CN113649558B - 一种纳米银线及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种纳米银线及其制备方法,属于贵金属粉体新材料制备技术领域。该制备方法制备得到的纳米银线的长度为5‑15μm,直径为150nm‑300nm;并且所述纳米银线的纯度为100%,通过该方法能够快速、高效且低能耗的制备纳米银线,利用自身形成的银质子作为晶核,无需外加其他金属颗粒及其他离子,提高纳米银线导电膜的导电功能,适用于大规模化生产纳米银线。
Description
技术领域
本申请涉及一种纳米银线及其制备方法,属于贵金属粉体新材料制备技术领域。
背景技术
金属银具有优异的物理、化学性能,如导电性能、导热性、最强的反射特性、相对稳定的化学性能等,被广泛应用于抗菌材料、医用材料、电子浆料、装饰材料、催化剂等领域。其中纳米银线作为一维金属纳米材料,具有长径比大、导电性好、透光性强、耐屈挠性,同时可均匀分散在水、乙醇和异丙醇等易挥发溶剂中等特点,其应用领域很广泛,尤其在透明电极应用方面,有取代常规ITO(氧化铟锡)的趋势。
截止目前,已报道的纳米银线的合成方法众多,如模板法、紫外线辅助还原法、固液相电弧放电法、电化学法、多元醇法等。模板法经常采用纳米多孔膜、介孔二氧化硅、碳纳米管、DNA链、类棒形生物胶粒等作为模板合成银纳米线。模板法在合成一维纳米结构后,需要对模板通过强酸、强碱去除,合成工艺复杂,不适合于商业化大规模制备。
多元醇法由于成本低、产率高、工艺简单等特点而被认为是一种理想的合成纳米银线的方法。然而,传统的多元醇液相还原法大多采用卤素离子作为形核剂,纳米银线产物中常存在较多的卤化银颗粒,后续的分离纯化过程较难将其除去,降低纳米银线的纯度。卤化银颗粒尺寸通常比纳米银线的线径尺寸大,容易造成后续成膜过程中导电膜面不够平整,水和氧容易侵入导电膜层内部;此外,卤素离子本身具有较强的吸湿性,采用该法合成的纳米银线导电膜层后续容易发生氧化及银迁移现象,从而造成膜层导电功能下降甚至失效。
原禧敏《无卤素离子辅助合成银纳米线及其在柔性透明导电膜中的应用》中加入硝酸铜作为反应参物,利用Cu2+有助于银十面双晶的稳定,从而促进纳米银线的形成,但同时在后序洗涤、离心过程中肯定会有Cu2+的存在,由于其易氧化性不利于纳米银线的应用。另外一些纳米银线的合成中,还存在操作不便、产量低、制备时间长和高能耗等问题,不适用于大规模生产,因此,寻求一种制备工艺简单、生产效率高、生产成本低的纳米银线合成工艺,具有重要的现实意义。
发明内容
为了解决上述问题,提供了一种纳米银线及其制备方法,该方法制备的纳米银线合成工艺简单,能够快速、高效且低能耗的制备纳米银线,利用自身形成的银质子作为晶核,无需外加其他金属颗粒及其他离子,提高纳米银线导电膜的导电功能,适用于大规模化生产纳米银线。
根据本申请的一个方面,提供了一种纳米银线,所述纳米银线的长度为5-15μm,直径为150nm-300nm;
所述纳米银线的纯度为100%。
通常纳米银线用于制备导电膜和透明电极,该纳米银线的长径比适中,在该范围内,能够有效降低纳米银线的接触电阻,若纳米银线的长度过长,即长径比进一步增大,则会使得纳米银线之间的空隙增加,引起纳米银线接触电阻的升高,不利于导电;若长度过短,纳米银线之间电接触增多,面接触减少,也会导致接触电阻升高,从而降低纳米银线的导电性。该纳米银线的纯度为100%,不存在其他金属离子或卤素离子,将其制备导电膜时,能够提高导电膜的平整性,避免导电膜后续发生氧化或银迁移的现象,长期稳定导电膜的导电功能,延长导电膜的使用时间。优选的,所述纳米银线的长度为5-10μm,直径为200-250nm,所述纳米银线的直径上限为210nm、220nm、230nm、240nm,所述纳米银线的直径下限为210nm、220nm、230nm、240nm,所述纳米银线的长度为5-10μm的占比上限为80%、85%、90%、94%或100%,在该纳米银线的直径范围内,长度的纳米银线占比越大,纳米银线的接触电阻降低越低,增加纳米银线的导电性。
可选地,所述纳米银线的制备中,先将1%-3%的硝酸银溶液和还原剂滴加至分散剂溶液中反应形成晶核,随后加入剩余硝酸银溶液在所述晶核上进行异向生长得到。
根据本申请的另一个方面,提供了一种纳米银线的制备方法,该方法包括下述步骤:
将分散剂溶解于多元醇中,形成溶液A;
将硝酸银溶解于多元醇中,形成溶液B;
将所述溶液A升温至150-190℃,加入1%-3%的所述溶液B和还原剂,反应1-5min后滴加剩余溶液B,继续反应0.5-2h,清洗、离心分离后得到所述纳米银线。
该制备方法中,将分散剂和硝酸银分别溶解于多元醇溶液中,在150-190℃的高温下将1%-3%的溶液B滴加入分散剂溶液中,并加入还原剂,使得1%-3%的溶液B中的硝酸银还原成银质子,后续的剩余溶液B中的硝酸银会继续在该晶核上进行生长,逐渐生长成纳米银线。以自身的银质子作为晶核,能够避免引入外加的形核剂,从而提高纳米银线的纯度,利于后期纳米银线的应用,提升导电膜的使用性能。
若在其他形核剂上生成纳米银线,则由于溶液中存在其他离子,银离子在还原过程中会受到其他离子的影响,导致还原速度变慢,生长效率变低,例如卤素离子作为形核剂的情况下,会生成一定的卤化银,卤化银的尺寸增大,其掺杂在纳米银线中会使得纳米银线的比表面积降低,减少纳米银线与银离子的接触面积,从而降低银离子的还原速率;本申请在自身银质子作为晶核上进行硝酸银的还原,能够减少银离子的副反应,提高硝酸银的还原速度,提高纳米银线的生产效率,反应周期短,适用于大规模化的生产纳米银线。
使用多元醇作为溶剂,所述多元醇为乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇中的任意一种或多种,优选为乙二醇。首先,醇结构中的羟基可做弱还原剂,减少强还原剂的使用量,使反应更缓和并阻止银颗粒的团聚;其次,醇类溶剂可作为分散剂防止纳米银线的团聚、延长纳米银线储存时间,进一步地,醇类本身的润滑性能能增加纳米银线的润湿性,使得纳米银线的分散更加均匀,最后,采用醇类作溶剂,在纳米银线制备完成之后可快速高效的将纳米银线进行收集,并清理其表面附着的溶剂,例如乙二醇能够溶于水和挥发速度快,后处理更加便捷。
优选的,将所述溶液A升温至170-190℃下制备纳米银线,在该高温下,多元醇的还原性增加,可以作为还原剂使用,有利于银的还原生长,此温度下所得的纳米银线的长度增加,提高纳米银线的长径比,在一定范围内降低纳米银线的接触电阻,提高纳米银线的导电性。
可选地,所述溶液B中硝酸银的摩尔浓度为0.1-10mol/L,优选为1-5mol/L,更优选为1-3mol/L。硝酸银溶液加入分散剂溶液中进行还原得到纳米银线,该浓度的硝酸银能够保证生成一定长径比的纳米银线,若浓度过高,则导致纳米银线变短,容易生成颗粒状银粉,影响纳米银线的导电性。
可选地,所述还原剂的重量为所述硝酸银重量的1%-5%,优选为2%。所述还原剂为水合肼、葡萄糖、抗坏血酸、柠檬酸、单宁酸、硼氢化钠、次磷酸钠、醛类、羟胺类中的任意一种或多种,优选为水合肼。此处的还原剂重量为整体硝酸银重量的1%-5%,该还原剂在初期加入1%-3%的溶液B时一起加入,能够将1%-3%硝酸银溶液还原成银单质,并且促使银单质生产为线性,使其作为形核剂,利于后续纳米银线的生成。
可选地,所述溶液A中分散剂与所述溶液B中硝酸银的重量比为2-10:1,优选为2:1。所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇中的任意一种或多种,优选为聚乙烯吡咯烷酮,更优选为聚乙烯吡咯烷酮K30。分散剂上的存在孤对电子,该孤对电子能够与银吸附,促使银离子沿着形成晶核的银质子进行异向生长,从而合成纳米银线。分散剂与硝酸银的重量比越大,则生成的纳米银线越短,当分散剂与硝酸银重量比大于10:1时,会导致溶液中的银离子在各个方向上包覆整个晶核,从而同向生长颗粒状银粉,无法得到本申请所需要的纳米银线。
可选地,所述溶液A中分散剂的质量浓度为0.1-1Kg/L,优选为0.1-0.5Kg/L。此分散剂的浓度在不影响纳米银线生长速率的前提下,有利于银离子的分散,便于银离子在晶核的基础上进行异向生长。
可选地,所述溶液A升温至160-180℃,加入2%的所述溶液B和还原剂,反应1min后滴加剩余溶液B,滴加剩余溶液B中,所述剩余溶液B的滴加速度为4-18mL/min,优选为10mL/min。随着硝酸银溶液的逐渐滴加,银离子在分散剂和还原剂的作用下沿晶核进行异向生长,该滴加速率能够保证生产出直径均匀且长度适中的纳米银线,若滴加速率过少,则生产速率降低,同时银离子的数量降低,导致各个晶核上附着的银离子数量不等,从而制备得到的纳米银线的直径分布不均匀;若滴加速率过快,则在滴加过程中,一部分银离子不沿晶核进行生长,而是在溶液中自身生成银质子,并作为晶核再继续生长,从而导致纳米银线的数量增多,并且长度变短,降低纳米银线的长径比。
可选地,该制备方法包括下述步骤:
将聚乙烯吡咯烷酮K30溶剂于乙二醇中,搅拌形成溶液A,所述溶液A中分散剂的质量浓度为0.16Kg/L;
将硝酸银溶解于乙二醇中,搅拌形成溶液B,所述溶液B中硝酸银的摩尔浓度为1.2mol/L,所述溶液A中聚乙烯吡咯烷酮K30与所述溶液B中硝酸银的重量比为2:1;
将所述溶液A升温至160℃,加入2%的所述溶液B和水合肼,所述水合肼的重量为所述硝酸银重量的2%,反应1min后滴加剩余溶液B,滴加速率为10mL/min,继续反应1h,降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到所述纳米银线。
本申请的有益效果包括但不限于:
1.根据本申请的纳米银线,该纳米银线的长径比适中,在该范围内,能够有效降低纳米银线的接触电阻,并且该纳米银线的纯度为100%,不存在其他金属离子或卤素离子,将其制备导电膜时,能够提高导电膜的平整性,减少导电膜的副反应,确保导电膜正常发挥导电作用。
2.根据本申请的纳米银线的制备方法,以自身的银质子作为晶核,能够避免引入外加的形核剂,从而提高纳米银线的纯度,利于后期纳米银线的应用,提升导电膜的使用性能。并且合成工艺简单好操作,生产效率高,反应周期短,可用于大批量制备纳米银线。
3.根据本申请的纳米银线的制备方法,制备得到的纳米银线没有杂质,纳米银线的长度及直径均匀性好,可有效降低纳米银线的接触电阻,提高纳米银线的导电效率,可用于制作导电膜或透明电极。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为本申请实施例1制得的纳米银线的扫描电镜图;
图2为本申请实施例2制得的纳米银线的扫描电镜图;
图3为本申请实施例3制得的纳米银线的扫描电镜图;
图4为本申请实施例4制得的纳米银线的扫描电镜图;
图5为本申请对比例1制得的纳米银线的扫描电镜图;
图6为本申请对比例2制得的纳米银线的扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请,但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明,本申请的实施例中的原料和设备均通过商业途径购买,实施例中的方法,如无特殊说明,均为本领域的常规方法。
本申请的实施例中分析方法如下:
利用INSPECT S50扫描电镜进行形貌分析、直径、长度的测量。
本申请的实施例中产率计算如下:m(干粉)/m(硝酸银)*0.635。
利用BT-302振实密度仪进行振实密度的分析。
利用BROOKFIELD S50对导电膜进行粘度分析。
利用KDY-1型四探针电阻率测试仪进行电阻率/方阻的测试分析。
实施例1
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取26g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至180℃,加入1mL上述溶解好的溶液B和200uL水合肼,搅拌1min后,将上述剩余的溶液B以10mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,180℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到纳米银线1#。
实施例2
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至180℃,加入1mL上述溶解好的溶液B和200uL水合肼,搅拌1min后,将上述剩余的溶液B以10mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,180℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到纳米银线2#。
实施例3
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至160℃,加入1mL上述溶解好的溶液B和200uL水合肼,搅拌1min后,将上述剩余的溶液B以10mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,160℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到纳米银线3#。
实施例4
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至180℃,加入1mL上述溶解好的溶液B和200uL水合肼,搅拌1min后,将上述剩余的溶液B以5mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,180℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到纳米银线4#。
对比例1
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至180℃,加入200uL水合肼,搅拌1min后,将上述溶液B以10mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,180℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到对比纳米银线D1#。
对比例2
(1)称取8g硝酸银溶解在40mL乙二醇中,搅拌形成溶液B;
(2)取16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶于100mL乙二醇中,搅拌形成溶液A,将溶液A在磁力搅拌器中,加热至180℃,加入1mL的HCl溶液和200uL水合肼,其中的HCl溶液中HCl的质量浓度为1%,溶剂为乙二醇,搅拌1min后,将上述溶液B以10mL/min的速度滴加到溶液A中,滴加结束后,180℃保温1h;
(3)降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离得到对比纳米银线D2#。
将上述实施例制备得到的纳米银线1#-4#和对比纳米银线D1#-D2#进行分析测试,测试结果如表1:
表1
以上所述,仅为本申请的实施例而已,本申请的保护范围并不受这些具体实施例的限制,而是由本申请的权利要求书来确定。对于本领域技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的技术思想和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种纳米银线,其特征在于,所述纳米银线的长度为8-15μm,直径为200nm-250nm;
所述纳米银线的纯度为100%,所述纳米银线的比表面积为8.6m2/g,振实密度为1.9g/cm3;
所述纳米银线的制备包括下述步骤:
将16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶解于100ml乙二醇中,搅拌形成溶液A,所述溶液A中聚乙烯吡咯烷酮K30的质量浓度为0.16Kg/L,所述溶液A中聚乙烯吡咯烷酮K30与所述溶液B中硝酸银的重量比为2:1;
将8g硝酸银溶解于40ml乙二醇中,形成溶液B,所述溶液B中硝酸银的摩尔浓度为1.2mol/L;
将所述溶液A升温至180℃,加入1ml的所述溶液B和200uL水合肼,反应1min后滴加剩余溶液B,所述剩余溶液B的滴加速度为10mL/min,滴加结束后,180℃继续反应1h,降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离后得到所述纳米银线,所述水合肼的重量为溶液B中整体的所述硝酸银重量的2%。
2.一种权利要求1所述的纳米银线的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
将16g聚乙烯吡咯烷酮K30溶解于100ml乙二醇中,搅拌形成溶液A;
将8g硝酸银溶解于40ml乙二醇中,形成溶液B;
将所述溶液A升温至180℃,加入1ml的所述溶液B和200uL水合肼,反应1min后滴加剩余溶液B,所述剩余溶液B的滴加速度为10mL/min,滴加结束后,180℃继续反应1h,降温后进行水洗、乙醇洗、离心分离后得到所述纳米银线。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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