JP2010212355A - 太陽電池パネルの検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 太陽電池パネルの製造において、レーザスクライブによる溝加工の際の欠陥の検査時間を低減する。
【解決手段】 パルスレーザ光を用いたレーザスクライブにより、透明基板上に形成された積層膜を線状に除去して製造される太陽電池パネルにおいて、前記レーザスクライブを行う加工レーザ光照射光学系と、前記積層膜を検査する検査光学系を有し、前記レーザスクライブによる積層膜の除去加工とほぼ同時に、前記検査光学系により前記除去加工の際に生ずる欠陥を検査する。
【選択図】 図3
【解決手段】 パルスレーザ光を用いたレーザスクライブにより、透明基板上に形成された積層膜を線状に除去して製造される太陽電池パネルにおいて、前記レーザスクライブを行う加工レーザ光照射光学系と、前記積層膜を検査する検査光学系を有し、前記レーザスクライブによる積層膜の除去加工とほぼ同時に、前記検査光学系により前記除去加工の際に生ずる欠陥を検査する。
【選択図】 図3
Description
この発明は、太陽電池の製造に関するものである。
半導体薄膜を光電変換層とする太陽電池として、透明基板上に太陽電池を構成する積層膜構造を形成して、これをレーザスクライブにより分離して、多数の太陽電池セルに分離し、それを直列に接続した構造のデバイスが作られている。(例えば特許文献1)。
図1(c2)に、その断面構造の例を示す。太陽電池セル45は、受光面である透明基板41上に形成された透明電極42と、薄膜半導体からなる光電変換層43と、裏面側の裏面電極44と、により構成される。透明基板上には多数の太陽電池セル45が形成されるが、個々の太陽電池セルは、溝113により分離されており、透明電極42は隣接するセルの裏面電極44とコンタクト溝112の部分で電気的に接続されているため、これらの太陽電池セル45は直列に接続されている。この様に多数のセルを直列に接続することにより、発電電圧を上げることができる。
図1(c2)に、その断面構造の例を示す。太陽電池セル45は、受光面である透明基板41上に形成された透明電極42と、薄膜半導体からなる光電変換層43と、裏面側の裏面電極44と、により構成される。透明基板上には多数の太陽電池セル45が形成されるが、個々の太陽電池セルは、溝113により分離されており、透明電極42は隣接するセルの裏面電極44とコンタクト溝112の部分で電気的に接続されているため、これらの太陽電池セル45は直列に接続されている。この様に多数のセルを直列に接続することにより、発電電圧を上げることができる。
このような太陽電池セルの構造は、図1の(a)〜(c)で示す工程によりアルファベット順に製造される。以下、(a)工程を(a1)と(a2)により、(b)工程を(b1)と(b2)により、(c)工程を(c1)と(c2)により、各々説明する。
(a)工程は、(a1)に示すように、透明基板上に形成された透明電極42上に、透明基板41を透過させてレーザ光141を照射し、この(a1)で示したレーザ光を用いてレーザスクライブにより、(a2)に示す透明電極分離溝111を形成する工程である。この(a)工程で用いるレーザは、エネルギー密度を高くするためパルスレーザとし、パルススポットを1方向に移動させながらレーザ光を照射して、20〜100μm幅の細い連続的な、紙面に垂直方向に直線状となる透明電極分離溝111を形成する。
(a)工程は、(a1)に示すように、透明基板上に形成された透明電極42上に、透明基板41を透過させてレーザ光141を照射し、この(a1)で示したレーザ光を用いてレーザスクライブにより、(a2)に示す透明電極分離溝111を形成する工程である。この(a)工程で用いるレーザは、エネルギー密度を高くするためパルスレーザとし、パルススポットを1方向に移動させながらレーザ光を照射して、20〜100μm幅の細い連続的な、紙面に垂直方向に直線状となる透明電極分離溝111を形成する。
(b)工程では、(b1)に示すように、光電変換層43となる薄膜半導体を形成したのち、(a)工程と同様に、透明基板41側からレーザ光142を照射して、(b2)に示す薄膜半導体膜である光電変換層にコンタクト溝112を形成する。このとき使用されるレーザ光142は、透明電極42を透過し、光電変換層のみに吸収される波長が選択される。この(b)工程で用いるレーザは、上記(a)工程と同様、エネルギー密度を高くするためパルスレーザであり、上記(a)工程と同様な方法で、紙面に垂直方向に直線状となるコンタクト溝112を形成する。
(c)工程では、(c1)に示すように、光電変換層43を覆う形態で裏面電極44を形成する。このとき、裏面電極は、コンタクト溝を介して透明電極42と接触し、セルどうしが直列接続される。この後、透明基板側からレーザ光143を照射して、(c2)に示すように、透明電極42を残して裏面電極44、光電変換層43を除去して、セル分離溝113を形成し、隣接するセルを分離する。このときもレーザ光143はレーザ光142と同様に透明電極42を透過して光電変換層43のみに吸収される波長が選択される。レーザ光143も、上記と同様、エネルギー密度を高くする観点から、パルスレーザであり、上記(b)工程と同様な方法で、紙面に垂直方向に直線状となるセル分離溝113を形成する。
上記の製造工程の内、透明電極分離溝111、コンタクト溝112、セル分離溝113の形成工程では、レーザ光により膜を除去するいわゆるレーザスクライブによる溝形成が行なわれている。このうち特にセル分離溝113の形成工程では、セル分離溝が連続的に形成されずに部分的に欠陥ができてしまう場合がある。
図2に、上記の欠陥23が生じたセル分離溝113の例を示す。1パルスの照射に対してビームスポット形状21に対応した剥離部分51が形成されるが、このビームスポット形状21に対応した円形形状の一部が重畳する一定速度で基板を移動させると、図2で、左右方向に直線状に繋がった形状の溝が、通常、加工される。しかし、時にはその中で加工されない欠陥23が発生する。その原因としてはレーザパルスのエネルギーの変動、透明基板面上の異物や透明基板内部の欠陥によるレーザ光の散乱、2つの膜中に含まれる異物によるレーザ光の散乱などがある。
このような欠陥が1ヶ所でも存在すると、電極間で短絡して、セル1個全体が使用できなくなる。通常1m角の基板で100個程度のセルを形成するため、分離溝のライン長は100mにも及ぶ。従って、上述のような原因を除いて短絡の発生を減らしても、完全に無くすことは難しい。
そのため、欠陥を修正することになる。しかし、修正するためには当該欠陥を捜す必要があり、上述のようなライン長では探索に時間がかかるので、修正のコストがかかるという問題がある。
本発明は短絡部の修正に要する時間を短縮し、修正にかけるコストを低減することを目的とする。
本発明は短絡部の修正に要する時間を短縮し、修正にかけるコストを低減することを目的とする。
本発明は、パルスレーザ光を用いたレーザスクライブにより、透明基板上に形成された積層膜を線状に除去して製造される太陽電池パネルにおいて、上記レーザスクライブを行う加工レーザ光照射光学系と、前記積層膜を検査する検査光学系を有し、前記レーザスクライブによる積層膜の除去加工とほぼ同時に、前記検査光学系により前記除去加工の際に生ずる欠陥を検査するものである。
更に、検査光学系に使用される検査レーザ光は、除去を行なうレーザ光と異なる波長のレーザ光であり、透明基板面上でのスポットのスキャン方向のサイズは、除去を行なうレーザスポットのピッチより狭く、透明基板面上でのスポットのスキャンに垂直方向のサイズは、除去を行なうレーザのスポットのスキャン方向に垂直な方向のサイズより大きいことを特徴とする。
この発明によれば、加工と同時に検査を行なうことにより、検査位置の位置決めや溝に沿った走査の時間を不要にして、検査時間を短縮することができる。
欠陥がパルス単位で発生するため、検査レーザ光のスポットサイズを個々のパルスの加工領域に制限することにより、検出のS/Nを上げることができる。また、検査レーザ光のレーザの波長を加工するレーザの波長と異ならせることにより、加工するレーザの光による検出ノイズを無くすことができる。
欠陥がパルス単位で発生するため、検査レーザ光のスポットサイズを個々のパルスの加工領域に制限することにより、検出のS/Nを上げることができる。また、検査レーザ光のレーザの波長を加工するレーザの波長と異ならせることにより、加工するレーザの光による検出ノイズを無くすことができる。
実施の形態1.
図3は本発明の実施の形態1によるレーザスクライブ及び基板検査装置の原理図である。透明基板12は、太陽電池を作成するための透明電極、光電変換層、裏面電極の積層膜から形成されており、膜面は図3の下側の面である。本実施の形態はセル分離溝113の加工への適用例であり、図1の(c)の工程に対応する。透明基板12は矢印13の方向に800〜1000mm/sの一定速度で移動する。加工用のレーザ光14は、YAG、或いはYVO4のダイオード励起固体レーザ光を波長変換結晶で2倍波とした波長532nmのパルスレーザ光である。
このレーザ光をレンズ15で集光して透明基板12の下面の積層膜に照射して裏面電極及び光電変換層を除去する。1パルスの照射でφ40〜100μm円形領域の裏面電極及び光電変換層が除去される。パルス繰り返し周波数は20kHzなので、パルスは40〜50μmピッチで照射され、円形領域はつながり、連続したスクライブ溝11が形成される。
他方、スクライブ溝11にはレーザ光によるスクライブより遅れるが、ほぼ同時に、下流側に、波長635nmの半導体レーザの検査レーザ光16が照射される。検査レーザ光16の照射スポットは、位置合わせ用カメラ20で得られる画像を用いて加工用のレーザ光14で加工されたスクライブ溝11上となるように位置を調整されている。検出セル17は、検査レーザ光16のワークに対する正反射光が入射する位置に設置され、正反射光は検出セル17に入りスクライブ溝位置での正反射光強度の時間変化が計測される。
図3は本発明の実施の形態1によるレーザスクライブ及び基板検査装置の原理図である。透明基板12は、太陽電池を作成するための透明電極、光電変換層、裏面電極の積層膜から形成されており、膜面は図3の下側の面である。本実施の形態はセル分離溝113の加工への適用例であり、図1の(c)の工程に対応する。透明基板12は矢印13の方向に800〜1000mm/sの一定速度で移動する。加工用のレーザ光14は、YAG、或いはYVO4のダイオード励起固体レーザ光を波長変換結晶で2倍波とした波長532nmのパルスレーザ光である。
このレーザ光をレンズ15で集光して透明基板12の下面の積層膜に照射して裏面電極及び光電変換層を除去する。1パルスの照射でφ40〜100μm円形領域の裏面電極及び光電変換層が除去される。パルス繰り返し周波数は20kHzなので、パルスは40〜50μmピッチで照射され、円形領域はつながり、連続したスクライブ溝11が形成される。
他方、スクライブ溝11にはレーザ光によるスクライブより遅れるが、ほぼ同時に、下流側に、波長635nmの半導体レーザの検査レーザ光16が照射される。検査レーザ光16の照射スポットは、位置合わせ用カメラ20で得られる画像を用いて加工用のレーザ光14で加工されたスクライブ溝11上となるように位置を調整されている。検出セル17は、検査レーザ光16のワークに対する正反射光が入射する位置に設置され、正反射光は検出セル17に入りスクライブ溝位置での正反射光強度の時間変化が計測される。
レーザ光を集光する集光レンズ15やレーザ光を透明基板に当てるための打ち下ろしミラー(図示せず)を含む加工レーザ光照射光学系、検査レーザ用集光レンズ18を含み検査レーザ光を所定のスポット形状にしてスクライブ溝上に当てる検査レーザ光照射光学系、及び位置合わせ用カメラは同一ベースに設置されており、その相対位置は透明基板の移動により変化することはない。従って、形成されたスクライブ溝から検査レーザビームスポットがはずれることはなく、一旦検査レーザビームの位置をスクライブ溝の位置に合わせてしまえば、透明基板ごとに検査レーザ光の位置合わせをする必要はない。
図4はスクライブ溝11を透明基板面側からみたもので、スクライブ時のスクライブ溝11と、加工レーザスポット21および検査レーザスポット22の関係を示す。透明基板は矢印13の方向に移動する。加工レーザスポット21は、透明基板上を移動して、スクライブ溝11が形成される。加工レーザスポットの後方の一定距離離れた位置に検査レーザスポット22を置く。検査レーザスポットは、スキャン方向については、図中のビーム幅W1により、そのサイズが定められるが、加工レーザスポットのピッチpと同程度、あるいはそれより小さくなるように調整されている。また、スキャン方向に垂直な方向については、図中のビーム幅W2により、そのサイズが定められるが、加工ビームスポットの同方向の幅より広く調節されている。本実施例ではスクライブ溝幅は60μmなので、例えばW1は40μm、W2は100μmに調整されている。
図5に本装置の正反射光の検査セル内の受光光学系を示す。正反射光35は、加工レーザ光をカットするフィルタ32を介してレンズ33に導入され、レンズ33によりフォトダイオード34に集光される。スクライブ溝11の欠陥は図4の23のように加工レーザビームの痕が途切れた形体となることが多い。検査ビームスポットの正反射光は、溝の欠陥23では光電変換層を含む積層膜に吸収されるため、光電変換層の無い溝上より、その強度は小さくなる。このため、加工レーザスポットの検査レーザ光が欠陥23を通過するときに検出セル17に受光される正反射光は減少する。この反射光の減少を、欠陥が無い場合の反射光の変動範囲より低い閾値を設けて検出する。減少があった時間から欠陥の位置を算出し、記録することにより欠陥のマップを作成する。
このようにしてレーザスクライブ加工を行なった後、記録したマップを基に、欠陥の残存した積層膜を除去して修正する。修正は加工した装置で加工直後に実施しても良いし、別の装置でマップデータを基に修正しても良い。
ここでは検査レーザ光照射光学系及び検出セルが、加工レーザ光照射光学系に対して基板走行方向の下流に1式設置した例で説明したが、通常、基板を往復させてスクライブ溝11を形成するため、加工レーザ光のスポットに対して上流側にも検査レーザ光照射光学系及び検出セルをおいてもよい。この、基板の走行が逆方向の場合は、検査レーザ光照射光学系及び検出セルを検査光学系の一組のセットとして、その上流側と下流側を切りかえる方法によっても本発明の実施は可能である。
実施の形態2.
実施の形態1では正反射光を検出する方法を用いて説明した。これは検査光学系(検査レーザ光照射光学系及び検出セルを一組とする系)や加工光学系(加工レーザ光照射光学系)を一箇所にまとめることができるためである。しかし、透過光検出セル19(図3において点線で表示)を透明基板12の下部に置いて透過光を検出しても良い。スクライブ溝11を透過する光は、図4に示す欠陥23があると遮られて減少するので、正反射光と同様な方法で欠陥を検出できる。透過光を検出する場合はスクライブ溝11がないと裏面電極44に遮られて検査レーザ光は透過しないため、欠陥23の存在による透過光強度の減少は大きく、高いS/Nで欠陥23を検出できる利点がある。この場合において、レーザ光14により発生する切子が膜面側に飛散するため、透過光検出セル19のフィルター32に切子が付着しないように、図5の遮光カバー31に窒素ガスの流入口36を設けて、遮光カバー31内に、乾燥した窒素ガス37を流し、遮光カバー31からは常に窒素ガスが吹き出す状態にしておく必要がある。
実施の形態1では正反射光を検出する方法を用いて説明した。これは検査光学系(検査レーザ光照射光学系及び検出セルを一組とする系)や加工光学系(加工レーザ光照射光学系)を一箇所にまとめることができるためである。しかし、透過光検出セル19(図3において点線で表示)を透明基板12の下部に置いて透過光を検出しても良い。スクライブ溝11を透過する光は、図4に示す欠陥23があると遮られて減少するので、正反射光と同様な方法で欠陥を検出できる。透過光を検出する場合はスクライブ溝11がないと裏面電極44に遮られて検査レーザ光は透過しないため、欠陥23の存在による透過光強度の減少は大きく、高いS/Nで欠陥23を検出できる利点がある。この場合において、レーザ光14により発生する切子が膜面側に飛散するため、透過光検出セル19のフィルター32に切子が付着しないように、図5の遮光カバー31に窒素ガスの流入口36を設けて、遮光カバー31内に、乾燥した窒素ガス37を流し、遮光カバー31からは常に窒素ガスが吹き出す状態にしておく必要がある。
実施の形態3.
実施の形態1では検査レーザ光16は透明基板面側から照射したが、図6に示す様に、検査レーザ光16の照射光学系と検出セルを膜面側において、膜面側から照射して正反射光、透過光を検出しても良い。膜面側から照射して正反射光を検出する場合には、裏面電極4は反射率が高いため、スクライブ溝11の欠陥23では正反射光は増加する。欠陥のない場合のセンサー出力のばらつきの最大値以上に閾値を設けて、これを越える出力が出た場合を欠陥と判断する。この場合も実施の形態2と同様にレーザ光14により発生する切子が膜面側には飛散するため、実施の形態2と同様に透過光検出セル19には窒素ガスを流して切子の付着を防ぐ。また、検査レーザ光16の検査レーザ光照射光学系についても、透過光検出セルと同様に窒素ガス流入口62のあるカバー61を設けて窒素ガスを流し、切子のレンズへの付着を防止する。
実施の形態1では検査レーザ光16は透明基板面側から照射したが、図6に示す様に、検査レーザ光16の照射光学系と検出セルを膜面側において、膜面側から照射して正反射光、透過光を検出しても良い。膜面側から照射して正反射光を検出する場合には、裏面電極4は反射率が高いため、スクライブ溝11の欠陥23では正反射光は増加する。欠陥のない場合のセンサー出力のばらつきの最大値以上に閾値を設けて、これを越える出力が出た場合を欠陥と判断する。この場合も実施の形態2と同様にレーザ光14により発生する切子が膜面側には飛散するため、実施の形態2と同様に透過光検出セル19には窒素ガスを流して切子の付着を防ぐ。また、検査レーザ光16の検査レーザ光照射光学系についても、透過光検出セルと同様に窒素ガス流入口62のあるカバー61を設けて窒素ガスを流し、切子のレンズへの付着を防止する。
11 スクライブ溝、12 透明基板、13 透明基板移動方向、14 レーザ光、15 加工レーザ用集光レンズ、16 検査レーザ光、17 検出セル、18 検査レーザ用集光レンズ、19 透過光検出セル、20 位置合わせ用カメラ、21 加工レーザスポット、22、24 検査レーザスポット、23 欠陥、31 遮光カバー、32 フィルター、33 集光レンズ、34 フォトダイオード、35 正反射光、36 窒素ガス流入口、37 窒素ガス。
Claims (6)
- パルスレーザ光を用いたレーザスクライブにより、透明基板上に形成された積層膜を線状に除去して製造される太陽電池パネルにおいて、前記レーザスクライブを行う加工レーザ光照射光学系と、前記積層膜を検査する検査光学系を有し、前記レーザスクライブによる積層膜の除去加工とほぼ同時に、前記検査光学系により前記除去加工の際に生ずる欠陥を検査することを特徴とする、太陽電池パネルの検査方法。
- 検査光学系に使用される検査レーザ光には、除去加工を行なうレーザ光と異なる波長のレーザ光を用い、前記太陽電池を構成する透明基板上での検査レーザスポットのスキャン方向のサイズは、欠陥の除去を行なう加工レーザスポットのピッチより狭く、前記スキャンに垂直方向のサイズは欠陥の除去を行なう加工レーザスポットのスキャン方向に垂直な方向のサイズより大きいものを用いて検査することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池パネルの検査方法。
- 検査レーザ光を検出する場合、積層膜からの正反射光を検出するか、あるいは、透過光を検出するかのいずれかの方法を使用することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池パネルの検査方法。
- 検査レーザ光を積層膜に照射する場合、太陽電池パネルの透明基板面側から照射するか、あるいは膜面側から照射するかのいずれかの方法を用いることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池パネルの検査方法。
- パルスレーザ光を用いたレーザスクライブにより、透明基板上に形成された積層膜を線状に除去して製造される太陽電池パネルにおける、前記レーザスクライブを行う加工レーザ光照射光学系と、検査レーザ光により前記積層膜を検査する検査光学系を有し、前記レーザスクライブによる除去加工とほぼ同時に、前記除去加工の際に生ずる欠陥を検査する太陽電池パネルの検査装置において、前記加工レーザ光照射光学系と検査光学系とが、同一のベースに設置されていること、または、透明基板に対して反対側に設置されていることを特徴とする太陽電池パネルの検査装置。
- 検査レーザ光は、除去加工を行なうレーザ光と異なる波長のレーザ光であり、透明基板面上でのスポットのスキャン方向のサイズは、欠陥の除去を行なう検査レーザスポットのピッチより狭く、スキャンに垂直方向の検査レーザスポットのサイズは欠陥の除去を行なう加工レーザスポットのスキャン方向に垂直な方向のサイズより大きいことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池パネルの検査装置。
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