CN113140899B - 一种天线组件及移动终端 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种天线组件及移动终端。该天线组件包括天线接地点，所述天线接地点包括：下结构件；万向超低电阻增强膜，热压在所述下结构件上，所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在上结构件上的万向导电胶组成，所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件，且至少刺破所述下结构件表面的氧化层，并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通，从而实现所述万向导电胶的万向电导通。本发明天线组件通过将热压万向超低电阻增强膜热压在下结构件上，使得上、下结构件之间的界面电阻率非常低，天线组件的PIM性能非常高，且在极端恶劣情况下的电阻率依然可以保持很低，并且两者结合力非常强，获得了意想不到的技术效果。

Description

一种天线组件及移动终端

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线组件及移动终端。

背景技术

随着通信技术的快速发展，特别是5G天线，通信频率的增高，以及语音和数据信号容量的增加，之前对信号产生影响较小的因素也被越来越重视起来，无源互调(PassiveInter-Modulatio,PIM)就是其中关键指标之一。PIM可以发生在任何两种不同金属的连接点或接口处，例如天线和天线馈源的连接处等。

影响PIM性能的因素有多种，根据试验，最重要的要求是金对金接触，其次，两种不同金属的连接点处的电阻率是一个重要影响因素，电阻率越低，PIM性能越好。但是现有技术中，对于两种不同金属的连接，如移动终端的天线接地领域中将金属箔电连接至移动终端的金属中框或金属中板上，金属箔用于将天线各触点互联，起到同步信号、提升接地性能以及消除噪音等作用，通常使用焊接、电镀和物理气相沉积等方法进行两种不同金属的连接。

然而，以上三种方法中，焊接方法不仅会存在焊疤，影响美观，而且会导致导电元器件的有效使用面积损失，同时也会存在焊点失效、表面凹凸不平导致接触不均匀、难以应用到薄的金属板上等问题。电镀方法不环保，尤其是镀金，会带来氰化物的污染，并且治理成本高，而且局部镀金的价格高昂且影响薄板的平面度，从而带来外观缺陷。物理气相沉积方法效率低，成本高，无法实现批量生产。并且，通常利用以上三种方法来连接两种不同金属，其连接点处的电阻率不会非常低，甚至可能会比较高，进而导致PIM性能差。

发明内容

本申请的第一个方面的目的是要解决现有技术中天线中涉及到的两种不同金属的连接点PIM性能差的技术问题。

本申请的第二个方面的目的是要提供一种天线组件的制作方法。

本申请的第三个方面的目的是要提供一种移动终端。

根据本发明的第一方面，提供了一种天线组件，包括天线接地点，所述天线接地点包括：

下结构件；

万向超低电阻增强膜，热压在所述下结构件上，所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在所述上结构件上的万向导电胶组成，所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件，且至少刺破所述下结构件表面的氧化层，并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通，从而实现所述万向导电胶的万向电导通。

可选地，所述万向导电胶包括以下组分：树脂基体、导电粒子和导电填料；

所述导电粒子选择为在所述热压的条件下能够至少刺破所述下结构件表面的氧化层的导电材料；

所述导电填料选择为在所述热压的条件下能够与所述导电粒子一起在所述上结构件和所述下结构件之间的所述连接界面处形成面导通的导电材料。

可选地，所述导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料，所述核壳结构由内核结构和包裹在所述内核结构外部的壳结构组成，所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为导电材料；

所述导电粒子的硬度大于第一预设硬度，以允许所述万向导电胶在所述热压的条件下通过所述导电粒子至少刺破所述下结构件的氧化层，从而使所述上结构件和所述下结构件导通。

可选地，所述内核结构的材料硬度大于所述壳结构的材料硬度，且所述内核结构的材料硬度大于第二预设硬度；

可选地，所述壳结构为具有突出部位的规则或不规则形状；

可选地，所述导电粒子在Z轴方向的尺寸大于所述导电填料在所述Z轴方向的尺寸；

可选地，所述内核结构的材料和所述壳结构的材料选择为不同的材料；

可选地，所述核壳结构中所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为金属材料或合金材料；

可选地，所述内核结构的材料选择为铁、铜或镍，所述壳结构的材料选择为金、银、铜或镍；

所述树脂基体选择为在所述热压的条件下具有适中的流动性，以使所述树脂基体在所述预设温度和所述预设压力下不溢胶。

可选地，所述上结构件的材料选择为金属材料或合金材料；

可选地，所述金属材料选择为铝或表面镀金的铜；

可选地，所述合金材料选择为不锈钢。

根据本发明的第二方面，提供了一种如前述的天线组件的制作方法，所述天线组件包括天线接地点，所述天线接地点包括如下步骤：

按需裁切万向超低电阻增强膜；

将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上。

可选地，所述将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上，包括如下步骤：

在第一预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上；

在第二预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上。

可选地，所述第一预设条件为：在压力为70-90N且温度为80-100℃范围内保持10-20s；

所述第二预设条件为：在压力为150-180N且温度为150-300℃范围内保持30-90s。

可选地，在所述按需裁切万向超低电阻增强膜之后、所述将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上之前，还包括如下步骤：

去除贴附在所述万向超低电阻增强膜表面的保护膜。

根据本发明的第三方面，提供了一种移动终端，包括壳体、容置于所述壳体内的电路板、与所述电路板电连接的天线弹片以及如前述的天线组件，所述天线组件与所述天线弹片电接触。

根据本发明的一个方面，通过在下结构件上热压万向超低电阻增强膜，一方面，上结构件是直接与万向导电胶一起被热压在下结构件上的，无需使用电镀、焊接、物理气相沉积等方式，从而使得上结构件和下结构件的结合变得非常简单，且成本极低，同样克服了电镀、焊接以及物理气相沉积各自的缺陷，另一方面，该热压万向超低电阻增强膜被热压在下结构件上之后，上结构件和下结构件之间的界面电阻率非常低，天线组件的PIM性能非常高，且在极端恶劣情况下的界面电阻率依然可以保持很低，并且两者结合力非常强，获得了意想不到的技术效果。更值得一提的是，在商业上，该种万向超低电阻增强膜被热压在下结构件上，其成本相对于现有技术中电镀、焊接、物理气相沉积等任一方式都是极低的，可以完全以一种极低的成本和极好的效果取代现有技术中的结构和方式。

进一步地，该万向超低电阻增强膜可以实现上、下结构件的万向导通，主要原因在于，导电粒子在热压的条件下可以至少刺破下结构件表面的氧化层，以使上结构件和下结构件的本体之间直接电导通，导电填料在热压的条件下可以在上、下结构件之间的连接界面处与导电粒子一起形成面导通，并最终形成万向导通。

更进一步地，万向导电胶在加热处于流动状态下进行涂布，后续烘干、冷却成固态完成粘结，导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料，核壳结构由内核结构和包裹在内核结构外部的壳结构组成，内核结构和壳结构的材料均选择为导电材料，并且，该导电粒子的硬度大于第一预设硬度，从而使得万向导电胶在预设温度和预设压力下通过导电粒子刺破上、下结构件的氧化层，从而使上结构件和下结构件导通。可以理解的是，在预设压力和预设温度下，一方面导电粒子刺破上、下结构件的氧化层，从而使得上、下结构件实现位于氧化层下层的导电材料的电导通，另一方面，导电粒子和导电填料发生变形从而挤压在一起，进而实现电导通，即导电粒子和导电填料之间、导电填料之间连成一片，形成面导通，进而使得该万向导电胶不仅可以实现Z轴方向(上、下结构件互连的垂直方向)的导通，而且可以实现X轴方向(横向方向)和Y轴方向(纵向方向)的电导通，从而具有万向导电的功能。

更进一步地，将壳结构选择为具有突出部位的规则或不规则形状，该突出部位有利于对上、下结构件的刺破，更容易实现在预设压力下的上、下结构件的电导通。更进一步地，选择的导电粒子在Z轴方向的尺寸大于导电填料在Z轴方向的尺寸，如此，在万向导电胶被加热熔化处于流动状态且受到预设压力时，导电粒子由于尺寸相对较大，则首先刺破上、下结构件的氧化层，然后在此基础上，尺寸相对较小的导电填料与导电粒子挤压在一起，进而实现万向导电。

根据本发明的另一个方面，在制作天线组件时，仅需首先根据需要裁切万向超低电阻增强膜，裁切成所需要的形状以及大小，再将裁切下来的万向超低电阻增强膜热压至下结构件上。相比于电镀、焊接以及物理气相沉积等方法，该制作方法工艺简单且操作简单，不需要非常专业的技术支持，可以完全实现量产。进一步地，通过两次热压，可以实现万向导电胶的万向电导通，从而实现超低电阻率的目的，进而提高天线组件的PIM性能。

根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

图1示出了根据本发明一个实施例的万向超低电阻增强膜被热压在下结构件之前的示意性结构图；

图2示出了根据本发明一个实施例的万向超低电阻增强膜被热压在下结构件上的示意性结构图；

图3根据本发明一个实施例的天线组件的制作方法的示意性流程图；

图4示出了根据本发明一个实施例的移动终端的部分内部结构的示意性结构图；

图5示出了根据本发明一个实施例的将万向超低电阻增强膜热压在铝基板上的扫描电子显微镜图；

图6示出了现有技术中的金层与铝板结合在一起的扫描电子显微镜图；

图7示出了根据本发明实施例一的将万向超低电阻增强膜热压在下结构件上的方案与利用现有技术结合上、下结构件的方案的两个小时的盐雾试验前后箱线对比图；

图8示出了根据本发明实施例一的天线接地点、现有技术中在铝板上镀金的方案以及纯铝的PIM性能对比图；

图中：1-万向超低电阻增强膜，11-万向导电胶，111-树脂基体，112-导电粒子，113-导电填料，12-上结构件，2-下结构件，3-天线弹片，4-电路板。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定配方及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来得到天线组件及移动终端。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它配方及/或功能性实施此天线组件及移动终端。

还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图示中仅显示与本申请中有关的结构而非按照实际实施时的结构数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各结构的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其结构布局型态也可能更为复杂。

另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。

根据本发明的第一个方面，如图1和图2所示，提供了一种天线组件，包括天线接地点，所述天线接地点包括：下结构件2和万向超低电阻增强膜1，万向超低电阻增强膜1热压在所述下结构件2上，所述万向超低电阻增强膜1由上结构件12以及形成在所述上结构件12上的万向导电胶11组成，所述万向导电胶11在所述热压的条件下粘结所述下结构件2，且至少刺破所述下结构件2表面的氧化层，并在所述上结构件12和所述下结构件2之间的连接界面处形成面导通，从而实现所述万向导电胶11的万向电导通。该下结构件2例如可以为金属中框、中板或金属外壳等。

根据本发明的一个方面，通过在下结构件2上热压万向超低电阻增强膜1，一方面，上结构件12是直接与万向导电胶11一起被热压在下结构件2上的，无需使用电镀、焊接、物理气相沉积等方式，从而使得上结构件12和下结构件2的结合变得非常简单，且成本极低，同样克服了电镀、焊接以及物理气相沉积各自的缺陷，另一方面，该热压万向超低电阻增强膜1被热压在下结构件2上之后，上结构件12和下结构件2之间的界面电阻率非常低，天线组件的PIM性能非常高，且在极端恶劣情况下的界面电阻率依然可以保持很低，并且两者结合力非常强，获得了意想不到的技术效果。更值得一提的是，在商业上，该种万向超低电阻增强膜1被热压在下结构件2上，其成本相对于现有技术中电镀、焊接、物理气相沉积等任一方式都是极低的，可以完全以一种极低的成本和极好的效果取代现有技术中的结构和方式。

该万向超低电阻增强膜1作为一个整体，其在未处理前，即未与下结构件2结合在一起之前，其存在形状以及大小不受限定，其形状与工业化批量生产时所用机器有关，例如可以为长条带状。在与下结构件2结合时，需要匹配下结构件2的形状以及大小，从而根据该下结构件2的形状来裁切万向超低电阻增强膜1。可以理解的是，在商业适用时，在已知下结构件2的形状以及大小的前提下，可以大批量裁切万向超低电阻增强膜1，以使其匹配下结构件2，而在将上结构件12和下结构件2结合在一起时，仅需要取一个上结构件12，通过热压工艺直接热压在下结构件2上即可，操作及其便利，成本相比于现有方式大幅度下降，而且具有更为优异的技术效果，这是产品研发之前根本未曾预料到的。

需要注意的是，该天线组件的特殊之处之一在于，它并不是直接将万向导电胶11旋涂在上结构件12和下结构件2之间，而是首先制作获得便于携带或便于运输的万向超低电阻增强膜1，其中，该万向超低电阻增强膜1是事先将万向导电胶11制作在上结构件12上的一个产品，然后再将该万向超低电阻增强膜1热压在下结构件2上。该万向超低电阻增强膜1将上结构件12和下结构件2电和机械地连接在一起。事先将万向导电胶11制作在上结构件12上，制作形成万向超低电阻增强膜1，这种方式与在需要结合上结构件12和下结构件2时将万向导电胶11涂布在上结构件12和下结构件2之间的方式相比，具有更强的可控性，可以保证高质量的品质，这是因为天线接地点中，上结构件12和下结构件2的面积较低，热压接触点也很小，很难同时控制上结构件12和下结构件2之间的同时固定。

另外，该天线组件的特殊之处之二在于，上结构件12和下结构件2的相对的面上不需要有凸起，无需依靠该凸起的相互挤压来使万向导电胶11内部的导电粒子112被压迫而使上结构件12和下结构件2导电。

该天线组件中上结构件12和下结构件2之间能否具有超低电阻率、优异的稳定性以及优异的PIM性能等优点，该万向导电胶11是基础，只有万向导电胶11具有以上特点，天线组件才有可能具有以上优点，在此基础上，将万向导电胶11事先制作在上结构件12上，从而使得天线组件具有以上优点的基础上，更具有便于运输、携带、降低成本、减少上结构件12和下结构件2结合工艺等优势。该万向超低电阻增强膜1的厚度由上结构件12和万向导电胶11的厚度共同决定的，该万向超低导电增强膜的厚度不受限定，需要根据其具体使用场景来决定。在天线接地点中，通常，该上结构件12为镀金铜箔或金箔等，其厚度一般为15-20μm中任一值。更优选地，该上结构件12为镀金铜箔，金层的厚度为0.05-0.2μm，例如为0.05μm、0.1μm或0.2μm，铜层的厚度为15-20μm中任一值，例如为15μm、18μm或20μm。该万向导电胶11的厚度同样根据使用需要来确定，在优选的实施例中，该万向导电胶11的厚度为5-10μm中任一值，例如为5μm、8μm或10μm。

该万向超低电阻增强膜1中万向导电胶11与一般的导电胶完全不同。通常，现有的导电胶按照导电方向可以分为各向同性导电胶和各向异性导电胶，各向异性导电胶指在一个方向上如Z方向导电，而在X和Y方向不导电的胶黏剂，例如异方性导电胶(ACF)，而各向同性导电胶是指各个方向均导电的胶黏剂。现有的各向同性导电胶和各向异性导电胶存在诸多研究，研究方向以及路线都非常成熟，在此基础上，已经形成本领域技术人员的固有思维，即制备各向同性导电胶和制备各向异性导电胶是朝着相反的方向研究，不可能同时具备两者的特点，形成了这种技术偏见，如在研究各向异性导电胶(如ACF)时，其是需要上、下端子阵列对齐挤压，将ACF压至破裂，从而暴露里面的金属粒子，使得金属粒子将上、下端子对齐导通，但是不允许相邻的上、下端子相互导通，即不允许X和Y方向电导通，仅仅是Z方向的电导通，因此，在对ACF研究时均集中在如何避免X和Y方向的电导通，而降低Z方向导通的电阻率。但是本申请的发明人在研究过程中突破了这种技术偏见，采用了本领域技术人员由于这种技术偏见而舍弃的技术思路，使得本申请的万向超低电阻增强膜1同时具有两者的优点，既可以实现Z向(并不单纯地指用于连接上结构件12和下结构件2的竖直方向，而且还指的是直接使得上结构件12和下结构件2的本体相互连接)导电，同时也可以在X和Y方向上导电。并且，本申请的万向超低电阻增强膜1在具有两者的优点的前提下，更是获得了意想不到的技术效果，即通过将该万向超低电阻增强膜1热压在下结构件2上，通过各种数据表征，上结构件12和下结构件2之间的电阻率超低，甚至优于目前电阻率非常低的在下结构件2的表面镀金的方式，并且，在此基础上，超低电阻率的稳定性、PIM性能等同样优于其他目前已知的较好的产品。

该万向导电胶11一般性地包括需要在热压下而在上结构件12和下结构件2之间流动的树脂基体111，该万向导电胶11的树脂基体111的种类没有特别限定，除满足胶黏剂的粘结基本功能(如稳定性好、结合力强、不脱胶、不起泡、耐高温等)外，还需要在热压条件即预设温度和预设压力下不溢胶。该树脂基体111例如可以为热塑性胶粘剂或热固性胶粘剂，对于两种胶粘剂具体材料没有特别限定，例如，该树脂基体111例如可以为丙烯酸系树脂。该丙烯酸系树脂也可以根据预期目的进行选择，例如环氧丙烯酸酯，乙二醇二丙烯酸酯，二甘醇二丙烯酸酯，三甲基丙烷三丙烯酸酯，丙烯酸甲酯，四亚甲基二醇四丙烯酸酯，2-羟基-1,3-二丙烯氧基丙烷，2,2-双[4-(丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷，2，2-双[4-(丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷，丙烯酸二环戊烯基酯，丙烯酸乙酯，丙烯酸异丙酯，丙烯酸异丁酯，二羟甲基三环癸烷二丙烯酸酯等。这些可以单独使用或两种以上组合使用。

该万向导电胶11还同时包括导电粒子112和导电填料113。该导电粒子112选择为在热压的条件下能够至少刺破下结构件2表面的氧化层的导电材料。可以理解的是，此处限定至少刺破下结构件2的表面，并没有限定需要刺破上结构件12的表面，其含义是该导电粒子112必须是要刺破下结构件2表面的氧化层的，但是能否刺破上结构件12的表层，其并要求，也不重要，在实际操作过程中，通常会同时刺破上结构件12和下结构件2的表层。同样，可以理解的是，不要求万向导电胶11的全部导电粒子112均必须刺破下结构件2表面的氧化层，但是要求万向导电胶11中至少部分导电粒子112需要刺破下结构件2表面的氧化层。该导电填料113选择为在热压的条件下能够与导电粒子112一起在上结构件12和下结构件2之间的连接界面处形成面导通，进而形成万向导通。可以理解的是，导电粒子112和导电填料113自身都可以在任意方向导电，但是本申请中所指万向导电，是要求Z轴方向上，上结构件12和下结构件2的本体导通，即并不属于上结构件12和下结构件2的表层导通，在此基础上，导电填料113与导电粒子112连成一片，从而实现在上结构件12和下结构件2本体之间的万向导通，而不仅仅是上结构件12和下结构件2表层之间的万向导通，此处所述“表层”，一般情况下是上结构件12和下结构件2表面的氧化层。

在该实施例中，通过在万向导电胶11中同时具有导电粒子112和导电填料113，从而使该万向导电胶11具有万向导电的可能性，其万向导电的原理是：在预设压力和预设温度(热压工艺中的压力和温度条件)下，万向导电胶11形成流动状态，导电粒子112刺破上结构件12和下结构件2的氧化层，从而使得上结构件12和下结构件2实现位于氧化层下层的导电材料的电导通，另一方面，导电粒子112和导电填料113发生变形从而挤压在一起，进而实现电导通，即导电粒子112和导电填料113之间、导电填料113之间连成一片，形成面导通，进而使得该万向导电胶11不仅可以实现Z轴方向(上结构件12和下结构件2本体互连的垂直方向)的导通，而且可以实现X轴方向(横向方向)和Y轴方向(纵向方向)的电导通，从而具有万向导电的功能。该万向导电胶11中各组分的质量百分比可以根据需要进行配比，不同需求会导致各个组分中的配比有所不同，但是只要组分中包含有导电粒子112和导电填料113，就可以实现万向导电的目的。

在一个实施例中，导电粒子112选择为具有核壳结构的导电材料，核壳结构由内核结构和包裹在内核结构外部的壳结构组成，内核结构和壳结构的材料均选择为导电材料。内核结构的材料选择为硬度大于壳结构的材料硬度，但是同时该壳结构的材料硬度要大于第二预设硬度，从而使得导电粒子112的硬度整体上大于第一预设硬度，以允许万向导电胶11在预设温度和预设压力下通过导电粒子112刺破上结构件12和下结构件2的氧化层，从而使上结构件12和下结构件2导通。

该第一预设硬度和第二预设硬度设置的要求为，在该第一预设硬度和第二预设硬度下，万向导电胶11可以在预设温度和预设压力下通过导电粒子112刺破上结构件12和下结构件2的氧化层，从而使上结构件12和下结构件2导通。该第一预设硬度和第二预设硬度的大小根据实际需要选择，根据该万向导电胶11所应用的场景来确定，即可以根据上结构件12和下结构件2的材料、两者结合时的界面电阻率以及两者结合时的界面结合力等要求来调整。在一个实施例中，该第二预设硬度的选择要求壳结构的材料硬度要满足在预设压力和预设温度下能够至少刺破下结构件2的氧化层。为了保证该导电粒子112的硬度大于第一预设硬度，要求内核结构的材料硬度大于第二预设硬度，该第二预设硬度要稍高于或基本上等于该第一预设硬度，这是因为该导电粒子112的硬度基本上是由内核结构的硬度决定的。该导电粒子112的壳结构的材料硬度要小于内核结构的材料硬度，这是因为该壳结构要能够变形，从而可以包裹内核结构。

该内核结构可以为任意形状，例如具有突起的规则形状或不规则形状。例如该内核结构可以为具有突起的规则形状，例如菱形、球形、锥形等。在内核结构为球形时，要求壳结构的表面具有突起，且该壳结构要有一定的硬度，以刺破上结构件12和下结构件2的氧化层。在内核结构为菱形、锥形等具有突起的规则形状时，该壳结构仅需制作形成在该内核结构的外表面，且与该内核结构的形状保持一致即可，该内核结构和壳结构一起提供刺破上结构件12和下结构件2的氧化层的结构。又如该内核结构可以为不规则形状，壳结构与该内核结构的形状保持一致，且形成在该内核结构的外表面，同样地，该内核结构和壳结构一起提供刺破上结构件12和下结构件2的氧化层的结构。

在一个优选的实施例中，该导电粒子112在Z轴方向的尺寸大于导电填料113在Z轴方向的尺寸。如此，在万向导电胶11被加热熔化处于流动状态且受到预设压力时，导电粒子112由于尺寸相对较大，则首先刺破上结构件12和下结构件2的氧化层，然后在此基础上，尺寸相对较小的导电填料113再与该导电粒子112挤压在一起，进而实现万向导电。

在一个优选的实施例中，内核结构的材料选择为与壳结构的材料不同。该内核结构和壳结构的材料均可以选择为金属材料或合金材料。在一个实施例中，该内核结构的材料例如可以选择为铁、铜或镍，该壳结构的材料例如可以选择为金、银、铜或镍。

在一个实施例中，该上结构件12的材料选择为金属材料或合金材料。该上结构件12的材料例如选择为表面镀金的铜。下结构件2例如为金属中框或金属中板(作为下结构件2)。在另一个实施例中，该上结构件12的合金材料例如可以选择为不锈钢等，这都可以根据实际需要进行选择。

此外，该万向超低电阻增强膜1可以以卷状形式进行收卷，由此便于运输。并且，该万向超低电阻增强膜1的外表面，即在上结构件12的与万向导电胶11相对的表面贴附有保护膜，避免万向超低电阻增强膜1的外表面划伤或附着污染物，并且，该保护膜可以在万向超低电阻增强膜1使用时去除。在去除该保护膜时不会造型万向超低电阻增强膜1的外表面的损伤。

根据本发明的第二个方面，如图3所示，提供了一种如前述的天线组件的制作方法，天线组件包括天线接地点，天线接地点：

步骤S100，按需裁切万向超低电阻增强膜；

步骤S200，将万向超低电阻增强膜热压至下结构件上。

具体地，将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上，包括如下步骤：在第一预设条件下将万向超低电阻增强膜热压在下结构件上；在第二预设条件下将万向超低电阻增强膜热压在下结构件上。该第一预设条件为：在压力为70-90N且在温度为80-100℃范围内保持10-20s。例如，在压力为70N且温度为80℃下保持10s。或者在压力为80N下且温度为90℃下保持15s。又如在压力为90N且温度为100℃温度下保持20s。

该第二预设条件为：在压力为150-180N且温度为150-300℃范围内保持30-90s。例如，在压力为150N且温度为150℃下保持30s。或者在压力为160N且温度为180℃下保持60s。又如在压力为180N且温度为200℃下保持90s。

通过先在第一预设条件下预压，再在第二预设条件下压，从而使得万向超低电阻增强膜更好地发挥其作用。

在万向超低电阻增强膜的表面贴附有保护膜的实施例中，在按需裁切万向超低电阻增强膜之后、将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上之前，还包括如下步骤：去除贴附在万向超低电阻增强膜表面的保护膜。

根据本发明的第三个方面，图4示出了根据本发明一个实施例的移动终端的部分内部结构的示意性结构图。如图4所示，该移动终端包括壳体(图中未示出)、容置于壳体内的电路板4、与电路板4电连接的天线弹片3以及如前述的天线组件，该天线组件与天线弹片3电接触。

以下以具体实施例进行详细说明：

实施例一：

在该实施例一中，天线组件中天线接地点中，需要将万向超低电阻增强膜热压在移动终端的金属中框或金属中板(即下结构件)上，从而实现天线各触点的互连。其中，万向超低电阻增强膜的上结构件的材料选择为表面镀金的铜，且要求涂布在上结构件表面的万向导电胶不会带来较大的电阻率，电阻率越低越好，PIM性能越强越好，且要求该万向导电胶耐高温且结合力强。

该万向导电胶中各组分的质量百分比分别为：树脂基体的质量百分比为70％-75％，导电粒子的质量百分比为5％-8％，导电填料的质量百分比为7-10％。该树脂基体具体为热熔型丙烯酸胶粘剂，该树脂基体的厚度为6-20μm，其可以在高温(如100-200℃)下激活粘性，冷却到常温后粘性固化。该导电粒子选择为金、银或镍包铜粒子，导电粒子的直径为10-15μm，在扫描电子显微镜下观察到呈不规则形状。该导电填料例如可以选择为镍粉、银粉或铜粉，优选为镍粉。镍粉颗粒表面具有独特的三维链状结构可形成良好的导电通路，导电性能优异，并且从商业角度，镍粉有一定的价格优势，因此，优选为镍粉。然而，在对PIM值要求极高的情况下，优选银粉，根据研究，镍粉有弱化PIM值的不良作用。该实施例中，第一预设条件为：在压力为70N且在温度为80℃范围内保持20s。第二预设条件为：在压力为180N且温度为280℃范围内保持30s。最终得到的电阻率为15-28毫欧。

该万向超低电阻增强膜足以达到所希望的目的，即在预设温度和预设压力下，基于该万向导电胶的万向超低电阻增强膜不溢胶，且在上结构件(表面镀金的铜)和下结构件(金属中框或金属中板)结合之后两者之间的结合力非常强，更为意想不到的是，上结合件和下结构件之间的界面电阻率极低，确保了优良的导电性，并由此带来极佳的PIM性能。

为了直观观察到该万向导电胶中的导电粒子可以至少刺破下结构件的氧化层，在金箔的表面涂布万向导电胶，将其制作成为万向超低电阻增强膜，再将该万向超低电阻增强膜热压在金属中框、金属中板或金属壳体(如铝基板)上，形成天线接地点，即下结构件为金属中框、金属中板或金属壳体(如铝基板)。如图5所示，该天线接地点中，上结构件金和下结构件铝之间的界面具有多个用于连接金和铝的颗粒，这些颗粒就是导电粒子，可以观察到该导电粒子刺破了金和铝的氧化层，使得金和铝可以直接接触，避免接触金和铝表面的氧化层。需要特别解释的是，由于万向导电胶涂布在金箔的表面，因此与万向导电胶接触的金箔表面基本上不含有氧化层，或者含有的氧化层可以忽略不计，但是铝表面是含有一层氧化层的，而导电粒子主要是刺破了下结构件，即铝表面的氧化层，从而就可以实现金本体与铝本体之间的直接接触。

为了进一步直观比较现有技术中的方法与本申请方式的差别，发明人将利用现有方法获得的结构件进行了扫描电镜的拍摄。本领域技术人员公知的是，在铝板表面镀金的方法是，在铝板的表面首先电镀一层镍层作为连接层，进而在镍层表面电镀金层，从而实现金层和铝板的电连接。图6示出了该现有技术中的金层与铝板结合在一起的扫描电子显微镜图，如图6所示，可以观察到在金和铝之间存在镍层(图6所示A处)，该镍层是金和铝互联的桥梁，在铝表面会有天然氧化层，厚度为0.5-4um，电阻值约20-30mΩ，在电镀工艺中，该氧化层如果没有预先破坏，镀金后，会造成接触不均匀，电阻率相比于图1和2所示的方案更高，并且，镍层与铝层之间的结合力，以及金层与镍层之间的结合力相比于图1和2中的万向导电胶弱，在使用过程中，镍层一旦脱落则会导致金和铝之间无法电连接在一起。

为了说明本发明实施例中的万向超低电阻增强膜具有超低电阻率以及优越的稳定性，发明人比较了一系列现有技术中可能可以使用的技术。图7示出了根据本发明实施例一将万向超低电阻增强膜热压在下结构件上的方案与利用现有技术结合上、下结构件的方案的两个小时的盐雾试验前后的箱线对比图。图7中各项标注的含义分别为，“铝板”表示其上没有接合上结构件，仅为纯的铝板。“铝板上镀镍”表示在铝板上镀有镍层。“铝板上镀金”表示在铝板上镀有金层。“天线接地点一”和“天线接地点二”表示本发明实施例中的天线接地点中万向超低电阻增强膜不同，通过调整万向导电胶的配方得到。“铝板上贴附金胶带”表示在铝板上贴附粘贴有金的胶带。由图7可知，本发明实施例的“天线接地点一”和“天线接地点二”具有最低的电阻率，可以达到5-7毫欧，甚至比已知的电阻率较低的在铝板上镀金或镀镍的方案相比具有更低的电阻率。并且，其他的导电胶带(如铝板上贴附金胶带)应用于上、下结构件之间的连接时，其电阻率是非常高的，远远高于本发明实施例的万向超低电阻增强膜。

为了说明本发明实施例中的万向超低电阻增强膜具有非常强的稳定性，发明人同样比较了一系列现有技术中可能可以使用的技术。由图7可知，本发明实施例的万向超低电阻增强膜在两个小时的盐雾试验前后界面电阻率的变化是最小的，其具有最强的稳定性。而其他方法在经过两个小时的盐雾试验前后界面电阻率的变化均较大。

图8示出了根据本发明实施例一的天线接地点、现有技术中在铝板上镀金的方案以及纯铝的PIM性能对比图。如图8所示，纯铝的PIM性能最差，在铝板上镀金的结构PIM性能显然低于本发明实施例一的天线接地触点的PIM性能，尤其在弹力为0.25-0.35N以及0.05-0.15N时，差别尤为显著。

使用万向导电胶和万向超低电阻增强膜的方案相比于电镀的方案具有诸多优点，例如，电镀的方案不能或较难应用于超大件以及异形件的局部电镀，而本发明实施例的方案可以轻松应用于任意大小任意形状的下结构件中，包括轻松应用于超大件以及异形件中。又如电镀工艺中会广泛使用氰化物等有毒有害废水废液排放，造成环境污染，而本发明实施例的方案，仅需进行热压即可，完全不涉及污染环境的工艺，非常环保。再如，电镀工艺成本非常高，而本发明实施例的方案相比于电镀工艺成本极低。使用万向导电胶和万向超低电阻增强膜的方案相比于其他现有技术的方案如物理气相沉积以及焊接等，均具有如上述的优点。

实施例二：

该实施例二与实施例一的区别在于，该实施例中采用了与实施例一中不同的热压条件。该实施例中，第一预设条件为：在压力为80N且在温度为90℃范围内保持10s。第二预设条件为：在压力为150N且温度为200℃范围内保持60s。最终得到的电阻率为12-24毫欧。

在其他实施例中，可以改变热压条件，还可以改变导电粒子的结构、材料、尺寸以及含量，并改变导电填料的材料、尺寸以及含量等，还可以改变树脂基体的材料等，最终可以改变电阻率，最低电阻率可以达到1-2毫欧，电阻率变化也会带来PIM性能的变化。此处不再一一赘述。

至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本发明的多个示例性实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本发明公开的内容直接确定或推导出符合本发明常用理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

Claims (14)

1.一种天线组件，其特征在于，包括天线接地点，所述天线接地点包括：

下结构件；

万向超低电阻增强膜，热压在所述下结构件上，所述万向超低电阻增强膜由上结构件以及形成在所述上结构件上的万向导电胶组成，所述万向导电胶在所述热压的条件下粘结所述下结构件，且至少刺破所述下结构件表面的氧化层，并在所述上结构件和所述下结构件之间的连接界面处形成面导通，从而实现所述万向导电胶的万向电导通；

所述万向导电胶包括以下组分：树脂基体、导电粒子和导电填料；

所述导电粒子选择为在所述热压的条件下能够至少刺破所述下结构件表面的氧化层的导电材料；

所述导电填料选择为在所述热压的条件下能够与所述导电粒子一起在所述上结构件和所述下结构件之间的所述连接界面处形成面导通的导电材料，进而使得该万向导电胶不仅可实现Z轴方向，而且可实现X轴方向和Y轴方向的电导通，从而具有万向导电的功能，其中，Z轴方向是指上结构件和下结构件本体互连的垂直方向，即并不属于上结构件和下结构件的表层导通；

所述万向超低电阻增强膜，热压在所述下结构件上，包括如下步骤：

在第一预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上；在第二预设条件下将所述万向超低电阻增强膜热压在所述下结构件上；所述第一预设条件为：在压力为70-90N且温度为80-100℃范围内保持10-20s；所述第二预设条件为：在压力为150-180N且温度为150-300℃范围内保持30-90s。

2.根据权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述导电粒子选择为具有核壳结构的导电材料，所述核壳结构由内核结构和包裹在所述内核结构外部的壳结构组成，所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为导电材料；

所述导电粒子的硬度大于第一预设硬度，以允许所述万向导电胶在所述热压的条件下通过所述导电粒子至少刺破所述下结构件的氧化层，从而使所述上结构件和所述下结构件导通。

3.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述内核结构的材料硬度大于所述壳结构的材料硬度，且所述内核结构的材料硬度大于第二预设硬度。

4.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述壳结构为具有突出部位的规则或不规则形状。

5.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述导电粒子在Z轴方向的尺寸大于所述导电填料在所述Z轴方向的尺寸。

6.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述内核结构的材料和所述壳结构的材料选择为不同的材料。

7.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述核壳结构中所述内核结构和所述壳结构的材料均选择为金属材料或合金材料。

8.根据权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述内核结构的材料选择为铁、铜或镍，所述壳结构的材料选择为金、银、铜或镍；

所述树脂基体选择为在所述热压的条件下具有适中的流动性，以使所述树脂基体在所述预设温度和所述预设压力下不溢胶。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的天线组件，其特征在于，所述上结构件的材料选择为金属材料或合金材料。

10.根据权利要求9所述的天线组件，其特征在于，所述金属材料选择为铝或表面镀金的铜。

11.根据权利要求9所述的天线组件，其特征在于，所述合金材料选择为不锈钢。

12.一种如权利要求1-11中任一项所述的天线组件的制作方法，其特征在于，所述天线组件包括天线接地点，所述制作方法包括如下步骤：

按需裁切万向超低电阻增强膜；

将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上。

13.根据权利要求12所述的天线组件的制作方法，其特征在于，在所述按需裁切万向超低电阻增强膜之后、所述将所述万向超低电阻增强膜热压至下结构件上之前，还包括如下步骤：

去除贴附在所述万向超低电阻增强膜表面的保护膜。

14.一种移动终端，其特征在于，包括壳体、容置于所述壳体内的电路板、与所述电路板电连接的天线弹片以及如权利要求1-11中任一项所述的天线组件，所述天线组件与所述天线弹片电接触。

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