CN112584961B - 用于加工金属陶瓷基板的方法、用于执行方法的设施和借助方法制造的金属陶瓷基板 - Google Patents

用于加工金属陶瓷基板的方法、用于执行方法的设施和借助方法制造的金属陶瓷基板 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于加工金属陶瓷基板(1)的方法，所述方法包括：通过借助激光照射金属陶瓷基板(1)来加工金属陶瓷基板(1)，尤其用于形成理论断裂部位(5)；其中在照射之前的第一测量步骤中和/或在照射之后的第二测量步骤中至少局部地测量金属陶瓷基板(1)的表面形貌。

Description

用于加工金属陶瓷基板的方法、用于执行方法的设施和借助 方法制造的金属陶瓷基板
技术领域
本发明涉及一种用于加工金属陶瓷基板的方法、一种用于执行所述方法的设施以及一种借助所述方法制造的金属陶瓷基板。
背景技术
金属陶瓷基板例如作为电路板或印制电路板从现有技术中充分已知。典型地，在金属陶瓷基板的构件侧上设置用于电器件和印制导线的连接面，其中电器件或电子器件以及印制导线可互连成电回路。金属陶瓷基板的主要组成部分是通常由陶瓷制成的绝缘层、以及一个或多个键合到绝缘层上的金属层。由于绝缘层的比较高的绝缘强度，由陶瓷制成的绝缘层已经被证实为是特别有利的。通过金属层的结构化，在此能够实现用于电器件的印制导线和/或连接面。
尤其从现有技术中已知的是，借助于DCB(“直接铜键合(Direct copper bond)”)方法，将铜键合到陶瓷层上，以便形成铜陶瓷基板。
典型地，在此提供陶瓷层和金属层作为预复合件，所述预复合件在穿过炉、尤其穿过连续式炉的情况下，经受键合工艺、例如DCB方法。也可行的是，通过活性钎焊方法(ABM＝active metal brazing)，通过经由活性焊料将金属层键合到陶瓷层上的方式，制造金属陶瓷基板。制成的金属陶瓷基板通常作为大板制成并且随后通过如下方式划分成各个金属陶瓷基板部段：即各个金属陶瓷基板部段通过折断或切割彼此分开或分离。
对此证实为有利的是，把理论断裂部位引入到金属陶瓷基板中，尤其引入到两个单独的金属陶瓷基板部段之间。然后，沿着所述理论断裂部位，将两个相关的金属陶瓷基板部段彼此折断。从出版物WO 2017 108 950和DE 10 2013 104 055 A1中已知借助于尤其利用超短脉冲激光源的激光照亮形成这种理论断裂部位，借助所述超短脉冲激光源能够实现与使用CO2激光器相比更薄的用作为理论断裂部位的结构。
发明内容
基于所述现有技术，本发明的目的在于，进一步改进用于加工金属陶瓷基板的方法，尤其在折断时的工艺可靠性方面以及在借助于激光产生用作为理论断裂部位的结构时的生产工艺方面。
所述目的通过一种用于加工金属陶瓷基板的方法、一种用于执行所述方法的设施以及一种金属陶瓷基板来实现。本发明的其他优点和特征在说明书和附图中得出。
根据本发明提出一种用于加工金属陶瓷基板的方法，所述方法包括：通过借助激光照射金属陶瓷基板来加工金属陶瓷基板，尤其用于形成理论断裂部位；
其中在照射之前的第一测量步骤中和/或在照射之后的第二测量步骤中至少局部地测量金属陶瓷基板的表面形貌。
与现有技术相反，以有利的方式在照射之前借助于第一测量步骤和/或在照射之后借助于第二测量步骤在金属陶瓷基板的表面形貌方面检查金属陶瓷基板。在时间上在照射之前确定时，由此以有利的方式可行的是，尽可能精确地确定陶瓷层的方位。然后，能够以有利的方式将陶瓷层的所述方位或位置用于，有针对性地设定聚焦，以照射到期望的平面上。通过在照射之后的检查，能够提早辨别错误并且挑出有错误的金属陶瓷基板。
已经证实的是，借助执行第一测量步骤和/或第二测量步骤，能够在通过照射产生的结构的散射方面，尤其在折断或分割金属陶瓷基板之前的时刻产生较小的公差。减小的散射尤其涉及参数，如两个还要分离的金属-陶瓷部段之间的结构的结构深度或刻痕深度以及方位。例如(在60μm的结构深度时)能够实现小于20μm的公差。此外，例如根据结构的所测量的深度已经可识别，折断是否是成功的以及是否可能能够在此舍弃终归破坏金属陶瓷基板的折断。因此，减小失效或报废的数量，也就是说提高在生产金属-陶瓷部段时的效率。
表面形貌尤其理解为金属陶瓷基板沿着其主延伸平面的轮廓伸展，也就是说通过第一测量步骤和/或第二测量步骤，收集和提供关于金属陶瓷基板的外侧伸展的信息，例如经由显示设备提供，其中确定例如通过陶瓷层上的金属化的外侧伸展或确定通过照射产生的结构。
优选地，直接在照射之前执行第一测量步骤和/或直接在照射之后执行第二测量步骤。“直接在之前以及在之后”尤其理解成，在第一测量步骤与照射之间或在照射与第二测量步骤之间至多进行金属陶瓷基板的运输，优选小于2m、特别优选小于1m和特别优选小于0.5m，但是不进行其他处理步骤。还可设想的是，形成槽和/或孔排列、也就是说穿孔，用于形成用作为理论断裂部位的结构。
根据本发明的一个优选的实施方式提出，借助于无损的光学测量方法执行第一测量步骤和/或第二测量步骤。尤其借助于第一传感器或第二传感器，例如利用干涉方法，求取传感器距金属陶瓷基板的由传感器检测的表面区域的间隔。例如借助于这样确定的在第一传感器/第二传感器距在其上定位有金属陶瓷基板的基板载体的间隔，以及借助于这样确定的在第一传感器/第二传感器距陶瓷层的背向基板载体的侧的间隔，在照射时将陶瓷层的方位或位置用于优化的聚焦。通过金属陶瓷基板与第一传感器或第二传感器之间沿着尤其平行于主延伸平面伸展的扫描方向的相对运动以及对间隔的重复记录，那么能够逐渐记录金属陶瓷基板的表面形貌。
例如，第一传感器和第二传感器是结构相同的。第一传感器和/或第二传感器的示例是
Figure GDA0003717752440000031
的传感器ConoPoint10-HD。优选地，在第一传感器或第二传感器之间设置透镜，例如具有在40至70mm之间的焦距，以便针对应用情况优化成像特性。此外，以有利的方式可行的是，将借助于第一测量步骤和/或第二测量步骤检测到的信息用于质量控制和/或提供给分开的金属陶瓷基板部段的之后的买主，例如以对应的数据包的形式。优选地，金属陶瓷基板对于第一测量步骤或第二测量步骤在垂直于主延伸平面伸展的方向上设置在第一传感器和/或第二传感器下方，使得第一传感器和/或第二传感器以俯视图的方式检测待测量的金属陶瓷基板。也可设想的是，使用共焦显微方法来执行第一测量步骤和/或第二测量步骤。
在本发明的另一实施方式中提出，沿着输送路径输送金属陶瓷基板，用于运送至第一方法步骤、照射和/或第二方法步骤，其中金属陶瓷基板在沿着输送路径输送期间定位在旋转的载体、尤其圆台上。由此，第一方法步骤、照射和第二方法步骤能够共用共同的参考系。还可行的是，在照射金属陶瓷基板期间，同样安装在旋转的载体上的另外的金属陶瓷基板经受第一或第二方法步骤。
优选地，在照射金属陶瓷基板期间在一个或多个另外的金属陶瓷基板上执行第一测量步骤和/或第二测量步骤。由此，能够以有利的方式将在照射时得出的耐用度用于执行第一测量步骤和/或第二测量步骤。能够对应地节省时间地实现第一和/或第二测量步骤。还提出，在对金属陶瓷基板执行照射时，第一测量步骤和/或第二测量步骤执行相应的处理或测量，使得所产生的散射光，例如在照射时用于产生结构，所述结构分别不干扰其他工艺。例如为此有针对性地阻挡对于散射光的潜在光路或使各个工艺的波长彼此协调，使得一个工艺的散射光不干扰另一工艺的散射光。
适当地提出，第一测量步骤包括图像处理识别和/或焦点方位测量和/或基板厚度确定。尤其提出，借助于焦点方位测量来确定陶瓷层的方位，由此能够将在照射时使用的聚焦有针对性地设定到陶瓷层的方位上，尤其在照射陶瓷层时陶瓷层的面向激光源的第一侧的方位上。优选地提出，借助第一测量步骤检测金属陶瓷基板的优选地具有无金属的陶瓷层部段的边缘区域。
还优选地提出，在第二方法步骤中包括：
·通过照射产生的结构的同心度确定和/或
·刻痕深度测量。
借助于刻痕深度测量能够检测通过照亮产生的结构的深度，同时借助于同心度确定能够检测两个相邻的金属-陶瓷基板部段之间的所产生的结构的方位。尤其在两个相邻的金属陶瓷基板部段之间设有隔绝沟槽区域(Isograbenbereich)或绝缘沟槽区域，也就是说例如通过刻蚀金属层而不具有金属的区域。优选地，在第二方法步骤中，测量对隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域限界的刻蚀边沿。也可设想的是，在第二方法步骤中，借助在扫描方向上在两侧连接到隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域上的刻蚀边沿与金属-陶瓷基板的其他区域相比更精确地测量隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域。
在本发明的另一实施方式中提出，使用超短脉冲激光源。例如，超短脉冲激光源产生具有0.1ps至100ps的脉冲持续时间的脉冲，其中确定具有350至650kHz的频率的脉冲。优选地，使用具有红外范围中的波长的脉冲并且陶瓷层上的平行于主延伸平面测量的激光直径的大小为20至80μm，优选地小于50μm。此外，所使用的脉冲的脉冲能量为在100μJ至300μJ之间的能量。
优选地提出，产生渐尖的、尤其v形的或楔形的理论断裂部位。在此可设想的是，通过例如借助透镜的对应的射束引导，有针对性地设定聚焦的方位和尺寸，以便产生楔形的理论断裂部位，所述楔形的理论断裂部位在之后的折断过程中在分割金属陶瓷基板部段时正面地起作用。
本发明的另一主题是一种用于执行根据本发明的方法的设施，所述设施包括：
-用于沿着输送路径输送金属陶瓷基板的运输机构
-用于借助于激光照射金属陶瓷基板的光源
-用于执行第一测量步骤的第一传感器和/或用于执行第二测量步骤的第二传感器，
其中第一传感器沿着输送路径观察设置在光源上游和/或第二传感器沿着输送路径观察设置在光源下游。对于所述方法描述的所有特征及其优点能够符合意义地转用于所述设施，并且反之亦然。
本发明的另一主题是借助根据本发明的方法制造的金属陶瓷基板。对于所述方法描述的所有特征及其优点能够符合意义地转用于所述金属陶瓷基板，并且反之亦然。制成的金属陶瓷基板尤其在两个相邻的金属陶瓷基板部段之间具有理论断裂部位。
附图说明
其他优点和特征从参照附图在下文中对根据本发明的主题的优选的实施方式的描述中得出。各个实施方式的各个特征在此能够在本发明的范围内彼此组合。
附图示出：
图1示出用于制造和加工金属陶瓷基板的设施的一部分
图2示出根据本发明的一个优选的实施方式的用于加工金属陶瓷基板的方法
图3示出根据本发明的另一优选的实施方式的用于方法的示例性的第一测量步骤的示意图
图4示出根据本发明的另一优选的实施方式的用于方法的示例性的第二测量步骤的示意图
图5示出用于确定表面距传感器的间隔的构造的示意图。
具体实施方式
在图1中示意性示出用于制造和加工金属陶瓷基板1的设施的一部分。这种金属陶瓷基板1优选地用作为可键合到金属陶瓷基板1上的电子器件或电器件的载体。这种金属陶瓷基板1的主要组成部分是沿着主延伸平面HSE延伸的陶瓷层11以及键合在陶瓷层11上的金属层12。陶瓷层11由至少一种包括陶瓷的材料制成。金属层12和陶瓷层11在此沿着垂直于主延伸平面HSE伸展的堆叠方向上下相叠地设置并且在制成的状态中经由键合面彼此材料配合地连接。优选地，然后将金属层12结构化，以形成用于电器件的印制导线或键合部位。例如将所述结构化部刻蚀到金属层12中。然而，必须事先在金属层12与陶瓷层11之间形成持久的键合，尤其材料配合的键合。
为了将金属层12持久地键合到陶瓷层11上，用于制造金属陶瓷基板1的设施包括炉，在所述炉中加热由金属和陶瓷构成的预复合件从而实现键合。例如，金属层12为由铜制成的金属层12，其中金属层12和陶瓷层11借助于DCB(Direct-Copper-Bonding)键合方法彼此连接。替选地，陶瓷层11和金属层12也能够借助于活性钎焊方法(ABM)彼此连接。
图1特别示出用于制造和加工在图3和图4中详细表示的金属陶瓷基板1的设施的一部分，所述部分处于将金属层12键合到陶瓷层11上之前。尤其在将金属层12键合到陶瓷层11上之后，通过分割将多个金属陶瓷基板部段20彼此分开。优选地，在金属陶瓷基板1中实现理论断裂部位5(参见图4)，用于分割成多个彼此分开的金属陶瓷基板部段20。借助激光源照射金属陶瓷基板1，以形成理论断裂部位5。在此，借助于激光源在陶瓷层11中产生结构，尤其留空部、槽或刻痕或凹槽。优选地，留空部形成槽、尤其v形的槽，所述槽的纵向延伸规定理论断裂部位伸展。替选地或附加地也可设想的是，理论断裂部位伸展通过构成多个依次设置的孔或裂隙来构成。优选地将脉冲激光源、尤其超短脉冲激光源用作为光源，用于加工金属陶瓷基板1。例如，超短脉冲激光源产生具有0.1ps至100ps的脉冲持续时间的脉冲，其中确定具有350至650kHz的频率的脉冲。
此外，在两个金属陶瓷基板部段20之间的隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域40中产生理论断裂部位5，也就是说在如下区域中，在陶瓷层11的面向光源的第一侧31上，所述区域优选地不具有金属化部或金属化层12。在此优选地提出，在与第一侧31相对置的第二侧32上设有金属层12，所述金属层优选地连续地构成，也就是说不具有结构化部。
在形成理论断裂部位5之后，各个金属陶瓷基板部段20能够通过在相应的理论断裂部位5处的折断，也就是说沿着理论断裂线伸展来分割或彼此分开。
为了降低例如在折断时破坏或损伤的金属陶瓷基板1或金属陶瓷基板部段20的废品，已经证实为有利的是，使金属陶瓷基板1在折断或分割之前，经受第一测量步骤和/或第二测量步骤。在此尤其提出，金属陶瓷基板1沿着输送路径F输送以及使金属陶瓷基板1在时间上在借助激光源照射之前经受第一测量步骤并且在时间上在照射之后经受第二测量步骤。优选地，直接在照射之前进行第一测量步骤和/或直接在照射之后进行第二测量步骤。“直接在之前或在之后”在此尤其理解成，在第一测量步骤与照射之间、或在照射与第二测量步骤之间仅仅运输或输送金属陶瓷基板1。此外，在沿着输送路径F的分别不同的位置处进行第一测量步骤、第二测量步骤和/或照射。在此还提出，在如下时刻进行第一测量步骤、第二测量步骤和/或照射：在所述时刻中，沿着输送路径F的输送运动中断，也就是说金属陶瓷基板1在第一测量步骤、第二测量步骤和/或照射期间静止。优选地，第一和/或第二测量步骤为无损的光学测量方法，借助所述无损的光学测量方法能够确定金属陶瓷基板1的表面形貌。
在此，将各个金属陶瓷基板1在设施中经由引入区域EB输送给中央区域ZB并且从中央区域ZB经由引出区域AB再次引出。优选地，引入区域EB、中央区域ZB和/或引出区域AB分别包括壳体25。壳体25尤其对于中央区域ZB是有利的，因为因此能够避免，散射光能够离开中央区域ZB或能够到达中央区域ZB。优选地，在中央区域ZB中进行第一测量步骤、第二测量步骤和照射。还提出，设施的使用者3经由显示设备4或显示器获得关于第一测量步骤、第二测量步骤和/或照射的信息。
在图2中示出用于加工金属陶瓷基板1的方法的示意图。尤其提出，在此将旋转的载体55、尤其圆台用于输送金属陶瓷基板1。除了载体55的卸载和/或装载区域65，沿着载体55的环周依次设置有用于第一测量步骤的第一加工区域61、用于照射的第二加工区域62以及用于第二方法步骤的第三加工区域63。因此，在载体55旋转时，金属陶瓷基板1依次从装载区域65运输至第一加工区域61，从第一加工区域62运输至第二加工区域63并且从第二加工区域63运输至用于卸载的区域65。
在此，借助于旋转的载体55并非连续地、而是串行地进行沿着输送路径F的运输，也就是说旋转的载体55继续运动，使得随着每次转动到达下一站，也就是说下一加工区域61、62、63、65，并且然后为了执行第一测量步骤、第二测量步骤和/或照射使输送运动停顿。尤其提出，载体55为了在站之间输送分别执行90°的转动，并且然后中断转动运动，借此能够同时执行第一测量步骤、照射和/或第二测量步骤，并且随后通过新的90°转动将相应的金属陶瓷基板1输送给下一加工区域61、62、63和65。还提出，在加工区域61、62、63和65中的各一个加工区域中加工多个金属陶瓷基板1、尤其并排设置的金属陶瓷基板1。
只要到达目标位置，则执行照射、第一方法步骤、第二方法步骤、卸载和/或装载。优选地，第一方法步骤、第二方法步骤、装载、卸载和/或照射至少部分同时进行，也就是说在第二加工区域62中照射一个金属陶瓷基板1或多个金属陶瓷基板1期间，同时对其他金属陶瓷基板1在第一加工区域61中和/或在第三加工区域63中执行第一测量方法和/或第二测量方法。还优选地提出，装载和/或卸载区域65、第一加工区域61、第二加工区域62和第三加工区域63沿着载体55的环周彼此等距地设置。例如，第一加工区域61和第三加工区域63相对置。
例如，第一测量步骤为图像处理识别、焦点方位测量和/或层厚度测量的确定。由此，能够以有利的方式直接在照射之前确定待照射的金属陶瓷基板1的当前方位、尤其陶瓷层11或陶瓷层11的第一侧31的方位，以便在随后照射时以有利的方式考虑所述方位或取向。焦点方位测量在此尤其用于，辨别陶瓷层11的平面，由此在随后照射时光束能够对应地以所期望的方式有针对性地聚焦到所述平面上。
尤其在第一测量步骤中借助于第一传感器41在时间上在照射之前求取表面形貌以及借助于第二传感器42在时间上在照射之后求取表面形貌。第一传感器41和/或第二传感器42在此能够是相同类型的或相同的。为了确定表面形貌优选地提出，第一传感器41和/或第二传感器42分别确定在金属陶瓷基板1处的相邻的表面区域与第一传感器41或第二传感器42之间的间隔A。通过沿着扫描方向SR的偏移以及对间隔A或宽的记录区域的重复记录能够检测表面形貌。在此，第一传感器41和/或第二传感器42例如能够检测沿着垂直于主延伸平面HSE伸展的投影方向或倾斜于所述投影方向的间隔A，其中优选地通过修正能够使倾斜检测的间隔A对应地适应于沿着投影方向确定的间隔A。例如，第一传感器41和/或第二传感器42为
Figure GDA0003717752440000081
公司的ConoPoint10-HD传感器。在此将透镜73、尤其具有30至70mm之间、优选40mm的焦距的透镜用于对用于确定间隔的光进行射束引导。透镜73在此设置在第一传感器41或第二传感器42与待记录的区域之间。
作为第一测量方法的焦点方位测量和层厚度测量示例性地在图3中示出。在此，借助于第一传感器41确定陶瓷层11相对于基板容纳部60的间隔A。在所示出的示例中，在陶瓷层11的第二侧32上设置有连续的金属层12，所述金属层一起影响陶瓷层11的方位。第一传感器41尤其设置成，使得尤其在金属陶瓷基板1的边缘处检测无金属的陶瓷层部段13，尤其连同基板容纳部60一起。那么，在第一测量中，能够通过如下方式求取陶瓷层11的第一侧31相对于基板容纳部60的方位：将基板容纳部60作为基准并且从第一传感器41与基板容纳部60之间的间隔A以及第一传感器41与陶瓷层11的第一侧31之间的间隔A中形成差，所述差对应于第一侧31距基板容纳部60的初级间隔A1。
通过确定在陶瓷层11的第一侧31处的金属层12与第一传感器41之间的间隔A还可行的是，以类似的方式获得关于在用作为基准或零位的基板容纳部60与在陶瓷层11的第一侧31上设置的金属层12的背向陶瓷层11的侧之间的次级间隔A2的信息。因此可行的是，除了关于陶瓷层11的方位的信息之外，也求取关于键合在陶瓷层11的第一侧31上的金属层12的层厚度以及关于金属陶瓷基板1的整个层厚度的信息。
在紧跟照射的第二测量步骤中，借助于刻痕深度测量来确定通过照射产生的结构的深度，或借助于同心度确定来确定在折断之后彼此分开的两个金属陶瓷基板部段20之间的结构的方位。因此，尤其涉及测量在隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域40中通过照射产生的形成理论断裂部位5的结构。优选地，第二传感器42在此在平行于主延伸平面HSE伸展的扫描方向SR上在金属陶瓷基板1之上引导并且通过连续地检测第二传感器42距由第二传感器42检测的图像区域的间隔A在金属陶瓷基板1上方检测表面形貌、优选地金属陶瓷基板部段20中的每个金属陶瓷基板部段的表面形貌。还优选地提出，完全借助于第二方法步骤来测量金属陶瓷基板1或仅条带状扫描金属陶瓷基板部段20。为此，由随后应以分割的方式提供的每个金属陶瓷基板部段20记录至少一个测量点。
在图4中示出对于第二测量步骤的示例。在此提出，检测在金属陶瓷基板1中并排设置的两个金属陶瓷基板部段20的表面形貌，其中尤其在第二测量步骤中检测、优选完全检测隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域40以及在扫描方向SR上彼此相对置的刻蚀边沿57。然后，由此能够根据刻蚀边沿57或陶瓷层11在隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域40中的伸展推断出在相邻的金属陶瓷基板部段20的彼此相对置的金属层12之间的距离。因此，通过所述距离能够检测隔绝沟槽区域或绝缘沟槽区域40的宽度43。还可行的是，除了刻痕深度之外也求取通过照射产生的结构的方位。后者随后可以考虑用于检查：所产生的结构在扫描方向SR上观察是否居中地处于相邻的金属陶瓷基板部段20之间。
在图5中示出用于测量在传感器41、42与表面74之间的间隔A的一般构造。借助这种构造例如能够执行第一和/或第二测量步骤。在此，第一传感器41和/或第二传感器42设置在待检查的表面74上方。在表面74与第一传感器41或第二传感器42之间的区域中，在表面74与第一传感器41和/或第二传感器42之间设置透镜73、尤其显微镜物镜，用于对光路76进行射束引导、尤其用于聚焦。借助于各一个二向色镜72，将测量激光射束75耦合输入到光路76中或将光耦合输出至相机71，所述相机优选也能够用于照射表面74。
附图标记列表
1 金属陶瓷基板
3 使用者
4 显示设备
5 理论断裂部位
11 陶瓷层
12 金属层
13 无金属的陶瓷层部段
20 金属陶瓷基板部段
25 壳体
31 第一侧
32 第二侧
40 绝缘沟槽区域或隔绝沟槽区域
41 第一传感器
42 第二传感器
43 隔绝沟槽区域的或绝缘沟槽区域的宽度
55 载体
57 刻蚀边沿
60 基板容纳部
61 第一加工区域
62 第二加工区域
63 第三加工区域
65 卸载和装载区域
71 相机
72 二向色镜
73 透镜
74 表面
75 测量激光射束
76 光路
A 间隔
F 输送路径
A1 初级间隔
A2 次级间隔
SR 扫描方向
HSE 主延伸平面
EB 引入区域
ZB 中央区域
AB 引出区域

Claims (9)

1.一种用于加工金属陶瓷基板（1）的方法，所述金属陶瓷基板具有金属层和陶瓷层，所述金属层和所述陶瓷层借助于直接铜键合或活性钎焊方法键合到一起，所述方法包括：通过借助激光照射所述金属陶瓷基板（1）来加工所述金属陶瓷基板（1），用于形成理论断裂部位（5）；
其中所述方法包括在所述照射之前的第一测量步骤中和在所述照射之后的第二测量步骤，其中在所述第二测量步骤中至少局部地测量所述金属陶瓷基板（1）的表面形貌，其中所述表面形貌是所述金属陶瓷基板沿着其主延伸平面的轮廓伸展，其中所述方法包括：
- 所述理论断裂部位的刻痕深度测量和
- 所述理论断裂部位的同心度确定，以确定在两个相邻的金属-陶瓷基板部段（20）之间的所述理论断裂部位的方位，
其特征在于，
在照射时使用超短脉冲激光源。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中借助于无损的光学测量方法来执行所述第一测量步骤和/或所述第二测量步骤。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中沿着输送路径（F）输送所述金属陶瓷基板（1），用于运输至所述第一测量步骤、所述照射和/或所述第二测量步骤，其中所述金属陶瓷基板（1）在沿着所述输送路径（F）输送期间定位在旋转的载体（55）上。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中所述金属陶瓷基板（1）在沿着所述输送路径（F）输送期间定位在圆台上。
5.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在照射所述金属陶瓷基板（1）期间，对一个或多个另外的金属陶瓷基板（1）执行所述第一测量步骤和/或所述第二测量步骤。
6.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述第一测量步骤包括：
- 图像处理识别和/或
- 焦点方位测量和/或
- 基板厚度确定。
7.根据权利要求1或2所述的方法，
其中产生渐尖的理论断裂部位（5）。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中产生v形的或楔形的理论断裂部位（5）。
9.一种用于执行根据上述权利要求中任一项所述的方法的设施，所述设施包括：
- 炉，在所述炉中加热由金属和陶瓷构成的预复合件从而实现键合，
- 用于沿着输送路径（F）输送所述金属陶瓷基板（1）的运输机构；
- 用于借助于激光照射所述金属陶瓷基板的光源，以及
- 用于执行所述第一测量步骤的第一传感器（41）和/或用于执行所述第二测量步骤的第二传感器（42），其中所述第一传感器（41）沿着所述输送路径（F）观察设置在所述光源上游和/或所述第二传感器（42）沿着所述输送路径观察设置在所述光源下游，
其特征在于，
所述设施设计用于，在照射时使用超短脉冲激光源，其中直接在照射之前执行所述第一测量步骤。
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