CN116547734A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116547734A
CN116547734A CN202080107749.XA CN202080107749A CN116547734A CN 116547734 A CN116547734 A CN 116547734A CN 202080107749 A CN202080107749 A CN 202080107749A CN 116547734 A CN116547734 A CN 116547734A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film
insulating film
semiconductor layer
conductor region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080107749.XA
Other languages
English (en)
Inventor
宫本忠芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN116547734A publication Critical patent/CN116547734A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs

Abstract

第一TFT(9A)包括：由多晶硅形成的第一半导体层(15a)；设置在第一半导体层(15a)之上的栅极绝缘膜(16a)；设置在栅极绝缘膜(16a)之上的第三半导体层(17a)；和设置在第三半导体层(17a)之上的第一栅极(18a)，第二TFT(9B)包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层(17b)；和分别设置在第二半导体层(17b)的第三导体区域(17ba)和第四导体区域(17bb)之上的第一金属层(18ba)和第二金属层(18bb)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置受到瞩目。在该有机EL显示装置中，针对作为图像的最小单位的每个子像素设置有多个薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)。在此，作为构成TFT的半导体层，例如众所周知有由迀移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的In-Ga-Zn-O等氧化物半导体构成的半导体层等。
例如，在专利文献1中公开了具有在基板上分别形成使用了多晶硅半导体的第一TFT和使用了氧化物半导体的第二TFT的混合结构的显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-17558号公报(图5，图6)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在使用多晶硅半导体的TFT中，在无机绝缘膜形成用于将源极和漏极与由多晶硅形成的半导体层电连接的接触孔时，例如，需要在通过干式蚀刻对无机绝缘膜进行图案化后，用氢氟酸进行清洗，从而可靠地形成到达半导体层的接触孔。另一方面，在使用氧化物半导体的TFT中，例如在通过干式蚀刻对无机绝缘膜进行图案化后，用氢氟酸清洗时，从接触孔露出的由氧化物半导体构成的半导体层容易溶解。因此，在具有在同一基板上分别形成使用了多晶硅半导体及氧化物半导体的TFT的混合结构的显示装置中，难以通过同一工艺形成接触孔。
在上述专利文献1所公开的显示装置中，使用氧化物半导体的TFT的接触孔到达与半导体层接触的金属层，而不是由氧化物半导体构成的半导体层，因此，即使用氢氟酸清洗，由氧化物半导体构成的半导体层也不会溶解，但是，在掺杂由多晶硅构成的半导体层时，如果不形成与由氧化物半导体构成的半导体层整体重叠的掩模，则由氧化物半导体构成的半导体层也会被掺杂，因此存在改善的余地。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制制造成本，在无机绝缘膜上可靠地形成用于与半导体层电连接的接触孔。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明显示装置具备：基底基板；以及设置在所述基底基板之上的薄膜晶体管层，在所述薄膜晶体管层中，针对每个子像素设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由多晶硅形成的第一半导体层，所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第二半导体层，所述第一薄膜晶体管具备：所述第一半导体层，其设置在基底涂膜之上，以相互分离的方式规定第一导体区域和第二导体区域；栅极绝缘膜，其设置在所述第一半导体层之上；第三半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，与所述第二半导体层由相同的材料形成在同一层；第一栅极，其设置在所述第三半导体层之上，控制所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的导通；层间绝缘膜，其以覆盖所述第一栅极的方式设置；以及第一端子电极和第二端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，并分别与所述第一导体区域和所述第二导体区域电连接，所述第二薄膜晶体管具备：所述栅极绝缘膜；所述第二半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，以相互分离的方式规定第三导体区域以及第四导体区域；第一金属层以及第二金属层，分别设置在所述第三导体区域以及所述第四导体区域之上，与所述第一栅极由相同的材料形成在同一层；所述层间绝缘膜，其设置在所述第一金属层以及所述第二金属层之上；第三端子电极以及第四端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一金属层以及所述第二金属层电连接；以及第二栅极，其控制所述第三导体区域以及所述第四导体区域之间的导通。
此外，本发明的显示装置的制造方法，所述显示装置具备：基底基板；以及设置在所述基底基板上的薄膜晶体管层，在所述薄膜晶体管层中，针对每个子像素设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由多晶硅形成的第一半导体层，所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第二半导体层，所述制造方法的特征在于，所述第一薄膜晶体管具备：所述第一半导体层，其设置在基底涂膜之上，且规定相互分离的第一导体区域、第二导体区域以及所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的第一沟道区域；栅极绝缘膜，其设置在所述第一半导体层之上；第三半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，与所述第二半导体层由相同的材料形成在同一层；第一栅极，其设置在所述第三半导体层之上，控制所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的导通；层间绝缘膜，其以覆盖所述第一栅极的方式设置；以及第一端子电极和第二端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一导体区域和所述第二导体区域电连接，所述第二薄膜晶体管具备：所述第二半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，且规定相互分离的第三导体区域、第四导体区域以及所述第三导体区域与所述第四导体区域之间的第二沟道区域；第一金属层以及第二金属层，分别设置在所述第三导体区域以及所述第四导体区域之上，与所述第一栅极由相同的材料形成在同一层；所述层间绝缘膜，其设置在所述第一金属层以及所述第二金属层之上；第三端子电极以及第四端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一金属层以及所述第二金属层电连接；以及第二栅极，其控制所述第三导体区域以及所述第四导体区域之间的导通，所述制造方法包括：基底涂膜形成工序，在所述基底基板上形成所述基底涂膜；第一半导体层形成工序，在所述基底涂膜上形成所述第一半导体层；层叠膜形成工序，以覆盖所述第一半导体层的方式依次形成栅极绝缘膜、由氧化物半导体形成的第二半导体膜以及金属膜而形成层叠膜；抗蚀剂图案形成工序，在所述层叠膜上形成抗蚀剂图案，使得与所述第一沟道区域和所述第二半导体层的部分重叠，并且使成为所述第二沟道区域的部分相对地薄；层叠膜图案化工序，除去从所述抗蚀剂图案露出的所述金属膜以及所述金属膜的下层的所述第二半导体膜，形成所述第一栅极、所述第三半导体层以及所述第二半导体层；掺杂工序，将所述抗蚀剂图案作为掩模进行掺杂，形成所述第一导体区域、所述第一沟道区域和所述第二导体区域；金属层形成工序，除去通过灰化使所述抗蚀图案薄壁化而露出的所述金属膜，形成所述第一金属层及所述第二金属层；层间绝缘膜形成工序，在除去所述抗蚀图案后，形成所述层间绝缘膜；接触孔形成工序，在所述层间绝缘膜分别形成到达所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一导体区域及所述第二导体区域的接触孔；以及端子电极形成工序，在所述层间绝缘膜上形成所述第一端子电极、所述第二端子电极、所述第三端子电极和所述第四端子电极。
有益效果
根据本发明，能够抑制制造成本而将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图4是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的像素电路的等效电路图。
图5是表示构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是表示本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图7是表示接着图6的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图8是表示接着图7的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图9是表示接着图8的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图10是表示接着图9的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图11是表示接着图10的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图12是表示接着图11的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图13是表示接着图12的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图14是表示接着图13的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图15是表示接着图14的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图16是表示接着图15的本发明第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的TFT层形成工序的一部分的截面图。
图17是构成本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的TFT层的显示区域的截面图。
图18是构成本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的TFT层的显示区域的截面图。
图19是构成本发明的第四实施方式的有机EL显示装置的TFT层的显示区域的截面图。
图20是构成本发明的第五实施方式的有机EL显示装置的TFT层的显示区域的截面图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图16表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，在以下的各实施方式中，作为显示装置，例示有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50的显示区域D的俯视图。此外，图3是有机EL显示装置50的显示区域D的截面图。此外，图4是表示有机EL显示装置50的像素电路的等效电路图。此外，图5是表示构成有机EL显示装置50的有机EL层33的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置50例如具备设置成矩形的进行图像显示的显示区域D、以及设于显示区域D的周围的边框区域F。另外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。
如图2所示，在显示区域D，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域Er的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Eg的子像素P、以及具有用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Eb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg和蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
在边框区域F的图1中的右端部设置有端子部T。此外，在边框区域F中，如图1所示，在显示区域D及端子部T之间，沿着一个方向(图中的纵向)设置有折弯部B，该折弯部B可以以图中的纵方向作为弯折轴弯折成180°(呈U字状)。
如图3所示，有机EL显示装置50具备作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10之上的TFT层30a、作为发光元件层设置在TFT层30a之上的有机EL元件层40、以及以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图3所示，TFT层30a具备：设置于树脂基板层10之上的基底涂膜14；在基底涂膜14上按每个子像素P设置的四个第一TFT 9A、三个第二TFT 9B和一个电容器9h(参照图4)；以及设置于各第一TFT 9A、各第二TFT 9B及各电容器9h之上的平坦化膜24。在此，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的横向上相互平行地延伸的方式设置有多条栅极线18g。此外，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的横向上相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线18e。此外，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的横向上相互平行地延伸的方式设置有多条第二初始化电源线20i。另外，如图2所示，各发光控制线18e设置为与各栅极线18g及各第二初始化电源线20i相邻。此外，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的纵向相互平行地延伸的方式设置有多条源极线23f。此外，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的纵向上相互平行地延伸的方式设置有多条电源线23g。另外，如图2所示，各电源线23g设置为与各源极线23f相邻。
如图3所示，第一TFT 9A包括：设置于基底涂膜14之上的第一半导体层15a；设置于第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置于栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置于第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以在层间绝缘膜22上相互分离的方式设置的第一端子电极23a和第二端子电极23b。
如图3所示，基底涂膜14具备设置于树脂基板层10侧的第一基底涂膜11和设置于与树脂基板层10相反侧的栅极绝缘膜16a侧的第二基底涂膜13。
第一半导体层15a例如由LTPS(low temperature polysilicon)等多晶硅形成，如图3所示具备：被规定为相互分离的第一导体区域15aa以及第二导体区域15ab、以及被规定为第一导体区域15aa以及第二导体区域15ab之间的第一沟道区域15ac。
如图3所示，栅极绝缘膜16a设置成与相互重合的第三半导体层17a及第一栅极18a重合。
第三半导体层17a与后述的第二半导体层由相同的材料形成在同一层。
如图3所示，第一栅极18a被设置为与第一半导体层15a的第一沟道区域15ac重叠，构成为控制第一半导体层15a的第一导体区域15aa以及第二导体区域15ab之间的导通。
如图3所示，层间绝缘膜22具备设置在栅极绝缘膜16a侧的第一层间绝缘膜19、以及设置在与栅极绝缘膜16a相反侧的第二层间绝缘膜21。
如图3所示，第一端子电极23a及第二端子电极23b经由形成于层间绝缘膜22的第一接触孔Ha及第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa及第二导体区域15ab电连接。
如图3所示，第二TFT 9B具备：栅极绝缘膜16b；第二半导体层17b，其设置于栅极绝缘膜16b之上；第一金属层18ba及第二金属层18bb，分别设置于第二半导体层17b的后述的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上；层间绝缘膜22，其设置于第一金属层18ba及第二金属层18bb之上；第三端子电极23c及第四端子电极23d，以在层间绝缘膜22之上相互分离的方式设置；以及第二栅极20a及第三栅极12a，控制第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通。
如图3所示，栅极绝缘膜16b以与第二半导体层17b重合的方式与栅极绝缘膜16a分离设置。
第二半导体层17b例如由In-Ga-Zn-O系等的氧化物半导体形成，如图3所示，具备被规定为相互分离的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb、以及被规定在第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的第二沟道区域17bc。此处，In-Ga-Zn-O系的半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga及Zn的比例(组成比)没有特别限定。此外，In-Ga-Zn-O系的半导体可以是非晶，也可以是结晶质。另外，作为结晶In-Ga-Zn-O系的半导体，优选c轴与层面大致垂直地取向的结晶In-Ga-Zn-O系的半导体。此外，也可以包含其它氧化物半导体来代替In-Ga-Zn-O系半导体。作为其他的氧化物半导体，例如可以包含In-Sn-Zn-O系半导体(例如，In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。在此，In-Sn-Zn-O系半导体是In(铟)、Sn(锡)及Zn(锌)的三元系氧化物。此外，作为其它氧化物半导体，也可以包含In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体、Al-Ga-Zn-O系半导体、Ga-Zn-O系半导体、In-Ga-Zn-Sn-O系半导体、InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌(MgxZn1-xO)及氧化镉锌(CdxZn1-xO)等。作为Zn-O系半导体，能使用掺杂有1族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素或第17族元素中的一种或多种杂质元素的ZnO的非晶质(非晶)状态的半导体、多晶状态的半导体或非晶状态和多晶状态混合存在的微晶状态的半导体，或任何不添加杂质元素的半导体。
第一金属层18ba以及第二金属层18bb与第一栅极18a由相同的材料形成在同一层。
如图3所示，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd分别与第一金属层18ba及第二金属层18bb电连接。
如图3所示，第二栅极20a在第一层间绝缘膜19及第二层间绝缘膜21之间以与第二半导体层17b的第二沟道区域17bc重叠的方式设置，以控制第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的方式构成。
如图3所示，第三栅极12a以在第一基底涂膜11与第二基底涂膜13之间与第二半导体层17b的第二沟道区域17bc重叠的方式设置，以控制第二半导体层17b的第三导体区域17ba与第四导体区域17bb之间的导通的方式构成。
在本实施方式中，作为具有由多晶硅形成的第一半导体层15a的四个第一TFT 9A，例示了后述的写入用TFT 9c、驱动用TFT 9d、电源供给用TFT 9e及发光控制用TFT 9f的p沟道型TFT，作为具有由氧化物半导体形成的第二半导体层17b的三个第二TFT 9B，例示了后述的初始化用TFT 9a、补偿用TFT 9b及阳极放电用TFT 9g的n沟道型TFT(参照图4)。另外，具有由多晶硅形成的第一半导体层15a的四个第一TFT 9A也可以是n沟道型TFT。此外，在图4的等效电路图中，用圆数字的1、2来表示各TFT 9c、9d、9e、9f的第一端子电极23a及第二端子电极23b，用圆数字的3及4来表示各TFT 9a、9b、9g的第三端子电极23c及第四端子电极23d。此外，在图4的等效电路图中，例示了第n行第m列的子像素P的像素电路，也包括第(n-1)行第m列的子像素P的像素电路的一部分。此外，在图4的等效电路图中，供给高电源电压ELVDD的电源线23g兼作第一初始化电源线，但也可以分开设置电源线23g及第一初始化电源线。此外，虽然第二初始化电源线20i中输入与低电源电压ELVSS相同的电压，但并不限于此，也可以输入以与低电源电压ELVSS不同的电压将有机EL元件35熄灭那样的电压。
如图4所示，初始化用TFT 9a在各子像素P中，其栅极与前段(n-1段)的栅极线18g(n-1)电连接，其第三端子电极与后述的电容器9h的下部导电层以及驱动用TFT 9d的栅极电连接，其第四端子电极与电源线23g电连接。
如图4所示，补偿用TFT 9b在各子像素P中，其栅极与本级(n级)的栅极线18g(n)电连接，其第三端子电极与驱动用TFT 9d的栅极电连接，其第四端子电极与驱动用TFT 9d的第一端子电极电连接。
如图4所示，写入用TFT 9c在各子像素P中，其栅极与本级(n级)的栅极线18g(n)电连接，其第一端子电极与对应的源极线23f电连接，其第二端子电极与驱动用TFT 9d的第二端子电极电连接。
如图4所示，驱动用TFT 9d在各子像素P中，其栅极与初始化用TFT 9a及补偿用TFT9b的各第三端子电极电连接，其第一端子电极与补偿用TFT 9b的第四端子电极及电源供给用TFT 9e的各第二端子电极电连接，其第二端子电极与写入用TFT 9c的第二端子电极及发光控制用TFT 9f的第一端子电极电连接。在此，驱动用TFT 9d构成为控制有机EL元件35的电流。
如图4所示，电源供给用TFT 9e在各子像素P中，其栅极与本级(n级)的发光控制线18e电连接，其第一端子电极与电源线23g电连接，其第二端子电极与驱动用TFT 9d的第一端子电极电连接。
如图4所示，发光控制用TFT 9f在各子像素P中，其栅极与本级(n级)发光控制线18e电连接，其第一端子电极与驱动用TFT 9d的第二端子电极电连接，其第二端子电极与后述的有机EL元件35的第一电极31电连接。
如图4所示，阳极放电用TFT 9g在各子像素P中，其栅极与本级(n级)的栅极线18g(n)电连接，其第三端子电极与有机EL元件35的第一电极31电连接，其第四端子电极与第二初始化电源线20i电连接。
电容器9h例如具备：与第一栅极18a由相同的材料形成于同一层的下部导电层(未图示)；以覆盖下部导电层的方式设置的第一层间绝缘膜19；以及以与下部导电层重叠的方式设置于第一层间绝缘膜19之上，并与第二栅极20a由相同的材料形成于同一层的上部导电层(未图示)。此外，如图4所示，电容器9h在各子像素P中，其下部导电层与驱动用TFT 9d的栅极、初始化用TFT 9a以及补偿用TFT 9b的各第三端子电极电连接，其上部导电层与阳极放电用TFT 9g的第三端子电极、发光控制用TFT 9f的第二端子电极以及有机EL元件35的第一电极31电连接。
平坦化膜24在显示区域D具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG(spin on glass)材料等构成。
如图3所示，有机EL元件层40具备：多个有机EL元件35，作为与多个子像素P对应地排列的多个发光元件而设置成矩阵状；以及边缘罩32，以覆盖各有机EL元件35的后述的第一电极31的周端部的方式设置，对于全部子像素P共同地设置成格子状。
如图3所示，有机EL元件35具备：在各子像素P中设置在TFT层30a的平坦化膜24之上的第一电极31、设置在第一电极31之上的有机EL层33、以及设置在有机EL层33之上的第二电极34。
第一电极31经由形成于平坦化膜24的接触孔，与各子像素P的发光控制用TFT 9f的第二端子电连接。此外，第一电极31具有向有机EL层33注入空穴(正孔)的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极31。在此，作为构成第一电极31的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31的材料可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。而且，构成第一电极31的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
边缘罩32例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG材料等构成。
如图5所示，有机EL层33具备在第一电极31之上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4和电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极31与有机EL层33的能级接近、改善从第一电极31向有机EL层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极31向有机EL层33的空穴的输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷(polysilane)、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、无定形氢化碳化硅、硫化锌或者硒化锌等。
发光层3是在第一电极31和第二电极34施加电压时从第一电极31和第二电极34分别注入空穴和电子并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯(Bis(Styryl)Benzene)衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、或聚硅烷(polysilanes)等。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可列举出恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉酮(オキシノイド，8-羟基喹啉金属络合物)化合物(metaloxinoidcompound)等。
电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33的能级接近、提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件35的驱动电压。另外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34设置为覆盖各有机EL层33和边缘罩32。此外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入电子的效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。此外，第二电极34也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜45具备以覆盖第二电极34的方式设置并依次层叠在第二电极34之上的第一无机密封膜41、有机密封膜42和第二无机密封膜43，具有保护有机EL元件层35的有机EL层33免受水分、氧气影响的功能。在此，第一无机密封膜41和第二无机密封膜43例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜(silicon oxynitride film)等无机绝缘膜构成。此外，有机密封膜42例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
在上述构成的有机EL显示装置50中，在各子像素P中，首先，选择发光控制线18e而成为非活性状态时，有机EL元件35成为非发光状态。在该非发光状态下，选择前级的栅极线18g(n-1)，栅极信号经由该栅极线18g(n-1)输入至初始化用TFT 9a，由此初始化用TFT 9a成为导通状态，电源线23g的高电源电压ELVDD施加于电容器9h，并且驱动用TFT 9d成为导通状态。由此，电容器9h的电荷被放电，施加到驱动用TFT 9d的栅极的电压被初始化。接着，通过选择本级的栅极线18g(n)成为活性状态，补偿用TFT 9b及写入用TFT 9c成为导通状态，与经由对应的源极线23f传递的源极信号对应的规定的电压经由二极管连接状态的驱动用TFT 9d被写入电容器9h，并且阳极放电用TFT 9g成为导通状态，经由第二初始化电源线20i将初始化信号施加于有机EL元件35的第一电极31，蓄积在第一电极31中的电荷被复位。然后，选择发光控制线18e，电源供给用TFT 9e及发光控制用TFT 9f成为导通状态，与施加到驱动用TFT 9d的栅极的电压相应的驱动电流从电源线23g供给到有机EL元件35。这样，在有机EL显示装置50中，在各子像素P中，有机EL元件35以对应于驱动电流的亮度发光，进行图像显示。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50的制造方法进行说明。在此，图6～图16是连续表示有机EL显示装置50的制造方法中的TFT层形成工序的截面图。另外，有机EL显示装置50的制造方法包括TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序和密封膜形成工序。而且，TFT层形成工序具备：基底涂膜形成工序、第一半导体层形成工序、层叠膜形成工序、抗蚀剂图案形成工序、层叠膜图案化工序、掺杂工序、金属层形成工序、层间绝缘膜形成工序、接触孔形成工序、端子电极形成工序以及平坦化膜形成工序。
<TFT层形成工序>
首先，例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上依次成膜氧化硅膜(厚度250nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成第一基底涂膜11。
接着，例如通过溅射法在形成有基底涂膜11的基板表面成膜钼膜(厚度100nm左右)等金属膜之后，对该金属膜进行图案化，如图6所示，形成第三栅极12a。
然后，通过等离子体CVD法在形成有第三栅极12a的基板表面上形成氧化硅膜(厚度300nm左右)，从而形成具备第一基底涂膜11以及第二基底涂膜13的基底涂膜14(基底涂膜形成工序)。
进而，通过等离子体CVD法，在形成有基底涂膜14的基板表面形成例如非晶硅膜(厚度50nm左右)，通过激光退火等使该非晶硅膜结晶化而形成多晶硅膜后，对该多晶硅膜进行图案化，如图7所示，形成第一半导体层15a(第一半导体层形成工序)。
接着，例如通过等离子体CVD法，在形成有第一半导体层15a的基板表面形成氧化硅膜(100nm左右)并形成栅极绝缘膜16之后，通过溅射法依次成膜InGaZnO4等第二半导体膜(厚度30nm左右)17及钼膜(厚度100nm左右)等金属膜18，从而如图8所示形成层叠膜L(层叠膜形成工序)。
然后，如图9所示，在层叠膜L上通过半曝光形成抗蚀剂图案Ra(抗蚀剂图案形成工序)。在此，如图9所示，抗蚀剂图案Ra与成为第一半导体层15a的第一沟道区域15ac以及第二半导体层17b的部分重叠，并且成为第二沟道区域17bc的部分相对较薄地形成。
进而，通过干式蚀刻除去从抗蚀剂图案Ra露出的金属膜18、及金属膜18的下层的第二半导体膜17及栅极绝缘膜16这3层，如图10所示，形成第一栅极18a、第三半导体层17a、栅极绝缘膜16a、金属层18b、第二半导体层17b及栅极绝缘膜16b(层叠膜图案化工序)。另外，在形成第一栅极18a时，也形成栅极线18g或发光控制线18e。
接着，如图11所示，将抗蚀剂图案Ra作为掩模，掺杂磷、硼等杂质离子N，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac(掺杂工序)。
然后，通过灰化将抗蚀剂图案Ra薄壁化，变为抗蚀剂图案Rb后，通过干式蚀刻除去从抗蚀剂图案Rb露出的金属膜18b，从而如图12所示，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb(金属层形成工序)。
进而，如图13所示，在通过灰化除去抗蚀剂图案Rb后，通过例如等离子体CVD法使氧化硅膜(150nm左右)成膜，从而形成第一层间绝缘膜19。
接着，在形成有第一层间绝缘膜19的基板表面，例如通过溅射法形成钼膜(厚度200nm左右)等金属膜后，对该金属膜进行图案化，如图14所示，形成第二栅极20a。另外，在形成第二栅极20a时，也形成第二初始化电源线20i。
之后，通过例如等离子体CVD法在形成有第二栅极20a的基板表面上形成氧化硅膜(厚度400nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜21(层间绝缘膜形成工序)，对第一层间绝缘膜19和第二层间绝缘膜21的层叠膜(层间绝缘膜22)进行图案化，如图15所示，形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc和第四接触孔Hd(接触孔形成工序)。另外，在对第一层间绝缘膜19和第二层间绝缘膜21的层叠膜进行图案化时，通过干式蚀刻对第一层间绝缘膜19和第二层间绝缘膜21的层叠膜进行图案化后，用氢氟酸清洗，除去配置在第一接触孔Ha和第二接触孔Hb的底部的第一半导体层15a的表面氧化膜，从而能够可靠地形成到达第一半导体层15a的第一导体区域15aa和第二导体区域15ab的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及到达第二半导体层17b之上的第一金属层18ba和第二金属层18bb的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd。
进而，在形成有第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc和第四接触孔Hd的基板表面，例如通过溅射法依次形成钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度400nm左右)和钛膜(厚度50nm左右)等而形成金属层叠膜(厚度500nm左右)后，对该金属层叠膜进行图案化，形成第一端子电极23a、第二端子电极23b、第三端子电极23c和第四端子电极23d，然后，例如通过旋涂法、狭缝涂布法涂布聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度2μm左右)，然后对该涂布膜进行预烘培、曝光、显影和后烘培，从而如图16所示，形成平坦化膜24(端子电极形成工序和平坦化膜形成工序)。另外，在形成第一端子电极23a等时，还形成源极线23f及电源线23g。
如上所述，能够形成TFT层30a。
<有机EL元件层形成工序>
在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30a的平坦化膜24之上，采用公知的方法形成第一电极31、边缘罩32、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34，形成有机EL元件层40。
<密封膜形成工序>
首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的形成有有机EL元件层40的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD法例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜，从而形成第一无机密封膜41。
接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机密封膜41的基板表面上形成丙烯酸树脂等有机树脂材料，形成有机密封膜42。
然后，对于形成有机密封膜42的基板，使用掩模，通过等离子体CVD法成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜，形成第二无机密封膜43，从而形成密封膜45。
最后，在上述密封膜形成工序中在形成有密封膜45的基板表面贴附保护片(未图示)后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50及其制造方法，第一TFT 9A包括：由多晶硅形成的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置在栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。在此，第一端子电极23a及第二端子电极23b经由形成于层间绝缘膜22的第一接触孔Ha及第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa及第二导体区域15ab电连接。此外，第二TFT 9B包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba以及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba以及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c以及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。在此，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd，与分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb分别电连接。因此，在接触孔形成工序中，在形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc以及第四接触孔Hd时，由氧化物半导体形成的第二半导体层17b不露出。由此，在接触孔形成工序中，能够在通过干式蚀刻对由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜22进行图案化后，用氢氟酸清洗，因此能够可靠地在层间绝缘膜22上形成用于与第一半导体层15a电连接的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及用于与第二半导体层17b电连接的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd。进而，在掺杂工序中，将在层叠膜图案化工序中形成第一栅极18a、第三半导体层17a以及第二半导体层17b时使用的抗蚀剂图案Ra作为掩模，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac，在金属层形成工序中，使用将抗蚀剂图案Ra薄壁化了的抗蚀剂图案Rb，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb，因此能够减少制造所需的光掩模的片数。因此，能够抑制制造成本而将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50及其制造方法，在基底涂膜形成工序中，在第一基底涂膜11和第二基底涂膜13之间形成控制第二半导体层17b的第三导体区域17ba和第四导体区域17bb之间的导通的第三栅极12a，因此，第二TFT 9B成为双栅构成，能够提高TFT的导通电流，并且，来自树脂基板层10的水分或杂质离子被阻挡，能够抑制TFT的劣化。
《第二实施方式》
图17表示本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图17是构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层30b的显示区域D的截面图。另外，在以下的各实施方式中，对与图1～图16相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了具备分离设置有栅极绝缘膜16a和16b的TFT层30a的有机EL显示装置50，但在本实施方式中，例示具备一体地设置有栅极绝缘膜16的TFT层30b的有机EL显示装置。
本实施方式的有机EL显示装置包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10之上的TFT层30b；设置在TFT层30b之上的有机EL元件层40；以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
如图17所示，TFT层30b具备：设置于树脂基板层10之上的基底涂膜14；在基底涂膜14上针对每个子像素P设置的四个第一TFT 9A、三个第二TFT 9B和一个电容器9h(参照图4)；以及设置于各第一TFT 9A、各第二TFT 9B和各电容器9h之上的平坦化膜24。在此，在TFT层30b，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，设置有多条栅极线18g、多条发光控制线18e、多条第二初始化电源线20i、多条源极线23f以及多条电源线23g。
如图17所示，第一TFT 9A包括：设置于基底涂膜14之上的第一半导体层15a；设置于第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16；设置于栅极绝缘膜16之上的第三半导体层17a；设置于第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。
如图17所示，第二TFT 9B具备：栅极绝缘膜16；设置于栅极绝缘膜16之上的第二半导体层17b；分别设置于第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb；设置于第一金属层18ba及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a及第三栅极12a。
在具备上述构成的TFT层30b的有机EL显示装置中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50同样，在各子像素P中，有机EL元件35以对应于驱动电流的亮度发光，并进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层30b的有机EL显示装置可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50的制造方法的TFT层形成工序的层叠膜图案化工序中，只通过干式蚀刻除去从抗蚀图案Ra露出的金属膜18及金属膜18的下层的第二半导体膜17这两层，在接触孔形成工序中，对栅极绝缘膜16、第一层间绝缘膜19及第二层间绝缘膜21的层叠膜进行图案化，形成第一接触孔Ha及第二接触孔Hb来制造。
如上所述，根据本实施方式的具备TFT层30b的有机EL显示装置及其制造方法，第一TFT 9A包括：由多晶硅形成的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16；设置在栅极绝缘膜16之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。在此，第一端子电极23a和第二端子电极23b经由形成于栅极绝缘膜16和层间绝缘膜22的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa和第二导体区域15ab电连接。此外，第二TFT9B包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba以及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba以及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c以及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。在此，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd，与分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb分别电连接。因此，在接触孔形成工序中，在形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc以及第四接触孔Hd时，由氧化物半导体形成的第二半导体层17b不露出。由此，在接触孔形成工序中，在通过干式蚀刻对由无机绝缘膜构成的栅极绝缘膜16和层间绝缘膜22进行图案化后，能够用氢氟酸清洗，因此能够将用于与第一半导体层15a电连接的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及用于与第二半导体层17b电连接的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd可靠地形成于栅极绝缘膜16和层间绝缘膜22、以及层间绝缘膜22。进而，在掺杂工序中，将在层叠膜图案化工序中形成第一栅极18a、第三半导体层17a以及第二半导体层17b时使用的抗蚀剂图案Ra作为掩模，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac，在金属层形成工序中，使用将抗蚀剂图案Ra薄壁化了的抗蚀剂图案Rb，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb，因此能够减少制造所需的光掩模的片数。因此，能够抑制制造成本，将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
此外，根据本实施方式的具备TFT层30b的有机EL显示装置及其制造方法，在基底涂膜形成工序中，在第一基底涂膜11及第二基底涂膜13之间形成控制第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的第三栅极12a，因此能够将第二TFT9B形成为双栅极构成。
《第三实施方式》
图18表示本发明的显示装置的第三实施方式。在此，图18是构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层30c的显示区域D的截面图。
在上述第一和第二实施方式中，例示了具备设置有具有双栅构成的第二TFT 9B的TFT层30a和30b的有机EL显示装置，但在本实施方式中，例示了具备设置有具有顶栅结构的第二TFT 9B的TFT层30c的有机EL显示装置。
本实施方式的有机EL显示装置，包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10之上的TFT层30c；设置在TFT层30c之上的有机EL元件层40；和以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
如图18所示，TFT层30c具备：设置于树脂基板层10之上的基底涂膜14；在基底涂膜14上按每个子像素P设置的四个第一TFT 9A、三个第二TFT 9B和一个电容器9h(参照图4)；以及设置于各第一TFT 9A、各第二TFT 9B和各电容器9h之上的平坦化膜24。在此，在TFT层30c，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，设置有多条栅极线18g、多条发光控制线18e、多条第二初始化电源线20i、多条源极线23f以及多条电源线23g。
如图18所示，第一TFT 9A包括：设置在基底涂膜14之上的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置在栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。
如图18所示，第二TFT 9B具备：栅极绝缘膜16b；设置在栅极绝缘膜16b之上的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。
在具备上述构成的TFT层30c的有机EL显示装置中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50同样，在各子像素P中，有机EL元件35以对应于驱动电流的亮度发光，进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层30c的有机EL显示装置可以在上述第一实施方式的有机EL显示装置50的制造方法的TFT层形成工序的基底涂膜形成工序中，通过省略在形成钼膜等金属膜之后，对该金属膜进行图案化而形成第三栅极12a的工序来制造。
如上所述，根据本实施方式的具备TFT层30c的有机EL显示装置及其制造方法，第一TFT 9A包括：由多晶硅形成的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置在栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。在此，第一端子电极23a及第二端子电极23b经由形成于层间绝缘膜22的第一接触孔Ha及第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa及第二导体区域15ab电连接。此外，第二TFT 9B包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba以及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba以及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c以及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。在此，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd，与分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb分别电连接。因此，在接触孔形成工序中，在形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc以及第四接触孔Hd时，由氧化物半导体形成的第二半导体层17b不露出。由此，在接触孔形成工序中，能够在通过干式蚀刻对由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜22进行图案化后，用氢氟酸清洗，因此能够可靠地在层间绝缘膜22之上形成用于与第一半导体层15a电连接的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及用于与第二半导体层17b电连接的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd。进而，在掺杂工序中，将在层叠膜图案化工序中形成第一栅极18a、第三半导体层17a以及第二半导体层17b时使用的抗蚀剂图案Ra作为掩模，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac，在金属层形成工序中，使用将抗蚀剂图案Ra薄壁化了的抗蚀剂图案Rb，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb，因此能够减少制造所需的光掩模的片数。因此，能够抑制制造成本，将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
《第四实施方式》
图19表示本发明的显示装置的第四实施方式。在此，图19是构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层30d的显示区域D的截面图。
在上述第三实施方式中，例示了具备设置有具有顶栅结构的第二TFT 9B的TFT层30c的有机EL显示装置，但在本实施方式中，例示具备设置有具有底栅结构的第二TFT 9B的TFT层30d的有机EL显示装置。
本实施方式的有机EL显示装置，包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10之上的TFT层30d；设置在TFT层30d之上的有机EL元件层40；和以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
如图19所示，TFT基板30d包括：设置于树脂基板层10之上的基底涂膜14；在基底涂膜14之上按每个子像素P设置的四个第一TFT 9A、三个第二TFT 9B和一个电容器9h(参照图4)；以及设置于各第一TFT 9A、各第二TFT 9B和各电容器9h之上的平坦化膜24。在此，在TFT层30d中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，设置有多条栅极线18g、多条发光控制线18e、多条第二初始化电源线20i、多条源极线23f以及多条电源线23g。
如图19所示，第一TFT 9A具备：设置于基底涂膜14之上的第一半导体层15a、设置于第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a、设置于栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a、设置于第三半导体层17a之上的第一栅极18a、以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22、以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a及第二端子电极23b。
如图19所示，第二TFT 9B具备：栅极绝缘膜16b；设置于栅极绝缘膜16b之上的第二半导体层17b；分别设置于第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb；设置于第一金属层18ba及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极12b。在此，第二栅极12b实质上与上述第一实施方式的TFT层30a中的第三栅极12a相同。
在具备上述构成的TFT层30d的有机EL显示装置中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50同样，在各子像素P中，有机EL元件35以对应于驱动电流的亮度发光，进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层30d的有机EL显示装置可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50的制造方法的TFT层形成工序的层间绝缘膜形成工序中，通过省略在形成钼膜等金属膜之后，对该金属膜进行图案化而形成第二栅极20a的工序来制造。
如上所述，根据本实施方式的具备TFT层30d的有机EL显示装置及其制造方法，第一TFT 9A包括：由多晶硅形成的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置在栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。在此，第一端子电极23a及第二端子电极23b经由形成于层间绝缘膜22的第一接触孔Ha及第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa及第二导体区域15ab电连接。此外，第二TFT 9B包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba以及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba以及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c以及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极12b。在此，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd，与分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb分别电连接。因此，在接触孔形成工序中，在形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc以及第四接触孔Hd时，由氧化物半导体形成的第二半导体层17b不露出。由此，在接触孔形成工序中，能够在通过干式蚀刻对由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜22进行图案化后，用氢氟酸清洗，因此能够可靠地在层间绝缘膜22之上形成用于与第一半导体层15a电连接的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及用于与第二半导体层17b电连接的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd。进而，在掺杂工序中，将在层叠膜图案化工序中形成第一栅极18a、第三半导体层17a以及第二半导体层17b时使用的抗蚀剂图案Ra作为掩模，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac，在金属层形成工序中，使用将抗蚀剂图案Ra薄壁化了的抗蚀剂图案Rb，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb，因此能够减少制造所需的光掩模的片数。因此，能够抑制制造成本，将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
《第五实施方式》
图20表示本发明的显示装置的第五实施方式。在此，图20是构成本实施方式的有机EL显示装置的TFT层30e的显示区域D的截面图。
在上述第一实施方式中，例示了具备在第二半导体层17b的栅极绝缘膜16b侧设置有第三栅极12a的TFT层30a的有机EL显示装置50，但在本实施方式中，例示具备在第二半导体层17b的栅极绝缘膜16b侧设置有遮光层15b的TFT层30e的有机EL显示装置。
本实施方式的有机EL显示装置，包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10之上的TFT层30e；设置在TFT层30e之上的有机EL元件层40；和以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
如图20所示，TFT层30e具备：设置于树脂基板层10之上的基底涂膜14；在基底涂膜14上针对每个子像素P设置的四个第一TFT 9A、三个第二TFT 9B和一个电容器9h(参照图4)；以及设置于各第一TFT 9A、各第二TFT 9B和各电容器9h之上的平坦化膜24。在此，在TFT层30e上，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，设置有多条栅极线18g、多条发光控制线18e、多条第二初始化电源线20i、多条源极线23f以及多条电源线23g。
如图20所示，第一TFT 9A包括：设置于基底涂膜14之上的第一半导体层15a；设置于第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置于栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置于第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。
如图20所示，第二TFT 9B具备：遮光层15b；以覆盖遮光层15b的方式设置的栅极绝缘膜16b；设置在栅极绝缘膜16b之上的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。在此，如图20所示，遮光层15b以与第二半导体层17b的第二沟道区域17bc重叠的方式设置，与第一半导体层15a由相同的材料形成在同一层。
在具备上述构成的TFT层30e的有机EL显示装置中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50同样，在各子像素P中，有机EL元件35以对应于驱动电流的亮度发光，并进行图像显示。
具备本实施方式的TFT层30e的有机EL显示装置可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50的制造方法的TFT层形成工序的基底涂膜形成工序中，省略在形成钼膜等金属膜之后，对该金属膜进行图案化而形成第三栅极12a的工序，并在第一半导体层形成工序中，与第一半导体层15a同时形成遮光层15b来制造。
如上所述，根据本实施方式的具备TFT层30e的有机EL显示装置及其制造方法，第一TFT 9A具备：由多晶硅形成的第一半导体层15a；设置在第一半导体层15a之上的栅极绝缘膜16a；设置在栅极绝缘膜16a之上的第三半导体层17a；设置在第三半导体层17a之上的第一栅极18a；以覆盖第一栅极18a的方式设置的层间绝缘膜22；以及以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第一端子电极23a和第二端子电极23b。在此，第一端子电极23a及第二端子电极23b经由形成于层间绝缘膜22的第一接触孔Ha及第二接触孔Hb分别与第一半导体层15a的第一导体区域15aa及第二导体区域15ab电连接。此外，第二TFT 9B包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层17b；分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba以及第二金属层18bb；设置在第一金属层18ba以及第二金属层18bb之上的层间绝缘膜22；以相互分离的方式设置在层间绝缘膜22之上的第三端子电极23c以及第四端子电极23d；以及控制第三导体区域17ba以及第四导体区域17bb之间的导通的第二栅极20a。在此，第三端子电极23c及第四端子电极23d经由形成于层间绝缘膜22的第三接触孔Hc及第四接触孔Hd，与分别设置在第二半导体层17b的第三导体区域17ba及第四导体区域17bb之上的第一金属层18ba及第二金属层18bb分别电连接。因此，在接触孔形成工序中，在形成第一接触孔Ha、第二接触孔Hb、第三接触孔Hc以及第四接触孔Hd时，由氧化物半导体形成的第二半导体层17b不露出。由此，在接触孔形成工序中，能够在通过干式蚀刻对由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜22进行图案化后，用氢氟酸清洗，因此能够可靠地在层间绝缘膜22上形成用于与第一半导体层15a电连接的第一接触孔Ha和第二接触孔Hb、以及用于与第二半导体层17b电连接的第三接触孔Hc和第四接触孔Hd。进而，在掺杂工序中，将在层叠膜图案化工序中形成第一栅极18a、第三半导体层17a以及第二半导体层17b时使用的抗蚀剂图案Ra作为掩模，在第一半导体层15a形成第一导体区域15aa、第二导体区域15ab以及第一沟道区域15ac，在金属层形成工序中，使用将抗蚀剂图案Ra薄壁化了的抗蚀剂图案Rb，形成第一金属层18ba以及第二金属层18bb，因此能够减少制造所需的光掩模的片数。因此，能够抑制制造成本，将用于与半导体层电连接的接触孔可靠地形成于无机绝缘膜。
此外，根据本实施方式的具备TFT层30e的有机EL显示装置及其制造方法，由于在第二半导体层17b的栅极绝缘膜16b侧设置有遮光层15b，因此能够抑制入射到子像素P内的光的多重反射所产生的杂散光。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于使有机EL层的层叠结构反转，将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置是有机EL显示装置，但是本发明也能够应用于有源矩阵驱动方式的液晶显示装置等显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了树脂基板层作为基底基板，但基底基板也可以是玻璃基板等。
此外，在上述各实施方式中，例示了按显示区域的每个子像素设置第一TFT和第二TFT的显示装置，但本发明例如也可以组合p沟道型的第一TFT和n沟道型的第二TFT而构成CMOS(complementary metal oxide semiconductor)，也能够适用于第一TFT和第二TFT在边框区域作为驱动电路设置的显示装置。
在上述各实施方式中，例示了具备各种TFT层的显示装置，但本发明也能应用于组合了各实施方式的TFT层的特征部分的显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备使用了含有量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置。
产业上的可利用性
如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。
附图标记说明
Ha：第一接触孔
Hb：第二接触孔
Hc：第三接触孔
Hd：第四接触孔
L：层叠膜
P：子像素
Ra、Rb：抗蚀剂图案
9A：第一TFT(第一薄膜晶体管)
9B：第二TFT(第二薄膜晶体管)
9a：初始化用TFT(第二薄膜晶体管)
9b：补偿用TFT(第二薄膜晶体管)
9c：写入用TFT(第一薄膜晶体管)
9d：驱动用TFT(第一薄膜晶体管)
9e:电源供给用TFT(第一薄膜晶体管)
9f：发光控制用TFT(第一薄膜晶体管)
9g：阳极放电用TFT(第二薄膜晶体管)
10：基底基板
11：第一基底涂膜
12a：第三栅极
12b：第二栅极
13：第二基底涂膜
14：基底涂膜
15a：第一半导体层
15aa：第一导体区域
15ab：第二导体区域
15ac：第一沟道区域
15b：遮光层
16、16a、16b：栅极绝缘膜
17：第二半导体膜
17a：第三半导体层
17b：第二半导体层
17ba：第三导体区域
17bb：第四导体区域
17bc：第二沟道区域
18：金属膜
18a：第一栅极
18ba：第一金属层
18bb：第二金属层
19：第一层间绝缘膜
20a：第二栅极
21：第二层间绝缘膜
22：层间绝缘膜
23a：第一端子电极
23b：第二端子电极
23c：第三端子电极
23d：第四端子电极
24：平坦化膜
30a、30b、30c、30d、30e：TFT层(薄膜晶体管层)
35：有机EL元件(发光元件、有机电致发光元件)
40：有机EL元件层(发光元件层)
45：密封膜
50：有机EL显示装置

Claims (16)

1.一种显示装置，其特征在于，其具备：
基底基板；以及
设置在所述基底基板之上的薄膜晶体管层，
在所述薄膜晶体管层中，针对每个子像素设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由多晶硅形成的第一半导体层，所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第二半导体层，
所述第一薄膜晶体管具备：
所述第一半导体层，其设置在基底涂膜之上，以相互分离的方式规定第一导体区域和第二导体区域；
栅极绝缘膜，其设置在所述第一半导体层之上；
第三半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，与所述第二半导体层由相同的材料形成在同一层；
第一栅极，其设置在所述第三半导体层之上，控制所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的导通；
层间绝缘膜，其以覆盖所述第一栅极的方式设置；以及
第一端子电极和第二端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，并分别与所述第一导体区域和所述第二导体区域电连接，
所述第二薄膜晶体管具备：
所述栅极绝缘膜；
所述第二半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，以相互分离的方式规定第三导体区域以及第四导体区域；
第一金属层以及第二金属层，分别设置在所述第三导体区域以及所述第四导体区域之上，与所述第一栅极由相同的材料形成在同一层；
所述层间绝缘膜，其设置在所述第一金属层以及所述第二金属层之上；
第三端子电极以及第四端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一金属层以及所述第二金属层电连接；以及
第二栅极，其控制所述第三导体区域以及所述第四导体区域之间的导通。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第三半导体层和所述第一栅极以相互重重合的方式设置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜分离地设置，并与所述第三半导体层和所述第一栅极重合。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述层间绝缘膜具备：
第一层间绝缘膜，其设置在所述栅极绝缘膜侧；以及
第二层间绝缘膜，其设置在与所述栅极绝缘膜相反一侧，
所述第二栅极设置在所述第一层间绝缘膜与所述第二层间绝缘膜之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述基底涂膜具备设置在所述基底基板侧的第一基底涂膜和设置在所述栅极绝缘膜侧的第二基底涂膜，
在所述第一基底涂膜和所述第二基底涂膜之间设置有第三栅极，所述第三栅极控制所述第三导体区域和所述第四导体区域之间的导通。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述基底涂膜具备设置在所述基底基板侧的第一基底涂膜和设置在所述栅极绝缘膜侧的第二基底涂膜，
所述第二栅极设置在所述第一基底涂膜和所述第二基底涂膜之间。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
在所述基底涂膜和所述栅极绝缘膜之间设置有遮光层，所述遮光层以与所述第二半导体层重叠的方式，与所述第一半导体层由相同的材料形成于同一层。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还具备：
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层之上，排列有多个发光元件；以及
密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述各发光元件是有机电致发光元件。
10.一种显示装置的制造方法，所述显示装置具备：
基底基板；以及
设置在所述基底基板上的薄膜晶体管层，
在所述薄膜晶体管层中，针对每个子像素设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有由多晶硅形成的第一半导体层，所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第二半导体层，所述制造方法的特征在于，
所述第一薄膜晶体管具备：
所述第一半导体层，其设置在基底涂膜之上，且规定相互分离的第一导体区域、第二导体区域以及所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的第一沟道区域；
栅极绝缘膜，其设置在所述第一半导体层之上；
第三半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，与所述第二半导体层由相同的材料形成在同一层；
第一栅极，其设置在所述第三半导体层之上，控制所述第一导体区域和所述第二导体区域之间的导通；
层间绝缘膜，其以覆盖所述第一栅极的方式设置；以及
第一端子电极和第二端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一导体区域和所述第二导体区域电连接，
所述第二薄膜晶体管具备：
所述第二半导体层，其设置在所述栅极绝缘膜之上，且规定相互分离的第三导体区域、第四导体区域以及所述第三导体区域与所述第四导体区域之间的第二沟道区域；
第一金属层以及第二金属层，分别设置在所述第三导体区域以及所述第四导体区域之上，与所述第一栅极由相同的材料形成在同一层；
所述层间绝缘膜，其设置在所述第一金属层以及所述第二金属层之上；
第三端子电极以及第四端子电极，以相互分离的方式设置在所述层间绝缘膜之上，分别与所述第一金属层以及所述第二金属层电连接；以及
第二栅极，其控制所述第三导体区域以及所述第四导体区域之间的导通，
所述制造方法包括：
基底涂膜形成工序，在所述基底基板上形成所述基底涂膜；
第一半导体层形成工序，在所述基底涂膜上形成所述第一半导体层；
层叠膜形成工序，以覆盖所述第一半导体层的方式依次形成栅极绝缘膜、由氧化物半导体形成的第二半导体膜以及金属膜而形成层叠膜；
抗蚀剂图案形成工序，在所述层叠膜上形成抗蚀剂图案，使得与所述第一沟道区域和所述第二半导体层的部分重叠，并且使成为所述第二沟道区域的部分相对地薄；
层叠膜图案化工序，除去从所述抗蚀剂图案露出的所述金属膜以及所述金属膜的下层的所述第二半导体膜，形成所述第一栅极、所述第三半导体层以及所述第二半导体层；
掺杂工序，将所述抗蚀剂图案作为掩模进行掺杂，形成所述第一导体区域、所述第一沟道区域和所述第二导体区域；
金属层形成工序，除去通过灰化使所述抗蚀图案薄壁化而露出的所述金属膜，形成所述第一金属层及所述第二金属层；
层间绝缘膜形成工序，在除去所述抗蚀图案后，形成所述层间绝缘膜；
接触孔形成工序，在所述层间绝缘膜分别形成到达所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一导体区域及所述第二导体区域的接触孔；以及
端子电极形成工序，在所述层间绝缘膜上形成所述第一端子电极、所述第二端子电极、所述第三端子电极和所述第四端子电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述层叠膜图案化工序中，除去从所述抗蚀剂图案露出的所述金属膜和所述金属膜的下层的所述第二半导体膜和所述栅极绝缘膜。
12.根据权利要求10或11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述层间绝缘膜形成工序中，依次形成第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜之间形成所述第二栅极。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述基底涂膜形成工序中，依次形成第一基底涂膜和第二基底涂膜，在所述第一基底涂膜和所述第二基底涂膜之间形成第三栅极，所述第三栅极控制所述第三导体区域与所述第四导体区域之间的导通。
14.根据权利要求10或11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述基底涂膜形成工序中，依次形成第一基底涂膜和第二基底涂膜，在所述第一基底涂膜和所述第二基底涂膜之间形成所述第二栅极。
15.根据权利要求10～14中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
平坦化膜形成工序，以覆盖所述第一端子电极、所述第二端子电极、所述第三端子电极及所述第四端子电极的方式形成平坦化膜；
发光元件层形成工序，在所述平坦化膜上形成排列有多个发光元件的发光元件层；以及
密封膜形成工序，以覆盖所述发光元件层的方式形成密封膜。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述各发光元件为有机电致发光元件。
CN202080107749.XA 2020-12-08 2020-12-08 显示装置及其制造方法 Pending CN116547734A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/045620 WO2022123647A1 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 表示装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116547734A true CN116547734A (zh) 2023-08-04

Family

ID=81973361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080107749.XA Pending CN116547734A (zh) 2020-12-08 2020-12-08 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240040836A1 (zh)
CN (1) CN116547734A (zh)
WO (1) WO2022123647A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101065407B1 (ko) * 2009-08-25 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9443984B2 (en) * 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2911195B1 (en) * 2014-02-24 2020-05-27 LG Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
KR102583770B1 (ko) * 2016-09-12 2023-10-06 삼성디스플레이 주식회사 메모리 트랜지스터 및 이를 갖는 표시장치
JP2020017558A (ja) * 2018-07-23 2020-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240040836A1 (en) 2024-02-01
WO2022123647A1 (ja) 2022-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220173202A1 (en) Display device and method for manufacturing same
WO2019186819A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
CN115176299B (zh) 显示装置
CN113474830B (zh) 显示装置及其制造方法
WO2022123647A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
CN116547736A (zh) 显示装置
WO2023062696A1 (ja) 表示装置
WO2022215196A1 (ja) 表示装置
WO2023021623A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2023175794A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2023105569A1 (ja) 表示装置
WO2023286168A1 (ja) 表示装置
WO2022230060A1 (ja) 表示装置
WO2023062695A1 (ja) 表示装置
WO2024013808A1 (ja) 表示装置
WO2023238297A1 (ja) 表示装置
WO2023157110A1 (ja) 表示装置
WO2023013039A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2023112328A1 (ja) 表示装置
WO2024029037A1 (ja) 表示装置
US20240147789A1 (en) Display device
US20230329038A1 (en) Display device and method for manufacturing same
US11889729B2 (en) Display device
WO2023157293A1 (ja) 表示装置
WO2023218637A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination