JP2016165758A - ウェハの製造方法及びウェハ処理システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、米国エネルギー省より付託された契約番号DEFC36−07GO17043の下、連邦政府の支援を受けてなされた発明であり、政府は本発明について一定の権利を有する。
[項目1]太陽電池の製造方法であって、単一のレーザ源からレーザビームを生成する工程と、前記レーザビームを第1のレーザビーム経路と第2のレーザビーム経路とに沿って分割する工程と、第1の走査工程において、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1のステーションにある第1のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のウェハを前記第1のステーションから第2のステーションへ移動させ、その後、第2のウェハを前記第1のステーションへと移動させる工程と、前記第1の走査工程の後であって、前記第1のウェハ及び前記第2のウェハを移動させた後の第2の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第2のウェハ上を走査させる工程と、を備え、前記第1のウェハ上の走査及び前記第2のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、太陽電池の製造方法。
[項目2]前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、太陽電池が形成されるウェハの表面の拡散領域を露出させるコンタクトホールを形成し、前記製造方法は、前記拡散領域と電気的に接続する金属コンタクトを前記コンタクトホール内に形成する工程を更に備える、項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目3]前記第2の走査工程において、マスタレーザスキャナに追従する第1の複数のレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第1のウェハ上に導き、前記マスタレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第2のウェハ上に導く、項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目4]前記第1の複数のレーザスキャナ及び前記マスタレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、項目3に記載の太陽電池の製造方法。
[項目5]前記第1のウェハを前記2のステーションから移動させ、前記第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへ移動させ、第3のウェハを前記第1のステーションへ移動させる工程と、前記第2の走査工程の後であって、前記第1のウェハ、前記第2のウェハ、及び前記第3のウェハを移動させた後の第3の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第3のウェハ上を走査させる工程と、を更に備え、前記第2のウェハ上の走査及び前記第3のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目6]前記第1のウェハを移動させる工程が、前記第1のウェハを支持するターンテーブルを回転させる工程を含む、項目1に記載の太陽電池の製造方法。
[項目7]複数のステーションと、複数のウェハを支持する位置を、前記複数のステーションのそれぞれに対して有するターンテーブルと、単一のレーザ源と、前記単一のレーザ源からの主レーザビームを第1のレーザビームと第2のレーザビームとに分割するビームスプリッタと、前記第1のレーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1の複数のウェハ上を走査させるマスタレーザスキャナと、前記マスタレーザスキャナに制御され、前記第2のレーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、第2の複数のウェハ上を走査させるスレーブレーザスキャナと、を備え、前記マスタレーザスキャナによる前記第1の複数のウェハ上の走査と、前記スレーブレーザスキャナによる前記第2の複数のウェハ上の走査とが実質的に同時であるウェハ処理システム。
[項目8]前記スレーブレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、項目7に記載のウェハ処理システム。
[項目9]前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームが、前記第1のパターンに従い、前記第1の複数のウェハ上を走査し、前記第2のパターンに従い、前記第2の複数のウェハ上を走査する、項目7に記載のウェハ処理システム。
[項目10]前記ターンテーブル上の前記複数のウェハの位置を認識する視覚システムを、前記複数のステーションのうちのステーションに更に備える、項目7に記載のウェハ処理システム。
[項目11]前記複数のステーションのうちの一つとして、前記ターンテーブル上に前記複数のウェハが載置されるステーションを更に備える、項目7に記載のウェハ処理システム。
[項目12]前記第1のパターン及び前記第2のパターンが、前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームでスクライブされる、項目7に記載のウェハ処理システム。
[項目13]ウェハを処理する方法であって、第1のウェハを第1のステーションから第2のステーションへと回転させる工程と、第1の走査工程において、第1のレーザスキャナを用いて、単一のレーザ源から第1のレーザビーム経路に沿って分割された第1のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を第1のパターンで走査させる工程と、前記第1のウェハを前記第2のステーションから第3のステーションへと回転させる工程と、第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへと回転させる工程と、第2の走査工程において、前記第1のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第2のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を第2のパターンで走査させ、第2のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から第2のレーザビーム経路に沿って分割された第3のレーザビームを導き、前記第3のステーションにある前記第1のウェハ上を前記第2のパターンで走査させる工程であって、前記第2のレーザスキャナが、前記第1のレーザスキャナに追従し、前記第2のパターンで前記第2のウェハ上を走査させるのと実質的に同時に、前記第2のパターンで前記第1のウェハ上を走査させる工程とを備える方法。
[項目14]前記第1のパターンが、第1の出力レベルで走査され、前記第2のパターンが、第2の出力レベルで走査される、項目13に記載の方法。
[項目15]前記第1の出力レベルと前記第2の出力レベルとが異なる、項目14に記載の方法。
[項目16]前記第1のパターンが、前記第2のパターンと異なる、項目13に記載の方法。
[項目17]前記第1のパターンと前記第2のパターンとが対称ではない、項目16に記載の方法。
[項目18]前記第1のウェハを前記第3のステーションから回転させる工程と、前記第2のウェハを前記第2のステーションから前記第3のステーションへと回転させる工程と、第3の走査工程において、前記第1のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第4のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある第3のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程と、前記第2のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第2のレーザビーム経路に沿って分割された第5のレーザビームを導き、前記第1のパターンで前記第3のウェハ上を走査させると実質的に同時に、前記第3のステーションにある前記第2のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程とを更に備える項目13に記載の方法。
Claims (18)
- 太陽電池の製造方法であって、
単一のレーザ源からレーザビームを生成する工程と、
前記レーザビームを第1のレーザビーム経路と第2のレーザビーム経路とに沿って分割する工程と、
第1の走査工程において、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1のステーションにある第1のウェハ上を走査させる工程と、
前記第1のウェハを前記第1のステーションから第2のステーションへ移動させ、その後、第2のウェハを前記第1のステーションへと移動させる工程と、
前記第1の走査工程の後であって、前記第1のウェハ及び前記第2のウェハを移動させた後の第2の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を走査させる工程と、
前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第2のウェハ上を走査させる工程と、
を備え、
前記第1のウェハ上の走査及び前記第2のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、太陽電池の製造方法。 - 前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、太陽電池が形成されるウェハの表面の拡散領域を露出させるコンタクトホールを形成し、前記製造方法は、前記拡散領域と電気的に接続する金属コンタクトを前記コンタクトホール内に形成する工程を更に備える、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2の走査工程において、マスタレーザスキャナに追従する第1の複数のレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第1のウェハ上に導き、前記マスタレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第2のウェハ上に導く、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1の複数のレーザスキャナ及び前記マスタレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のウェハを前記2のステーションから移動させ、前記第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへ移動させ、第3のウェハを前記第1のステーションへ移動させる工程と、
前記第2の走査工程の後であって、前記第1のウェハ、前記第2のウェハ、及び前記第3のウェハを移動させた後の第3の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を走査させる工程と、
前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第3のウェハ上を走査させる工程と、
を更に備え、
前記第2のウェハ上の走査及び前記第3のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第1のウェハを移動させる工程が、前記第1のウェハを支持するターンテーブルを回転させる工程を含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 複数のステーションと、
複数のウェハを支持する位置を、前記複数のステーションのそれぞれに対して有するターンテーブルと、
単一のレーザ源と、
前記単一のレーザ源からの主レーザビームを第1のレーザビームと第2のレーザビームとに分割するビームスプリッタと、
前記第1のレーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1の複数のウェハ上を走査させるマスタレーザスキャナと、
前記マスタレーザスキャナに制御され、前記第2のレーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、第2の複数のウェハ上を走査させるスレーブレーザスキャナと、
を備え、
前記マスタレーザスキャナによる前記第1の複数のウェハ上の走査と、前記スレーブレーザスキャナによる前記第2の複数のウェハ上の走査とが実質的に同時であるウェハ処理システム。 - 前記スレーブレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、請求項7に記載のウェハ処理システム。
- 前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームが、前記第1のパターンに従い、前記第1の複数のウェハ上を走査し、前記第2のパターンに従い、前記第2の複数のウェハ上を走査する、請求項7に記載のウェハ処理システム。
- 前記ターンテーブル上の前記複数のウェハの位置を認識する視覚システムを、前記複数のステーションのうちのステーションに更に備える、請求項7に記載のウェハ処理システム。
- 前記複数のステーションのうちの一つとして、前記ターンテーブル上に前記複数のウェハが載置されるステーションを更に備える、請求項7に記載のウェハ処理システム。
- 前記第1のパターン及び前記第2のパターンが、前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームでスクライブされる、請求項7に記載のウェハ処理システム。
- ウェハを処理する方法であって、
第1のウェハを第1のステーションから第2のステーションへと回転させる工程と、
第1の走査工程において、第1のレーザスキャナを用いて、単一のレーザ源から第1のレーザビーム経路に沿って分割された第1のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を第1のパターンで走査させる工程と、
前記第1のウェハを前記第2のステーションから第3のステーションへと回転させる工程と、
第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへと回転させる工程と、
第2の走査工程において、
前記第1のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第2のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を第2のパターンで走査させ、
第2のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から第2のレーザビーム経路に沿って分割された第3のレーザビームを導き、前記第3のステーションにある前記第1のウェハ上を前記第2のパターンで走査させる工程であって、前記第2のレーザスキャナが、前記第1のレーザスキャナに追従し、前記第2のパターンで前記第2のウェハ上を走査させるのと実質的に同時に、前記第2のパターンで前記第1のウェハ上を走査させる工程と
を備える方法。 - 前記第1のパターンが、第1の出力レベルで走査され、前記第2のパターンが、第2の出力レベルで走査される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の出力レベルと前記第2の出力レベルとが異なる、請求項14に記載の方法。
- 前記第1のパターンが、前記第2のパターンと異なる、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のパターンと前記第2のパターンとが対称ではない、請求項16に記載の方法。
- 前記第1のウェハを前記第3のステーションから回転させる工程と、
前記第2のウェハを前記第2のステーションから前記第3のステーションへと回転させる工程と、
第3の走査工程において、
前記第1のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第4のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある第3のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程と、
前記第2のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第2のレーザビーム経路に沿って分割された第5のレーザビームを導き、前記第1のパターンで前記第3のウェハ上を走査させると実質的に同時に、前記第3のステーションにある前記第2のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程とを更に備える請求項13に記載の方法。
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KR101466669B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2014-12-01 | 주식회사 엘티에스 | 강화유리 셀의 관통홀 가공장치 |
CN105745765A (zh) * | 2013-10-30 | 2016-07-06 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
CN106825934A (zh) * | 2014-06-10 | 2017-06-13 | 赵牧青 | 一种经济型激光标印系统 |
US20160158890A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Solarcity Corporation | Systems and methods for scribing photovoltaic structures |
US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
US9786562B2 (en) * | 2015-04-21 | 2017-10-10 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Method and device for cutting wafers |
JP6552948B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法、及び加工装置 |
US20170236972A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
KR20190133502A (ko) * | 2018-05-23 | 2019-12-03 | 한화정밀기계 주식회사 | 웨이퍼 가공 장치 |
DE102018119313B4 (de) * | 2018-08-08 | 2023-03-30 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Metall-Keramik-Substrats und Anlage zum Durchführen des Verfahrens |
DE112019005439T5 (de) * | 2018-10-30 | 2021-07-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laserbearbeitungskopf und Laserbearbeitungsvorrichtung |
TWI834747B (zh) * | 2018-10-30 | 2024-03-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 雷射加工裝置 |
US11964343B2 (en) * | 2020-03-09 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Laser dicing system for filamenting and singulating optical devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09108875A (ja) * | 1995-10-10 | 1997-04-28 | Esab Group Inc:The | 金属切断装置 |
JP2005074479A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
JP2009006509A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 三次元形状造形物の製造方法及び製造装置 |
WO2010037346A1 (en) * | 2008-10-05 | 2010-04-08 | Changzhou Lasfocus Laser Equipment Co., Ltd. | Methods and systems of manufacturing photovoltaic devices |
US20100147811A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Sobey Mark S | Apparatus for laser scribing of dielectric-coated semiconductor wafers |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4322571A (en) | 1980-07-17 | 1982-03-30 | The Boeing Company | Solar cells and methods for manufacture thereof |
US4443685A (en) * | 1982-02-17 | 1984-04-17 | Westinghouse Electric Corp. | Fixture for laser scribing (of dendrite silicon cells) |
US4626613A (en) | 1983-12-23 | 1986-12-02 | Unisearch Limited | Laser grooved solar cell |
US4796038A (en) * | 1985-07-24 | 1989-01-03 | Ateq Corporation | Laser pattern generation apparatus |
US5011565A (en) | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
JP2798769B2 (ja) | 1990-02-22 | 1998-09-17 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US5258077A (en) | 1991-09-13 | 1993-11-02 | Solec International, Inc. | High efficiency silicon solar cells and method of fabrication |
US5432015A (en) | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
US5738731A (en) | 1993-11-19 | 1998-04-14 | Mega Chips Corporation | Photovoltaic device |
US5456763A (en) | 1994-03-29 | 1995-10-10 | The Regents Of The University Of California | Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon |
KR0165423B1 (ko) | 1995-07-24 | 1998-12-15 | 김광호 | 반도체 장치의 접속구조 및 그 제조방법 |
US5916461A (en) * | 1997-02-19 | 1999-06-29 | Technolines, Llc | System and method for processing surfaces by a laser |
DE19741832A1 (de) | 1997-09-23 | 1999-03-25 | Inst Solarenergieforschung | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
US6185030B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-02-06 | James W. Overbeck | Wide field of view and high speed scanning microscopy |
US6924493B1 (en) * | 1999-08-17 | 2005-08-02 | The Regents Of The University Of California | Ion beam lithography system |
US7838794B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-11-23 | Gsi Group Corporation | Laser-based method and system for removing one or more target link structures |
DE10046170A1 (de) | 2000-09-19 | 2002-04-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht |
US7420147B2 (en) * | 2001-09-12 | 2008-09-02 | Reveo, Inc. | Microchannel plate and method of manufacturing microchannel plate |
US20070128827A1 (en) * | 2001-09-12 | 2007-06-07 | Faris Sadeg M | Method and system for increasing yield of vertically integrated devices |
US6697096B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-02-24 | Applied Materials, Inc. | Laser beam pattern generator having rotating scanner compensator and method |
JP2004003989A (ja) * | 2002-03-15 | 2004-01-08 | Affymetrix Inc | 生物学的物質の走査のためのシステム、方法、および製品 |
JP4363029B2 (ja) | 2002-11-06 | 2009-11-11 | ソニー株式会社 | 分割波長板フィルターの製造方法 |
US20060060238A1 (en) | 2004-02-05 | 2006-03-23 | Advent Solar, Inc. | Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells |
US20060000814A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
US7164465B2 (en) * | 2004-07-13 | 2007-01-16 | Anvik Corporation | Versatile maskless lithography system with multiple resolutions |
DE102004050269A1 (de) | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle |
US8420435B2 (en) | 2009-05-05 | 2013-04-16 | Solexel, Inc. | Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells |
US8399331B2 (en) | 2007-10-06 | 2013-03-19 | Solexel | Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication |
US8129822B2 (en) | 2006-10-09 | 2012-03-06 | Solexel, Inc. | Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
US9508886B2 (en) * | 2007-10-06 | 2016-11-29 | Solexel, Inc. | Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam |
US7554031B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
US20070169806A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization |
US20070137692A1 (en) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Bp Corporation North America Inc. | Back-Contact Photovoltaic Cells |
US7834293B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-11-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for laser processing |
DE102006028718B4 (de) | 2006-06-20 | 2008-11-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterwafern zu Halbleiterchips |
US7759607B2 (en) | 2006-06-20 | 2010-07-20 | Optical Analytics, Inc. | Method of direct Coulomb explosion in laser ablation of semiconductor structures |
TWI328877B (en) | 2006-07-20 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Array substrate |
WO2008038385A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Appareil d'usinage laser |
US8035027B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-10-11 | Solexel, Inc. | Solar module structures and assembly methods for pyramidal three-dimensional thin-film solar cells |
US20080116183A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light Scanning Mechanism For Scan Displacement Invariant Laser Ablation Apparatus |
US20080116182A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Multiple Station Scan Displacement Invariant Laser Ablation Apparatus |
US7732104B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-06-08 | International Business Machines Corporation | System and method for eliminating the structure and edge roughness produced during laser ablation of a material |
CN101675531B (zh) * | 2007-02-16 | 2013-03-06 | 纳克公司 | 太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺 |
TWI328861B (en) | 2007-03-13 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Fabrication methods of thin film transistor substrate |
JP2008227379A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Keyence Corp | レーザ加工装置及び固体レーザ共振器 |
US8536483B2 (en) * | 2007-03-22 | 2013-09-17 | General Lasertronics Corporation | Methods for stripping and modifying surfaces with laser-induced ablation |
JP2008283023A (ja) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
US7838062B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
JP5230153B2 (ja) | 2007-09-18 | 2013-07-10 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
US8198528B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-12 | Sunpower Corporation | Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells |
US20090188553A1 (en) | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Emat Technology, Llc | Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures |
US7989729B1 (en) * | 2008-03-11 | 2011-08-02 | Kla-Tencor Corporation | Detecting and repairing defects of photovoltaic devices |
US7833808B2 (en) | 2008-03-24 | 2010-11-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells |
JP5247198B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-07-24 | ミヤチテクノス株式会社 | スキャニング式レーザ加工装置 |
US7851698B2 (en) | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
EP2294240B1 (en) * | 2008-06-19 | 2017-03-08 | Utilight Ltd. | Light induced patterning |
CN103537811A (zh) * | 2008-08-26 | 2014-01-29 | 应用材料公司 | 激光材料移除方法和设备 |
US7855089B2 (en) | 2008-09-10 | 2010-12-21 | Stion Corporation | Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials |
WO2010059595A2 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Laser-scribing tool architecture |
JP5318545B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2013-10-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工方法 |
JP5381052B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2014-01-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法 |
JP5643293B2 (ja) | 2009-04-21 | 2014-12-17 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の構造部を形成するための方法 |
JP5643294B2 (ja) | 2009-04-22 | 2014-12-17 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の機能膜の局所的レーザ転化による局所的金属接触子 |
WO2011041267A2 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | Applied Materials, Inc. | Laser system for processing solar wafers in a carrier |
US20110216401A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Scanning System With Orbiting Objective |
US8211731B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-07-03 | Sunpower Corporation | Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes |
US8263899B2 (en) * | 2010-07-01 | 2012-09-11 | Sunpower Corporation | High throughput solar cell ablation system |
KR20140015247A (ko) * | 2010-08-05 | 2014-02-06 | 솔렉셀, 인크. | 태양전지용 백플레인 보강 및 상호연결부 |
-
2010
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH09108875A (ja) * | 1995-10-10 | 1997-04-28 | Esab Group Inc:The | 金属切断装置 |
JP2005074479A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
JP2009006509A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 三次元形状造形物の製造方法及び製造装置 |
WO2010037346A1 (en) * | 2008-10-05 | 2010-04-08 | Changzhou Lasfocus Laser Equipment Co., Ltd. | Methods and systems of manufacturing photovoltaic devices |
US20100147811A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Sobey Mark S | Apparatus for laser scribing of dielectric-coated semiconductor wafers |
Also Published As
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