CN109671636A - 半导体芯片检查装置 - Google Patents

Abstract

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

Description

半导体芯片检查装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0133184的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体芯片检查装置。

背景技术

在制造半导体芯片的过程中，顺序执行多个处理。因此，在任意一个处理中发生缺陷的情况下，缺陷可一直存在到最后的处理。因此，为了改善生产率，在完成制造过程之前检测和移除有缺陷的半导体芯片的处理是重要的。在光学检查设备或电子束(e-beam)检查设备的情况下，可容易地检测到可在半导体芯片的表面上看到的缺陷，但它们对检测半导体芯片内的缺陷存在限制。由于在半导体芯片已经被制造出来之后,才可能通过对半导体芯片供电来确认半导体芯片是否能够正常操作的检查，因此对在早期阶段移除有缺陷的半导体芯片存在限制。

发明内容

本发明构思的方面提供在早期阶段检测半导体芯片中的缺陷的半导体芯片检查装置。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：腔室、传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置容纳在所述腔室中并提供传送路径，被加热到高于所述腔室中的温度的温度的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为通过处理所述多个热成像图像来生成热成像图像组，并检测在所述热成像图像组和预先提供的标准图像组之间的温差超过参考值的区域，以检测在所述半导体芯片中的缺陷。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送部分、拍照部分和分析部分。传送部分提供传送路径，在传送处理期间从第一温度冷却到第二温度的半导体芯片在所述传送路径上移动。拍照部分设置在所述传送路径上方且配置为捕获所述半导体芯片的热成像图像。分析部分配置为通过比较所述热成像图像和预先提供的多个标准图像来检测温差超过参考值的区域，同时检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，且将所述热成像图像的值乘以允许所述具有最高温度的部分和所述具有最低温度的部分中的温差增加的放大因数。

附图说明

根据以下结合附图进行的具体描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中，

图1是根据示例实施例的半导体芯片检查装置的示意图；

图2是图1的部分‘A’的放大图；

图3是根据示例实施例的通过拍照部分在不同焦点处对半导体芯片进行成像的示图；

图4包括部分(a)、(b)和(c)，其是在分析部分中生成的热成像图像组的示意图；

图5包括部分(a)、(b)和(c)，其是标准图像组的示意图；

图6包括部分(a)、(b)和(c)，其是热成像图像组和标准图像组的相减处理的结果的示意图；

图7是根据示例实施例的图1的半导体芯片检查装置的修改的示例；和

图8是根据示例实施例的说明使用图1的半导体芯片检查装置来检查半导体器件的方法的主要操作的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述示例实施例。

参考图1至图3，将描述根据示例实施例的半导体芯片检查装置。图1是根据示例实施例的半导体芯片检查装置的示意图；图2是图1的部分‘A’的放大图；并且图3是根据示例实施例的通过拍照部分在不同焦点处对半导体芯片进行成像的示图。

如本文使用的，半导体芯片指代从半导体晶圆形成的并在其上包括集成电路的裸片。例如，半导体芯片可以是存储器芯片或逻辑芯片。更普遍地，半导体芯片可以被称为半导体器件，该术语还用来描述半导体封装件。半导体封装件可包括在封装件基板上堆叠的并由模制层覆盖的一个或多个半导体芯片。半导体封装件还可指代层叠封装件器件，其包括堆叠形成的多个封装件。

参考图1和图2，根据示例实施例的半导体芯片检查装置10可包括传送半导体芯片P1和P2的传送部分200、捕获半导体芯片P1和P2的热成像图像的拍照部分300以及处理和分析已经被捕获的热成像图像的分析部分400。根据示例实施例，可提供容纳传送部分200的腔室100。

半导体芯片检查装置10可设置在制造半导体芯片的各处理之间的传送路径上。此外，在一些实施例中，在制造过程中，半导体芯片检查装置10可设置在加热半导体芯片的处理及其随后的处理之间。例如，在封装半导体芯片的处理期间，半导体芯片检查装置10可设置在模制处理及其随后的处理(如，分拣、标记或测试)之间，其中，在模制处理中，加热半导体芯片同时放置模制材料以覆盖半导体芯片。以此方式，半导体芯片检查装置10对半导体芯片的检查可在半导体芯片处于封装件形式(其包括包封模制层)之后发生。

装载在示例实施例的半导体芯片检查装置10中的半导体芯片P1和P2可在先前处理中在被加热到第一温度的状态下设置。加热后的半导体芯片P1和P2在半导体芯片检查装置10中传递的处理中可逐渐冷却到第二温度。根据示例实施例，可将测量半导体芯片的温度的温度测量装置设置在半导体芯片检查装置10的半导体芯片P1和P2的入口部分IN和出口部分OUT中。例如，温度测量装置可包括连接到处理器的一个或多个温度传感器。处理器可以是分析部分400的一部分或可与分析部分400分开。在入口部分IN和出口部分OUT中测量的温度减小超过参考值的情况下，可在其中包括温度维持系统，该温度维持系统减小半导体芯片P1和P2冷却的速度。

先前处理被设置为在制造半导体芯片的过程中必然加热半导体芯片的处理，且先前处理指代其中半导体芯片在以下处理中被加热的处理：使用模制材料以与作为示例引用的模制处理类似的方式在半导体芯片的外部上形成包封层。详细地，在半导体芯片在模制处理中被加热时，第一温度可在130℃至150℃的范围内，而第二温度可为室温。因此，在示例实施例的情况下，由于用于在半导体芯片装载到半导体芯片检查装置10之前对半导体芯片加热的单独的加热装置是不必要的，因此，可防止由进一步加热待检查的半导体芯片引起的制造过程的延迟。示例实施例的半导体芯片P1和P2可设置为封装的半导体芯片，但不限于此。例如，半导体芯片P1和P2可设置为处于在被封装之前的状态下或晶圆状态下的半导体芯片，且在某些实施例中，在处理半导体芯片或晶圆期间，检查可发生在自然加热处理之后。

腔室100可设置在将先前处理的腔室C1连接到随后处理的腔室C2的移动路径上。腔室100可设置为具有足够的大小以在其内部空间中容纳传送部分200。根据示例实施例，腔室100可设置为具有足够的大小以在其中容纳拍照部分300。观察窗还可设置在腔室100的侧壁上，以从腔室100的外部观察腔室100的内部。

腔室100的内部温度可低于第一温度，第一温度例如为半导体芯片P1和P2通过入口部分IN进入的温度。因此，半导体芯片P1和P2在腔室100的内部中移动的同时可被冷却。腔室100可以是封闭空间，其具有四个壁、顶部板和底部板，并且腔室100可以具有一个或多个门或入口通道，半导体芯片P1和P2可通过所述一个或多个门或入口通道进入和离开。

可以是传送装置的传送部分200可以将先前处理的腔室C1连接到随后处理的腔室C2，并可以应用各种输送装置以沿着预定路径连续传送半导体芯片。在示例实施例中，可应用传送带。

拍照部分300可设置在半导体芯片P1和P2的传送路径上方且可捕获半导体芯片P1和P2的待发送到分析部分400的热成像图像。

如图2中所示，还描述为图像捕获装置的拍照部分300可设置在传送部分200上方，且包括沿传送部分200布置的一个或多个热成像相机310和320。在拍照部分300包括多个热成像相机310和320的情况下，多个热成像相机310和320可设置为通过以下方式彼此分开：热成像相机310和320的中央部分之间的距离D1等于半导体芯片P1和P2的中央部分之间的距离D2。例如，热成像相机310和320可检测从半导体芯片发出的热，并可使用颜色表示不同温度来输出表示已经发出的热的温度分布的热成像图像。可使用其他温度表示，如，灰度或其他单色色标，其中，图像的暗度或明度的量/强度表示较高温度和较低温度。以此方式，拍照部分300配置为通过对每个半导体芯片进行成像以生成热成像图像。通常，制造半导体芯片的过程可包括顺序执行的多个处理，同时半导体芯片可能具有在各个处理中发生的缺陷。详细地，缺陷可能频繁发生在加热半导体芯片的模制处理中。在模制处理中，催化剂(例如，磷(P))可集中于半导体芯片的端部部分。在此情况下，在湿气与该端部部分接触时，会发生模制材料剥落的缺陷。然而，在模制半导体芯片的处理中发生的缺陷可以出现在模制物内部。因此，存在使用现有技术的光学检查设备或电子束(e-beam)检查设备来确认缺陷已经发生在半导体芯片中的限制，因为这种设备只能够确认可在包括半导体芯片的半导体器件的表面上看到的缺陷，因此，在模制处理之后，半导体芯片的表面不再是可见的。

在示例实施例中，半导体芯片的热成像图像可经成像以与正常操作(如，没有缺陷)的半导体芯片的热成像图像进行比较，从而确认半导体芯片是否具有缺陷。在制造半导体芯片的过程中发生的缺陷可例如发生在光刻处理或蚀刻处理未如期望的那样执行时，在制造过程期间从外部源引入异物时，在化学变化(如，氧化)发生在使用半导体层形成的结构中时，或在其中出现裂缝时。由于缺陷的物理性质的差异，已经发生缺陷的区域与正常无缺陷的半导体芯片的相同区域具有导热性差异。因此，从已经发生缺陷的区域发出的热的分布不同于从正常无缺陷的半导体芯片的相同区域发出的热的分布。因为由上述热产生的红外光波长具有比其他波长的光更高的透射水平，因此可以容易地检测到从半导体芯片的下部发出的红外光波长。

在示例实施例中，半导体芯片的热分布可通过要与正常(如，无缺陷的)半导体芯片的热分布进行比较的热成像图像来确认，从而确认缺陷是否已经在被测量的半导体芯片中发生。

根据示例实施例，热成像相机310和320可分别连接到移动台311和321。因此，根据需要，可以以下方式捕获多个热成像图像：将热成像相机310和320移动到左侧或右侧，或通过上下移动热成像相机310和320来在对象的厚度方向上改变焦点。

图3说明以下处理：其中，热成像相机310在厚度方向上从半导体芯片P1的前表面FD在不同焦点F1、F2和F3处捕获三张热成像图像。图4的(a)至(c)说明已经被捕获的三张热成像图像IMGL1-IMGL3。

热成像相机310可在不同焦点F1、F2和F3处捕获在厚度方向上堆叠的虚拟层L1、L2和L3的热成像图像。每个虚拟层对应于在半导体芯片内的恒定垂直高度和该芯片的存在于该垂直高度处的元件和组件。热成像相机310可在透镜312的不同焦点处、在从与半导体芯片P1的表面相对应的层L1到设置在半导体芯片P1的最下部分中的层L3的方向上顺序捕获的热成像图像。根据示例实施例，在捕获到传送部分200的热成像图像之前，通过顺序增加在半导体芯片P1的厚度方向上的焦距，可捕获热成像图像。因此，还可捕获到根据具有不同厚度的各种类型的半导体芯片的厚度的多个热成像图像。

根据示例实施例，热成像相机可设置在半导体芯片检查装置10的入口部分IN和出口部分OUT中，且可通过计算由热成像相机捕获的热成像图像的平均值，从而测量半导体芯片P1和P2的各组件或各区域的温度作为平均值。例如，在第一温度下的第一图像可示出某种第一温度分布，而在第二温度下的第二图像可示出某种第二温度分布。温度分布可揭示出检测到的热的不同强度。因此，两个图像可被平均以得到每个半导体芯片的平均图像。因此，拍照部分300可包括第一相机(如，拍摄一个或多个相应半导体芯片的一个或多个相机)，以拍摄半导体芯片检查装置10的入口部分IN附近的半导体芯片，且可包括第二相机(如，拍摄一个或多个相应半导体芯片的一个或多个相机)，以拍摄半导体芯片检查装置10的出口部分OUT附近的半导体芯片。

分析部分400可比较通过拍照部分300捕获的热成像图像和预先提供的多个标准图像，以检测其中(如，在捕获的热成像图像和标准图像之一之间的)温差超过参考值的区域，从而检测半导体芯片P1和P2中的缺陷。还描述为分析系统的分析部分400可由计算机实施并可包括已知的计算机技术，如，处理和存储器硬件、输入/输出接口、和各种软件程序，其将分析系统配置为通过执行如本文所述的各种计算和比较来执行该检测。还应当注意，作为在所公开的技术的领域中的传统，按照与处理技术(如，计算机)相关的装置和系统的方式在附图中描述和说明特征和实施例。本领域技术人员将理解，这些装置和系统在物理上通过电子(或光学)电路(如，逻辑电路、离散组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、有线连接等)来实施，并且它们可使用软件(如，微代码)被编程以执行本文讨论的各种功能并可选择地由固件驱动。另外，在不偏离本发明构思的范围的情况下，实施例的装置或系统还可以是单个装置(如，独立的计算机)或可以物理地分成两个或更多个相互作用的离散的单元。

将详细提供该检测处理的说明。例如，在一个实施例中，分析部分400可存储在拍照部分300中捕获的半导体芯片P1和P2中的每一个的多个热成像图像以进行处理，从而生成对应于半导体芯片P1和P2中的每一个的热成像图像组。在此情况下，分析部分400可执行信号处理以放大有缺陷的信号，以强调包括在热成像图像中的有缺陷的信号。作为上述信号处理的示例，可检测到在捕获的热成像图像中的具有最高温度的区域和具有最低温度的区域，且可将允许上述部分中的温差增加的放大因数乘以一个值，从而与其他信号相比强调有缺陷的信号。

此外，分析部分400可处理预先提供的多个标准图像，从而生成标准图像组。分析部分400可比较标准图像组与相应热成像图像组并检测温差超过参考值的区域，从而确定在半导体芯片P1和P2中是否已经发生缺陷。多个标准图像可设置为之前在分析部分400中存储的数据，且可包括存储了通常可被辨别的半导体芯片的热成像图像的数据。

将参考图4的(a)至图6的(c)详细提供其说明。

图4的(a)至图4的(c)是在分析部分中生成的热成像图像组的示意图；图5的(a)至5的(c)是与其对应的标准图像组的示意图；并且图6的(a)至6的(c)是热成像图像组和标准图像组的相减处理的结果的示意图。图4的(b)的附图标记DF1至DF4标记出缺陷被成像的区域。

分析部分400可处理图4的(a)至图4的(c)的热成像图像IMGL1至IMGL3以生成单个热成像图像组，且可对图5的(a)至图5的(c)的与其对应的标准图像组的标准图像RIMGL1、RIMGL2和RIMGL3执行相减处理，从而生成图6的(a)至图6的(c)的结果值DIMGL1至DIMGL3。在一个实施例中，图4可以表示在单个半导体芯片内的三个不同的垂直层。在一些情况下，如图4所示，即使在已经被捕获的热成像图像IMGL1至IMGL3与标准图像RIMGL1至RIMGL3不同的情况下，当它们之间的差异小于预定参考值时，热成像图像IMGL1至IMGL3与标准图像RIMGL1至RIMGL3也可被确定为具有相同值(且因此为无缺陷的)。例如，在成像的缺陷的大小(如，物理大小(如，面积)或强度大小(如，温差))小于参考值的大小的情况下，热成像图像IMGL1至IMGL3与标准图像RIMGL1至RIMGL3可被确定为具有相同值。能够确认，在图4的(b)中成像的缺陷DF1至DF3中的具有相对小的大小的缺陷DF2和DF3在图6的(b)的结果值中未被确定为是有缺陷的。从这个意义上来说，基于阈值，还描述为可能的缺陷的检测到的缺陷可不同于确定的缺陷，高于该阈值的检测到的缺陷被确定为缺陷，而低于该阈值的检测到的缺陷不被确定为缺陷。阈值可以对应于标准图像和热成像图像之间的差的大小或强度。

由于图6的(a)不包括缺陷被成像的区域，因此，缺陷区域不在结果值DIMGL1中被标记。然而，可确认缺陷DF5和DF6在图6的(b)和图6的(c)中被成像。因此，分析部分400通过确认结果值可确认是否在捕获的热成像图像中成像了缺陷。分析部分400可基于上述处理确定在半导体芯片P1中已经发生实际缺陷的位置并对该位置进行标记。此外，在半导体装置中已经发生缺陷的位置可被存储以建立数据库，且与已经发生缺陷的区域相关的数据可提供给用户且可用于随后设计和/或制造过程(如，用于校正缺陷)。

根据示例实施例，半导体芯片检查装置10可进一步包括分拣系统，其分拣和移除确认为具有缺陷的半导体芯片。例如，分拣系统可包括机械分拣轨道或机器人臂，其通过软件配置以分拣和移除确认为具有缺陷的半导体芯片。

图7是图1的半导体芯片检查装置10的修改的示例。由于图7的部分‘B’与图2的示例相同，因此将参考图2提供其说明。将使用相同附图标记描述对应于上述组件的组件。

图7的半导体芯片检查装置10’不同之处在于在图1的半导体芯片检查装置10中还包括减小半导体芯片P1和P2冷却的速度的温度维持系统500。在半导体芯片检查装置10’中，分别测量半导体芯片P1和P2的温度的第一温度测量装置610(如，传感器)和第二温度测量装置620(如，传感器)可设置在入口部分IN和出口部分OUT中。半导体芯片检查装置10’可基于在第一温度测量装置610和第二温度测量装置620中的每一个中测量的温度来检测半导体芯片P1和P2的温度的减小。在半导体芯片P1和P2的温度的减小超过参考值的情况下，半导体芯片P1和P2可被加热到在其中半导体芯片P1和P2的温度不超过在入口部分IN中测量的温度的范围内的温度，从而减小半导体芯片P1和P2被冷却的速度。例如，加热可由加热元件和控制器控制，该控制器是分析系统400的一部分或与分析系统400分开。

接下来，参考图8，将描述根据某些实施例的使用半导体芯片检查装置来检查半导体器件的方法。将使用相同附图标记描述对应于上述组件的组件。

首先，在S1中，在先前处理中加热到第一温度的半导体芯片可装载到半导体芯片检查装置10中。半导体芯片P1可沿着在半导体芯片检查装置10的传送部分200上的传送路径以预定间隔连续传送。以下描述是半导体芯片P1装载到传送部分200且先前已经被装载的半导体芯片的温度值存储在分析部分400中的情况。

分析部分400可确认其中存储的半导体芯片的温度值是否低于参考值，并在S2中确定沿着传送路径传送的半导体芯片P1的温度是否可被调节。在需要调节温度的情况下，在S3中，可操作降低半导体芯片的温度的减少的温度维持系统。

随后，在S4中，还描述为图像捕获装置的拍照部分300可捕获待传送到分析系统400的半导体芯片P1的热成像图像。

在S5中，分析部分400可确定是否需要对已经传送的热成像图像的信号进行放大。如果必要，在S6中，分析部分400可检测在热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，并可将在具有最高温度的部分和具有最低温度的部分中的热成像图像的值乘以允许温差增加的放大因数。

在S7中，分析部分400可比较预先存储的标准图像和热成像图像，且在S8中，分析部分400可通过执行相减处理来确定是否在捕获的热成像图像中成像了缺陷。如果不存在缺陷(S8,否)，则半导体芯片传送到下一个制造处理。例如，该处理可以是标记处理或测试处理或将半导体芯片分拣到无缺陷的芯片组中。

在S9中，分析系统400可确认对应于在其上成像了缺陷的热成像图像的半导体芯片有缺陷，且因此，在S10中，选择性地将半导体芯片从制造过程中(如，在分拣处理中)移除。

如上所述，根据本公开的示例实施例，半导体芯片检查装置可在较早阶段中检测到半导体芯片中的缺陷，从而改善生产率。

尽管已经在上面示出和描述示例实施例，但是对本领域技术人员而言明显的是，在不偏离如由随附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变化。

Claims (20)

1.一种半导体芯片检查装置，包括：

传送装置，其提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动；

图像捕获装置，其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像；和

分析系统，其配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为确定在所述温差超过所述参考值时已经发生在所检测的区域中的缺陷。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述图像捕获装置包括至少一个热成像相机。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为通过处理所述多个热成像图像生成热成像图像组，且通过将所述热成像图像组与包括所述多个标准图像的标准图像组进行比较以分析所述热成像图像组。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为比较所述热成像图像组和所述标准图像组，选择其中发生了相对于来自所述标准图像组的相应标准图像的温度分布差异的热成像图像，并使用该热成像图像和所述温度分布差异来确定在所述半导体芯片中已经发生缺陷的位置。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述图像捕获装置包括沿着所述传送路径设置的多个热成像相机。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片检查装置，其中，所述半导体芯片包括沿着所述传送路径以预定间隔连续传送的多个半导体芯片中的一个，且所述多个热成像相机设置为彼此分开所述预定间隔。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，所述半导体芯片检查装置配置为使得在所述半导体芯片沿着所述传送路径移动的同时所述半导体芯片的温度降低。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片检查装置，还包括温度测量装置，该温度测量装置测量所述半导体芯片的温度。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片检查装置，还包括温度维持系统，该温度维持系统配置为在所述半导体芯片的温度的降低超过预定参考值时减小所述半导体芯片的温度的降低。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，且将所述热成像图像在所述具有最高温度的部分和所述具有最低温度的部分中的值乘以允许温差增加的放大因数。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，还包括分拣系统，该分拣系统配置为分拣和移除包括如下的区域的半导体芯片：在该区域中热成像图像和相应标准图像之间的所述温差超过所述参考值。

13.一种半导体芯片检查装置，包括：

腔室；

传送装置，其容纳在所述腔室中并提供传送路径，被加热到高于所述腔室中的温度的温度的半导体芯片在所述传送路径上移动；

图像捕获装置，其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像；和

分析系统，其配置为通过处理所述多个热成像图像来生成热成像图像组，并检测在所述热成像图像组和预先提供的标准图像组之间的温差超过参考值的区域，以检测在所述半导体芯片中的缺陷。

14.根据权利要求13所述的半导体芯片检查装置，其中，设置在所述传送路径上方的所述图像捕获装置配置为在所述半导体芯片进入所述腔室时和在所述半导体芯片离开所述腔室时多次对所述半导体芯片进行成像。

15.一种半导体芯片检查装置，包括：

传送部分，其提供传送路径，在传送处理期间从第一温度冷却到第二温度的半导体芯片在所述传送路径上移动；

拍照部分，其设置在所述传送路径上方且配置为捕获所述半导体芯片的热成像图像；和

分析部分，其配置为通过比较所述热成像图像和预先提供的多个标准图像来检测温差超过参考值的区域，同时检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，且将所述热成像图像的值乘以允许所述具有最高温度的部分和所述具有最低温度的部分中的温差增加的放大因数。

16.根据权利要求15所述的半导体芯片检查装置，还包括温度测量装置，该温度测量装置配置为测量所述半导体芯片的温度。

17.根据权利要求16所述的半导体芯片检查装置，包括温度维持系统，该温度维持系统配置为在所述半导体芯片的温度的降低超过预定参考值时减小所述半导体芯片的温度的降低。

18.根据权利要求15所述的半导体芯片检查装置，其中，所述第一温度在130℃至150℃的范围内。

19.根据权利要求15所述的半导体芯片检查装置，还包括腔室，该腔室容纳所述传送部分，

其中，所述腔室中的温度低于所述第一温度。

20.根据权利要求15所述的半导体芯片检查装置，其中，在所述传送处理期间，所述半导体芯片从所述第一温度逐渐冷却到所述第二温度。