CN113241310A - 晶圆缺陷的检测方法、检测装置、检测设备及可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种晶圆缺陷的检测方法、检测装置、检测设备以及可读存储介质。晶圆缺陷的检测方法包括：确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；确定每个扫描层中与所述预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值；以及依据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置。

Description

晶圆缺陷的检测方法、检测装置、检测设备及可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及一种晶圆缺陷的检测方法、检测装置、检测设备以及存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路所用的载体，因此，晶圆的质量直接影响芯片的良品率及制造成本。在实际制作晶圆的过程中，不可避免的会使部分晶圆存在缺陷，例如，在化学机械研磨过程中可能会在晶圆表面造成表面划痕、表面残留物等缺陷；以及在光刻过程中由于晶圆表面不平整，可能会造成聚焦光斑，色差等缺陷。因此，需要对晶圆进行检测，以得到符合标准的晶圆。

目前大部分工程师在对晶圆进行检测时通常以肉眼观察找出特定的晶圆缺陷类型，例如，通过人眼观察晶圆表面缺陷的分布，进而分析制造过程中产生该缺陷的原因和步骤。但是，这种人工检测的方式大大降低了检测效率和检测的准确度。此外，传统的检测方法还包括采用查阅有关晶圆缺陷的相关资料，然而随着晶圆资料集越来越大，此法大大降低了晶圆缺陷的检测效率。

发明内容

本申请提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的晶圆缺陷的检测方法及其检测装置。

本申请一方面提供了一种晶圆缺陷的检测方法。所述方法包括：确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；确定每个扫描层中与所述预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值；以及依据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置。

在一个实施方式中，确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标包括：通过逐层扫描所述多个扫描层，获取所述预定类型缺陷在所述多个扫描层的坐标。

在一个实施方式中，设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口包括：依据多个所述预定类型缺陷在所述任一扫描层中的坐标设置所述预定窗口。

在一个实施方式中，依据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置包括：获取所述比值大于或等于预定阈值的第一扫描层，所述预定类型缺陷在所述第一扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第一位置；获取与所述第一扫描层相邻的、所述比值小于所述预定阈值的第二扫描层，所述预定类型缺陷在所述第二扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第二位置；以及将所述第一扫描层与所述第二扫描层之间的扫描层确定为所述预定类型缺陷在所述晶圆的产生层，以及将所述第一位置和所述第二位置之间的区域确定为所述预定类型缺陷在所述产生层的具体位置。

在一个实施方式中，所述预定类型缺陷包括形状缺陷、种类缺陷以及尺寸缺陷。

在一个实施方式中，所述方法还包括：根据所述晶圆的尺寸设置所述预定窗口和所述预定阈值。

本申请另一方面提供了一种晶圆缺陷的检测装置。所述检测装置包括：坐标获取模块，获取晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；窗口设置模块，设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；缺陷位置确定模块，确定每个扫描层中与所述预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值；统计所述比值，以确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置。

在一个实施方式中，所述坐标获取模块逐层扫描所述多个扫描层，获取所述预定类型缺陷在所述多个扫描层的坐标。

在一个实施方式中，所述窗口设置模块依据多个所述预定类型缺陷在所述任一扫描层中的坐标设置所述预定窗口。

在一个实施方式中，所述缺陷位置确定模块被配置为：获取所述比值大于或等于预定阈值的第一扫描层，所述预定类型缺陷在所述第一扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第一位置；获取与所述第一扫描层相邻的、所述比值小于所述预定阈值的第二扫描层，所述预定类型缺陷在所述第二扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第二位置；以及将所述第一扫描层与所述第二扫描层之间的扫描层确定为所述预定类型缺陷在所述晶圆的产生层，以及将所述第一位置和所述第二位置之间的区域确定为所述预定类型缺陷在所述产生层的具体位置。

在一个实施方式中，所述预定类型缺陷包括形状缺陷、种类缺陷以及尺寸缺陷。

在一个实施方式中，所述窗口设置模块根据所述晶圆的尺寸设置所述预定窗口和所述预定阈值。

本申请另一方面提供了一种晶圆缺陷的检测设备。所述检测设备包括存储器和处理器。存储器用于存储程序指令，处理器用于与所述存储器通信以执行所述程序指令，从而实现上述晶圆缺陷的检测方法。

本申请另一方面提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质。所述计算机指令用于使所述计算机执行上述晶圆缺陷的检测方法。

根据本申请提供的晶圆缺陷的检测方法及其检测装置可至少具有以下其中之一的优点：

1)通过扫描各个扫描层获得各扫描层存在的缺陷并对各扫描层的缺陷的坐标进行匹配定位，可以将每个缺陷定位至最早出现的位置；

2)本公开通过设置预定窗口来逐步确定缺陷类型在晶圆中的位置，可以提高检测的效率和精确度；以及

3)本公开根据具体的晶圆的尺寸确定预定窗口和预定阈值，既可以提高检测方法及其装置的适用范围，又可以调控不同晶圆中缺陷分析的严苛程度。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。其中：

图1是根据本申请的示例性实施方式的晶圆缺陷的检测方法的流程图；

图2是根据本申请的示例性实施方式的预定类型缺陷及其在一扫描层的坐标；

图3是根据本申请的示例性实施方式的预定类型缺陷在另一扫描层的分布图；

图4是根据本申请的示例性实施方式的晶圆缺陷的检测装置的示意性框图；以及

图5是根据本申请的示例性实施方式的晶圆缺陷的检测设备的示意性框图。

具体实施方式

为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本申请的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。

应注意，在本说明书中，第一、第二、第三等的表述仅用于将一个特征与另一个特征区分开来，而不表示对特征的任何限制，尤其不表示任何的先后顺序。因此，在不背离本申请的教导的情况下，本申请中讨论的第一位置也可被称作第二位置，第一扫描层也可称为第二扫描层，反之亦然。

在附图中，为了便于说明，已稍微调整了部件的厚度、尺寸和形状。附图仅为示例而并非严格按比例绘制。如在本文中使用的，用语“大致”、“大约”以及类似的用语用作表近似的用语，而不用作表程度的用语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的、测量值或计算值中的固有偏差。

此外，在本文中，当描述一个部分位于另一部分“上”时，例如“在……上”、“在……之上”和“在……上方”的含义应以最宽泛的方式来解释，使得“在……上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还包括其间具有中间特征或层的“在某物上”的含义，并且“在……之上”或“在……上方”并非绝对表示以重力方向为基准位于之上之意，也不仅意味着“在某物之上”或“在某物上方”的含义，而且还可以包括其间没有中间特征或层的“在某物之上”或“在某物上方”的含义(即，直接在某物上)。

还应理解的是，诸如“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”等表述在本说明书中是开放性而非封闭性的表述，其表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合的存在。此外，当诸如“...中的至少一个”的表述出现在所列特征的列表之后时，其修饰整列特征，而非仅仅修饰列表中的单独元件。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。

除非另外限定，否则本文中使用的所有措辞(包括工程术语和科技术语)均具有与本申请所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，除非本申请中有明确的说明，否则在常用词典中定义的词语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义解释。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。另外，除非明确限定或与上下文相矛盾，否则本申请所记载的方法中包含的具体步骤不必限于所记载的顺序，而可以任意顺序执行或并行地执行。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

图1是根据本申请的示例性实施方式的晶圆缺陷的检测方法1000的流程图。

如图1所示，本申请提供的晶圆缺陷的检测方法1000可包括：S1，确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；S2，设置多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；S3，确定每个扫描层中与预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值；以及S4，依据比值确定预定类型缺陷在晶圆的位置。下面将进一步描述步骤S1～S4。

步骤S1

在实际制作晶圆的过程中，每经过一道工序后晶圆都有可能在该工序中产生缺陷。本申请提供的晶圆缺陷的检测方法1000在对晶圆缺陷进行检测时，可首先通过逐层扫描晶圆的方式来获取晶圆缺陷的具体类型以及该具体类型的缺陷在多个扫描层的坐标。示例性地，在具有多个扫描层的晶圆的应用中，可以逐层扫描多个扫描层以获得多个扫描层中出现的晶圆缺陷的类型。例如，在多个扫描层中可扫描到凹坑、划痕、圆形、压缩、裂痕等多种形状不同、尺寸不同的具体类型的缺陷。然后可通过建立坐标系的方式将扫描到的多个扫描层的各个具体类型的缺陷的坐标进行匹配定位。例如，可以晶圆的圆心为原点建立三维坐标系，再根据对应位置关系将多个扫描层上的多个缺陷的三维坐标匹配为对应同一平面上的位置关系。应理解，多个扫描层可包括如光刻层、沉积层等。还应理解，本申请并未具体限定晶圆的扫描层的数量，在实际应用中，本申请提供的检测方法可检测具有任何数量扫描层的晶圆。

在示例性实施方式中，本申请可以在晶圆产生的多种类型缺陷中确定至少一种预定类型缺陷，进而确定该预定类型缺陷的缺陷在多个扫描层中的坐标。示例性地，预定类型缺陷可包括形状缺陷、种类缺陷、尺寸缺陷等。例如，图2示出了预定类型缺陷为晶圆表面的凹坑10，以及该多个凹坑10在光刻扫描层的坐标。应理解，图2仅示例性地示出了多个凹坑10及其坐标，并非具体限定光刻扫描层上存在的凹坑10的数量。

步骤S2

在步骤S2中可依据光刻扫描层中的凹坑的坐标设置预定窗口，其中，该预定窗口可至少涵盖部分位于该光刻扫描层的凹坑的坐标。具体地，在图2所示出的光刻扫描层的多个凹坑10及其坐标中，可将预定窗口设置在光刻扫描层中凹坑10较为密集的区域，即该预定窗口可涵盖光刻扫描层中的大部分凹坑10。示例性地，可根据实际应用中晶圆的尺寸具体设置预定窗口的大小。为了合理控制对晶圆缺陷的检测结果的严苛程度，例如，可在晶圆尺寸为400mm的情况下，将预定窗口设置为500nm。应理解，本申请中的预定窗口的大小可根据实际情况中晶圆的尺寸适应性调整。

步骤S3

在步骤S3中，如图3所示的，在例如检测上述凹坑的应用中，可确定沉积层等多个其它扫描层的、与上述预定窗口对应的位置处的凹坑20的坐标数量M。此外，还应确定凹坑20在沉积层等多个其它扫描层中的全部坐标数量N。进而可获得，每个扫描层中的M与N的比值M/N。例如，沉积扫描层上的M为15个，N为27个，则M/N＝56％，即在沉积扫描层的、与上述预定窗口对应的位置的凹坑的坐标数量M占该凹坑在该沉积扫描层中的凹坑的全部坐标数量N的56％。

步骤S4

在步骤S4中，可依据上述比值M/N确定预定类型缺陷在晶圆的位置。具体地，在实际应用中可根据晶圆的尺寸设置预定阈值，其中，该预定阈值可用于评价晶圆缺陷的严重程度。例如，若某一扫描层中的上述比值M/N大于或等于预定阈值时，则代表该扫描层的缺陷比较严重；若扫描层中的上述比值M/N小于预定阈值时，则代表该扫描层的缺陷较轻微。为了合理控制对晶圆缺陷的检测结果的严苛程度，例如，在晶圆尺寸为400mm的情况下，可将预定阈值设置为30％。应理解，本申请中的预定阈值的大小可根据实际情况中晶圆的尺寸作适应性调整。

在示例性实施方式中，可获取上述比值M/N大于或等于预定阈值的第一扫描层，此时，预定类型缺陷在第一扫描层的坐标表示预定类型缺陷在晶圆的第一位置。然后获取与第一扫描层相邻的、比值M/N小于预定阈值的第二扫描层，此时，预定类型缺陷在第二扫描层的坐标表示预定类型缺陷在晶圆的第二位置。这样可以确定第一扫描层与第二扫描层之间的扫描层为预定类型缺陷在晶圆的产生层，即预定类型缺陷集中分布在晶圆的产生层处，晶圆的产生层处的缺陷较为严重。另外，第一位置和第二位置之间的区域为预定类型缺陷在产生层的具体位置，即预定类型缺陷在晶圆的产生层分布较为集中。应理解，本申请限定的产生层可以理解为预定类型缺陷在晶圆中产生的集中区域。

图4是根据本申请的示例性实施方式的晶圆缺陷的检测装置2000的示意性框图。

晶圆缺陷的检测装置2000可包括坐标获取模块2100、窗口设置模块2200以及缺陷位置确定模块2300。

坐标获取模块2100可用于获取晶圆中预定类型缺陷在多个扫描层的坐标。窗口设置模块2200可依据多个预定类型缺陷的坐标设置预定窗口，其中预定窗口可至少涵盖位于任一扫描层的部分预定类型缺陷。本申请可以在晶圆产生的多种类型缺陷中确定至少一种预定类型缺陷，进而确定该预定类型缺陷在多个扫描层中的坐标。示例性地，预定类型缺陷可包括形状缺陷、种类缺陷、尺寸缺陷，例如，预定类型缺陷为晶圆表面的凹坑。坐标获取模块2100可获取该多个凹坑在光刻扫描层的坐标。示例性地，可根据实际应用中晶圆的尺寸具体设置预定窗口的大小。为了合理控制对晶圆缺陷的检测结果的严苛程度，例如，可在晶圆尺寸为400mm的情况下，将预定窗口设置为500nm。应理解，本申请中的预定窗口的大小可根据实际情况中晶圆的尺寸适应性调整。

缺陷位置确定模块2300可用于计算每个扫描层的、与预定窗口对应的位置的预定类型缺陷的数量与每个扫描层中全部预定类型缺陷的数量的比值。在例如检测上述凹坑的应用中，可确定沉积扫描层等多个其它扫描层的与上述预定窗口对应的部分中确定的凹坑的坐标数量M，还应确定凹坑在沉积扫描层等多个其它扫描层中的全部坐标数量N，进而可获得，每个扫描层中的M与N的比值M/N。例如，M为15个，N为27个，则M/N＝56％，即在任一扫描层的、与上述预定窗口对应的部分中确定凹坑的坐标数量M占该凹坑在该任一扫描层中的全部坐标数量N的56％。

缺陷位置确定模块2300可依据上述比值M/N、确定预定类型缺陷在晶圆的位置。具体地，在实际应用中可根据晶圆的尺寸设置预定阈值，其中，该预定阈值可用于评价晶圆缺陷的严重程度。例如，若扫描层中的上述比值M/N大于或等于预定阈值时，则代表该扫描层的缺陷比较严重；若扫描层中的上述比值M/N小于预定阈值时，则代表该扫描层的缺陷较轻微。为了合理控制对晶圆缺陷的检测结果的严苛程度，例如，在晶圆尺寸为400mm的情况下，可将预定阈值设置为30％。应理解，本申请中的预定阈值的大小可根据实际情况中晶圆的尺寸作适应性调整。

在示例性实施方式中，坐标获取模块2100还可包括扫描单元(未示出)，用于逐层扫描晶圆，以获取晶圆缺陷的类型以及晶圆缺陷的类型的缺陷在多个扫描层的坐标。例如，扫描单元可以是机械旋转式扫描装置或其它扫描装置。扫描单元主要用于逐层扫描晶圆。应理解，本申请并未具体限定扫描单元的结构，任何能够实现逐层扫描晶圆功能的扫描装置均可适应于本申请中。

扫描单元可首先通过逐层扫描晶圆的方式来获取晶圆缺陷的具体类型以及该具体类型的缺陷在多个扫描层的坐标。示例性地，在具有多个扫描层的晶圆的应用中，可以逐层扫描该多个扫描层以获得多个扫描层中出现的晶圆缺陷的类型。例如，在多个扫描层中可扫描到凹坑、划痕、圆形、压缩、裂痕等多种形状不同、大小不同的具体类型缺陷。然后可通过建立坐标系将扫描到的多个扫描层的各个具体类型的缺陷的坐标进行匹配定位。例如，可以晶圆的圆心为原点建立三维坐标系，再根据对应位置关系将多个扫描层的多个缺陷的三维坐标匹配成对应同一平面上的位置关系。应理解，多个扫描层可包括如光刻层、沉积层等。还应理解，本公开对晶圆的扫描层的个数的介绍仅为示例，并非严格限制，即本申请并未具体限定晶圆的扫描层的数量。在实际应用中，本公开提供的检测方法可检测具有任何数量扫描层的晶圆。

在示例性实施方式中，可获取上述比值M/N大于或等于预定阈值的第一扫描层，此时，预定类型缺陷在第一扫描层的坐标表示预定类型缺陷在晶圆的第一位置。然后获取与第一扫描层相邻的、比值M/N小于预定阈值的第二扫描层，此时，预定类型缺陷在第二扫描层的坐标表示预定类型缺陷在晶圆的第二位置。这样可以确定第一扫描层与第二扫描层之间的扫描层为预定类型缺陷在晶圆的产生层；以及第一位置和第二位置之间的区域为预定类型缺陷在产生层的具体位置。特别地，本申请限定的产生层可以理解为预定类型缺陷在晶圆中产生的集中区域。

本申请提供的晶圆缺陷的检测方法及其检测装置，通过扫描每个扫描层可获取各个扫描层上出现的缺陷并确定各个缺陷的坐标，可以将多个扫描层的缺陷的坐标进行匹配定位，进而可确定具体类型缺陷的缺陷在晶圆中产生的最早步骤，有利于辅助后续建模。本公开通过设置预定窗口辅助确定晶圆缺陷的具体位置，既可以保留产生缺陷的关键信息，又可以保证适当的缺陷信息的特性维度，进而使得获得的数据信息符合建模的健康范围。本申请通过设置预定窗口和阈值作为评价晶圆缺陷的依据，可以在实际应用中，针对不同的机台合理调控分析晶圆缺陷的严苛程度。

根据本申请的实施例，本申请还提供了一种晶圆的检测设备和一种可读存储介质。

如图5所示，是根据本申请实施例的用于晶圆的检测设备3000的框图。该设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。该设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本申请的实现。

如图5所示，该晶圆的检测设备3000包括：一个或多个处理器3100、存储器3200，以及用于连接各部件的接口，包括高速接口和低速接口。各个部件利用不同的总线互相连接，并且可以被安装在公共主板上或者根据需要以其它方式安装。处理器可以对在电子设备内执行的指令进行处理，包括存储在存储器中或者存储器上以在外部输入/输出装置(诸如，耦合至接口的显示设备)上显示GUI的图形信息的指令。在其它实施方式中，若需要，可以将多个处理器和/或多条总线与多个存储器和多个存储器一起使用。同样，可以连接多个电子设备，各个设备提供部分必要的操作(例如，作为服务器阵列、一组刀片式服务器、或者多处理器系统)。图5中以一个处理器3100为例。

存储器3200即为本申请所提供的非瞬时计算机可读存储介质。其中，存储器存储有可由至少一个处理器执行的指令，以使至少一个处理器执行本申请所提供的晶圆的检测方法。本申请的非瞬时计算机可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使计算机执行本申请所提供的用于晶圆的检测方法。

存储器3200作为一种非瞬时计算机可读存储介质，可用于存储非瞬时软件程序、非瞬时计算机可执行程序以及模块。处理器3100通过运行存储在存储器3200中的非瞬时软件程序、指令以及模块，从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的用于晶圆检测的方法。

存储器3200可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据用于控制质量的电子设备的使用所创建的数据等。此外，存储器3200可包括高速随机存取存储器，还可以包括非瞬时存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非瞬时固态存储器件。在一些实施例中，存储器3200可包括相对于处理器3100远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至用于晶圆的检测设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

用于晶圆的检测设备3000还可以包括：输入装置3300和输出装置3400。处理器3100、存储器3200、输入装置3300和输出装置3400可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。

输入装置3300可接收输入的数字或字符信息，以及产生与用于控制质量的电子设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入，例如触摸屏、小键盘、鼠标、轨迹板、触摸板、指示杆、一个或者多个鼠标按钮、轨迹球、操纵杆等输入装置。输出装置3400可以包括显示设备、辅助照明装置(例如，LED)和触觉反馈装置(例如，振动电机)等。该显示设备可以包括但不限于，液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器和等离子体显示器。在一些实施方式中，显示设备可以是触摸屏。

此处描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、专用ASIC(专用集成电路)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。

这些计算程序(也称作程序、软件、软件应用、或者代码)包括可编程处理器的机器指令，并且可以利用高级过程和/或面向对象的编程语言、和/或汇编/机器语言来实施这些计算程序。如本文使用的，术语“机器可读介质”和“计算机可读介质”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何计算机程序产品、设备、和/或装置(例如，磁盘、光盘、存储器、可编程逻辑装置(PLD))，包括，接收作为机器可读信号的机器指令的机器可读介质。术语“机器可读信号”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何信号。

为了提供与用户的交互，可以在计算机上实施此处描述的系统和技术，该计算机具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给计算机。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。

可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)和互联网。

计算机系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。服务器也可以是云服务器，或者是带人工智能技术的智能云计算服务器或智能云主机。服务器可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。服务器也可以是云服务器，或者是带人工智能技术的智能云计算服务器或智能云主机。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本申请公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

以上描述仅为本申请的实施方式以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的保护范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离技术构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (14)

1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；

设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；

确定每个扫描层中与所述预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值；以及

依据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标包括：

通过逐层扫描所述多个扫描层，获取所述预定类型缺陷在所述多个扫描层的坐标。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口包括：

依据多个所述预定类型缺陷在所述任一扫描层中的坐标设置所述预定窗口。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置包括：

获取所述比值大于或等于预定阈值的第一扫描层，所述预定类型缺陷在所述第一扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第一位置；

获取与所述第一扫描层相邻的、所述比值小于所述预定阈值的第二扫描层，所述预定类型缺陷在所述第二扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第二位置；以及

将所述第一扫描层与所述第二扫描层之间的扫描层确定为所述预定类型缺陷在所述晶圆的产生层，以及将所述第一位置和所述第二位置之间的区域确定为所述预定类型缺陷在所述产生层的具体位置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述预定类型缺陷包括形状缺陷、种类缺陷以及尺寸缺陷。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述晶圆的尺寸设置所述预定窗口和所述预定阈值。

7.一种晶圆缺陷的检测装置，其特征在于，包括：

坐标获取模块，获取晶圆中的多个预定类型缺陷在多个扫描层的坐标；

窗口设置模块，设置所述多个预定类型缺陷中的至少涵盖任一扫描层的缺陷的预定窗口；

缺陷位置确定模块，确定每个扫描层中与所述预定窗口对应的预定类型缺陷与每个扫描层中全部预定类型缺陷的比值，并根据所述比值确定所述预定类型缺陷在所述晶圆的位置。

8.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述坐标获取模块逐层扫描所述多个扫描层，获取所述预定类型缺陷在所述多个扫描层的坐标。

9.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述窗口设置模块依据多个所述预定类型缺陷在所述任一扫描层中的坐标设置所述预定窗口。

10.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于，所述缺陷位置确定模块被配置为：

获取所述比值大于或等于预定阈值的第一扫描层，所述预定类型缺陷在所述第一扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第一位置；

获取与所述第一扫描层相邻的、所述比值小于所述预定阈值的第二扫描层，所述预定类型缺陷在所述第二扫描层的坐标表示所述预定类型缺陷在所述晶圆的第二位置；以及

将所述第一扫描层与所述第二扫描层之间的扫描层确定为所述预定类型缺陷在所述晶圆的产生层，以及将所述第一位置和所述第二位置之间的区域确定为所述预定类型缺陷在所述产生层的具体位置。

11.根据权利要求7-10中任一项所述的检测装置，其特征在于，所述预定类型缺陷包括形状缺陷、种类缺陷以及尺寸缺陷。

12.根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于，所述窗口设置模块根据所述晶圆的尺寸设置所述预定窗口和所述预定阈值。

13.一种晶圆缺陷的检测设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储程序指令；以及

处理器，用于与所述存储器通信以执行所述程序指令，实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。

14.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机指令用于使所述计算机执行如权利要求1-6中任一项所述的方法。

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