CN102985213A - 高通量太阳能电池烧蚀系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及使用太阳能电池烧蚀系统(100)形成一种太阳能电池。所述烧蚀系统(100)包括单激光源(102)和多个激光扫描器(104)。所述激光扫描器(104)包括主激光扫描器，而其余的所述激光扫描器(104)从属于所述主激光扫描器。将来自所述激光源(102)的激光束分离成多个激光束，根据一个或多个图案使用所述激光扫描器(104)将所述激光束扫描到对应的晶片上。所述激光束可以使用与所述激光源(102)相同或不同的功率级扫描到所述晶片上。

Description

高通量太阳能电池烧蚀系统
发明人：Gabriel Harley、Thomas Pass、Peter Cousins和John Viatella与联邦政府资助的研究或开发相关的声明
本公开在政府支持下根据美国能源部授予的第DEFC36-07GO17043号合同进行。
发明背景
1.技术领域
本发明整体涉及太阳能电池，更具体地讲但不排他地涉及太阳能电池制造工艺和结构。
2.背景技术
太阳能电池是熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术造而成。太电池括P型和N型扩散区。投射在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子和空穴，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们相连的金属触指均位于太阳能电池的背面上。金属触指允许将外部电路连接到太阳能电池上并由太阳能电池提供电力。
为了保持对其他能源的竞争力，在太阳能电池的制造中设备成本和通量是重要的考虑因素。本发明的实施例涉及太阳能电池烧蚀系统，该系统在系统成本最小化的同时允许高通量。
发明内容
在一个实施例中，使用太阳能电池烧蚀系统形成太阳能电池。所述烧蚀系统包括单激光源和多个激光扫描器。所述激光扫描器包括主激光扫描器，而其余的激光扫描器从属于主激光扫描器。将来自激光源的激光束分离成多个激光束，根据一个或多个图案使用激光扫描器将这些激光束扫描到对应的晶片。激光束可以使用相同或不同功率级的激光源扫描到晶片上。
本领域的普通技术人员在阅读包括附图和权利要求书的本公开全文之后，本发明的这些和其他特征对于他们而言将是显而易见的。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统的平面图。
图2是图1根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统的正视图。
图3-5示出了正在加工的晶片的横截面，所述加工用于制造根据本发明实施例的太阳能电池。
图6A和6B示意性地示出了根据本发明实施例的要刻划在晶片上的图案例子。
图7和8示出了根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统的操作例子。
图9A和9B示意性地示出了根据本发明实施例的要刻划在晶片上的另一个图案例子。
图10-12示出了根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统的另一个操作例子。
在不同的附图中使用相同的参考标记表示相同或类似的元件。附图未按比例绘制。
具体实施方式
在本公开中，提供了许多具体的细节，例如设备、工艺参数、材料、工艺步骤和结构的例子，以提供对本发明实施例的全面理解。然而，本领域的普通技术人员将会认识到，本发明可以在没有所述具体细节中的一者或多者的情况下实施。在其他情况下，未示出或描述熟知的细节，以避免使本发明的方面模糊不清。
本发明涉及高通量和高性价比太阳能电池烧蚀系统。在提交于2010年6月7日的名称为“ABLATION OF FILM STACKS IN SOLAR CELLFABRICATION PROCESSES（太阳能电池制造工艺中的膜叠堆烧蚀）”的共同转让的美国专利申请No.12/795,526中还公开了另一种太阳能电池烧蚀系统。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统100的平面图。在图1的例子中，太阳能电池烧蚀系统100包括转台108、视觉系统107、多个激光扫描器104、单激光源102和控制系统112。转台108作为工件传送件，用于使太阳能电池晶片移动通过烧蚀系统100的不同工位。在一些实施例中，不同的传送机构用于使工件在工位之间传送。作为一个非限制性实例，可使用线性传送机。在图1的例子中，烧蚀系统100具有四个工位，即工位1至4。因此，转台108包括四个位置109，每个位置具有一个或多个卡盘110形式的工件支承件。卡盘110被构造为保持和支承单个太阳能电池晶片。为了避免附图杂乱不堪，图1中只标记了一些卡盘110。卡盘110固定晶片，以防止其在工位间循环时移动。
工位1是加载/卸载工位，其加载等待加工的晶片并且卸载已加工的晶片。自动化工件处理器，例如拾取和放置机械手可用于在工位1中加载和卸载晶片。晶片也可手动在工位1中加载和卸载。
工位2包括工件位置识别系统，用于在晶片固定到卡盘110后确定晶片的位置。在图1的例子中，工件位置识别系统包括视觉系统107。视觉系统107可包括照相机和相关的处理器以及软件，用于确定晶片在位置109的定位。视觉系统107可比较晶片相对于预定的坐标系的位置，以确定晶片与预期位置的偏离（如果有的话）程度。控制系统112可使用该偏离信息调整对应的激光扫描器104的移动以引导激光束到晶片上。
工位3和4是太阳能电池烧蚀系统100的晶片加工工位。在工位3和4中，移除每个晶片上的一种或多种材料，以形成各种太阳能电池结构，包括接触孔。在图1的例子中，单激光源102产生分离成多束的激光束，每束分离的激光束沿着激光束路径对准，通过对应的激光扫描器104扫描到晶片上。激光束可使用分束器或其他光学/反射镜装置分离。激光束通过刻划对应晶片上形成的材料而形成接触孔。激光源102可为商购获得的激光源，例如得自SPI激光(SPI Lasers)和Lumera激光股份有限公司(LumeraLaser GmbH)的那些激光源。在一个实施例中，激光扫描器104包括检流计激光扫描器，例如可从德国ScanLabs商购获得的那些激光扫描器。
控制系统112电耦合到激光源102、激光扫描器104、视觉系统107和转台108的驱动件。控制系统112控制太阳能电池烧蚀系统100的操作。更具体地讲，控制系统控制转台108的旋转，为了在晶片上引导激光束的激光扫描器104扫描移动以及激光源102。在一个实施例中，激光扫描器104被构造为主激光扫描器，而其余的激光扫描器104从属于主激光扫描器。控制系统112控制主激光扫描器的扫描，而其余的激光扫描器精确地或镜像地跟随主激光扫描器的扫描，取决于激光器配置。
在操作例子中，控制系统112驱动转台108将晶片从工位1移动到工位2。在工位2中，视觉系统107确定晶片保持在位置109的定位。视觉系统107为控制系统112提供位置信息，所述控制系统使用位置信息控制对应激光扫描器104的移动。然后，控制系统112驱动转台108将晶片从工位2移动到工位3。在该处，激光源102产生的激光束根据激光器配置101中指明的图案和激光功率级从晶片移除一种或多种材料，所述激光器配置目前加载于控制系统112中并且被其采用。然后，控制系统112驱动转台108将晶片从工位3移动到工位4。在工位3中，激光源102产生的激光束根据目前加载的激光器配置101中指明的图案和激光功率级从晶片移除一种或多种材料。控制系统112驱动转台108将已加工的晶片从工位4移动到工位1，已加工的晶片在该处从烧蚀系统100卸载。可以理解，太阳能电池烧蚀系统100可以被配置为在所加工的晶片上进行不同的加工步骤。即，太阳能电池烧蚀系统100也可用于在晶片上引导激光束，以进行除烧蚀之外的晶片加工步骤。
图2是根据本发明实施例的太阳能电池烧蚀系统100的正视图。图2示出了工位2中的视觉系统107、工位3中的激光扫描器104和工位4中的激光扫描器104。工位3前面的工位1未示出。应注意到加工工位中可以有多个激光扫描器104。转台108包括支承每个位置中的晶片105的卡盘110。
转台方法用于在晶片位置识别（如工位2）或自动化工位（如工位1）中避免冗余，并确保工位位置之间的对准。具有低占空比的工位可用于所有晶片（如加载/卸载、视觉系统、自动化光学检测），而只有具有高占空比的图案写入工位（如工位3和4）才在系统硬件中重复。为了使转台利用最大化，可在每个工位中加工多个晶片。视觉/处理工位的数量与所需的加工工位总数的比率可以基于工位的占空比和系统的物理约束，例如转台尺寸、晶片尺寸等。例如，如果转台限制于四个工位，并且要刻划的图案分成两半（双折），则视觉/处理工位的总数将是加工工位数量的一半。这样，处理系统将会更简单、更廉价，并且视觉系统需要的照相机更少。通常，对于给定的循环时间和激光成本，烧蚀系统可以不同的方式配置，以便在资本成本最小化的同时，使通量最大化。
在图1的例子中，太阳能电池烧蚀系统100具有所谓的“4/2/1”设计，其中第一个数字表示转台操作或移动的数量，第二个数字为加工工位的数量，并且第三个数字表示加载/卸载工位的数量。在图1的太阳能电池烧蚀系统100中，存在四个旋转移动、两个加工工位（工位3和4）和一个加载/卸载工位（工位1）。转台的每个位置可以具有一个或多个卡盘。可以理解，其他设计也可能包括3/2/1、4/3/1、5/4/1等，取决于应用。烧蚀系统的设计受到系统的物理几何形状、转台的尺寸以及可能的旋转数目的限制。
可供选择的实施例可包括非加工工位组合，例如与晶片位置识别工位相同的加载/卸载工位，并通过在一个工位加载并且在另一个工位卸载来接受加工工位占空比的稍微减小。图1的实施例不包括光学检测工位，但一个光学检测工位可以在另一个工位中添加。光学检测也可以脱机整合到另一个工具中。
非象限方法可被认为增加通量，或包括自动化光学检测。例如，旋转72度的转台可具有1个用于视觉系统的工位、1个用于加载/卸载的工位以及3个加工工位，其中每个加工工位形成图案的1/3。又如，旋转72度的转台可具有1个用于视觉系统的工位、1个用于加载/卸载的工位、1个自动化光学检测工位以及2个加工工位，其中每个加工工位形成图案的1/2。
图3-5示出了根据本发明实施例的正在加工的晶片105的横截面，所述晶片用于制造太阳能电池。在图3的例子中，晶片105包括含有N型硅片的太阳能电池基板201。介电膜叠堆210在层202上形成，在该例子中层202包含多晶硅。膜叠堆210包括多个材料层，在图3的例子中，这些层包括膜211、膜212和膜213。如图3所示，膜211可以在膜212上形成，膜212又在膜213上形成。在一个实施例中，膜211包含一层形成厚度为300至1000埃的氮化硅，膜212包含一层形成厚度为30至50埃的非晶硅，膜213包含形成厚度为约120埃的二氧化硅。根据应用，膜212还可以包含多晶硅或称mc-silicon。
在一个实施例中，层202包含形成厚度为约2000埃的多晶硅。P型扩散区203和N型扩散区204在层214中形成。太阳能电池中有若干个扩散区，但为了清楚地说明，在图3中每种导电型只示出了一个。图3-5的太阳能电池为背接触太阳能电池的例子，其中扩散区203和204，包括与它们电耦合的金属触点（参见图5）在太阳能电池背面的基板201背面上形成。晶片105的正面与背面相对，它在正常工作时面向太阳以收集太阳辐射。在图3的例子中，基板201的正面表面通过无规棱锥230纹理化。包含氮化硅的抗反射层231在正面的纹理化表面上形成。
用图1的烧蚀系统100烧蚀氮化硅膜211、非晶硅膜212和氧化物膜213，形成穿过它们并暴露扩散区203和204的孔。图4示出了烧蚀方法，其中烧蚀步骤形成暴露扩散区203和204的接触孔220。这允许在接触孔220中形成金属触点221，如图5所示。金属触点221允许外部电路电连接到扩散区203和204。
接触孔220可以是刻划在晶片105上的图案的一部分。图6A示意性地示出了根据本发明实施例的刻划在晶片105上的图案301例子。可以理解，本公开中的图6A、6B以及其他附图未按比例绘制。图案301周围的边界示意性地表明图案301使用太阳能电池烧蚀系统100刻划在晶片105上。
在图6A的例子中，图案301是围绕虚线304对称的。图案301包括第一半部分302和第二半部分303。图案301也称为“双折”图案，因为第一半部分302是第二半部分303的镜像。图案301代表不一定邻接或连接的一系列接触孔。这在图6B中例证，其中第一半部分302描绘为一系列分开的点，每个点代表接触孔。因此，镜像图案可以是指这样的图案，其中第一和第二半是围绕中心轴（包括水平轴或垂直轴）对称的。
激光器配置101-1可表示图案301的图案，以及用于将所述半部分刻划在晶片105上的激光功率级和脉冲配置。太阳能电池烧蚀系统100可以被配置为使用激光器配置101-1将第一半部分302刻划在一个晶片上，同时使用单激光源102将第二半部分303刻划在另一个晶片上。使用该原理的操作例子现在结合图7和8示出。
在图7中，第一晶片105-1和第二晶片105-2从工位2旋转到工位3。此时工位4中无晶片。单激光源102将激光束射在工位3中的激光扫描器104上，控制系统112引导该扫描器，以将第一半部分302刻划在晶片105-1和105-2上。然后，如图8中所示出，控制系统112旋转转台108，以将晶片105-1和105-2移动到工位4，并且将第三晶片105-3和第四晶片105-4从工位2移动到工位3。单激光源102射出激光束，该激光束分离成单独的束，对准工位3和4二者中的激光扫描器104。工位3和4二者中的激光扫描器104可以从属于单个主激光扫描器104，所述主激光扫描器可以是激光扫描器104中的任何一者。其他激光扫描器104从属于主激光扫描器。工位4中的激光扫描器104可以被配置为以镜像相对于工位3中的激光扫描器104移动激光束。这有利地允许将图案301的两半部分使用单激光源102同时刻划在不同的工位上。图案的第一半在激光源102的一次射出中刻划在一个工位中的晶片上，图案的第二半在激光源102的第二次射出中刻划在另一个工位中的相同晶片上。
仍然参见图8，工位3中的扫描器104引导它们的激光束，以将第一半部分302刻划在晶片105-3和105-4上。同时，从激光源102相同的激光束射出，工位4中的扫描器104引导它们的激光束，以将第二半部分303刻划在晶片105-1和105-2上，从而完成那些晶片上的图案301。循环可以再次重复，使完整图案301在转台108的两次旋转移动中刻划在晶片105上。
从上述内容可以理解到，本发明的实施例提供了迄今未实现的优点。第一，太阳能电池烧蚀系统100允许相对高的通量，即晶片加工的速率，而不大量地增加资本成本。使用单激光源102，烧蚀系统100将图案化分为分开的步骤，在激光源102的相同射出的不同工位中进行。考虑到图案化是系统循环的最慢部分，图案形成分为若干步骤减少了给定加工工位的图案化时间。例如，假设在晶片上形成完整图案需要14秒，通过将图案化分为两个不同工位中的两个步骤，烧蚀系统100能够将该时间减少至约7秒（考虑到一般时间消耗，图案化时间减少40%至50%）。通常，当加工的占空比大于4秒并且需要高精度时，烧蚀系统100是有利的。
第二，烧蚀系统100大量地节省了资本支出。考虑到激光源通常占基于激光的烧蚀系统的成本的大部分，使用单激光源102能实现大量的节省。通常，烧蚀系统100减少了定向/校正照相机、装卸器和激光的冗余。
第三，烧蚀系统100使系统复杂度得以降低。在烧蚀系统100中，控制系统112控制单激光源102和单个主激光扫描器104。其他激光扫描器104从属于主激光扫描器104。这允许一个工位中的从属激光扫描器104只需跟随主激光扫描器104的扫描，另一个工位中的从属激光扫描器104以主激光扫描器104的镜像扫描。镜像扫描可通过对应激光扫描器104中的镜像配置或进行主激光扫描器移动的补充（或其他操作）来实现，而不是完全不同的扫描移动。
在一些应用中，图案可以需要不同的激光功率级，或可以具有非对称设计。例如，在交叉的背接触太阳能电池中（其中P型和N型扩散区的材料是不同的），取决于所刻划的图案,可以需要不同的激光功率级。更具体地讲，形成通向P型扩散区的接触孔的激光功率级,相对于形成通向P型扩散区的接触孔的激光功率级可以必需是不同的。激光功率级的差异是由于不同的材料而造成，而接触孔穿过这些材料形成。在该情况下，不同的激光器配置可用于每个功率级或刻划在晶片上的图案。使用图1的太阳能电池烧蚀系统100作为例子，在第一步骤中，一种图案可以根据一种激光器配置（如配置101-1）刻划在晶片上，在第二步骤中，另一种图案可以根据另一种激光器配置（如101-2）刻划在晶片上等等。每个激光器配置可指定要刻划的图案以及刻划该图案的激光源的功率级。
图9A示意性地示出了根据本发明实施例的刻划在晶片105上的图案301例子。图9A未按比例绘制。图案311周围的边界示意性地表明图案311使用太阳能电池烧蚀系统100刻划在晶片105上。
在图9A的例子中，图案311包括第一图案312和第二图案313。图案311是交叉图案，因为图案312与图案313交叉。图案312可包括用于P型扩散区的接触孔，并且图案313可包括用于N型扩散区的接触孔。部分312和313可以刻划穿过不同的材料。因此，在该例子中，图案312可以使用激光器配置101-1刻划在晶片上，图案313可以使用激光器配置101-2刻划在晶片上。图案311代表不一定邻接或连接的一系列接触孔。这在图9B中例证，其中图案312描绘为一系列分开的点，每个点代表一个接触孔。
通常，第一激光器配置可指定第一图案和第一功率级，第二激光器配置可指定第二图案和第二功率级，第三激光器配置可指定第三图案和第三功率级等等。如特定例子所述，第一图案可为以激光源102的第一功率级刻划在晶片上的图案312，第二图案可为以激光源102的第二功率级刻划在晶片上的图案313。
在转台的第一次旋转中，第一图案可以使用所有加工工位上的第一功率级同时刻划在晶片上，在转台的第二次旋转中，第二图案可以使用所有加工工位上不同于第一功率级的第二功率级同时刻划在晶片上等等。通过交替使用图案和对应的功率级，通过转台的两次旋转移动刻划完整图案。
现在结合图10-12解释使用烧蚀系统100将图案311写入晶片的操作例子。在图10中，根据激光器配置101-1使用激光源102的第一功率级将图案312同时刻划在晶片105-5和105-6上。此时工位4中无晶片。
在图11中，旋转转台108将晶片105-7和105-8移动到工位3，将晶片105-5和105-6从工位3移动到工位4。根据激光器配置101-2使用激光源102的第二功率级将图案313同时刻划在晶片105-5、105-6、105-7和105-8上。应注意到，包括图案312和313的完整图案311现在刻划在晶片105-5和105-6上（参见工位4）。
在图12中，旋转转台以将晶片105-9和105-10移动到工位3，将晶片105-7和105-8从工位3移动到工位4。在相同的旋转移动中，已加工的晶片105-5和105-6从工位4移动到工位1（未示出），其中晶片105-5和105-6被卸载。根据激光器配置101-1使用激光源102的第一功率级将图案312同时刻划在晶片105-7、105-8、105-9和105-10上。注意到，包括图案312和313的完整图案311现在刻划在晶片105-7和105-8上（参见工位4）。通过将图案313和312交替刻划于转台108上存在的晶片上来重复该循环。
在图10-12的例子中，可指定一个激光扫描器104为主激光扫描器104。所有其他激光扫描器104从属于主激光扫描器。即，在任何指定的工位中，只有一个激光扫描器104需要受直接控制。其他激光扫描器104可只需跟随主激光扫描器104。因为在该例子中，图案化步骤彼此独立，刻划在晶片上的图案不必是对称的。如前所述，单激光源102可用于刻划完整图案。这可实现与之前所述相同的有益效果，仅受到在激光器构造之间转换的消耗的限制。
从上述内容可以理解到，本发明的实施例不限于涉及从晶片移除材料的应用。例如，本发明的实施例可同样地用于其中激光束在晶片上扫描的应用，该扫描用于退火、扩散和其他晶片加工步骤。
公开了高通量太阳能电池烧蚀系统。虽然已提供了本发明的具体实施例，但是应当理解，这些实施例是用于举例说明的目的，而不用于限制。通过阅读本公开，许多另外的实施例对于本领域的普通技术人员而言将是显而易见的。

Claims (18)

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
从单激光源产生激光束；
将所述激光束沿着第一激光束路径和第二激光束路径分离；
在第一扫描步骤中，沿着所述第一激光束路径引导所述激光束，以根据第一图案扫描第一工位中的第一晶片；
将所述第一晶片从所述第一工位移动到第二工位，并且将第二晶片移动到所述第一工位；
在所述第一扫描步骤之后以及移动所述第一晶片和所述第二晶片之后的第二扫描步骤中，沿着所述第二激光束路径引导所述激光束，以根据第二图案扫描所述第二工位中的所述第一晶片，所述第二图案是所述第一图案的镜像，并且沿着所述第一激光束路径引导所述激光束，以根据所述第一图案扫描所述第二晶片，对所述第一晶片和所述第二晶片的扫描实质上同时进行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一图案和所述第二图案形成暴露太阳能电池的扩散区的接触孔，所述太阳能电池在所述晶片上制造，并且还包括在所述接触孔中形成金属触点，所述金属触点与所述扩散区电连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二扫描步骤期间，将激光束引导至所述第一晶片上是使用从属于主激光扫描器的多个激光扫描器中的第一个进行的，其中所述主激光扫描器用于将所述激光束引导至所述第二晶片。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个激光扫描器和所述主激光扫描器包括检流计激光扫描器。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述第一晶片从所述第二工位移出，将所述第二晶片从所述第一工位移动到所述第二工位，并且将第三晶片移动到所述第一工位；
在所述第二扫描步骤之后以及移动所述第一晶片、所述第二晶片和所述第三晶片之后的第三扫描步骤中，沿着所述第二激光束路径引导所述激光束，以根据所述第二图案扫描所述第二工位中的所述第二晶片，并且沿着所述第一激光束路径引导所述激光束，以根据所述第一图案扫描所述第三晶片，对所述第二晶片和所述第三晶片的扫描实质上同时进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中移动所述第一晶片包括旋转支承所述第一晶片的转台。
7.一种晶片加工系统，所述系统包括：
多个工位；
具有位置的转台，所述位置用于所述多个工位中的每一个，所述位置被构造为支承多个晶片；
单激光源；
适于将来自所述单激光源的主激光束分离成第一激光束和第二激光束的分束器；
适于引导所述第一激光束的主激光扫描器，由此根据第一图案扫描所述多个晶片中的第一个；
适于通过所述主激光扫描器控制并且引导所述第二激光束的从属激光扫描器，由此根据第二图案扫描所述多个晶片中的第二个，所述第二图案是所述第一图案的镜像，该扫描与通过所述主激光扫描器的所述第一激光束对所述多个晶片中的所述第一个的扫描实质上同时进行。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述从属激光扫描器包括检流计激光扫描器。
9.根据权利要求7所述的系统，其中以所述单激光源相同的功率级将所述第一图案扫描到所述多个晶片中的所述第一个和将所述第二图案扫描到所述多个晶片中的所述第二个。
10.根据权利要求7所述的系统，还包括所述多个工位中的一个工位上的视觉系统，所述视觉系统被配置为识别所述转台上的所述多个晶片的位置。
11.根据权利要求7所述的系统，还包括所述多个工位中的所述多个晶片加载到所述转台上的一个工位。
12.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一图案和所述第二图案以所述单激光源的相同功率级刻划。
13.一种加工晶片的方法，所述方法包括：
将第一晶片从第一工位旋转到第二工位；
在第一扫描步骤中，使用第一激光扫描器沿着第一激光束路径引导从单激光源分离的第一激光束，以在所述第二工位中的所述第一晶片上扫描第一图案；
将所述第一晶片从所述第二工位旋转到第三工位；
将第二晶片从所述第一工位旋转到所述第二工位；以及
在第二扫描步骤中：
使用所述第一激光扫描器沿着所述第一激光束路径引导从所述单激光源分离的第二激光束，以在所述第二工位中的所述第二晶片上扫描第二图案；以及
使用第二激光扫描器沿着第二激光束路径引导从所述单激光源分离的第三激光束，以在所述第三工位中的所述第一晶片上扫描所述第二图案，所述第二激光扫描器从属于所述第一激光扫描器，并且扫描所述第二图案与在所述第二晶片上扫描所述第二图案实质上同时进行。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一图案以第一功率级扫描，并且所述第二图案以第二功率级扫描。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一功率级和所述第二功率级是不同的。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一图案不同于所述第二图案。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一图案和所述第二图案是不对称的。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：
将所述第一晶片从所述第三工位旋转出来；
将所述第二晶片从所述第二工位旋转到所述第三工位；以及在第三扫描步骤中：
使用所述第一激光扫描器沿着所述第一激光束路径引导从所述单激光源分离的第四激光束，以在所述第二工位中的所述第三晶片上扫描所述第一图案；以及
使用所述第二激光扫描器沿着所述第二激光束路径引导从所述单激光源分离的第五激光束，以在所述第三工位中的所述第二晶片上扫描所述第一图案，该扫描与在所述第三晶片上扫描所述第一图案实质上同时进行。
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