JP5274043B2 - 半導体基板の検査装置 - Google Patents
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Description
判定し(ステップS16)、いずれの場合も最後の欠陥となるまで上記ステップS11にリターンして(ステップS18)、上記動作を繰り返す。最後の欠陥まで行って欠陥判定処理は終了となる。
1a、1g A/D変換部
1b 遅延メモリ
1c 比較部
1d 光学的欠陥情報フォーマッタ
1e 光学的欠陥情報メモリ
1f 増幅器
1h 電圧情報フォーマッタ
1j 位置電圧情報メモリ
1k 欠陥判定部
2 エリアセンサ
3 レンズ系
4 ビームスプリッタ
5 照明装置
5a 筐体
5b 開口部
5c 照明光源
5d 集光レンズ
6 照明領域
7、29、33、57、68 太陽電池基板
8、50 検査ステージ
9、11 送り機構
10、12 モータ
13 ステージ駆動装置
14、15 電圧検出端子
30、34、35 セル
51、64 光学的検査機構
52 搬送用ロボット
53、67 水平移動機構
54 回転機構
55 修正ステージ
56 切断装置
60 前方空気浮上ステージ
61 後方空気浮上ステージ
62 修正用切断機構
63、65 移動機構
66 保持機構
Claims (6)
- 半導体基板を検査ステージに載置して駆動装置により走査する走査駆動機構と、前記半導体基板の照明領域に光を照明する照明装置と、前記照明領域の画像データに基づいて光学的欠陥を検出する光学的検出手段と、前記照明領域の位置を検出して位置情報を出力する位置検出手段と、前記半導体基板の光起電力に基づく電圧を検出する電圧検出手段と、前記光学的検出手段によって検出された欠陥位置及び前記電圧検出手段により測定された電圧の変化を組み合わせて欠陥種別を判定する欠陥判定手段とを具備したことを特徴とする半導体基板の検査装置。
- 前記照明装置は照明光源と、前面に開口部を有し、前記照明光源を内部に配設した筐体と、前面に配置された集光レンズとで構成され、ビームスプリッタを経て前記照明領域を照明するようになっている請求項1に記載の半導体基板の検査装置。
- 前記画像データをエリアセンサ又はラインセンサの走査で取得し、前記画像データと所定時間遅延された遅延データとの差に基づいて前記光学的欠陥を検出するようになっている請求項1又は2に記載の半導体基板の検査装置。
- 前記電圧検出手段が、前記半導体基板の端部に設けられた電圧検出端子と、前記電圧検出端子の検出電圧を増幅してデジタル値に変換する手段とで構成されている請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の検査装置。
- 前記半導体基板の走査開始位置での前記電圧検出手段の検出電圧が規定値よりも小さいときに、前記半導体基板の検査を行うようになっている請求項4に記載の半導体基板の検査装置。
- 前記半導体基板が太陽電池基板である請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体基板の検査装置。
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