TWI556338B - 用於自動晶圓檢驗之藉由產生載台速度量變曲線及選擇關注區域以最佳化檢驗速度之方法及裝置 - Google Patents

Description

用於自動晶圓檢驗之藉由產生載台速度量變曲線及選擇關注區域以最佳化檢驗速度之方法及裝置

本發明一般而言係關於自動檢驗或檢驗所製造基板上之缺陷。

可使用諸如電子設計自動化(EDA)、電腦輔助設計(CAD)及其他IC設計軟體之一方法或系統來開發一積體電路(IC)設計。此等方法及系統可用於自IC設計產生一電路圖案資料庫。該電路圖案資料庫包含表示該IC之各種層之複數個佈局之資料。電路圖案資料庫中之資料可用於判定複數個光罩之佈局。一光罩之一佈局通常包含界定光罩上之一圖案中之特徵之複數個形狀(多邊形)。每一光罩用於製作該IC之各種層中之一者。IC層可包含(舉例而言)一半導體基板中之一接面圖案、一閘極電介質圖案、一閘極電極圖案、一層級間電介質中之一接觸圖案，及一金屬化層上之一互連圖案。

本文中所使用之術語「設計資料」通常係指一IC之實體設計(佈局)及自實體導出之資料。在IC產生之前藉由不同程序驗證一半導體器件設計。舉例而言，可藉由軟體模擬來檢驗該半導體器件設計以驗證在製造中之微影後之將正確地印刷所有特徵。

製作諸如邏輯及記憶體器件之半導體器件通常包含使用大量半導體製作製程處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體器件之各種特徵及多個層級。舉例而言，微影係 一半導體製造製程，其涉及將一圖案自一光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一抗蝕劑。半導體製造製程之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單個半導體晶圓上之一配置中製作多個半導體器件且然後將其分離成個別半導體器件。

在一半導體製造製程期間之各種步驟處使用檢驗方法來偵測晶圓上之缺陷以促進製造製程中之較高良率。隨著半導體器件之尺寸減小，由於較小缺陷可致使器件失效，因此對於成功製造可接受之半導體器件，檢驗變得更加重要。

高度期望改良在半導體製造製程期間所使用之檢驗方法。

本專利申請案揭示用於自動晶圓檢驗之產生一載台速度量變曲線及/或選擇關注區域之裝置及方法。所產生之該載台速度量變曲線對應於該檢驗機器能夠檢驗所提供之一關注區域集合之一最快速度。所選擇之該關注區域集合對應於待藉由該檢驗機器詳細成像的晶圓上之特定區。本文中之該等裝置及方法亦可針對一些情形計算檢驗速度及涵蓋(及可能地該檢驗之其他特性)，並使用一成本函數選擇涵蓋對檢驗時間之最佳折衷。

亦揭示本發明之其他態樣、特徵及實施例。

應注意，隨本文提供之圖未必按比例繪製。提供該等圖 係出於圖解說明以易於理解當前所揭示之發明之目的。

檢驗處方(recipe)慣例上用於自動或半自動晶圓檢驗。產生一檢驗處方之諸多習用方法不使用與一積體電路相關聯之設計資料。處方產生包含一反覆試錯方法，其中以不同成像模式掃描晶圓，且針對每一此掃描，改變偵測臨限值並人工復查缺陷(通常在一掃描電子顯微鏡復查臺上)。在一相對廣泛意義(例如，陣列對邏輯)上將晶粒分段成若干區，且(反覆地)修改臨限值直至捕獲所關心缺陷而未偵測到過多有害缺陷為止。

用於創建檢驗處方之某些現有方法係闡述於Brian Duffy及Ashok Kulkarni的標題為「Systems and Methods for Creating Inspection Recipes」之第US 2008/0250384 A1號美國專利申請公開案(下文稱作「Duffy」)中。Duffy中所揭示之一種電腦實施之方法包含在一第一設計之設計屬性與某些影像特性之間創建一映射，及然後使用自第一設計獲悉之該映射來創建一第二設計之一檢驗處方。

本專利申請案揭示用於創建檢驗處方之方法及裝置之改良。本文中所揭示之方法及裝置可利用檢驗特性、機器特性及晶圓特性來產生一檢驗處方，該檢驗處方最佳化缺陷涵蓋與檢驗裝置之處理能力之間的一折衷。

在以下論述中可使用以下假設及術語。

可假設樣本載台藉由載台沿x維度連續移動，而束可沿y維度以具有線之一光柵圖案移動。可藉由沿x維度施加加速或減速來改變沿x維度之載台速度。假設加速及減速由 載台之平移機構限制。可以米/秒量測載台速度。

可將視域(FOV)視為具有電子束光學器件之可接受像差及效能之電子束成像柱之最大可使用檢視區域。可藉由該裝置將束偏轉至FOV中之任一點。儘管FOV之形狀可係圓形的，但出於在檢驗中成像之目的通常使用該圓內之一最大內接正方形。可以微米量測FOV之寬度。

一關注區域係期望藉由電子束檢驗(EBI)機器檢驗的晶圓(或晶圓上之晶粒)之一區域。根據本發明之一項實施例，關注區域沿x維度之廣度(CA之X廣度)係尤其受關注的。可以FOV寬度量測一CA之X廣度。

檢驗速率係電子束沿x維度跨越晶圓之速率。可藉由獲取資料速率、光柵掃描線之高度及像素大小判定檢驗速率。舉例而言，若資料速率係每秒200百萬像素(Mp/s)，光柵掃描之高度係1000像素(p)高且像素大小係10奈米(nm)，則X檢驗速率係由下式給出：(200 Mp/s)/(1000 p)^＊(10 nm)=2 mm/s。

圖1係根據本發明之一實施例經組態以用於自動缺陷檢驗之一掃描電子束(e-beam)裝置之一剖面圖。如所展示，該電子束裝置包含一電子槍102及一電子束柱(電子柱)110。

在電子槍102中，電子發射器103係一電子源，且槍透鏡104聚焦所發射之電子以形成一電子束。束限制孔口105可用來限制射出電子槍102及沿該柱之光軸101進入電子柱110中之束之大小。

在電子柱110中，柱束電流選擇孔口112可用於選擇藉以照明目標半導體晶圓(或其他目標基板)116之一期望之束電流。一掃描偏轉器113可經組態以使該束跨越晶圓118之一區域可控地掃描(舉例而言，光柵掃描)，且一掃描控制器146可耦合至掃描偏轉器113且用於控制該偏轉。

物鏡114經組態以將經可控地偏轉之束聚焦至晶圓116上。作為一半導體製造製程之部分，一可移動基板固持器118可經組態以出於缺陷之自動檢驗及/或復查或者關鍵尺寸之自動量測之目的而固持晶圓116且在電子柱110下方輸送(移動)晶圓116。

一偵測器132經配置以偵測次級電子(及/或回應信號電子)，且耦合至偵測器132之一資料處理系統148用於儲存及處理所偵測資料以便能夠形成用於分析之有用影像。資料處理系統148可包含經組態以執行指令及對資料進行操作之一處理器、可執行指令及資料可載入至其中之記憶體、非暫時性資料儲存器件及各種其他組件(諸如一顯示器、使用者輸入器件等等)。

該裝置進一步包含一系統控制器140。系統控制器140可包含經組態以執行指令及對資料進行操作之一處理器、可執行指令及資料可載入至其中之記憶體、非暫時性資料儲存器件及各種其他組件(諸如一顯示器、使用者輸入器件等等)。系統控制器140可通信地耦合至掃描控制器146、資料處理系統148及該裝置之各種其他組件(諸如用於各種透鏡之電壓或電流源，等等)。

根據本發明之一實施例，系統控制器140可包含一檢驗應用程式152及一處方產生器154。在圖1及圖2兩者中展示檢驗應用程式152及處方產生器154。

如圖1中所展示，檢驗應用程式152可被載入至系統控制器140之記憶體中且可由系統控制器140之處理器執行。檢驗應用程式152可經組態以在基板之檢驗期間控制電子束裝置。如圖1中進一步所展示，處方產生器154可被載入至系統控制器140之記憶體中且可由系統控制器140之處理器執行。根據本發明之一實施例，處方產生器154可包含一關注區域選擇模組156，且檢驗應用程式152可包含一載台速度量變曲線產生模組158。如下文進一步所闡述，關注區域選擇模組156可用於選擇一關注區域集合，且載台速度量變曲線產生模組158可用於產生選定關注區域集合之一載台速度量變曲線。

如圖2中所展示，關注區域選擇模組156可經組態以接收檢驗特性202、機器特性204及基板(晶圓)特性206並選擇一關注區域集合。然後可將前述特性(202、204及206)及關注區域集合輸出(208)至載台速度量變曲線產生模組158。載台速度量變曲線產生模組158然後可以最佳化多個因素(舉例而言，檢驗裝置之缺陷涵蓋、靈敏度及處理能力)之間的一折衷之一方式產生關注區域集合之一載台速度量變曲線。載台速度量變曲線產生模組158然後可輸出210關注區域集合及對應載台速度量變曲線以由檢驗應用程式152之其他模組使用。

選定關注區域集合指示待取樣之區(「關注區域」)且進一步指示使此等待取樣之區成像之一次序。根據本發明之一實施例，該集合中之關注區域可表示所製造基板之總區域之一小分率以便提供增加之檢驗處理能力。在某些情形中，一所製造基板之關注區域之一組合區域可小於該所製造基板之表面之一總區域之百分之一。載台速度量變曲線指示用於使載台平移以便使關注區域集合成像的隨時間之各種速度位準。

圖3係繪示根據本發明之一實施例自動檢驗一所製造基板之一方法300之一流程圖。可(舉例而言)藉由以上關於圖1及圖2所闡述之電子束裝置執行方法300。

根據方塊302，可由關注區域選擇模組156接收各種輸入。此等輸入可包含以上所提及之檢驗特性202、機器特性204及晶圓特性206。此等特性可用於(舉例而言)藉由下文關於圖5所闡述之程序500來選擇一關注區域集合。

根據方塊304，檢驗處方產生器154可使用選定關注區域集合來產生一檢驗處方。除關於關注區域之資訊以外，檢驗處方亦可包含關於檢驗之各種其他參數及資料。舉例而言，檢驗處方可提供：(i)指示當首先將晶圓載入至檢驗器中時將如何對齊(對準)於一晶粒圖案之對齊資料；(ii)指示待檢驗晶圓上之哪一些晶粒之一樣本平面；(iii)像素大小、束電流、資料速率及掃描次數平均值；(iv)柱條件，諸如韋乃特(wehnelt)/提取電壓及著靶能量(landing energy)；(v)諸如對比度設定、待用於預映射之對準位點 等參數；(vi)諸如所發現缺陷之分類資訊之後處理參數；以及其他參數及資料。

根據方塊306，可自處方產生器154輸出檢驗處方至檢驗應用程式152。在一項實施處方中，可在電子束檢驗裝置之一系統控制器140上執行處方產生器154及檢驗應用程式152兩者。

根據方塊308，檢驗應用程式152之一載台速度量變曲線產生模組158可基於選定關注區域集合而產生一載台速度量變曲線。下文關於圖4之流程圖闡述用於產生載台速度量變曲線之一個程序400。

根據方塊310，產生一初級電子束且將其聚焦至待檢驗之基板之表面上。舉例而言，該基板可係正製造之一半導體晶圓。

根據方塊312，根據檢驗處方及載台速度量變曲線使基板在初級電子束下方可控地平移。該平移可經控制(舉例而言)以便使待取樣之每一區(本文中亦稱為一「關注區域」)在成像裝置之視域內依次居中。

根據方塊314，藉由使初級電子束在關注區域上掃描並以與該掃描同步之一方式偵測所發射之電子來使關注區域成像。該掃描可涉及掃描一系列條區直至涵蓋關注區域為止。

根據方塊316，然後可根據檢驗處方做出關於是否存在更多關注區域之一判定。若根據檢驗處方存在更多關注區域，則方法300迴圈回至方塊312。若根據檢驗處方不存在 更多關注區域，則根據方塊318完成成像以進行對基板之檢驗。

圖4係繪示根據本發明之一實施例產生對應於一關注區域集合之一載台速度量變曲線之一電腦實施之方法400之一流程圖。此方法400在方塊401中開始，其中瞭解或判定關注區域集合(待成像之所關心區)。根據本發明之一項實施例，可使用下文關於圖5所闡述之方法500來判定關注區域。

根據方塊402，接收各種輸入。此等輸入可包含檢驗特性、機器特性及晶圓特性。檢驗特性可包含(舉例而言)像素大小、資料速率及掃描高度。機器特性可包含(舉例而言)視域尺寸、載台加速能力及最大載台速度。晶圓特性可包含關注區域之位置資訊(舉例而言，x-y位置資料)。(已根據方塊401瞭解或判定關注區域位置資訊。)

根據方塊404，可將關注區域分解或劃分成若干條區。每一條區係在正使晶圓平移時藉由電子束掃描之一區域。特定而言，每一條區可係在正使晶圓線性(沿x維度)平移時正掃描(具有沿y維度之光柵線)之一平行四邊形形狀之區域。

根據方塊406，可產生關注區域x維度廣度區(CA X廣度)及間隙x維度廣度(間隙X廣度)之一清單。在一項實施例中，可針對晶圓上之每一晶粒產生此一清單。一CA X廣度係一關注區域所跨越之沿x維度之一範圍，且一間隙X廣度係毗鄰關注區域x維度廣度之間的沿x維度之一範圍。若 在一晶粒條區中存在M個關注區域，則將存在M-1個間隙。在某些例項中，關注區域及間隙可呈一規則之週期性圖案。在其他例項中，關注區域及間隙可係非週期性的。CA及間隙之一清單之一實例係(0.5,0.1,0.5,0.1,0.5)。在此實例中，存在三個CA，每一者寬0.5個FOV寬度，且在該等CA之間存在兩個間隙，每一者寬0.1個FOV寬度。

根據方塊408，將來自方塊406的CA X廣度及間隙X廣度之清單分解或劃分成若干關注區域集合(CA集合)。一CA集合係沿x維度不具有大於視域(FOV)之一個寬度之間隙x廣度之一關注區域群組。換言之，一CA集合係沿x維度緊密間隔開以使得沿x維度該集合中之相鄰關注區域之間的間隙不大於FOV之寬度之一關注區域群組。然後可輸出CA集合及其沿x維度之已知位置(範圍)之清單。

根據方塊410，針對來自方塊408之每一CA集合，尋找一最大載台速度。特定而言，最大載台速度係沿x方向之載台平移之最快速度，該最大載台速度係在不迫使電子束離開視域之情形中被支援。當載台沿x維度之位置係在一CA集合內時，考量具有一恆定載台速度之一掃描模式。在彼情形中，為判定一CA集合之最大載台速度，可計算每一CA子集之一最大載台速度，且可選擇此等所計算速度中之最慢者作為該CA集合之最大載台速度。舉例而言，考量包含以下相鄰關注區域序列之一CA集合：CA1；CA2；CA3；...；CA(n-1)；及CAn。則CA子集可包含：CA1-CA2；CA1-CA3；CA1-CA4；...；CA1-CAn；CA2- CA3；CA2-CA4；CA2-CA5；...；CA2-CAn；...；CA(n-2)-CA(n-1)；CA(n-2)-CAn；CA(n-1)-CAn。在此實例中，可計算此等CA子集中之每一者之一最大載台速度，且可選擇此等所計算速度中之最慢者作為CA集合之最大載台速度。然後可輸出CA集合與其沿x維度之已知位置(範圍)及其最大載台速度之清單。

根據方塊412，施加載台加速或減速速率限制。根據一項實施例，可使用一反覆程序來施加此等速率限制。該反覆程序可以具有最低最大載台速度之CA集合開始。視情況，然後可在此CA集合與所有其他CA集合之間施加加速或減速速率。在一項實施例中，載台加速及減速可遵循S曲線量變曲線，其中載台速度可隨著關於時間之一個三次函數而改變。若其他CA集合中之一者之最大載台速度由於有限間隙大小及加速或減速速率限制而不可能達成，則彼CA集合之最大載台速度經減小(限制)以便係可達成的。該反覆程序然後可轉至具有下一最低最大載台速度之CA集合且判定其他CA集合之最大載台速度之任何速率限制減小。以此方式，反覆程序自最低速度至最高速度地步進通過CA集合之整個清單中之每一CA集合，從而可根據需要將加速/減速速率限制施加至每個CA集合。然後可輸出CA集合與其沿x維度之已知位置(範圍)及其速率限制最大載台速度之清單。

最後，根據方塊414，可使用來自方塊412之輸出產生一載台速度量變曲線。在一項實施例中，載台速度量變曲線 可給出隨每一晶粒沿x維度之位置而變的期望之載台速度。視情況，檢驗應用程式中之較高階控制軟體可將晶粒連結成若干晶粒列。此載台速度量變曲線有效地給出在將電子束保持於柱之電子光學器件之視域內之同時涵蓋一晶粒中之關注區域可允許之一最快速度。

圖5係繪示根據本發明之一實施例判定待檢驗之一關注區域集合之一電腦實施之方法500之一流程圖。藉由此方法500判定之關注區域可在根據圖4產生一檢驗處方之方法400中使用。

根據方塊502，接收包含(舉例而言)檢驗特性、機器特性及缺陷相關資訊之輸入。檢驗特性可包含(舉例而言)像素大小、資料速率及掃描高度。機器特性可包含(舉例而言)視域、載台加速能力及最大載台速度。

缺陷相關資訊可自以下獲得：1)尋找顯現為最有價值之待檢驗位置之「熱點」之一預檢驗，或2)該方法之一使用者。缺陷相關資訊不包含關注區域本身；然而，缺陷相關資訊係用於判定關注區域。缺陷相關資訊可包含(舉例而言)自預檢驗結果尋找之缺陷位置、隨x-y位置而變之缺陷密度及缺陷分類資訊。來自一使用者之缺陷相關資訊可係基於關於設計弱點、使用者體驗或其他原因之資訊。

根據一項實施例，缺陷相關資訊可將一晶粒上之位置分類成若干類別或給x-y位置指派權數。舉例而言，一第一類別可針對藉由電子束檢驗(EBI)「必須檢驗」之位置，一第二類別可針對具有EBI之一「高權數」之位置，且一 第三類別可針對具有EBI之一「低權數」之位置。舉例而言，一位置之一權數100%可指示必須檢驗此位置，而一位置之一權數0%可指示可忽略(不檢驗)此位置。

根據方塊504，方法500可使用輸入來創建複數(N)個候選關注區域集合。候選集合可具有不同缺陷涵蓋百分比。根據一項實施例，可藉由方塊512至方塊520中所指示之程序創建N個候選檢驗處方。

根據方塊512，創建一初始候選關注區域集合。在此實施例中，該初始候選關注區域集合係根據缺陷相關資訊產生完全(百分百)缺陷涵蓋之一關注區域集合。舉例而言，初始關注區域集合可涵蓋具有EBI之一非零加權之所有位置。可將一變數n設定為1，以指示已創建一個候選集合。

根據方塊514，進行一計算來計算候選關注區域集合之缺陷涵蓋。缺陷涵蓋對於初始候選集合可係100%且對於其他候選集合小於100%。

根據方塊516，可做出關於n是否小於N之一判定。若n小於N，則將存在待創建之更多候選集合，因此程序繼續至方塊518。否則，若n等於N，則程序完成520，從而創建N個候選關注區域集合。

根據方塊518，藉由減小當前候選集合中之關注區域之大小及/或數目來創建下一候選關注區域集合。然後可使變數n遞增一以指示已創建另一候選集合。然後，該程序迴圈回至方塊514。

在根據方塊504創建N個候選關注區域集合之後，方法 500執行方塊506中之步驟。根據方塊506，針對每一候選關注區域集合計算一成本函數之值。舉例而言，成本函數可考量到檢驗候選關注區域集合所需要之一時間之一估計及候選集合所涵蓋之所關心區域(或所關心缺陷)之比例。檢驗所需要之時間越長，成本函數之值即越高，且缺陷涵蓋越小，成本函數之值即越高。

根據方塊508，可選擇具有成本函數之最低值之候選關注區域集合以產生載台速度量變曲線(亦即，檢驗處方)。舉例而言，可使用圖4之方法400產生載台速度量變曲線。

另一選擇係，代替選擇一單個候選關注區域集合，可選擇具有成本函數之低值之多個候選集合。然後可使用此多個候選集合來產生對應載台速度量變曲線，且可允許一使用者選擇該等載台速度量變曲線中之一者以供在檢驗處方中使用。

一項實施例係關於一種經組態以用於一所製造基板之自動檢驗之裝置。該裝置可包含一關注區域選擇模組及一載台速度量變曲線模組。該關注區域選擇模組經組態以選擇一關注區域集合，該等關注區域係待藉由該裝置成像之區。該載台速度量變曲線產生模組經組態以產生一載台速度量變曲線，該載台速度量變曲線對應於檢驗機器能夠檢驗一所提供關注區域集合之最快速度。

另一實施例係關於一種電腦實施之方法。在此方法中，由一處方產生器之一關注區域選擇模組接收檢驗特性、機器特性及晶圓特性。該關注區域選擇模組使用該等特性來 選擇一關注區域集合。該方法亦可使用一載台速度量變曲線產生模組來產生對應於該關注區域集合之一載台速度量變曲線。該方法亦可針對一些情形計算檢驗速度及涵蓋(及可能地該檢驗之其他特性)，並使用一成本函數選擇涵蓋對檢驗時間之最佳折衷。

在以上說明中，給出眾多特定細節以提供對本發明之實施例之一透徹理解。然而，本發明之所圖解說明實施例之以上說明並非意欲為窮盡性的或將本發明限制於所揭示之精確形式。熟習此項技術者將認識到，可在不具有該等特定細節中之一或多者之情形中或者使用其他方法、組件等來實踐本發明。在其他例項中，未詳細展示或闡述眾所周知之結構或操作以避免使本發明之態樣模糊。儘管出於說明性目的而在本文中闡述本發明之特定實施例及實例，但如熟習此項技術者將認識到，可在本發明之範疇內做出各種等效修改。

可根據以上詳細說明對本發明做出此等修改。以下申請專利範圍中所使用之術語不應理解為將本發明限制於說明書及申請專利範圍中所揭示之特定實施例。而是，本發明之範疇將由以下申請專利範圍來判定，該申請專利範圍將根據申請專利範圍解釋之所建立原則來加以理解。

101‧‧‧光軸

102‧‧‧電子槍

103‧‧‧電子發射器

104‧‧‧槍透鏡

105‧‧‧束限制孔口

110‧‧‧電子柱

112‧‧‧柱束電流選擇孔口

113‧‧‧掃描偏轉器

114‧‧‧物鏡

116‧‧‧目標半導體晶圓(或其他目標基板)/晶圓

118‧‧‧可移動基板固持器

132‧‧‧偵測器

140‧‧‧系統控制器

146‧‧‧掃描控制器

148‧‧‧資料處理系統

152‧‧‧檢驗應用程式

154‧‧‧處方產生器

156‧‧‧關注區域選擇模組

158‧‧‧載台速度量變曲線產生模組

202‧‧‧檢驗特性

204‧‧‧機器特性

206‧‧‧基板(晶圓)特性

208‧‧‧輸出

210‧‧‧輸出

圖1係根據本發明之一實施例經組態以用於自動缺陷檢驗之一掃描電子顯微鏡之一剖面圖。

圖2係展示根據本發明之一實施例的一關注區域選擇模 組及一載台速度量變曲線產生模組之輸入及輸出之一示意圖。

圖3係繪示根據本發明之一實施例自動檢驗一所製造基板之一方法之一流程圖。

圖4係繪示根據本發明之一實施例產生對應於一關注區域集合之一載台速度量變曲線之一電腦實施之方法之一流程圖。

圖5係繪示根據本發明之一實施例判定待檢驗之一關注區域集合之一電腦實施之方法之一流程圖。

156‧‧‧關注區域選擇模組

158‧‧‧載台速度量變曲線產生模組

202‧‧‧檢驗特性

204‧‧‧機器特性

206‧‧‧基板(晶圓)特性

208‧‧‧輸出

210‧‧‧輸出

Claims (12)

1. 一種用於在一所製造基板之一表面上檢驗經散射區域之裝置，該裝置包括：一源，其用於產生一束；一透鏡系統，其經組態以將該束聚焦至該基板之一表面上；一偵測器，其經組態以偵測由於該束照射至該表面上而自該基板發射之輻射；一載台，其經組態以固持該基板且使該基板在該束下方可控地移動；一系統控制器，其經組態以執行一檢驗應用程式及一處方產生器，其中該檢驗應用程式係組態於該系統控制器之記憶體中以在該基板之檢驗期間控制該裝置，其中該處方產生器包含一關注區域選擇模組，該關注區域選擇模組經組態以接收檢驗特性、機器特性及晶圓特性、及使用該等特性來選擇一關注區域集合以供該檢驗應用程式使用；及該檢驗應用程式之一載台速度量變曲線產生模組，其中該載台速度量變曲線產生模組經組態以將待偵測之關注區域劃分成待掃描之若干條區、產生關注區域廣度及間隙廣度之一清單、及將關注區域廣度及間隙廣度之該清單劃分成在一第一維度中之間隙廣度不大於在該第一維度中該裝置的一視域之一寬度之若干關注區域群組。
2. 如請求項1之裝置，其中該關注區域選擇模組經組態以創建跨越一缺陷涵蓋百分比範圍之複數個候選關注區域集合。
3. 如請求項2之裝置，其中該關注區域選擇模組進一步經組態以選擇產生一成本函數之一最低值之該候選集合。
4. 如請求項3之裝置，其中當檢驗該候選集合所需要之一所計算時間愈長時，則該成本函數愈高，且當一缺陷涵蓋百分比愈低時，則該成本函數愈高。
5. 如請求項1之裝置，其中該載台速度量變曲線產生模組進一步經組態以尋找每一該關注區域該群組之一最大載台速度、將加速及減速速率限制施加至該最大載台速度以判定每一該關注區域群組之一速率限制最大載台速度、且使用該等關注區域群組之該等速率限制最大載台速度產生一載台速度量變曲線。
6. 一種電腦實施之方法，其包括：在耦合至一電子束檢驗裝置之一電腦系統上執行一處方產生器；由該處方產生器之一關注區域選擇模組接收檢驗特性、機器特性及晶圓特性；藉由該關注區域選擇模組使用該等檢驗特性、機器特性及晶圓特性來選擇一關注區域集合；由一載台速度量變曲線產生模組，接收該關注區域集合；及 藉由該載台速度量變曲線產生模組，使用該關注區域集合，藉由將該等關注區域劃分成待掃描之若干條區、產生關注區域廣度及間隙廣度之一清單、及將關注區域廣度及間隙廣度之該清單劃分成在一第一維度中之間隙廣度不大於在該第一維度中該裝置的一視域之一寬度之若干關注區域群組，以產生一載台速度量變曲線。
7. 如請求項6之電腦實施之方法，其中藉由該關注區域選擇模組選擇該關注區域集合包括：創建跨越一缺陷涵蓋百分比範圍之複數個候選關注區域集合。
8. 如請求項7之電腦實施之方法，其中藉由該關注區域選擇模組選擇該關注區域集合進一步包括：選擇產生一成本函數之一最低值之該候選集合。
9. 如請求項8之電腦實施之方法，其中若檢驗該候選集合所需要之一所計算時間愈長，則該成本函數愈高，且若一缺陷涵蓋百分比愈低，則該成本函數愈高。
10. 如請求項6之電腦實施之方法，其中藉由該載台速度量變曲線產生模組產生該載台速度量變曲線進一步包括：將加速及減速速率限制施加至最大載台速度以判定每一該關注區域群組之一速率限制最大載台速度。
11. 如請求項10之電腦實施之方法，其中藉由該載台速度量變曲線產生模組產生該載台速度量變曲線進一步包括：使用該等關注區域群組之該等速率限制最大載台速度產生一載台速度量變曲線。
12. 一種產生一載台速度量變曲線之電腦實施之方法，該方法包括：接收一關注區域集合；將該等關注區域劃分成待掃描之若干條區；產生關注區域廣度及間隙廣度之一清單；將關注區域廣度及間隙廣度之該清單劃分成在一第一維度中之間隙廣度不大於在該第一維度中該裝置的一視域之一寬度之若干關注區域群組；將加速及減速速率限制施加至最大載台速度以判定每一該等關注區域群組之一速率限制最大載台速度；及使用該等關注區域群組之該等速率限制最大載台速度產生該載台速度量變曲線。