CN113745394A - 发光基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种发光基板及其制备方法。发光基板的制备方法包括：提供第一基板，第一基板包括底板与焊盘组件，焊盘组件安装于底板的安装面上；在底板的安装面上形成沟槽，沟槽设于焊盘组件的外围；在底板的安装面上位于沟槽外围的位置施加阻焊油墨，以形成阻焊油墨层，阻焊油墨层包括位于沟槽外围的第一油墨层以及位于沟槽内的第二油墨层；提供LED芯片，将LED芯片与焊盘组件连接在一起。本申请实施例的发光基板的制备方法通过在底板上设置沟槽，能够提高阻焊油墨层的涂覆精度，缩小阻焊油墨层与焊盘组件之间的距离，并且能避免出现阻焊油墨溢到焊盘而导致的焊接不良或者焊接失效。

Description

发光基板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种发光基板及其制备方法。
背景技术
MLED(Mini-LED)技术的主要发展方向分为背光和直显两大板块，无论是直显产品还是背光产品，MLED封装结构的表面均需要覆盖一层阻焊油墨。
现阶段MLED产品对阻焊油墨的涂覆精度要求越来越高，即，需要使阻焊油墨与焊盘之间的距离越来越小，但是，按照现有的油墨涂覆工艺来尝试提高阻焊油墨的涂覆精度时，经常会发生阻焊油墨溢墨到焊盘上的现象，即焊盘的表面部分或全部覆盖上阻焊油墨，然而，当焊盘上覆盖阻焊油墨时，在后续和LED芯片进行焊接的过程中经常会出现焊接不良或者无法焊接的情况。
发明内容
本申请实施例提供一种发光基板及其制备方法，能够避免阻焊油墨溢到焊盘而导致的焊接不良或者焊接失效。
第一方面，本申请实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
提供第一基板，所述第一基板包括底板与焊盘组件，所述焊盘组件安装于所述底板的安装面上；
在所述底板的所述安装面上形成沟槽，所述沟槽设于所述焊盘组件的外围；
在所述底板的所述安装面上位于所述沟槽外围的位置施加阻焊油墨，以形成阻焊油墨层，所述阻焊油墨层包括位于所述沟槽外围的第一油墨层以及位于所述沟槽内的第二油墨层；
提供LED芯片，将所述LED芯片与所述焊盘组件连接在一起。
在一些实施例中，所述在所述底板的所述安装面上形成沟槽包括：向所述底板的所述安装面照射激光，以在所述底板的所述安装面上形成所述沟槽。
在一些实施例中，所述第一基板还包括设于所述底板的所述安装面上的导线，所述导线与所述焊盘组件连接，所述沟槽在所述导线的位置断开。
在一些实施例中，所述焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，所述沟槽的内边缘与所述第一焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm，所述沟槽的内边缘与所述第二焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm。
在一些实施例中，所述在所述底板的所述安装面上位于所述沟槽外围的位置施加阻焊油墨包括：
在所述安装面上距离所述沟槽的外边缘大于0且小于5μm范围内的位置处施加阻焊油墨。
在一些实施例中，所述沟槽的宽度为30μm～60μm，所述沟槽的深度为15μm～45μm。
第二方面，本申请实施例提供一种发光基板，包括：
底板，所述底板具有安装面；
焊盘组件，安装于所述底板的所述安装面上；
阻焊油墨层，设置于所述底板的所述安装面上；
所述底板的所述安装面上设有沟槽，所述沟槽设于所述焊盘组件的外围，所述阻焊油墨层包括位于所述沟槽外围的第一油墨层和位于所述沟槽内的第二油墨层；
LED芯片，所述LED芯片与所述焊盘组件连接。
在一些实施例中，所述发光基板还包括设于所述底板的所述安装面上的导线，所述导线与所述焊盘组件连接，所述沟槽在所述导线的位置断开。
在一些实施例中，所述焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，所述沟槽的内边缘与所述第一焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm，所述沟槽的内边缘与所述第二焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm。
在一些实施例中，所述沟槽的宽度为30μm～60μm，所述沟槽的深度为15μm～45μm。
在一些实施例中，所述第一油墨层的厚度为15μm～45μm，所述第二油墨层的厚度为15μm～45μm。
本申请实施例提供的发光基板的制备方法通过在底板上设置沟槽，能够利用沟槽对施加于沟槽外围的阻焊油墨进行引流，使油墨自动溢流至沟槽中，从而缩小阻焊油墨层与焊盘组件之间的距离，提高阻焊油墨层的涂覆精度，另外，在保证阻焊油墨层具有较高的涂覆精度的情况下，由于沟槽具有接收溢流油墨的能力，还能够避免出现阻焊油墨溢到焊盘而导致的焊接不良或者焊接失效。并且该制备方法简单，容易实现，生产成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的发光基板的制备方法的流程图。
图2为图1的制备方法的步骤100的示意图。
图3为图2中的结构沿A-A方向的剖视示意图。
图4为图1的制备方法的步骤200的示意图。
图5为图4中的结构沿B-B方向的剖视示意图。
图6为图1的制备方法的步骤300的示意图。
图7为图6中的结构沿C-C方向的剖视示意图。
图8为图1的制备方法的步骤400的示意图以及本申请实施例提供的发光基板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的发光基板的制备方法的流程图。本申请实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：
100，提供第一基板，第一基板包括底板与焊盘组件，焊盘组件安装于底板的安装面上。
请参阅图2和图3，图2为图1的制备方法的步骤100的示意图，图3为图2中的结构沿A-A方向的剖视示意图。焊盘组件12可以包括间隔设置的第一焊盘121与第二焊盘122。可以理解的是，第一焊盘121与第二焊盘122中的一个焊盘可以用于和LED芯片30的正极焊接在一起，第一焊盘121与第二焊盘122中的另一个焊盘可以用于和LED芯片30的负极焊接在一起。
请结合图2，第一基板20还可以包括设于底板11的安装面上的导线14，导线14与焊盘组件12连接。具体的，焊盘组件12中的第一焊盘121和第二焊盘122分别与两根不同的导线14连接。
示例性地，底板11的材料可以为树脂或玻璃等；第一焊盘121的材料与第二焊盘122的材料可以均为金属，例如铜(Cu)。
200，在底板的安装面上形成沟槽，沟槽设于焊盘组件的外围。
示例性地，“在底板11的安装面上形成沟槽115”具体可以包括：向底板11的安装面照射激光，以在底板11的安装面上形成沟槽115。
请参阅图4和图5，图4为图1的制备方法的步骤200的示意图，图5为图4中的结构沿B-B方向的剖视示意图。当焊盘组件12包括间隔设置的第一焊盘121与第二焊盘122时，沟槽115的内边缘与第一焊盘121的外边缘之间的距离a可以设置为5μm～15μm(例如5μm、7μm、9μm、10μm、12μm、14μm、15μm等)，沟槽115的内边缘与第二焊盘122的外边缘之间的距离b可以设置为5μm～15μm(例如5μm、7μm、9μm、10μm、12μm、14μm、15μm等)。可以理解的是，由于激光加工的精度较高，因此可以做到使沟槽115形成在距离焊盘组件12较近的位置。
请结合图4，可以看出，沟槽115在导线14的位置断开，以避让导线14，即沟槽115为非闭合结构。
示例性地，沟槽115在整体上可以呈矩形。
示例性地，导线14的材料可以为金属，例如铜(Cu)。
300，在底板的安装面上位于沟槽外围的位置施加阻焊油墨，以形成阻焊油墨层，阻焊油墨层包括位于沟槽外围的第一油墨层以及位于沟槽内的第二油墨层。
请参阅图6与图7，图6为图1的制备方法的步骤300的示意图，图7为图6中的结构沿C-C方向的剖视示意图。“在底板的安装面上位于沟槽外围的位置施加阻焊油墨”具体可以包括：在安装面上距离沟槽115的外边缘大于0且小于5μm范围内(例如0.5μm、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm等)的位置处施加阻焊油墨。可以理解的是，由于油墨具有流动性，因此，在沟槽115的外围施加的阻焊油墨会自动向沟槽115所在的方向进行流动，进入沟槽115内，固化后形成位于沟槽115内的第二油墨层132，沟槽115外围底板11表面的阻焊油墨固化后形成第一油墨层131。
可以理解的是，第二油墨层132可以填满沟槽115，即第二油墨层132的厚度与沟槽115的深度相等(如图7所示)，或者第二油墨层132可以不完全填充沟槽115，即第二油墨层132的厚度小于沟槽115的深度。
示例性地，可以采用喷墨印刷或丝网印刷的方式从沟槽115的外围施加阻焊油墨。
可以理解的是，阻焊油墨的作用包括：
1、作为阻焊层，防止焊接工艺中因桥连产生的短路；
2、作为保护层，保护底板11上的线路以及起到绝缘作用；
3、阻焊油墨层13中可以添加颜料，通过添加不同的颜料起到不同的作用，例如阻焊油墨层13中可以添加白色颜料，使阻焊油墨层13形成白色油墨层，白色油墨层反射能力较强，适合应用于背光产品中，提高液晶显示设备的光源利用率，或者，阻焊油墨层13中也可以添加黑色颜料，使阻焊油墨层13形成黑色油墨层，黑色油墨层具有较高的对比度，适合应用于直显产品中，提高LED显示产品的对比度和显示效果。
目前LED背光产品对反射率的要求越来越高，当LED背光产品想要做到周围的白色阻焊油墨层13的反射率达到90％以上，需要白色阻焊油墨层13内边缘距离焊盘外边缘的位置小于50μm，即白色阻焊油墨层13离焊盘的位置越近越好，尽可能覆盖焊盘周围的所有区域。然而，由于现有的油墨印刷工艺的限制，目前能够达到的最高油墨涂覆精度仅为75μm，一旦小于75μm就会出现焊盘表面溢墨(即阻焊油墨溢到焊盘上)的现象，导致当对焊盘与LED芯片进行焊接时出现焊接不良或难以焊接的现象，从而无法满足当前LED背光产品对油墨涂覆精度的要求。可以理解的是，油墨涂覆精度越高指的是油墨内边缘至焊盘外边缘之间的距离越小，油墨涂覆精度越高，具有白色阻焊油墨层13的LED背光产品的反射率越高，越能够满足高阶产品的规格设计需求。本申请实施例通过在底板11上焊盘组件12的外围形成沟槽115，能够利用沟槽115对施加于沟槽115外围的阻焊油墨进行引流，使油墨自动溢流至沟槽115中，形成靠近焊盘组件12的第二油墨层132，由于激光加工等工艺的制作精度较高，因此可以使沟槽115尽可能的设置在靠近焊盘组件12的位置，目前可以将沟槽115的内边缘与焊盘组件12的外边缘之间的距离做到5μm～15μm，由于沟槽115内设有第二油墨层132，相当于沟槽115的内边缘即为阻焊油墨层13的内边缘，即，使阻焊油墨层13的内边缘与焊盘组件12的外边缘之间的距离(油墨涂覆精度)做到5μm～15μm，从而大大提高了LED背光产品的油墨涂覆精度，使LED背光产品的反射率可以做到90％以上。并且，由于沟槽115具有较强的容纳能力，可以接收从施加位点朝向焊盘组件12流动的阻焊油墨，因此还可以避免出现阻焊油墨溢到焊盘组件12上导致的焊接不良或者焊接失效。
另外，目前LED直显产品的Pitch(像素之间的间距)也越做越小，这也就意味着对阻焊油墨涂覆的精度要求变高，阻焊油墨距离焊盘的位置也越来越近，当LED直显产品的Pitch做到0.6mm以下时，由于目前黑色阻焊油墨的印刷工艺达不到精度要求，只能采用BM(黑色矩阵)来代替。本申请实施例提供的发光基板的制备方法，通过在底板11上焊盘组件12的外围形成沟槽115，能够利用沟槽115对阻焊油墨的引流效应，以及沟槽115本身制作工艺精度较高的优势，大幅缩小阻焊油墨层13的内边缘与焊盘组件12的外边缘之间的距离(可以做到5μm～15μm)，实现较高的油墨涂覆精度，对于具有黑色阻焊油墨层13的LED直显产品来说，能够大幅提高LED直显产品的对比度，从而提升其显示效果，另外还可以借由沟槽115收纳溢流的阻焊油墨从而避免出现阻焊油墨溢到焊盘组件12上导致的焊接不良或者焊接失效。
示例性地，沟槽115的宽度w可以为30μm～60μm(例如30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等)，沟槽115的深度h可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)。
示例性地，第一油墨层131的厚度可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)，第二油墨层132的厚度可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)。
400，提供LED芯片，将LED芯片与焊盘组件连接在一起。
请参阅图8，图8为图1的制备方法的步骤400的示意图以及本申请实施例提供的发光基板的示意图。LED芯片30与焊盘组件12可以通过焊接的方式进行连接。
示例性地，LED芯片30可以具有正极和负极，正极可以与第一焊盘121连接，负极可以与第二焊盘122连接。
综上所述，本申请实施例提供的发光基板的制备方法，通过在底板11上设置沟槽115，能够利用沟槽115对施加于沟槽115外围的阻焊油墨进行引流，使油墨自动溢流至沟槽115中，从而缩小阻焊油墨层13与焊盘组件12之间的距离，提高阻焊油墨层的涂覆精度，另外，在保证阻焊油墨层13具有较高的涂覆精度的情况下，由于沟槽115具有接收溢流油墨的能力，还能够避免出现阻焊油墨溢到焊盘组件12导致的焊接不良或者焊接失效。并且该制备方法简单，容易实现，生产成本低。
请参阅图8，同时结合图6与图7，本申请实施例还提供一种发光基板100，发光基板100可以采用上述任一实施例中的发光基板100的制备方法制得，发光基板100可以包括底板11、焊盘组件12、阻焊油墨层13以及LED芯片30，底板11具有安装面，焊盘组件12安装于底板11的安装面上，阻焊油墨层13设置于底板11的安装面上，底板11的安装面上设有沟槽115，沟槽115设于焊盘组件12的外围，阻焊油墨层13包括位于沟槽115外围的第一油墨层131和位于沟槽115内的第二油墨层132，LED芯片30与焊盘组件12连接。
请结合图6与图7，焊盘组件12可以包括间隔设置的第一焊盘121与第二焊盘122，沟槽115的内边缘与第一焊盘121的外边缘之间的距离a为5μm～15μm(例如5μm、7μm、9μm、10μm、12μm、14μm、15μm等)，沟槽115的内边缘与第二焊盘122的外边缘之间的距离b为5μm～15μm(例如5μm、7μm、9μm、10μm、12μm、14μm、15μm等)。
请结合图4和图6，发光基板100还可以包括设于底板11的安装面上的导线14，导线14与焊盘组件12连接，沟槽115在导线14的位置断开，以避让所述导线14。具体的，焊盘组件12中的第一焊盘121和第二焊盘122分别与两根不同的导线14连接。
示例性地，沟槽115的宽度w可以为30μm～60μm(例如30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等)，沟槽115的深度h可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)。
示例性地，第一油墨层131的厚度可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)，第二油墨层132的厚度可以为15μm～45μm(例如15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm等)。
可以理解的是，第二油墨层132可以填满沟槽115，即第二油墨层132的厚度与沟槽115的深度相等(如图7所示)，或者第二油墨层132可以不完全填充沟槽115，即第二油墨层132的厚度小于沟槽115的深度。
示例性地，底板11的材料可以为树脂或玻璃等；第一焊盘121的材料与第二焊盘122的材料可以均为金属，例如铜(Cu)；导线14的材料可以为金属，例如铜(Cu)。
示例性地，沟槽115在整体上可以呈矩形。
示例性地，LED芯片30与焊盘组件12通过焊接的方式进行连接。
示例性地，LED芯片30可以具有正极和负极，正极可以与第一焊盘121连接，负极可以与第二焊盘122连接。
发光基板100可以为背光产品，即可以应用于液晶显示装置中为液晶面板提供光源。
发光基板100也可以为直显产品，即直接作为显示装置使用。
本申请实施例提供的发光基板100，通过在底板11上焊盘组件12的外围设置沟槽115，使得阻焊油墨层13的内边缘可以延伸至沟槽115的内边缘，由于沟槽115的制作工艺精度较高，即可以使沟槽115的内边缘尽可能的靠近焊盘组件12，因此相当于缩短了阻焊油墨层13的内边缘与焊盘组件12的外边缘之间的距离，从而提高了阻焊油墨层13的涂覆精度。另外，在保证阻焊油墨层13具有较高的涂覆精度的情况下，由于沟槽115具有容纳溢流油墨的能力，因此还能够避免出现阻焊油墨溢到焊盘组件12导致的焊接不良或者焊接失效。并且，该发光基板100的结构简单，容易制备，生产成本低。另外，由于发光基板100中阻焊油墨层13的涂覆精度较高，因此，当发光基板100用作背光产品时(即当阻焊油墨层13为白色油墨时)，能够提高背光产品的反射率，当发光基板100用作直显产品时(即当阻焊油墨层13为黑色油墨时)，能够提高直显产品的对比度进而提升其显示效果，因此该发光基板100能够满足多种高阶产品的规格设计需求。
以上对本申请实施例提供的发光基板及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种发光基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，所述第一基板包括底板与焊盘组件，所述焊盘组件安装于所述底板的安装面上；
在所述底板的所述安装面上形成沟槽，所述沟槽设于所述焊盘组件的外围；
在所述底板的所述安装面上位于所述沟槽外围的位置施加阻焊油墨，以形成阻焊油墨层，所述阻焊油墨层包括位于所述沟槽外围的第一油墨层以及位于所述沟槽内的第二油墨层；
提供LED芯片，将所述LED芯片与所述焊盘组件连接在一起。
2.根据权利要求1所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述在所述底板的所述安装面上形成沟槽包括：向所述底板的所述安装面照射激光，以在所述底板的所述安装面上形成所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述第一基板还包括设于所述底板的所述安装面上的导线，所述导线与所述焊盘组件连接，所述沟槽在所述导线的位置断开。
4.根据权利要求1所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，所述沟槽的内边缘与所述第一焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm，所述沟槽的内边缘与所述第二焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm。
5.根据权利要求1所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述在所述底板的所述安装面上位于所述沟槽外围的位置施加阻焊油墨包括：
在所述安装面上距离所述沟槽的外边缘大于0且小于5μm范围内的位置处施加阻焊油墨。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为30μm～60μm，所述沟槽的深度为15μm～45μm。
7.一种发光基板，其特征在于，包括：
底板，所述底板具有安装面；
焊盘组件，安装于所述底板的所述安装面上；
阻焊油墨层，设置于所述底板的所述安装面上；
所述底板的所述安装面上设有沟槽，所述沟槽设于所述焊盘组件的外围，所述阻焊油墨层包括位于所述沟槽外围的第一油墨层和位于所述沟槽内的第二油墨层；
LED芯片，所述LED芯片与所述焊盘组件连接。
8.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板还包括设于所述底板的所述安装面上的导线，所述导线与所述焊盘组件连接，所述沟槽在所述导线的位置断开。
9.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，所述沟槽的内边缘与所述第一焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm，所述沟槽的内边缘与所述第二焊盘的外边缘之间的距离为5μm～15μm。
10.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述沟槽的宽度为30μm～60μm，所述沟槽的深度为15μm～45μm。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的发光基板，其特征在于，所述第一油墨层的厚度为15μm～45μm，所述第二油墨层的厚度为15μm～45μm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023206611A1 (zh) * 2022-04-27 2023-11-02 广州华星光电半导体显示技术有限公司 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046142A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びそれに用いる支持台
CN105323979A (zh) * 2014-06-26 2016-02-10 易鼎股份有限公司 软性电路板的溢胶导流结构
JP2016157918A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 日亜化学工業株式会社 実装基板及びこれを用いた電子装置
CN206525017U (zh) * 2016-12-29 2017-09-26 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 防溢胶电路板
CN107636829A (zh) * 2015-05-07 2018-01-26 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光装置
CN207382658U (zh) * 2017-06-19 2018-05-18 深圳可瑞高新材料股份有限公司 一种led芯片倒封装pcb板
CN109786273A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 集成电路结构及其形成方法
CN110416248A (zh) * 2019-08-06 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN212209545U (zh) * 2020-06-01 2020-12-22 江西兆驰光元科技股份有限公司 Led显示器件和显示设备
CN112349710A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 深圳市鼎华芯泰科技有限公司 一种rgb-led的封装结构和封装方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887380U (ja) * 1981-12-09 1983-06-14 松下電器産業株式会社 印刷配線板
JPS61110490A (ja) * 1984-11-02 1986-05-28 松下電器産業株式会社 プリント基板へのレジスト膜形成方法
JPH0738233A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Sony Corp プリント配線基板及びその製造方法
KR20080061816A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 인쇄회로기판 및 그의 제조방법
JP4963998B2 (ja) * 2007-03-28 2012-06-27 ローム株式会社 回路基板、半導体装置、及び半田バンプの形成方法
JP2012156389A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Panasonic Corp 半導体装置
CN104347553A (zh) * 2013-07-23 2015-02-11 西安永电电气有限责任公司 一种挖槽阻焊型igbt模块底板
JP2016063132A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 日立化成株式会社 光素子搭載用配線板
JP6566625B2 (ja) * 2014-11-06 2019-08-28 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュール及びこれらの製造方法、電子機器
CN106356353A (zh) * 2015-07-14 2017-01-25 苏州旭创科技有限公司 基板及应用该基板的焊接结构和焊接方法
CN205609479U (zh) * 2015-11-23 2016-09-28 南京晟芯半导体有限公司 一种在芯片焊接中可防止芯片位移的基板
CN108702842B (zh) * 2017-05-03 2020-06-26 华为技术有限公司 Pcb、封装结构、终端及pcb的加工方法
JP7060835B2 (ja) * 2017-09-26 2022-04-27 カシオ計算機株式会社 回路基板、電子機器、および回路基板の製造方法
CN110416170B (zh) * 2019-06-24 2021-07-09 苏州通富超威半导体有限公司 基板、芯片封装结构及其制备方法
US11302652B2 (en) * 2019-12-20 2022-04-12 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package substrate with a smooth groove about a perimeter of a semiconductor die

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046142A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びそれに用いる支持台
CN105323979A (zh) * 2014-06-26 2016-02-10 易鼎股份有限公司 软性电路板的溢胶导流结构
JP2016157918A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 日亜化学工業株式会社 実装基板及びこれを用いた電子装置
CN107636829A (zh) * 2015-05-07 2018-01-26 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光装置
CN206525017U (zh) * 2016-12-29 2017-09-26 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 防溢胶电路板
CN207382658U (zh) * 2017-06-19 2018-05-18 深圳可瑞高新材料股份有限公司 一种led芯片倒封装pcb板
CN109786273A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 集成电路结构及其形成方法
CN110416248A (zh) * 2019-08-06 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN212209545U (zh) * 2020-06-01 2020-12-22 江西兆驰光元科技股份有限公司 Led显示器件和显示设备
CN112349710A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 深圳市鼎华芯泰科技有限公司 一种rgb-led的封装结构和封装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023206611A1 (zh) * 2022-04-27 2023-11-02 广州华星光电半导体显示技术有限公司 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法

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