CN113488603B - 光学显示装置的制作方法 - Google Patents

光学显示装置的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种光学显示装置的制作方法，首先以物理气相沉积法于一显示层上正向形成一第一无机氧化物膜，接着以物理气相沉积法于第一无机氧化物膜上斜向形成至少一层第二无机氧化物膜，再来以物理气相沉积法于第二无机氧化物膜上正向形成一第三无机氧化物膜。最后，以物理气相沉积法于第三无机氧化物膜上依序斜向形成至少一层第四无机氧化物膜与至少一层第五无机氧化物膜，以于显示层上形成圆偏光层。由于圆偏光层是以物理气相沉积层所形成，所以不受应力累积的影响，当设于可挠性基板上时，不须考虑多重弯曲对称轴的影响。

Description

光学显示装置的制作方法
技术领域
本发明关于一种显示装置的制作方法，且特别涉及一种光学显示装置的制作方法。
背景技术
于一有机发光二极体显示器中，常以金属材料，例如镁、银或铝作为电极材料，以增加发光效率，但也因此容易反射外界的环境光，造成用户观察到的对比大大降低，故会于元件外部需贴附圆偏光片，此圆偏光片由线偏光片和四分的一波片组成，以藉此阻绝外界环境光，避免显示器发光受影响。
然而，圆偏光片会先以贴合制程贴附在聚乙烯醇与三醋酸纤维素的基板上，故应用范围小，只能单一使用。当显示器的基板使用软性基板时，通常会以薄膜封装层进行封装，此时需额外考虑贴附圆偏光片弯曲对称轴的位置与材质，以避免界面发生剥离现象。此外，贴附圆偏光片需使用光学胶，但这将增加厚度，一般总厚度会达到毫米～微米等级，例如50～200微米。由于圆偏光片由线偏光片和四分的一波片组成，所以会有高应力累积，必须考虑弯曲对称轴的位置，且光路径会受贴合平整度的影响。
因此，本发明系在针对上述的困扰，提出一种光学显示装置的制作方法，以解决习知所产生的问题。
发明内容
本发明提供一种光学显示装置的制作方法，其能依规格直接制作圆偏光层，厚度达纳米～微米等级，且不需要采用光学胶，减少考虑多重弯曲对称轴的位置与应力累积效应，光路径不受贴合平整度的影响。
在本发明的一实施例中，一种光学显示装置的制作方法包括下列步骤：利用第一靶材以物理气相沉积法与第一沉积方向于一显示层上形成一第一无机氧化物膜，其中显示层的法线方向平行第一沉积方向；利用至少一个第二靶材以物理气相沉积法与第二沉积方向于第一无机氧化物膜上形成至少一层第二无机氧化物膜，其中法线方向与第二沉积方向夹有锐角；利用第三靶材以物理气相沉积法与第三沉积方向于第二无机氧化物膜上形成一第三无机氧化物膜，其中法线方向平行第三沉积方向；利用至少一个第四靶材以物理气相沉积法与第四沉积方向于第三无机氧化物膜上形成至少一层第四无机氧化物膜，其中法线方向与第四沉积方向夹有锐角；以及利用至少一个第五靶材以物理气相沉积法与第五沉积方向于第四无机氧化物膜上形成至少一层第五无机氧化物膜，以于显示层上形成圆偏光层，其中法线方向与第五沉积方向夹有锐角。
在本发明的一实施例中，第二无机氧化物膜的数量为多层。
在本发明的一实施例中，第二靶材的数量为两个。
在本发明的一实施例中，第四无机氧化物膜的数量为多层，第五无机氧化物膜的数量为多层，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜交替式设置。
在本发明的一实施例中，第四靶材和第五靶材的材质相同或不同，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜的材质相同或不同
在本发明的一实施例中，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜的材质相同，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜皆包括柱状体，第四无机氧化物膜的柱状体的生长方向不同于第五无机氧化物膜的柱状体的生长方向。
在本发明的一实施例中，法线方向与第四沉积方向实质上夹有5～89度，法线方向与第五沉积方向实质上夹有5～89度。
在本发明的一实施例中，法线方向与第二沉积方向实质上夹有5～89度。
在本发明的一实施例中，第一无机氧化物膜、第二无机氧化物膜、第三无机氧化物膜、第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜的形成方法为热蒸镀法、电子枪蒸镀法、雷射沉积法或溅镀法。
在本发明的一实施例中，显示层包括一支撑基板、一有机发光二极体层与一薄膜封装层。支撑基板的表面垂直法线方向，有机发光二极体层设于支撑基板上，薄膜封装层设于有机发光二极体层与第一无机氧化物膜之间。
在本发明的一实施例中，支撑基板为可挠性基板。
在本发明的一实施例中，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜对于沿第一方向的偏振光的折射率相同时，第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜对于沿第二方向的偏振光有高低折射率的变化，第一方向垂直第二方向。
在本发明的一实施例中，第一无机氧化物膜、第二无机氧化物膜、第三无机氧化物膜、第四无机氧化物膜与第五无机氧化物膜包括三氧化钨、氟化镁、氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、三氧化二铝、二氧化锌、三氧化二铬、氧化亚锡、氧化铟、五氧化二钽、三氧化二铁或氧化铌。
基于上述，光学显示装置的制作方法以物理气相沉积层依规格直接制作互相堆叠的相位延迟层与线偏光层，总厚度达纳米～微米等级，且不需要采用光学胶，减少考虑多重弯曲对称轴的位置与应力累积效应，光路径不受贴合平整度的影响。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的光学显示装置的结构剖视图。
图2为本发明的一实施例的被生长层及其上的柱状体的结构剖视图。
图3为本发明的第二实施例的光学显示装置的结构剖视图。
图4a为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜与氟化镁膜的扫描电子显微镜影像。
图4b为本发明的一实施例的二氧化钛膜的相位延迟与光波长的曲线图。
图4c为本发明的一实施例的氟化镁膜的相位延迟与光波长的曲线图。
图5a为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜的折射率差与α角的曲线图。
图5b为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜的相位延迟与光波长的曲线图。
图6a为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的结构剖视与俯视的扫描电子显微镜影像。
图6b为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的厚度相对折射率差与穿透损失的数据图。
图6c为本发明的一实施例的二氧化钛的掺杂度相对掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的穿透度的数据图。
图6d为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的光波长与相位延迟的曲线图。
图7a为本发明的一实施例的周期式多层结构的结构剖视图。
图7b为本发明的一实施例的周期式多层结构的一单元结构的相位延迟与光波长的曲线图及周期式多层结构的扫描电子显微镜影像与相位延迟与光波长的曲线图。
图7c为本发明的另一实施例的周期式多层结构的相位延迟与光波长的曲线图。
图7d为本发明的一实施例的周期式多层结构的穿透度与光波长的曲线图。
附图标记：
1…光学显示装置
10…显示层
100…支撑基板
101…有机发光二极体层
102…薄膜封装层
11…第一无机氧化物膜
12…第二无机氧化物膜
13…第三无机氧化物膜
14…第四无机氧化物膜
15…第五无机氧化物膜
2…被生长层
3…柱状体
4…靶材
5…周期式多层结构
50…单元结构
500…无机氧化物膜
501…无机氧化物膜
n1、n2、n3、x、y、z…方向
具体实施方式
本发明的实施例将藉由下文配合相关附图进一步加以解说。尽可能的，于附图与说明书中，相同标号系代表相同或相似构件。于附图中，基于简化与方便标示，形状与厚度可能经过夸大表示。可以理解的是，未特别显示于附图中或描述于说明书中的元件，为所属技术领域中具有通常技术者所知的形态。本领域的通常技术者可依据本发明的内容而进行多种的改变与修改。
当一个元件被称为『在…上』时，它可泛指该元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在于两者的中。相反地，当一个元件被称为『直接在』另一元件，它是不能有其他元件存在于两者的中间。如本文所用，词汇『及/或』包括了列出的关联项目中的一个或多个的任何组合。
于下文中关于“一个实施例”或“一实施例”的描述系指关于至少一实施例内所相关连的一特定元件、结构或特征。因此，于下文中多处所出现的“一个实施例”或“一实施例”的多个描述并非针对同一实施例。再者，于一或多个实施例中的特定构件、结构与特征可依照一适当方式而结合。
揭露特别以下述例子加以描述，这些例子仅系用以举例说明而已，因为对于熟习此技艺者而言，在不脱离本揭示内容的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭示内容的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。在通篇说明书与申请专利范围中，除非内容清楚指定，否则「一」以及「该」的意义包括这一类叙述包括「一或至少一」该元件或成分。此外，如本揭露所用，除非从特定上下文明显可见将复数个排除在外，否则单数冠词亦包括复数个元件或成分的叙述。而且，应用在此描述中与下述的全部申请专利范围中时，除非内容清楚指定，否则「在其中」的意思可包括「在其中」与「在其上」。在通篇说明书与申请专利范围所使用的用词(terms)，除有特别注明，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本揭露的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供从业人员(practitioner)在有关本揭露的描述上额外的引导。在通篇说明书的任何地方的例子，包括在此所讨论的任何用词的例子的使用，仅系用以举例说明，当然不限制本揭露或任何例示用词的范围与意义。同样地，本揭露并不限于此说明书中所提出的各种实施例。
可了解如在此所使用的用词「包括(comprising)」、「包括(including)」、「具有(having)」、「含有(containing)」、「包括(involving)」等等，为开放性的(open-ended)，即意指包括但不限于。另外，本发明的任一实施例或申请专利范围不须达成本发明所揭露的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制发明作的申请专利范围。
在此所使用的用词「实质上(substantially)」、「大约(around)」、「约(about)」或「近乎(approximately)」应大体上意味在给定值或范围的20％以内，优选在10％以内。此外，在此所提供的数量可为近似的，因此意味着若无特别陈述，可用词「大约」、「约」或「近乎」加以表示。当一数量、浓度或其他数值或参数有指定的范围、优选范围或表列出上下理想值的时，应视为特别揭露由任何上下限的数对或理想值所构成的所有范围，不论该等范围是否分别揭露。举例而言，如揭露范围某长度为X公分到Y公分，应视为揭露长度为H公分且H可为X到Y之间的任意实数。
此外，若使用「电(性)耦接」或「电(性)连接」一词在此系包括任何直接及间接的电气连接手段。举例而言，若文中描述一第一装置电性耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。另外，若描述关于电讯号的传输、提供，熟习此技艺者应该可了解电讯号的传递过程中可能伴随衰减或其他非理想性的变化，但电讯号传输或提供的来源与接收端若无特别叙明，实质上应视为同一讯号。举例而言，若由电子电路的端点A传输(或提供)电讯号S给电子电路的端点B，其中可能经过一晶体管开关的源汲极两端及/或可能的杂散电容而产生电压降，但此设计的目的若非刻意使用传输(或提供)时产生的衰减或其他非理想性的变化而达到某些特定的技术效果，电讯号S在电子电路的端点A与端点B应可视为实质上为同一讯号。
除非特别说明，一些条件句或字词，例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也许(might)」，或「可(may)」，通常是试图表达本案实施例具有，但是也可以解释成可能不需要的特征、元件，或步骤。在其他实施例中，这些特征、元件，或步骤可能是不需要的。
以下将提出一种光学显示装置的制作方法，其系以物理气相沉积层依规格直接制作互相堆栈的相位延迟层与线偏光层，总厚度达纳米～微米等级，且不需要采用光学胶，用在可挠性基板上时减少考虑多重弯曲对称轴的位置与应力累积效应，光路径亦不受贴合平整度的影响。
图1为本发明的第一实施例的光学显示装置的结构剖视图。请参阅图1，在光学显示装置1的制作方法中，先利用第一靶材以物理气相沉积法与第一沉积方向于一显示层10上形成一第一无机氧化物膜11，其中显示层10的法线方向平行第一沉积方向。接着，利用至少一个第二靶材以物理气相沉积法与第二沉积方向于第一无机氧化物膜11上形成至少一层第二无机氧化物膜12，其中显示层10的法线方向与第二沉积方向夹有锐角，此锐角例如实质上为5～89度。此外，第二靶材的数量取决于所选择的材质，可为一个或两个，本发明并不限于此。再来，利用第三靶材以物理气相沉积法与第三沉积方向于第二无机氧化物膜12上形成一第三无机氧化物膜13，以于显示层10上形成相位延迟层，其中显示层10的法线方向平行第三沉积方向。第一无机氧化物膜11与第三无机氧化物膜13用以包覆第二无机氧化物膜12，以避免受其他层影响。此相位延迟层具有双折射率，可藉由折射率差与相位延迟层的厚度来调整相位延迟的度数，例如45度、90度、120度或180度等等。
最后，先利用至少一个第四靶材以物理气相沉积法与第四沉积方向于第三无机氧化物膜13上形成至少一层第四无机氧化物膜14，其中显示层10的法线方向与第四沉积方向夹有锐角，此锐角例如实质上为5～89度。接着，再利用至少一个第五靶材以物理气相沉积法与第五沉积方向于第四无机氧化物膜14形成至少一层第五无机氧化物膜15，以于相位延迟层上形成线偏光层，使显示层10上形成圆偏光层，其中显示层10的法线方向与第五沉积方向夹有锐角，此锐角例如实质上为5～89度。圆偏光层能为显示层10阻隔环境光，使显示影像具有高对比度功能。第四靶材和第五靶材的材质相同或不同，第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15的材质相同或不同。上述第一无机氧化物膜11、第二无机氧化物膜12、第三无机氧化物膜13、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15的形成方法皆为物理气相沉积法，包括热蒸镀法、电子枪蒸镀法、雷射沉积法或溅镀法，但本发明不限于此。因为使用物理气相沉积法，所以圆偏光层的总厚度达纳米～微米等级，且不需要采用光学胶，用在可挠性基板上时减少考虑多重弯曲对称轴的位置与应力累积效应，光路径亦不受贴合平整度的影响，尤其是应用在扩增实境技术、虚拟现实技术或穿戴式装置时。实务上，第一无机氧化物膜11、第二无机氧化物膜12、第三无机氧化物膜13、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15包括的元素可有钛、锆、铝、钽、锌、铬、锡、铟、铁、镁、硅或铌，故第一无机氧化物膜11、第二无机氧化物膜12、第三无机氧化物膜13、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15可包括三氧化钨、氟化镁、氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、三氧化二铝、二氧化锌、三氧化二铬、氧化亚锡、氧化铟、五氧化二钽、三氧化二铁或氧化铌(NbO5)，但本发明不限于此。
在本发明的某些实施例中，显示层10可包括一支撑基板100、一有机发光二极体层101与一薄膜封装(TFE)层102，其中支撑基板100可为可挠性基板。支撑基板100的表面垂直显示层10的法线方向，即支撑基板100的法线方向平行显示层10的法线方向。有机发光二极体层101设于支撑基板100上，薄膜封装层102设于有机发光二极体层101与第一无机氧化物膜11之间，使第一无机氧化物膜11与薄膜封装层102之间呈无结构设置。
图2为本发明的一实施例的被生长层及其上的柱状体的结构剖视图。请参阅图1与图2，第二无机氧化物膜12、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15皆包括规律形成的柱状体，故有双折射特性。因光的入射方向造成不同谐振，进而造成不同折射率。第二无机氧化物膜12、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15分别设于第一无机氧化物膜11、第三无机氧化物膜13与第四无机氧化物膜14上，故以被生长层2代表第一无机氧化物膜11、第三无机氧化物膜13或第四无机氧化物膜14，使被生长层2与显示层10的法线方向皆为相同。被生长层2上沉积有柱状体3，且柱状体3是以靶材4以物理气相沉积法向被生长层2沉积而成。如图2所示，被生长层2的法线方向与靶材4向被生长层2沉积的方向夹有锐角，即α角，α角为5～89度。柱状体3的生长方向与被生长层2的法线方向亦夹有锐角，即β角，β角为5～89度。当第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15的材质相同时，第四无机氧化物膜14的柱状体的生长方向可不同于第五无机氧化物膜15的柱状体的生长方向。当第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15的材质不同时，第四无机氧化物膜14的柱状体的生长方向不同或相同于第五无机氧化物膜15的柱状体的生长方向。
晶体光学对双折射描述，有三主轴折射率，其中n1的方向垂直柱状体3的成长方向，n2的方向垂直柱状体3的成长方向与被生长层2的法线方向，n3则沿着柱状体3的成长方向。第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15对于P偏振光的折射率Np＝N1cosβ+N3cosβ，其中N1代表第四无机氧化物膜14或第五无机氧化物膜15在n1方向上的折射率，N3代表第四无机氧化物膜14或第五无机氧化物膜15在n3方向上的折射率。当控制第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15对于沿第一方向的偏振光的折射率相同时，第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15对于沿第二方向的偏振光有高低折射率的变化，其中第一方向垂直第二方向。举例来说，当控制第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15对应的折射率Np相同时，P偏振光经过线偏振层时没有折射率变化，则P偏振光属于高穿透效果，故N1、N3与β用以控制P偏振光的折射率Np。S偏振光的折射率Ns＝N2，其中N2代表第四无机氧化物膜14或第五无机氧化物膜15在n2方向上的折射率。控制第四无机氧化物膜14或第五无机氧化物膜15的N2产生差异，使第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15对于S偏振光有高低折射率的变化，且其厚度达光的四分之一波长，则S偏振光会有高反射效果，故第四无机氧化物膜14或第五无机氧化物膜15的N2控制S偏振光的折射率Ns。表一表示无机氧化膜以二氧化锆与二氧化钛形成时，对应的α角、β角、N1、N2与N3。
材料 α β N1 N2 N3
二氧化锆 30° 16.1° 1.948 1.969 2.003
二氧化锆 65° 47.0° 1.502 1.575 1.788
二氧化钛 30° 16.1° 2.437 2.452 2.552
表一
第二无机氧化物膜12具有倾斜柱状体或锯齿柱状体，第二无机氧化物膜12对应的相位延迟的度数Δφ与第二无机氧化物膜12的厚度d及折射率差Δn相关。如公式(1)所示，λ为入射光的波长，nx与ny分别代表第二无机氧化物膜12在x与y方向上的折射率。
图3为本发明的第二实施例的光学显示装置的结构剖视图。请参阅图3，相较第一实施例，第二实施例中的第二无机氧化物膜12、第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜的数量皆为多层，其中第四无机氧化物膜14与第五无机氧化物膜15交替式设置。
以下介绍相位延迟层的各种实施态样。
图4a为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜与氟化镁膜的扫描电子显微镜影像。图4b为本发明的一实施例的二氧化钛膜的相位延迟与光波长的曲线图。图4c为本发明的一实施例的氟化镁膜的相位延迟与光波长的曲线图。在图4a中，左上图代表具有倾斜柱状体的二氧化钛膜，其中α为60度；左下图代表具有锯齿柱状体的二氧化钛膜，其中α为60度；右上代表具有倾斜柱状体的氟化镁膜，其中α为60度；右下代表具有锯齿柱状体的氟化镁膜，其中α为60度。在图4b中，TF-0代表α为0度且具有倾斜柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为0.73微米；以实线表示的TF-60代表α为60度且具有倾斜柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为0.73微米；TZ-60代表α为60度且具有锯齿柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为0.73微米；以虚线表示的TF-60代表α为60度且具有倾斜柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为1.85微米。在图4c中，MF-0代表α为0度且具有倾斜柱状体的氟化镁膜，其中厚度为0.73微米；以实线表示的MF-60代表α为60度且具有倾斜柱状体的氟化镁膜，其中厚度为0.73微米；MZ-60代表α为60度且具有锯齿柱状体的氟化镁膜，其中厚度为0.73微米；以虚线表示的MF-60代表α为60度且具有倾斜柱状体的氟化镁膜，其中厚度为1.85微米。表二表示具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜与氟化镁膜对应不同α角所具备的折射率差Δn，其中光波长为633纳米。如表二所示，二氧化钛膜相较氟化镁膜在折射率差Δn的变化较大，且不管是对二氧化钛膜或氟化镁膜，α角为60度时，会具有最大折射率差Δn。
表二
图5a为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜的折射率差与α角的曲线图。图5b为本发明的一实施例的具有倾斜柱状体与锯齿柱状体的二氧化钛膜的相位延迟与光波长的曲线图。在图5a与图5b中，A代表α为60度且具有倾斜柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为2.05微米，B代表α为60度且具有锯齿柱状体的二氧化钛膜，其中厚度为2.05微米。此外，图5a是对应光波长为532纳米的折射率差与α角的曲线图。
图6a为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的结构剖视与俯视的扫描电子显微镜影像。图6b为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的厚度相对折射率差与穿透损失的数据图。图6c为本发明的一实施例的二氧化钛的掺杂度相对掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的穿透度的数据图。图6d为本发明的一实施例的掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的光波长与相位延迟的曲线图。如图6a所示，掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜对应的α角为70度，其中二氧化钛的掺杂度为5重量百分比(％)，左图为剖视图，右图为俯视图。如图6b所示，当掺杂有二氧化钛的五氧化二钽膜的厚度小于10纳米时，折射率差为最大。如图6c所示，当二氧化钛的掺杂度为5％时，穿透度为最佳。如图6d所示，当光波长从400～700纳米时，相位延迟约为115纳米。
图7a为本发明的一实施例的周期式多层结构的结构剖视图。图7b为本发明的一实施例的周期式多层结构的一单元结构的相位延迟与光波长的曲线图及周期式多层结构的扫描电子显微镜影像与相位延迟与光波长的曲线图。图7c为本发明的另一实施例的周期式多层结构的相位延迟与光波长的曲线图。图7d为本发明的一实施例的周期式多层结构的穿透度与光波长的曲线图。如图7a所示，周期式多层结构5包括多个单元结构50，每一单元结构50包括以的五氧化二钽为材质的二层无机氧化物膜500及其之间的无机氧化物膜501。无机氧化物膜500与无机氧化物膜501对应的α角为75度，无机氧化物膜500包括未倾斜柱状体，无机氧化物膜501包括倾斜柱状体。每一单元结构50的厚度为246±5纳米，无机氧化物膜500的厚度为48±2纳米，无机氧化物膜501的厚度为150±2纳米。在光波长为632.8纳米时，无机氧化物膜500在x与y方向上的折射率分别为1.453与1.547。在光波长为632.8纳米时，无机氧化物膜501在x与y方向上的折射率分别为1.662与1.636。在图7b中，左图表示在光波长为400～700纳米时，单元结构的相位延迟为3.35±0.52°；中间图表示具有三个单元结构的周期式多层结构的扫描电子显微镜影像；右图表示在光波长为400～700纳米时，具有三个单元结构的周期式多层结构的相位延迟为10.41±1.16°。对于图7c与图7d，使用的是具有二十三个单元结构的周期式多层结构，同样如图7a所示，无机氧化物膜500的厚度为53纳米，对应的α角为78度，无机氧化物膜501的厚度为149纳米，对应的α角为73度。如图7c所示，在光波长为400～700纳米时，周期式多层结构的相位延迟约为89.33度。如图7d所示，在光波长为400～700纳米时，周期式多层结构的穿透度约为95％。
根据上述实施例，光学显示装置的制作方法以物理气相沉积层依规格直接制作互相堆叠的相位延迟层与线偏光层，使圆偏光层与薄膜封装层之间呈无结构设置，圆偏光层的总厚度达纳米～微米等级，且不需要采用光学胶，用在可挠性基板上时减少考虑多重弯曲对称轴的位置与应力累积效应，光路径亦不受贴合平整度的影响。
以上所述者，仅为本发明一优选实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，故举凡依本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为之均等变化与修饰，均应包括于本发明的申请专利范围内。

Claims (12)

1.一种光学显示装置的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：
利用第一靶材以物理气相沉积法与第一沉积方向于显示层上形成第一无机氧化物膜，其中所述显示层的法线方向平行所述第一沉积方向；
利用至少一个第二靶材以物理气相沉积法与第二沉积方向于所述第一无机氧化物膜上形成至少一层第二无机氧化物膜，其中所述法线方向与所述第二沉积方向夹有锐角；
利用第三靶材以物理气相沉积法与第三沉积方向于所述至少一层第二无机氧化物膜上形成第三无机氧化物膜，其中所述法线方向平行所述第三沉积方向，所述第一无机氧化物膜与所述第三无机氧化物膜用以包覆所述至少一层第二无机氧化物膜；
利用至少一个第四靶材以物理气相沉积法与第四沉积方向于所述第三无机氧化物膜上形成至少一层第四无机氧化物膜，其中所述法线方向与所述第四沉积方向夹有锐角；以及
利用至少一个第五靶材以物理气相沉积法与第五沉积方向于所述至少一层第四无机氧化物膜上形成至少一层第五无机氧化物膜，以于所述显示层上形成圆偏光层，其中所述法线方向与所述第五沉积方向夹有锐角，且，所述至少一层第四无机氧化物膜的数量为多层，所述至少一层第五无机氧化物膜的数量为多层，所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜交替式设置。
2.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述至少一层第二无机氧化物膜的数量为多层。
3.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述至少一个第二靶材的数量为两个。
4.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述至少一个第四靶材和所述至少一个第五靶材的材质相同或不同，所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜的材质相同或不同。
5.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜的材质相同，所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜皆包括柱状体，所述至少一层第四无机氧化物膜的所述柱状体的生长方向不同于所述至少一层第五无机氧化物膜的所述柱状体的生长方向。
6.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述法线方向与所述第四沉积方向夹有5～89度，所述法线方向与所述第五沉积方向夹有5～89度。
7.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述法线方向与所述第二沉积方向夹有5～89度。
8.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述第一无机氧化物膜、所述至少一层第二无机氧化物膜、所述第三无机氧化物膜、所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜的形成方法为热蒸镀法、电子枪蒸镀法、雷射沉积法或溅镀法。
9.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述显示层包括：
支撑基板，其表面垂直所述法线方向；
有机发光二极管层，设于所述支撑基板上；以及
薄膜封装层，设于所述有机发光二极管层与所述第一无机氧化物膜之间。
10.如权利要求9所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述支撑基板为可挠性基板。
11.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜对于沿第一方向的偏振光的折射率相同时，所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜对于沿第二方向的偏振光有高低折射率的变化，所述第一方向垂直所述第二方向。
12.如权利要求1所述的光学显示装置的制作方法，其特征在于，其中所述第一无机氧化物膜、所述至少一层第二无机氧化物膜、所述第三无机氧化物膜、所述至少一层第四无机氧化物膜与所述至少一层第五无机氧化物膜包括三氧化钨、氟化镁、氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、三氧化二铝、二氧化锌、三氧化二铬、氧化亚锡、氧化铟、五氧化二钽、三氧化二铁或氧化铌。
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