CN112798823A - 用于老化加电的cos夹具 - Google Patents
用于老化加电的cos夹具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112798823A CN112798823A CN202011496722.2A CN202011496722A CN112798823A CN 112798823 A CN112798823 A CN 112798823A CN 202011496722 A CN202011496722 A CN 202011496722A CN 112798823 A CN112798823 A CN 112798823A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cos
- probe
- hole
- electrodes
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0425—Test clips, e.g. for IC's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0021—Degradation or life time measurements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于老化加电的COS夹具,属于半导体激光器生产夹具技术领域,包括限位板、压板、冷却组件,限位板为绝缘体,限位板上设有多个COS封装芯片安装位;压板上对应设有多个电极,相邻电极上分别设有第一探针和第二探针,第一探针和第二探针通过压板压触对应的COS封装芯片,相邻电极上相邻的第一探针和第二探针分别压触同一COS封装芯片的正极和负极,多个电极、第一探针、第二探针及COS封装芯片形成串联电路;冷却组件用于对COS封装芯片进行冷却。本发明提供的用于老化加电的COS夹具,可批量对COS封装的芯片进行加电,提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明属于半导体激光器生产夹具技术领域,更具体地说,是涉及一种用于老化加电的COS夹具。
背景技术
大功率半导体激光器芯片在进行下一步封装之前,有时需要进行老化抽检,以测试该批芯片的可靠性,可靠性不合格的芯片批次则不能进行下一步封装。由于大功率半导体激光器所需散热量较大,并且单只加电电流较大,可达十安培以上,所以通常选用的半成品芯片封装形式为COS形式。
大功率半导体激光器的芯片在进行老化测试时,需要的加电电流较大,产生的热量较高,批量加电容易引起芯片及设备过热,因此现有的老化测试设备一次只能对一个COS封装的芯片进行加电。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于老化加电的COS夹具,旨在解决现有技术中无法对COS封装形式的大功率半导体激光器芯片进行批量老化加电的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种用于老化加电的COS夹具,包括限位板、压板、冷却组件,限位板为绝缘体,限位板上设有多个COS封装芯片安装位;压板上对应设有多个电极,相邻电极上分别设有第一探针和第二探针,第一探针和第二探针通过压板压触对应的COS封装芯片,相邻电极上相邻的第一探针和第二探针分别压触同一COS封装芯片的正极和负极,多个电极、第一探针、第二探针及COS封装芯片形成串联电路;冷却组件用于对COS封装芯片进行冷却。
作为本申请另一实施例,冷却组件包括冷却台,限位板设于冷却台上,安装位为限位孔,COS封装芯片放入限位孔。
作为本申请另一实施例,冷却台组件还包括基板,基板具有导热性,冷却台上设有基板,限位板通过基板设于冷却台上。
作为本申请另一实施例,电极上设有穿线孔和压线孔,穿线孔用于穿设去皮导线,压线孔与穿线孔相连通,压线孔为螺纹孔,压线孔螺纹连接有压紧螺栓,压紧螺栓用于将去皮导线压紧在穿线孔中。
作为本申请另一实施例,电极的两侧的侧壁上设有凹槽,第一探针、第二探针分别设于两侧的凹槽中。
作为本申请另一实施例,冷却台上设有螺杆,螺杆穿过基板,限位板上设有第一通孔,压板上设有第二通孔,螺杆穿过所述第一通孔与第二通孔,螺杆上螺纹连接有第一螺母,压板通过第一螺母调节第一探针、第二探针对COS封装芯片的压触力。
作为本申请另一实施例,螺杆上设有第二螺母,第二螺母的上端面高于限位板,第二螺母用于限制压板下压的极限位置,
作为本申请另一实施例,冷却台上设有通水通道,通水通道用于冷却水的流通。
作为本申请另一实施例,压板上设有安装孔,安装孔与电极相匹配,电极设于安装孔中。
作为本申请另一实施例,电极下端设有凸台,凸台与压板接触,电极通过凸台与压板连接。
本发明提供的用于老化加电的COS夹具的有益效果在于:与现有技术相比,本发明用于老化加电的COS夹具,在限位板上设置多个COS封装芯片安装位,使用时将COS封装芯片安装于安装位上,压板上对应设有多个电极,相邻电极上分别设有第一探针和第二探针,第一探针和第二探针通过压板压触对应的COS封装芯片,相邻电极上相邻的第一探针和第二探针分别压触同一COS封装芯片的正极和负极,同时与两个COS封装芯片电连接的电极设有第一探针和第二探针,多个电极、第一探针、第二探针及COS封装芯片形成串联电路,最端部的电极分别电连接电源的正极和负极,从而相同的电流可依次流过每一个COS封装芯片进行测试,此时冷却组件同步对COS封装芯片进行冷却,有效的预防了COS封装芯片过热的问题,保证了流过多个COS封装芯片电流的一致性,可同时对多个COS封装芯片进行加电测试,提高了效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的用于老化加电的COS夹具的爆炸图;
图2为本发明实施例所采用的冷却台的结构示意图;
图3为本发明实施例所采用的限位板的结构示意图;
图4为本发明实施例所采用的压板的结构示意图;
图5为本发明实施例所采用的电极的结构示意图;
图6为本发明实施例所采用的电极连接的连接示意图;
图7为本发明实施例所采用的基板的结构示意图。
图中:1、第一螺母;2、压板;3、电极;4、第一探针;5、限位板;6、基板;7、冷却台;8、第二螺母;9、螺杆;10、销钉;11、COS封装芯片;12、电源;13、第二探针;201、第二通孔;202、安装孔;203、避空槽;301、压线孔;302、穿线孔;303、凸台;501、第一通孔;502、销孔;503、限位孔;504、避让槽;601、沉头孔;701、通水通道。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请一并参阅图1及图6,现对本发明提供的用于老化加电的COS夹具进行说明。所述用于老化加电的COS夹具,包括限位板5、压板2、冷却组件,限位板5为绝缘体,限位板5上设有多个COS封装芯片11安装位;压板2上对应设有多个电极3,相邻电极3上分别设有第一探针4和第二探针13,第一探针4和第二探针13通过压板2压触对应的COS封装芯片11,相邻电极3上相邻的第一探针4和第二探针13分别压触同一COS封装芯片11的正极和负极,同时与两个COS封装芯片11电连接的电极3设有第一探针4和第二探针13,多个电极3、第一探针4、第二探针13及COS封装芯片11形成串联电路;冷却组件用于对COS封装芯片11进行冷却。
本发明提供的用于老化加电的COS夹具,与现有技术相比,在限位板5上设置多个COS封装芯片11安装位,使用时将COS封装芯片11安装于安装位上,压板2上对应设有多个电极3,相邻电极3上分别设有第一探针4和第二探针13,第一探针4和第二探针13通过压板2压触对应的COS封装芯片11,相邻电极3上相邻的第一探针4和第二探针13分别压触同一COS封装芯片11的正极和负极,同时与两个COS封装芯片11电连接的电极3设有第一探针4和第二探针13,多个电极3、第一探针4、第二探针13及COS封装芯片11形成串联电路,最端部的电极3分别电连接电源12的正级和负级,从而相同的的电流可依次流过每一个COS封装芯片11进行测试,此时冷却组件同步对COS封装芯片11进行冷却,有效的预防了COS封装芯片11过热的问题,保证了流过多个COS封装芯片11电流的一致性,可同时对多个COS封装芯片11进行加电测试,提高了效率。
本实施例中,如图6所示,限位板5上的安装位设置多排多列,同一排的电极3、第一探针4、COS封装芯片11、第二探针13相串联,第一排尾部的电极3与第二排同一端的电极3通过导线连接,第二排串联尾部的电极3与下一排同一端的电极3电连接。整个串联的电路的最首端和最末端外接电源12。同一排的电极3,电流依次流过第一个电极3、第一个电极3上的第一探针4、第一个COS封装芯片11、第二个电极3的第二探针13、第二个电极3、第二个电极3上的第一探针4、第二个COS封装芯片11、第三个电极3的第二探针13、第三个电极3,依次类推。从而成功保持了各个COS封装芯片11电流的一致性。
本实施例中,限位板5、压板2为硬质绝缘体,可采用聚酰亚胺材质。
本实施例中,冷却组件可位于限位板5下方,也可围绕COS封装芯片11设置、或者可对COS封装芯片11进行冷却的其他位置。
作为本发明提供的用于老化加电的COS夹具的一种具体实施方式,请参阅图1,冷却组件包括冷却台7,限位板5设于冷却台7上,安装位为限位孔503,COS封装芯片11放入限位孔503。
本实施例中,限位孔503形状与COS封装芯片11相适配,可将封装芯片限位与限位孔503中。
本实施例中,限位孔503设置两排,限位孔503贯穿限位板5。两排限位孔503位于限位板5的相对的两侧边缘,限位孔503为凸字形。限位孔503的凸字形中宽度较小端通向限位板5外侧。从而保证COS封装芯片11固定、限位于限位孔503中,且出光方向一律向外,便于安装和观察。
本实施例中,COS封装芯片11的底面于冷却台7接触,具有良好的冷却效果。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图1,冷却台7组件还包括基板6,基板6具有导热性,冷却台7上设有基板6,限位板5通过基板6设于冷却台7上。
本实施例中,COS封装芯片11插入限位孔503,由基板6支撑,实现固定。基板6具有导热性,COS封装芯片11底面与基板6接触,冷却台7通过基板6对COS封装芯片11进行冷却。若采用水冷等方式,避免因为漏水等原因造成短路。
本实施例中,冷却台7上设有销钉10,基板6、限位板5与压板2上对应设有销孔502,销钉10穿过基板6、限位板5与压板2上的限位孔503,保证限位板5上的限位孔503与电极3位置对应。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,参阅图5,电极3上设有穿线孔302和压线孔301,穿线孔302用于穿设去皮导线,压线孔301与穿线孔302相连通,压线孔301为螺纹孔,压线孔301螺纹连接有压紧螺栓,压紧螺栓用于将去皮导线压紧在穿线孔302中。
本实施例中,当不同排电极3相连,或者电极3与电源12连接时,可将导线端部去皮,插入电极3的穿线孔302,再通过压线孔301中的压紧螺栓将导线压紧再穿线孔302中,实现导线与电极3的连接。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图5,电极3的两侧的侧壁上设有凹槽,第一探针4、第二探针13分别设于两侧的凹槽中。
本实施例中,电极3的两侧的侧壁上设有凹槽,第一探针4、第二探针13分别设于两侧的凹槽中,从而第一探针4、第二探针13的一侧与空气接触,有利于散热、且便于安装。
本实施例中,电极3的一侧设有两个第一探针4,另一侧设有两个第二探针13,从而保证与COS封装芯片11正极、负极的充分接触,保证了电路的稳定性。电极3的两个侧壁的每个侧壁上对应设有两个凹槽。
本实施例中,限位孔503的侧壁上对应开设有避让槽504,避让槽504为镊子夹取COS封装芯片11预留出空间,更加方便镊子夹取COS封装芯片11。同时避让槽504也为限位孔503加工时留出了避空位。
本实施例中,如图6所示,每排端部的电极3只可设置第一探针4或者第二探针13,且每排端部电极3的第一探针4或者第二探针13位于较靠近相邻的电极3的凹槽中。
本实施例中,如图7所示,基板6上设有沉头孔601,沉头孔601内设有螺栓,基板6和冷却台7通过螺栓连接。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图1至图5,冷却台7上设有螺杆9,螺杆9穿过基板6,限位板5上设有第一通孔501,压板2上设有第二通孔201,螺杆9穿过所述第一通孔501与第二通孔201,螺杆9上螺纹连接有第一螺母1,压板2通过第一螺母1调节第一探针4、第二探针13对COS封装芯片11的压触力。
本实施例中,通过拧紧第一螺母1,控制压板2与限位板5的距离,又因为电极3固定再压板2上,第一探针4、第二探针13固定再电极3上,因此通过控制压板2到限位板5的距离,可控制第一探针4、第二探针13下压距离,保证第一探针4、第二探针13与COS封装芯片11充分、紧密接触。
本实施例中,第一螺母1为蝶形螺母。
本实施例中,第一探针4、第二探针13为弹簧探针。弹簧探针内含弹簧,弹簧用于调节压在COS封装芯片11上的压力。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图1至图5,螺杆9上设有第二螺母8,第二螺母8的上端面高于限位板5,第二螺母8用于限制压板2下压的极限位置。
本实施例中,第二螺母8的上端面高于限位板5,第二螺母8可限位压板2的下压极限位置,避免因为将第一螺母1拧的过紧压坏COS封装芯片11或者第一探针4、第二探针13。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图2,冷却台7上设有通水通道701,通水通道701用于冷却水的流通。
本实施例中,通水通道701设有对应限位孔503的下方。设置两排限位孔503时,对应设置两个通水孔。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图4,压板2上设有安装孔202,安装孔202与电极3相匹配,电极3设于安装孔202中。
本实施例中,安装孔202的侧壁上设有避空槽203,设置避空槽203有利于降低机械加工难度,更方便安装孔202的加工,且方便在加工时退刀。
作为本发明实施例的一种具体实施方式,请参阅图1至图5,电极3下端设有凸台303,凸台303与压板2接触,电极3通过凸台303与压板2连接。
本实施例中,通过凸台303与压板2接触保证电极3位于同一平面上,保证所有第一探针4、第二探针13与COS封装芯片11的同步接触。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.用于老化加电的COS夹具,其特征在于,包括:
限位板,所述限位板为绝缘体,所述限位板上设有多个COS封装芯片安装位;
压板,所述压板上对应设有多个电极,相邻的所述电极上分别设有第一探针和第二探针,所述第一探针和第二探针通过压板压触对应的COS封装芯片,相邻电极上相邻的第一探针和第二探针分别压触同一COS封装芯片的正极和负极,多个所述电极、第一探针、第二探针及COS封装芯片形成串联电路;以及冷却组件,用于对COS封装芯片进行冷却。
2.如权利要求1所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述冷却组件包括冷却台,所述限位板设于所述冷却台上,所述安装位为限位孔,所述COS封装芯片放入所述限位孔。
3.如权利要求2所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述冷却台组件还包括基板,所述基板具有导热性,所述冷却台上设有基板,所述限位板通过所述基板设于所述冷却台上。
4.如权利要求1所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述电极上设有穿线孔和压线孔,所述穿线孔用于穿设去皮导线,所述压线孔与所述穿线孔相连通,所述压线孔为螺纹孔,所述压线孔螺纹连接有压紧螺栓,所述压紧螺栓用于将去皮导线压紧在所述穿线孔中。
5.如权利要求1所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述电极的两侧的侧壁上设有凹槽,所述第一探针、第二探针分别设于两侧的凹槽中。
6.如权利要求3所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述冷却台上设有螺杆,所述螺杆穿过所述基板,所述限位板上设有第一通孔,所述压板上设有第二通孔,所述螺杆穿过所述第一通孔与第二通孔,所述螺杆上螺纹连接有第一螺母,所述压板通过所述第一螺母调节所述第一探针、第二探针对COS封装芯片的压触力。
7.如权利要求6所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述螺杆上设有第二螺母,所述第二螺母的上端面高于所述限位板,所述第二螺母用于限制所述压板下压的极限位置。
8.如权利要求2所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述冷却台上设有通水通道,所述通水通道用于冷却水的流通。
9.如权利要求1所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述压板上设有安装孔,所述安装孔与所述电极相匹配,所述电极设于安装孔中。
10.如权利要求9所述的用于老化加电的COS夹具,其特征在于,所述电极下端设有凸台,所述凸台与所述压板接触,所述电极通过凸台与所述压板连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011496722.2A CN112798823A (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 用于老化加电的cos夹具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011496722.2A CN112798823A (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 用于老化加电的cos夹具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112798823A true CN112798823A (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=75806879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011496722.2A Pending CN112798823A (zh) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 用于老化加电的cos夹具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112798823A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113314942A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 天津凯普林光电科技有限公司 | 一种激光器组件的加电装置 |
CN114636915A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-06-17 | 武汉云岭光电有限公司 | 边发射激光器芯片级老化测试系统以及方法 |
CN117129834A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-28 | 武汉永力睿源科技有限公司 | 一种芯片老化测试装置 |
CN117129833A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-28 | 武汉永力睿源科技有限公司 | 一种激光芯片的老化测试装置 |
CN117872098B (zh) * | 2024-03-13 | 2024-05-14 | 无锡迈步智能装备有限公司 | 一种大容量封装芯片高温高电压老化装置 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1159001A (zh) * | 1996-02-13 | 1997-09-10 | 日本电子材料株式会社 | 探针及其制造以及使用探针的立式探针卡组件 |
JPH1019931A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 検査用プローブ |
CN1816748A (zh) * | 2003-07-02 | 2006-08-09 | 株式会社日立制作所 | 探针板及使用探针片或探针板的半导体检测装置及半导体装置的制造方法 |
CN203376346U (zh) * | 2013-05-07 | 2014-01-01 | 曹桂萍 | 老化测试设备的冷板结构 |
CN104166020A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-11-26 | 中国科学院半导体研究所 | 一种激光二极管测试老化夹具 |
CN104363847A (zh) * | 2012-05-30 | 2015-02-18 | 日本来富恩株式会社 | 电极探针 |
CN204287405U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-04-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 半导体激光芯片组件的测试装置 |
TW201522983A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-06-16 | Nihon Micronics Kk | 檢查裝置 |
CN105988069A (zh) * | 2015-01-29 | 2016-10-05 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器的测试和老化装置及使用方法 |
CN205720553U (zh) * | 2016-04-07 | 2016-11-23 | 深圳清华大学研究院 | 多工位激光器芯片组件装载平台 |
CN106468725A (zh) * | 2015-08-14 | 2017-03-01 | 致茂电子股份有限公司 | 探针结构 |
CN106569116A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-04-19 | 河南大学 | 一种探针台及低温测试系统 |
CN207133392U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-03-23 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器老化测试装置 |
CN207530303U (zh) * | 2017-12-13 | 2018-06-22 | 镭神技术(深圳)有限公司 | 一种小功率芯片老化机 |
CN108254676A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-07-06 | 苏州联讯仪器有限公司 | 一种高精度激光器芯片老化夹具 |
CN111044872A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-21 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 | 一种半导体激光器件测试装置 |
CN111239581A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-05 | 北京工业大学 | 一种单管半导体激光器老化测试装置 |
CN111999631A (zh) * | 2019-05-27 | 2020-11-27 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器芯片的老化夹具 |
-
2020
- 2020-12-17 CN CN202011496722.2A patent/CN112798823A/zh active Pending
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1159001A (zh) * | 1996-02-13 | 1997-09-10 | 日本电子材料株式会社 | 探针及其制造以及使用探针的立式探针卡组件 |
JPH1019931A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 検査用プローブ |
CN1816748A (zh) * | 2003-07-02 | 2006-08-09 | 株式会社日立制作所 | 探针板及使用探针片或探针板的半导体检测装置及半导体装置的制造方法 |
CN104363847A (zh) * | 2012-05-30 | 2015-02-18 | 日本来富恩株式会社 | 电极探针 |
CN203376346U (zh) * | 2013-05-07 | 2014-01-01 | 曹桂萍 | 老化测试设备的冷板结构 |
TW201522983A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-06-16 | Nihon Micronics Kk | 檢查裝置 |
CN104166020A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-11-26 | 中国科学院半导体研究所 | 一种激光二极管测试老化夹具 |
CN204287405U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-04-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 半导体激光芯片组件的测试装置 |
CN105988069A (zh) * | 2015-01-29 | 2016-10-05 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器的测试和老化装置及使用方法 |
CN106468725A (zh) * | 2015-08-14 | 2017-03-01 | 致茂电子股份有限公司 | 探针结构 |
CN205720553U (zh) * | 2016-04-07 | 2016-11-23 | 深圳清华大学研究院 | 多工位激光器芯片组件装载平台 |
CN106569116A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-04-19 | 河南大学 | 一种探针台及低温测试系统 |
CN207133392U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-03-23 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器老化测试装置 |
CN207530303U (zh) * | 2017-12-13 | 2018-06-22 | 镭神技术(深圳)有限公司 | 一种小功率芯片老化机 |
CN108254676A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-07-06 | 苏州联讯仪器有限公司 | 一种高精度激光器芯片老化夹具 |
CN111999631A (zh) * | 2019-05-27 | 2020-11-27 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器芯片的老化夹具 |
CN111044872A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-21 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 | 一种半导体激光器件测试装置 |
CN111239581A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-05 | 北京工业大学 | 一种单管半导体激光器老化测试装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113314942A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 天津凯普林光电科技有限公司 | 一种激光器组件的加电装置 |
CN114636915A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-06-17 | 武汉云岭光电有限公司 | 边发射激光器芯片级老化测试系统以及方法 |
CN117129834A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-28 | 武汉永力睿源科技有限公司 | 一种芯片老化测试装置 |
CN117129833A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-28 | 武汉永力睿源科技有限公司 | 一种激光芯片的老化测试装置 |
CN117872098B (zh) * | 2024-03-13 | 2024-05-14 | 无锡迈步智能装备有限公司 | 一种大容量封装芯片高温高电压老化装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112798823A (zh) | 用于老化加电的cos夹具 | |
CN111352024A (zh) | 大功率激光芯片测试老化夹具 | |
CN107728032B (zh) | 一种压接型功率半导体器件的测试装置 | |
CN104166020A (zh) | 一种激光二极管测试老化夹具 | |
CN111999631A (zh) | 一种半导体激光器芯片的老化夹具 | |
CN104638510A (zh) | 一种半导体激光器堆栈小单元测试、老化的装置及方法 | |
CN213546789U (zh) | 一种应用于不同尺寸大功率激光器老化的夹具装置 | |
CN110873636A (zh) | 一种激光发射模组的控温测试治具 | |
CN216209266U (zh) | 一种tec测试夹具 | |
CN111521922B (zh) | 半导体器件的功率循环试验装置和系统 | |
CN201937131U (zh) | 依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座 | |
CN211453706U (zh) | 一种片式电阻器用功率处理夹具 | |
CN216905735U (zh) | 一种高散热功率循环实验用夹具 | |
KR100500526B1 (ko) | 반도체소자 검사장치 | |
KR101173190B1 (ko) | 발열 패키지용 테스트 소켓 어셈블리 | |
CN212845745U (zh) | 大功率激光芯片测试老化夹具 | |
CN217879335U (zh) | 大功率to封装激光器的老化测试夹具 | |
CN114814518A (zh) | 测试装置 | |
CN113049933A (zh) | 一种半导体激光器老化夹具及其老化方法 | |
CN214895420U (zh) | 芯片老化夹具和芯片老化装置 | |
CN217506043U (zh) | 芯片测试结构 | |
CN219533209U (zh) | 一种测试装置 | |
CN211457533U (zh) | 一种激光器cob封装电路板 | |
CN220290798U (zh) | 一种大功率贴片二极管 | |
CN113791242A (zh) | Smd表贴封装器件测试夹具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210514 |