CN112888097B - 一种发热膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发热膜及其制备方法。本发明提供的发热膜的制备方法，包括以下步骤：a)在下基底表面涂布导电浆料后，干燥，形成发热膜层；b)在铜箔的正反面分别贴合异方性导电胶膜，进行预压，得到复合电极；c)在步骤a)所得发热膜层两端的电极区域放置步骤b)所得复合电极后，进行预压，形成电极层；d)在所述电极层上放置上基底后，进行热压和本压，得到发热膜；所述步骤a)和步骤b)没有顺序限制。本发明制备的发热膜能够提高柔性和发热效果，同时制备方法简单易行，成本低。

Description

一种发热膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及发热材料领域，特别涉及一种发热膜及其制备方法。
背景技术
近年来，市场上出现各种发热产品，用途也十分广泛，例如可用于服饰发热当中。在日常生活中，我们对于服饰的要求都是衣服柔软，穿着让人有舒适感，不同的部位对发热膜的柔性要求也不同。
目前，市面上很多发热膜主要由下基底、发热膜层、电极和上基底组成。发热膜电极的制备方法大多有以下几种方式：第一，在发热膜层上用丝网印刷机丝印一层导电银浆直接作为电极；第二，在发热膜层上直接贴合铜箔电极作为电极；第三，在方法一的导电银浆的表面贴合铜箔电极，使两者复合后作为电极。以上第一和第二种的电极制备方法，耐弯折性能比较差；第三种方式虽然导电银浆和铜箔电极复合后能比之前耐弯折性稍微变强，但是导电银浆和铜箔电极之间的贴合，银浆与发热膜层之间的贴合在弯折和揉搓中，容易分离，会导致发热膜整体发热不均匀，甚至存在电火花等潜在风险。除此之外，导电银浆通常需要丝印并烘箱烘干，成本相对较高，工艺也较复杂且耗时。
因此寻找一种更有效、更简单、成本更低的发热膜电极制备方法具有重要意义，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种发热膜及其制备方法。本发明制备的发热膜能够提高柔性和发热效果，同时制备方法简单易行，成本低。
本发明提供了一种发热膜的制备方法，包括以下步骤：
a)在下基底表面涂布导电浆料后，干燥，形成发热膜层；
b)在铜箔的正反面分别贴合异方性导电胶膜，进行预压，得到复合电极；
c)在步骤a)所得发热膜层两端的电极区域放置步骤b)所得复合电极后，进行预压，形成电极层；
d)在所述电极层上放置上基底后，依次进行热压和本压，得到发热膜；
所述步骤a)和步骤b)没有顺序限制。
优选的，所述步骤b)中，所述预压的温度为60～100℃，压力为0.1～0.2MPa，时间为1.5～10s。
优选的，所述异方性导电胶膜中导电粒子的粒径为3～15μm；
所述铜箔的厚度为6～25μm；
所述异方性导电胶膜的厚度为15～30μm。
优选的，所述步骤c)中，所述预压的温度为60～100℃，压力为0.1～0.2MPa，时间为1.5～10s。
优选的，所述步骤d)中，所述热压的温度为90～160℃，压力为0.3～0.7MPa，时间为5～30s。
优选的，所述步骤d)中包括：
对上基底对应接线口处打孔，将所打的孔洞对准复合电极来放置上基底，然后进行热压，之后再对上基底对应复合电极的位置进行本压，得到发热膜。
优选的，所述本压的温度为160～230℃，压力为0.1～0.4MPa，时间为5～20s。
优选的，所述下基底包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层；其中，热熔胶层与所述发热膜层接触；
所述上基底包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层；其中，热熔胶层与所述电极层接触。
优选的，形成所述热熔胶层的热熔胶选自PES热熔胶、PA热熔胶、TPU热熔胶或EVA热熔胶；所述基底层为防水布。
本发明还提供了一种上述技术方案中所述的制备方法制得的发热膜。
本发明将异方性导电胶膜(即ACF)贴合在铜箔的正反面，并进行预压，形成复合电极；将该电极贴合在发热膜层的对应位置上(即电极区域)，然后对位热压上基底，最后在电极处进行本压。采用预压的复合电极作为电极，合适的温度和压力使ACF中的导电粒子破裂来连接发热膜层与铜箔电极使之成为导通，同时利用ACF中的树脂黏着剂将铜箔电极的正反面分别固定在上基底和发热膜层表面，并提供一压迫力来维持铜箔电极与导电粒子的接触面积，通过上述整个操作使发热膜不仅能柔性可搓揉，还发热均匀，且上述方法简单易行。另外，ACF中的树脂黏着剂除了提供接着、耐热、绝缘效果外，还有防湿气功能，从而保护铜箔电极不易氧化，提高发热膜产品的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为复合电极的结构示意图；
图2为电极在发热膜层上位置分布的示意图；
图3为上基底的结构示意图；
图4为上基底与电极位置关系示意图；
图5为本发明制得的发热膜产品的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种发热膜的制备方法，包括以下步骤：
a)在下基底表面涂布导电浆料后，干燥，形成发热膜层；
b)在铜箔的正反面分别贴合异方性导电胶膜，进行预压，得到复合电极；
c)在步骤a)所得发热膜层两端的电极区域放置步骤b)所得复合电极后，进行预压，形成电极层；
d)在所述电极层上放置上基底后，依次进行热压和本压，得到发热膜；
所述步骤a)和步骤b)没有顺序限制。
本发明将异方性导电胶膜(即ACF)贴合在铜箔的正反面，并进行预压，形成复合电极；将该电极贴合在发热膜层的对应位置上(即电极区域)，然后对位热压上基底，最后在电极处进行本压。采用预压的复合电极作为电极，合适的温度和压力使ACF中的导电粒子破裂来连接发热膜层与铜箔电极使之成为导通，同时利用ACF中的树脂黏着剂将铜箔电极的正反面分别固定在上基底和发热膜层表面，并提供一压迫力来维持铜箔电极与导电粒子的接触面积，通过上述整个操作使发热膜不仅能柔性可搓揉，还发热均匀，且上述方法简单易行。另外，ACF中的树脂黏着剂除了提供接着、耐热、绝缘效果外，还有防湿气功能，从而保护铜箔电极不易氧化，提高发热膜产品的使用寿命。
关于步骤a)：在下基底表面涂布导电浆料后，干燥，形成发热膜层。
本发明中，所述下基底优选包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层。其中，基底层优选为防水布。所述防水布可以是带防水涂层的布料，也可以是不带防水涂层但自身具有防水功能的布料。所述热熔胶优选为PES热熔胶、PA热熔胶、TPU热熔胶或EVA热熔胶；上述热熔胶可以是热熔胶膜(非网状的密实膜)，也可以是热熔胶网膜。所述下基底的制备方式没有特殊限制，将热熔胶通过平板热压机压到基底层上，保证热熔胶膜不脱落即可。其中，热压条件优选为：温度90～160℃，压力0.3～0.7MPa，时间5～30s。
本发明中，在涂布导电浆料时，涂布在下基底的热熔胶层表面，使热熔胶层与形成的发热膜层接触。
热熔胶上通常带有保护膜，本发明中，在涂布导电浆料前，先撕掉下基底中热熔胶的保护膜，然后在热熔胶层表面放置掩膜版，将导电浆料按照掩膜版涂布，其操作过程没有特殊限制，按照本领域常规操作进行即可。
本发明中，所述导电浆料优选为碳纳米管导电浆料、石墨烯导电浆料和碳浆中的一种或几种。本发明中，涂布导电浆料的涂布方式没有特殊限制，按照本领域常规操作进行即可。
本发明中，在涂布后，进行干燥。其中，所述干燥的温度优选为70～130℃，干燥的时间优选为5～20min。经干燥后，形成发热膜层。本发明中，所述发热膜层的厚度优选为50～500μm。
关于步骤b)：在铜箔的正反面分别贴合异方性导电胶膜，进行预压，得到复合电极。
所述异方性导电胶膜(即ACF)是主要组分包括导电粒子和树脂黏着剂的一类导电胶膜产品。本发明中，所述异方性导电胶膜中导电粒子的粒径优选为3～15μm；若导电粒子粒径太大会降低电极接触的粒子数，若粒径太小则容易形成粒子聚集，造成粒子分布密度不平均。本发明中，所述异方性导电胶膜中的导电粒子可以为金属粉末或高分子塑料球表面涂布金属的粒子，优选为表面镀镍镀金的高分子塑料粉末，可以改善铜箔与导电粒子间的接触性，降低导通电阻。在本发明的一些实施例中，所述异方性导电胶膜的型号为MF-347H、AC-805A或CP9731SB。本发明中，所述异方性导电胶膜的厚度优选为15～30μm。
本发明中，所述铜箔的厚度优选为6～25μm。本发明在铜箔的正反两面均贴合异方性导电胶膜，然后进行预压。本发明中，所述预压的温度优选为60～100℃，在一些实施例中，预压温度为60℃、75℃或90℃；所述预压的压力优选为0.1～0.2MPa，在一些实施例中，预压压力为0.15MPa、0.16MPa或0.2MPa；所述预压时间优选为1.5～10s，在一些实施例中，预压时间为1.5s、2s或5s。经预压后，得到复合电极。
所得复合电极的结构参见图1，图1为复合电极的结构示意图；其中，1为铜箔，2为ACF膜，3为ACF的保护膜。
本发明对上述步骤a)和步骤b)没有顺序限制。
关于步骤c)：在步骤a)所得发热膜层两端的电极区域放置步骤b)所得复合电极后，进行预压，形成电极层。
本发明中，发热膜层两端的边缘处有条形电极对应区域，以矩形发热膜层为例，在两侧的长度方向设置有条形电极区域，条形电极的长度方向与矩形发热膜的长度方向平行，参见图2，图2为电极在发热膜层上位置分布的示意图，其中，1为下基底，2为发热膜层，3为电极。
本发明中，优选先将复合电极中ACF胶膜的保护膜撕去后，将复合电极贴合在在步骤a)所得发热膜层两端的电极区域，再进行预压。所述预压是指对两个条形电极进行预压。本发明中，所述预压的温度优选为60～100℃，在本发明的一些实施例中，预压温度为60℃、75℃或90℃；所述预压的压力优选为0.1～0.2MPa，在一些实施例中，预压压力为0.15MPa、0.16MPa或0.2MPa；所述预压时间优选为1.5～10s，在一些实施例中，预压时间为1.5s、2s或5s。通过预压处理，使复合电极固定在发热膜层上。经上述预压处理后，在发热膜层的两侧边缘处形成两个条形电极，即电极层。
关于步骤d)：在所述电极层上放置上基底后，依次进行热压和本压，得到发热膜。
本发明中，所述上基底优选包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层。其中，基底层优选为防水布。所述防水布可以是带防水涂层的布料，也可以是不带防水涂层但自身具有防水功能的布料。所述热熔胶优选为PES热熔胶、PA热熔胶、TPU热熔胶或EVA热熔胶；上述热熔胶可以是热熔胶膜(非网状的密实膜)，也可以是热熔胶网膜。所述上基底的制备方式没有特殊限制，将热熔胶通过平板热压机压到基底层上，保证热熔胶膜不脱落即可。其中，热压条件优选为：温度90～160℃，压力0.3～0.7MPa，时间5～30s。
本发明中，在得到上基底后，优选先对上基底打孔，打孔的位置对应发热膜产品的接线口处；具体的，在上基底宽度方向上的一侧边缘进行打孔，孔洞分别对准两个电极，参见图3和图4，图3为上基底的结构示意图，图4为上基底与电极位置关系示意图，其中，1为下基底，2为发热膜，3为电极，4为上基底，5为上基底上的打孔。
打孔后，将孔洞对准复合电极来放置上基底，其中，上基底的热熔胶层一面与电极层接触。放置上基底后，在进行后续操作前，优选先将复合电极上表面的保护膜撕去(ACF上带有保护膜，复合电极的上下表面分别与上层的上基底和下层发热膜层接触前，均先将保护膜撕去)。
在放置好上基底后，在上基底上施压进行热压贴合。所述热压可采用平板热压机进行操作。本发明中，所述热压的温度优选为90～160℃，在本发明的一些实施例中，热压温度为145℃、150℃、155℃或160℃；所述热压的压力优选为0.3～0.7MPa，在一些实施例中，热压压力为0.6MPa或0.7MPa；所述热压的时间优选为5～30s，在一些实施例中，热压时间为20s、25s或30s。
本发明中，在上述热压后，对电极处进行本压。本发明中，所述本压的温度优选为160～230℃，在本发明的一些实施例中，本压温度为170℃、200℃或230℃；所述本压的压力(压力表数值)优选为0.1～0.4MPa，在一些实施例中，本压压力为0.23MPa、0.27MPa或0.4MPa；所述本压的时间优选为5～20s，在一些实施例中，本压的时间为5s、10s、12s或20s。经上述热压后、以及本压之前，优选还包括：采用溶剂擦拭孔洞处露出的铜箔电极，将电极上的ACF擦拭干净；之后，在上基底上对应复合电极的位置放置硅橡胶垫(即硅橡胶垫与复合电极一样也为长条形，尺寸可等于或大于复合电极，放置位置对准整个复合电极长条)，然后再采用脉冲本压机对上基底表面对应的电极位置处进行本压。
本发明中，经上述本压后，进行后处理，如按照所需尺寸裁剪并打孔接线，即得发热膜产品，通电即可发热。
本发明所得发热膜产品的结构如图5所示，图5为本发明制得的发热膜产品的结构示意图，其中，1为下基底，1a为基底层，1b为热熔胶层；2为发热膜层；3为复合电极，3a为铜箔，3b及3c为ACF膜；4为上基底，4a为基底层，4b为热熔胶层。
本发明提供的制备方法中，将异方性导电胶膜(即ACF)贴合在铜箔的正反面，并进行预压，形成复合电极；将该电极贴合在发热膜层的对应位置上(即电极区域)，然后对位热压上基底，最后在电极处进行本压。采用预压的复合电极作为电极，合适的温度和压力使ACF中的导电粒子破裂来连接发热膜层与铜箔电极使之成为导通，同时利用ACF中的树脂黏着剂将铜箔电极的正反面分别固定在上基底和发热膜层表面，并提供一压迫力来维持铜箔电极与导电粒子的接触面积，通过上述整个操作使发热膜不仅能柔性可搓揉，还发热均匀，且上述方法简单易行。另外，ACF中的树脂黏着剂除了提供接着、耐热、绝缘效果外，还有防湿气功能，从而保护铜箔电极不易氧化，提高发热膜产品的使用寿命。
本发明还提供了一种上述技术方案中所述的制备方法制得的发热膜。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
实施例1
S1、在无尘室环境中进行，将PES热熔胶通过平板热压机压到防水布上，热压条件为：温度130℃，压力0.6MPa，时间15s。得到上基底。
S2、撕掉上基底中热熔胶的保护膜，然后放在刀磨上，用冲压机进行打孔，得到打孔的上基底。
S3、按照步骤S1制备下基底，撕掉下基底中热熔胶的保护膜，在其表面贴掩膜版，将石墨烯导电浆料(石墨烯含量0.5wt％)按掩膜版涂布，其厚度为300μm，于80℃干燥10min，形成发热膜层。
S4、将ACF(导电粒子粒径为10μm，胶膜型号为MF-347H，由日立化成提供)贴合在铜箔的正反面，然后低温预压。预压条件为：温度90℃，压力0.16MPa，时间5s。经预压后，得到复合电极，其中，铜箔厚度为18μm，ACF厚度为18μm；复合电极尺寸为长100mm×宽4mm。
S5、取步骤S4所得的长条形复合电极两条，撕去ACF的保护膜后，分别放置在步骤S3所得发热膜层两端的边缘处，进行低温预压。预压条件为：温度90℃，压力0.16MPa，时间5s。经上述预压处理，形成电极层。
S6、撕去ACF上表面的保护膜后，将步骤S2所得有孔的上基底贴合在电极层上，上基底的孔洞对准电极裸露出铜箔，用平板热压机对上基底进行热压贴合。热压条件为：温度155℃，压力0.6MPa，时间25s。
S7、经上述热压后，用异丙醇将露出电极孔处铜箔上的ACF擦除干净，然后在上基底上对应复合电极的位置放置硅橡胶垫，用脉冲本压机进行本压。本压条件为：温度200℃，压力0.27MPa，时间10s。
S8、按所需尺寸裁剪并打孔接线，得到发热膜产品。
实施例2
S1、在无尘室环境中进行，将TPU热熔胶通过平板热压机压到防水布上，热压条件为：温度140℃，压力0.6MPa，时间12s。得到上基底。
S2、撕掉上基底中热熔胶的保护膜，然后放在刀磨上，用冲压机进行打孔，得到打孔的上基底。
S3、按照步骤S1制备下基底，撕掉下基底中热熔胶的保护膜，在其表面贴掩膜版，将石墨烯导电浆料(石墨烯含量0.5wt％)按掩膜版涂布，其厚度为200μm，于80℃干燥10min，形成发热膜层。
S4、将ACF(导电粒子粒径为10μm，胶膜型号为MF-347H，由日立化成提供)贴合在铜箔的正反面，然后低温预压。预压条件为：温度90℃，压力0.16MPa，时间5s。经预压后，得到复合电极，其中，铜箔厚度为18μm，ACF厚度为25μm；复合电极尺寸为长80mm×宽4mm。
S5、取步骤S4所得的长条形复合电极两条，撕去ACF的保护膜后，分别放置在步骤S3所得发热膜层两端的边缘处，进行低温预压。预压条件为：温度90℃，压力0.16MPa，时间5s。经上述预压处理，形成电极层。
S6、撕去ACF上表面的保护膜后，将步骤S2所得有孔的上基底贴合在电极层上，上基底的孔洞对准电极裸露出铜箔，用平板热压机对上基底进行热压贴合。热压条件为：温度150℃，压力0.6MPa，时间20s。
S7、经上述热压后，用异丙醇将露出电极孔处铜箔上的ACF擦除干净，然后在上基底上对应复合电极的位置放置硅橡胶垫，用脉冲本压机进行本压。本压条件为：温度200℃，压力0.27MPa，时间12s。
S8、按所需尺寸裁剪并打孔接线，得到发热膜产品。
实施例3
S1、在无尘室环境中进行，将PA热熔胶通过平板热压机压到防水布上，热压条件为：温度150℃，压力0.5MPa，时间15s。得到上基底。
S2、撕掉上基底中热熔胶的保护膜，然后放在刀磨上，用冲压机进行打孔，得到打孔的上基底。
S3、按照步骤S1制备下基底，撕掉下基底中热熔胶的保护膜，在其表面贴掩膜版，将石墨烯导电浆料(石墨烯含量10％)按掩膜版涂布，其厚度为100um，于80℃干燥10min，形成发热膜层。
S4、将ACF(导电粒子粒径为3μm，胶膜型号为AC-805A，由日立化成提供)贴合在铜箔的正反面，然后低温预压。预压条件为：温度60℃，压力0.15MPa，时间1.5s。经预压后，得到复合电极，其中，铜箔厚度为18μm，ACF厚度为20μm；复合电极尺寸为长50mm×宽4mm。
S5、取步骤S4所得的长条形复合电极两条，撕去ACF的保护膜后，分别放置在步骤S3所得发热膜层两端的边缘处，进行低温预压。预压条件为：温度60℃，压力0.15MPa，时间1.5s。经上述预压处理，形成电极层。
S6、撕去ACF上表面的保护膜后，将步骤S2所得有孔的上基底贴合在电极层上，上基底的孔洞对准电极裸露出铜箔，用平板热压机对上基底进行热压贴合。热压条件为：温度160℃，压力0.7MPa，时间20s。
S7、经上述热压后，用异丙醇将露出电极孔处铜箔上的ACF擦除干净，然后在上基底上对应复合电极的位置放置硅橡胶垫，用脉冲本压机进行本压。本压条件为：温度230℃，压力0.4MPa，时间5s。
S8、按所需尺寸裁剪并打孔接线，得到发热膜产品。
实施例4
S1、在无尘室环境中进行，将EVA热熔胶通过平板热压机压到防水布上，热压条件为：温度140℃，压力0.3MPa，时间20s。得到上基底。
S2、撕掉上基底中热熔胶的保护膜，然后放在刀磨上，用冲压机进行打孔，得到打孔的上基底。
S3、按照步骤S1制备下基底，撕掉下基底中热熔胶的保护膜，在其表面贴掩膜版，将碳浆(型号为XRK-03，由深圳市某电子材料有限公司提供)按掩膜版涂布，其厚度为50um，于120℃干燥20min，形成发热膜层。
S4、将ACF(导电粒子粒径为6μm，胶膜型号为CP9731SB，由索尼提供)贴合在铜箔的正反面，然后低温预压。预压条件为：温度75℃，压力0.2MPa，时间2s。经预压后，得到复合电极，其中，铜箔厚度为18μm，ACF厚度为25μm；复合电极尺寸为长100mm×宽3mm。
S5、取步骤S4所得的长条形复合电极两条，撕去ACF的保护膜后，分别放置在步骤S3所得发热膜层两端的边缘处，进行低温预压。预压条件为：温度75℃，压力0.2MPa，时间2s。经上述预压处理，形成电极层。
S6、撕去ACF上表面的保护膜后，将步骤S2所得有孔的上基底贴合在电极层上，上基底的孔洞对准电极裸露出铜箔，用平板热压机对上基底进行热压贴合。热压条件为：温度145℃，压力0.7MPa，时间30s。
S7、经上述热压后，用异丙醇将露出电极孔处铜箔上的ACF擦除干净，然后在上基底上对应复合电极的位置放置硅橡胶垫，用脉冲本压机进行本压。本压条件为：温度170℃，压力0.4MPa，时间20s。
S8、按所需尺寸裁剪并打孔接线，得到发热膜产品。
对比例1
按照实施例1的制备过程进行，不同的是，铜箔的正反慢不贴合ACF，直接以铜箔作为电极。
实施例5
对实施例1～4及对比例1所得发热膜产品进行性能测试，结果参见表1。
表1实施例1～4及对比例1所得发热膜产品的性能
耐揉搓性 电阻增长率
实施例1 对发热膜片用2.5kg的力揉搓500次后，电极未断未脱落，发热膜正常发热 12％
实施例2 对发热膜片用2.5kg的力揉搓500次后，电极未断未脱落，发热膜正常发热 14％
实施例3 对发热膜片用2.5kg的力揉搓500次后，电极未断未脱落，发热膜正常发热 15％
实施例4 对发热膜片用2.5kg的力揉搓500次后，电极未断未脱落，发热膜正常发热 18％
对比例1 对发热膜片用2.5kg的力揉搓500次后，电极断裂，也有脱落，发热膜无法正常发热 电极断裂，电阻无穷大
由表1测试结果可以看出，本发明实施例制得的发热膜产品，经揉搓500次后，电极未断未脱落，发热膜正常发热，表现出优异的揉搓柔性和粘结性。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种发热膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a）在下基底表面涂布导电浆料后，干燥，形成发热膜层；
其中，所述导电浆料为碳纳米管导电浆料、石墨烯导电浆料和碳浆中的一种或几种；
b）在铜箔的正反面分别贴合异方性导电胶膜，进行预压，得到复合电极；
其中，
所述异方性导电胶膜中导电粒子的粒径为3~15μm；
所述预压的温度为60~100℃，压力为0.1~0.2 MPa，时间为1.5~10s；
c）在步骤a）所得发热膜层两端的电极区域放置步骤b）所得复合电极后，进行预压，形成电极层；
d）在所述电极层上放置上基底后，依次进行热压和本压，得到发热膜；
其中，
所述热压的温度为90~160℃，压力为0.3~0.7 MPa，时间为5~30s；
所述步骤a）和步骤b）没有顺序限制。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜箔的厚度为6~25μm；
所述异方性导电胶膜的厚度为15~30μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c）中，所述预压的温度为60~100℃，压力为0.1~0.2 MPa，时间为1.5~10s。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤d）中包括：
对上基底对应接线口处打孔，将所打的孔洞对准复合电极来放置上基底，然后进行热压，之后再对上基底对应复合电极的位置进行本压，得到发热膜。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述本压的温度为160~230℃，压力为0.1~0.4 MPa，时间为5~20s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下基底包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层；其中，热熔胶层与所述发热膜层接触；
所述上基底包括基底层和复合于所述基底层表面的热熔胶层；其中，热熔胶层与所述电极层接触。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成所述热熔胶层的热熔胶选自PES热熔胶、PA热熔胶、TPU热熔胶或EVA热熔胶；
所述基底层为防水布。
8.一种权利要求1~7中任一项所述的制备方法制得的发热膜。
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