装置用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，所述装置包括：

用以移动所述存储器大规模集成电路的装置；

用以观测所述存储器大规模集成电路的图形识别器；

用以接收所述图形识别器的观测结果，计数在结果数据中所测得的亮度或发光度变化的数量的计数器；

控制计算机，具有存储对应于存储器大规模集成电路的电气测试结果所展现的缺陷现象的缺陷电路的位置和尺寸的数据库，如果所述缺陷现象没有存入所述数据库，所述控制计算机控制所述移动装置移动存储器大规模集成电路，使得所述图形识别器参考包括所述存储单元的阵列结构端部、存储单元和存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标，通过检测所述计数器的计数值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分而确定所述逻辑地址的部分；如果所述缺陷现象存入所述数据库，所述控制计算机把对应于所述数据库所存的缺陷电路的位置和尺寸所表示的部分定为所述特定部分。

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