CN112382582A - 一种晶圆测试分类方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例公开一种晶圆测试分类方法及系统，属于芯片技术领域，本发明的方法在封装步骤之前，包括：获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。本发明能够根据晶圆测试参数进行线下分析芯片性能和分类，以达提升最终器件性能水平、满足不同性能功耗的产品规格的需求和提升实际产品生产率的目的。

Description

一种晶圆测试分类方法及系统
技术领域
本发明属于芯片技术领域，尤其涉及一种晶圆测试分类方法及系统。
背景技术
在晶圆制造完成之后，需要进行晶圆测试，即在晶圆送到封装工厂之前，需要通过晶圆测试鉴别出其中合格的芯片，晶圆测试是主要的芯片良品率统计方法之一。目前业内通行的技术方案是：晶圆测试分类及数据处理主要由测试程序在芯片测试过程中完成，随后的封装直接按照晶圆测试分类结果切割封装。
可见，现有技术中芯片的分类和封装直接取决于晶圆测试程式的内容和测试结果。但是，现有技术方案的测试流程复杂且成本很高，对于产品性能要求高、封装工艺复杂的复杂芯片产品来说，现有的晶圆测试分类方法已不能满足这些需求。以高性能处理器产品为例，高性能处理器不仅有复杂的产品工艺和多重晶圆测试条件，同时需求不同种类的多芯片封装既要满足高性能要求又要满足细分的产品规格，现有技术方案无法直接满足这些要求。另外，对于多芯片封装的高性能处理器芯片来说，由于水桶效应，其中性能最低的芯片将决定整个器件最终性能指标，如果将合格但是性能不同的芯片随机封装在一起，最终生产出的高性能器件的晶圆级ATE测试(Chip Probing，CP)和封装器件的最终ATE测试(Final Test，FT)良率不可控且不能满足市场需求也不能满足量产要求，同时测试过程中的线上数据处理增加了CP测试成本。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种晶圆测试分类方法及系统，用于解决现有技术不能有效处理性能要求高、生产测试工艺要求复杂的芯片产品的分类，可能造成生产测试成本居高不下、高性能产品规格量产FT良率不可控的问题。本发明能够根据晶圆测试参数进行线下分析芯片性能和分类，以达提升最终器件性能水平、满足不同性能功耗的产品规格的需求和提升实际产品生产率的目的。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供一种晶圆测试分类方法，该方法在封装步骤之前，包括：
获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；
根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，所述预设芯片分类模型包括至少两个；
在所述根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类之前，还包括：
接收对预设芯片分类模型的选择；
所述通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类，包括：
通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，在所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据之前，还包括：
获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，在所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据之前，还包括：
获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程；
根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
结合第一方面，在第一方面的第四种实施方式中，所述根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应产品规格信息的封装用图，包括：
根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；
对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
结合第一方面的第四种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，所述根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格，包括：
若所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件，则筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；
若所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件，则筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
结合第一方面的第一种实施方式至第五种实施方式中的任一种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据，还包括：
获取对目标晶圆的工艺检查结果；
在所述通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类之后，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应产品规格信息的封装用图之前，还包括：
根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果；所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷；
记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
结合第一方面的第六种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和获取对目标晶圆的工艺检查结果，包括：
检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为；
当检测到所述目标晶圆过站时，将所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据打包为指定格式的触发文件；
所述根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类，包括：
解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果；
根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
结合第一方面的第六种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，在所述生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图之后，还包括步骤：
根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
结合第一方面的第八种实施方式，在第一方面的第九种实施方式中，在所述在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息之后，还包括步骤：
根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果不一致，则将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格；
若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，或者将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
第二方面，本发明提供一种晶圆测试分类系统，包括：
获取模块，用于获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
分类模块，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；
封装用图生成模块，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
结合第二方面，在第二方面的第一种实施方式中，所述预设芯片分类模型包括至少两个；
所述晶圆测试分类系统，还包括：
选择模块，用于接收对预设芯片分类模型的选择；
所述分类模块，具体用于通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
结合第二方面的第一种实施方式，在第二方面的第二种实施方式中，所述晶圆测试分类系统，还包括：第一分类模型建立模块；
所述第一分类模型建立模块，包括：
第一获取子模块，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
第一关建立子模块，用于根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第一分类模型建立子模块，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
结合第二方面的第一种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，所述晶圆测试分类系统，还包括：第二分类模型建立模块；
所述第二分类模型建立模块，包括：
第二获取子模块，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
拟合子模块，用于根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程；
计算子模块，用于根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
第二关系建立子模块，根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第二分类模型建立子模块，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
结合第二方面，在第二方面的第四种实施方式中，所述封装用图生成模块，包括：
判断子模块，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；
产品规格确定子模块，用于对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
结合第二方面的第四种实施方式，在第二方面的第五种实施方式中，所述产品规格确定子模块，具体用于在所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；或者用于在所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
结合第二方面的第一种实施方式至第五种实施方式中的任一种实施方式，在第二方面的第六种实施方式中，所述获取模块，还用于获取对目标晶圆的工艺检查结果；
所述晶圆测试分类系统，还包括：
数据整合模块，用于根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果；所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷；
第一记录模块，用于记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
结合第二方面的第六种实施方式，在第二方面的第七种实施方式中，所述获取模块，包括：
检测子模块，用于检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为；
触发子模块，用于当所述检测子模块检测到所述目标晶圆过站时，将所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据打包为指定格式的触发文件；
所述分类模块，包括：
解析子模块，用于解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和获取对目标晶圆的工艺检查结果；
分类子模块，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
结合第二方面的第六种实施方式，在第二方面的第八种实施方式中，所述晶圆测试分类系统还包括：
二次处理模块，用于根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
第一修改模块，用于将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
第二记录模块，用于在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
结合第二方面的第八种实施方式，在第二方面的第九种实施方式中，所述晶圆测试分类系统还包括：
烧录结果检查模块，用于根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
第二修改模块，用于将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格；
报表生成模块，用于在所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，或者在所述第二修改模块将封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
本发明实施例提供的一种晶圆测试方法及系统，在芯片仅有晶圆级测试数据的情况下，通过建立基于性能功耗的芯片分类模型，实现在产品晶圆测试后封装之前对于芯片性能和功耗的分类，不仅开创性将部分晶圆测试数据处理分类的过程由线上晶圆CP过程中实现变更为线下灵活处理分类模式，减少了现有技术中CP/FT的ATE测试程序(TestProgram，TP)因复杂产品规格需求而频繁变更带来的高成本损失，节约了CP、TP变更时间，能够节约测试成本；同时，在封装前对芯片性能功耗等关键指标进行预处理和分类，使得高性能产品规格在生产中的良率得到保证，高性能器件产品比例可控，极大的提升了产品的性能利用率，为多芯片封装工艺复杂产品的量产化提供了可行性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例一的流程示意图；
图2为封装用图示意图；
图3为预先建立ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型的方法流程图；
图4为预先建立性能功耗动态数学精细模拟模型的方法流程图；
图5为某一指定参数A的拟合特征曲线示意图；
图6为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例二的流程示意图；
图7为多重晶圆测试数据和工艺检查结果整合示意图；
图8为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例三的流程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例四的流程示意图；
图10为本发明一种晶圆测试分类系统实施例一的结构示意图；
图11为本发明一种晶圆测试分类系统实施例二的结构示意图；
图12为本发明一种晶圆测试分类系统实施例三的结构示意图；
图13为本发明一种晶圆测试分类系统实施例四的结构示意图；
图14为本发明一种晶圆测试分类系统实施例五的结构示意图；
图15为本发明一种晶圆测试分类系统实施例六的结构示意图；
图16为本发明一种晶圆测试分类系统实施例七的结构示意图；
图17为本发明一种晶圆测试分类系统实施例八的结构示意图；
图18为本发明一种晶圆测试分类系统实施例九的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例一的流程示意图。参见图1，该方法在封装步骤之前，包括以下步骤：
步骤S101，获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；
其中，所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
本实施例中，通过在不同温度条件下晶圆测试过程中加入能够表征性能和功耗相关参数数据的测试和收集，比如不同电压条件的参数A、参数B、参数C和参数D，其中参数A能够线性表征某种条件下的产品性能，参数B/C/D能够线性表征产品不同状态下或者条件下的功耗。步骤S101中获取目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数的测试结果数据。
步骤S102，根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
本发明实施例中，通过预先设置芯片分类模型，所述芯片分类模型能够根据指定参数测试结果数据，对芯片进行性能功耗分类，从而可以根据模型输出的芯片性能功耗分类和产品规格的需求来对芯片进行产品规格分类，充分考虑。
优选地，所述预设芯片分类模型包括至少两个；则在步骤S102之前，还包括：接收对预设芯片分类模型的选择步骤，即用户可以根据需要选择使用哪个芯片分类模型来对当前的晶圆上的芯片进行分类，随后在步骤S102中，具体通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。使得高性能产品规格在生产中的良率得到保证，高性能器件产品比例可控，极大的提升了产品的性能利用率，为多芯片封装工艺复杂产品的量产化提供了可行性。
步骤S103，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
本实施例中，预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系可以如下表1所示：
表1性能功耗分类和产品规格的对应关系
产品规格 性能功耗分类
A1 分类1
A2 分类1/分类2
B1 分类3/分类4
B2 分类7
... ...
R3 分类8/分类9/分类20
本实施例中，在对目标晶圆上的所有芯片进行性能功耗分类后，可根据性能功耗分类和产品规格的对应关系确定出每个芯片的产品规格，最终得到例如图2左侧所示的封装用图，则在后续封装步骤中，对于多芯片封装产品，可以根据该封装用图，如图2中右侧所示，选择同一规格的芯片封装到一起，从而控制生产良率，能够有效控制高性能器件产品比例。
本实施例提供的晶圆测试方法，在芯片仅有晶圆级测试数据的情况下，通过建立基于性能功耗的芯片分类模型，实现在产品晶圆测试后封装之前对于芯片性能和功耗的分类，不仅开创性将部分晶圆测试数据处理分类的过程由线上晶圆CP过程中实现变更为线下灵活处理分类模式，减少了现有技术中CP/FT的ATE测试程序因复杂产品规格需求而频繁变更带来的高成本损失，节约了CP、TP变更时间，能够节约测试成本。
在一可选实施例中，在图1所示方法基础上，在步骤S101之前，还包括预先建立ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型的步骤，如图3所示为预先建立ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型的方法流程图，该方法包括以下步骤A1-A3：
步骤A1，获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
本步骤中，例如前面所述，获取不同电压测试条件下的指定测试参数A、参数B、参数C和参数D(其中参数A能够线性表征某种条件下的产品性能，参数B/C/D能够线性表征产品不同状态下或者条件下的功耗)作为样本数据，作为样本的参数数据收集需要覆盖晶圆生产不同的工艺角以确保能够覆盖量产是所有参数可能覆盖的范围。
步骤A2，根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系。
其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围。
本步骤中，通过相关参数进行边界条件的设置，以达到性能功耗分类的目的。其中边界条件的设定是参考不同产品规格的要求制定的，比如产品规格A1的性能要求为100W功耗以及2.6G。通过计算将表征功耗的参数和等效功耗的相关性制定参数的等效边界条件，然后结合其他产品规格的要求将参数A、B、C、D在不同取值下的组合按照边界条件进行分类，并对分类结果与产品规格做生产匹配。将产品规格种类与性能功耗分类结果做对应匹配，如下表2所示，以用于生产应用。
表1指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系
指定参数组合 性能功耗分类
A＝a1，B＝b1，C＝c1，D＝d1 分类1
A＝a2，B＝b1，C＝c1，D＝d1 分类1/分类2
A＝a2，B＝b2，C＝c1，D＝d1 分类3/分类4/分类5
A＝a1，B＝b1，C＝c2，D＝d1 分类3
... ...
步骤A3，建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
本实施例中建立的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型主要应用于产品开发阶段以及量产初期，通过晶圆测试得到相关ATE参数和性能功耗的相关性分析结果，如低温及高温晶圆测试条件下得到与功耗性能相关的参数进行预处理以及性能功耗的分类。
在一可选实施例中，本发明在步骤S101之前，还包括预先建立性能功耗动态数学精细模拟模型的步骤，如图4所示为预先建立性能功耗动态数学精细模拟模型的方法流程图，该方法包括以下步骤B1-B5：
步骤B1，获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
本实施例中，性能功耗动态数学精细模拟模型需要的参数涉及不同电压、不同温度条件下，各核心细分精细指定参数A、B、C、D曲线的特征值、静态电流及动态电流以及实测温度等等。指定参数的收集涉及晶圆测试的不同温度不同要求的测试条件。
步骤B2，根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程。
本步骤中，对实测得到的样本数据中的指定参数进行拟合计算，得到各指定参数的特征曲线方程，包括不同电压条件和不同温度条件下的拟合，例如图5为其中某一指定参数A的拟合特征曲线示意图。
步骤B3，根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围。
本实施例中，由于所设计的分类步骤是应用在晶圆芯片封装之前，而芯片封装后在最终测试条件下的实测参数未知，因此根据各参数拟合方程，结合芯片实测参数结果，可以计算芯片在封装后最终测试条件下(温度、电压)各参数的模拟值。拟合方程的应用主要有以下两个用途：(1)在晶圆测试分类的时候，芯片还没有封装，缺乏相关最终测试条件下的参数作为最终性能功耗的相关计算依据，需要通过参数拟合方程来推算在最终测试条件下相关参数的值。(2)芯片测试中理论应用的电压条件和实际电压值有一定的偏差，需要通过拟合方程矫正参数以提高参数的精度。
本步骤中，在得到各指定参数的特征曲线方程后，可以通过给定指定参数的值，得到不同指定参数组合对应的芯片性能功耗。
步骤B4，根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系。
本实施例中，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，例如，产品规格A1要求功耗最低性能最高，先通过计算判断当前芯片的性能和功耗能否满足产品规格A1的定义，若满足，则将当前芯片的指定参数组合确定为与产品规格A1对应的性能功耗分类。
其中，所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系类似于表1所示的指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系示意图，此处不再赘述。
步骤B5，建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
本实施例提供的性能功耗动态数学精细模拟模型适用于量产条件下基于大批量测试海量测试数据的前提下，针对产品定义的要求对芯片进行性能功耗的预估，再根据需求对性能功耗进行精细分类。
在一可选实施例中，步骤S103先根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；随后对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
优选地，在根据芯片分类模型得到所述目标晶圆的各芯片的性能功耗分类后，针对不同封装类型的产品特性做出的针对性的配置，考虑到单芯片封装器件对应性能要求较高，需要在晶圆测试分类优化系统中侧重性能的分类和提高利用率，而对于多芯片封装产品而言，由于多芯片封装在一个基板上，瓶颈更多的是功耗，所以在晶圆测试分类优化系统中更加侧重功耗的分类和优化。具体地，若所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件，则对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；若所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件，则对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
图6为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例二的流程示意图。如图6所示，该方法包括以下步骤：
步骤S201，获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和对目标晶圆的工艺检查结果。
本实施例中，获取目标晶圆的线上多重晶圆测试数据的过程和上述方法实施例的步骤S101类似，此处不再赘述。此外，本步骤中还获取对目标晶圆进行的凸点工艺检查和背金工艺检查等工艺检查结果数据。
优选地，预先设置获取目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和对目标晶圆的工艺检查结果数据的触发时机，具体地，通过检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为，当检测到所述目标晶圆过站时，获取所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据并打包为指定格式的触发文件发给预设芯片分类模型。
步骤S202，根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
优选地，若步骤S201中生成了触发文件，则此步骤中先解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，随后根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
本实施例中，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类的过程和上述方法实施例的步骤S102类似，此处不再赘述。
步骤S203，根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果。
本实施例中，晶圆经历多重测试和多重工艺检查后，需要整合每一颗芯片的所有测试和工艺的最终结果。其中，所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷。整合过程例如图7所示，将所有测试检查结果都整合到一个预设样式的记录表中，图7中，对于目标晶圆进行了两次测试，对于第1次测试，若测试结果为“失效”，则继续测试凸点工艺是否有缺陷，若是，则将测试出的凸显缺陷记录到整合结果中，若无凸点工艺缺陷，则继续测试是否有背金工艺缺陷，若有背金工艺缺陷，则将背金缺陷记录到整合结果中，最终将晶圆测试1的总体测试缺陷也记录到整合结果中；第2次测试和第1次测试类似，此处不再赘述；最后，将第1次和第2次测试出的晶圆的最低规格作为该晶圆的总体测试缺陷和结果，记录到整合结果中，例：若第1次测试出该晶圆有凸点工艺缺陷，而第2次测试出该晶圆没有凸点工艺缺陷，则该晶圆的总体测试结果中记录第1次测试的凸点工艺缺陷。
步骤S204，记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
例如下表2所示为一种目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系记录表样式，其中“AAAAA”和“BBBBB”代表晶圆的整合结果内容，例如表2中所示，使用本发明提供的方法整合某个目标晶圆的测试数据和工艺检查结果，得到整合结果“BBBBB”，在进行性能功耗分类时选择使用“性能功耗动态数学精细模拟模型”，得到对应的芯片的性能功耗分类有“分类5”和“分类8”两种。此外，在晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系表中，还记录有不符合产品规格的芯片信息，例如下表中的“R1，NA，R1”标识不符合产品规格的芯片信息。
表2晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系
Figure BDA0002747709770000161
步骤S205，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
本实施例能够实现全自动将多重晶圆测试结果和工艺检查结果整合，并通过相同的测试参数性能功耗粗放模拟模型分类和性能功耗动态数学模拟模型精细分类，将与之对应的性能功耗的预估以及相关分类实现在晶圆测试过程中，从而达到针对产品规格针对性分类优化的效果。
图8为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例三的流程示意图。如图8所示，该方法包括以下步骤：
步骤S301，获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和对目标晶圆的工艺检查结果。
本实施例中，步骤S301的过程和上述方法实施例的步骤S201类似，此处不再赘述。
步骤S302，根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
本实施例中，步骤S302的过程和上述方法实施例的步骤S202类似，此处不再赘述。
步骤S303，根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果。
本实施例中，步骤S303的过程和上述方法实施例的步骤S203类似，此处不再赘述。
步骤S304，记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
本实施例中，步骤S304的过程和上述方法实施例的步骤S204类似，此处不再赘述。
步骤S305，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
本实施例中，步骤S305的过程和上述方法实施例的步骤S205类似，此处不再赘述。
优选地，生成封装用图后，可以根据预设检查方法对封装用图进行结果检查，若检查结果异常，还可发出报警以提示用户进行进一步深入检查。若封装用图结果检查无异常，则可以根据用户需求判断是否进行二次处理，例如：可以在人机操作界面上发出是否进行二次处理的问询，若用户通过触摸屏或者键盘输入或者语音输入等方式输入需要二次处理的答复，则将触摸屏或者键盘或者语音输入的信号作为二次处理指令。
步骤S306，根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理。
本实施例中，考虑到在晶圆生产中可能因为种种工艺的原因导致部分芯片可能存在可靠性风险，但由于晶圆测试结果正常不能直接测试挑选出对应的芯片，这时候就需要在批次封装用图生成过后进行二次处理，将有问题的芯片分类成指定的结果并从生产中分离出来。
步骤S307，将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
步骤S308，在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；
其中，所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
本实施例具体实现方案为，在晶圆测试分类优化系统中设置一个二次处理数据库并及时维护，以表格的形式将二次处理检测出的有问题的芯片，即需要处理掉的芯片具体信息记录在所述二次处理数据库中，记录的芯片信息例如表3所示，则每一个批次芯片在生成封装用图后检查的流程中需要在二次处理数据库中进行匹配检验，如果检验结果为匹配，则将此芯片的分类结果修改为指定的分类结果。
表3二次处理数据库中记录的问题的芯片信息
芯片序列号 晶圆批次 晶圆片号 X坐标 Y坐标 指定产品规格
XXXXXXXXXX1 XXX1 19 12 7 R9
XXXXXXXXXX2 XXX1 11 11 1 R9
... ... ... ... ... ...
图9为本发明实施例提供的一种晶圆测试分类方法实施例四的流程示意图。如图9所示，该方法包括以下步骤：
步骤S401，获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和对目标晶圆的工艺检查结果。
步骤S402，根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
步骤S403，根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果。
步骤S404，记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
步骤S405，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
步骤S406，根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
本实施例中，步骤S406对所述封装用图进行二次处理后，判断是否发现有问题的芯片，若是，则执行步骤S407，否则执行步骤S409，或者可以根据用户需求判断是否继续进行烧录结果检查，若收到用户输入的烧录结果检查指令，则执行步骤S409。
步骤S407，将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
步骤S408，在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息。
本实施例中，步骤S401-S408的过程和上述方法实施例的步骤S301-S308类似，此处不再赘述。
本实施例中，在步骤S408执行之后，还可根据用户需求判断是否继续进行烧录结果检查，若收到用户输入的烧录结果检查指令，则继续执行步骤S409。
步骤S409，根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
此步骤中，若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果不一致，则执行步骤S410；若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，则执行步骤S411。
步骤S410，将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格。
本实施例中，将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，执行步骤S411。
步骤S411，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
优选地，在步骤S411之后，还可以进一步进行产品规格分类结果比例检查，若检查出产品规格分类结果比例异常，则进行报警，若检查出产品规格分类结果比例正常，则将晶圆分类结果数据和本发明方法流程中产生的其他数据一起打包存储并传输到下一封装环节中。
本实施例中，在对对所述封装用图进行二次处理后，还对芯片烧录信息进行检查，对芯片烧录信息的检查方法与对所述封装用图进行二次处理类似，也是在一预设数据库中设定芯片烧录链中需要检查位数的定义，在芯片分类完成以及二次处理完成以后，对每一个芯片的烧录链结果逐位检查，判断指定位的烧录链结果与数据库中的结果是否一致，如果有不一致则报警，同时将对应的芯片所属产品规格修改为指定产品规格，以便于生产中将其分离出来，避免质量问题。
对应于本发明实施例提供的晶圆测试分类方法，本发明实施例还提供一种晶圆测试分类系统，图10为本发明一种晶圆测试分类系统实施例一的结构示意图，如图10所示，本实施例的系统可以包括：
获取模块11，用于获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
分类模块12，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；
封装用图生成模块13，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
本实施例的系统，可以用于执行图1所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图11为本发明一种晶圆测试分类系统实施例二的结构示意图，如图11所示，本实施例的系统在图10所示系统结构的基础上，进一步地，所述预设芯片分类模型包括至少两个；该系统还包括：选择模块14，用于接收对预设芯片分类模型的选择；分类模块12，具体用于通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
图12为本发明一种晶圆测试分类系统实施例三的结构示意图，如图12所示，本实施例的系统在图11所示系统结构的基础上，进一步地，该系统还包括：第一分类模型建立模块15；第一分类模型建立模块15可以包括：
第一获取子模块151，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
第一关建立子模块152，用于根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第一分类模型建立子模块153，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
本实施例的系统，可以用于执行图1和图3所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图13为本发明一种晶圆测试分类系统实施例四的结构示意图，如图13所示，本实施例的系统在图11所示系统结构的基础上，进一步地，该系统还包括：第二分类模型建立模块16；所述第二分类模型建立模块16可以包括：
第二获取子模块161，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
拟合子模块162，用于根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程；
计算子模块163，用于根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
第二关系建立子模块164，根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第二分类模型建立子模块165，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
本实施例的系统，可以用于执行图1和图4所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图14为本发明一种晶圆测试分类系统实施例五的结构示意图，如图14所示，本实施例的系统在图10所示系统结构的基础上，进一步地，所述封装用图生成模块13，包括：
判断子模块131，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；
产品规格确定子模块132，用于对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
在一可选实施例中，产品规格确定子模块132，具体用于在所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；或者用于在所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
图15为本发明一种晶圆测试分类系统实施例六的结构示意图，如图15所示，本实施例的系统在图10所示系统结构的基础上，进一步地，获取模块11，还用于获取对目标晶圆的工艺检查结果；该系统还包括：数据整合模块17，用于根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果；所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷；第一记录模块18，用于记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
本实施例的系统，可以用于执行图6所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图16为本发明一种晶圆测试分类系统实施例七的结构示意图，如图16所示，本实施例的系统在图15所示系统结构的基础上，进一步地，获取模块11，可以包括：
检测子模块111，用于检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为；
触发子模块112，用于当检测子模块111检测到所述目标晶圆过站时，将所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据打包为指定格式的触发文件；
其中，分类模块12，可以包括：
解析子模块121，用于解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和获取对目标晶圆的工艺检查结果；
分类子模块122，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
图17为本发明一种晶圆测试分类系统实施例八的结构示意图，如图17所示，本实施例的系统在图15所示系统结构的基础上，进一步地，还包括：
二次处理模块19，用于根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
第一修改模块20，用于将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
第二记录模块21，用于在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
本实施例的系统，可以用于执行图8所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图18为本发明一种晶圆测试分类系统实施例九的结构示意图，如图18所示，本实施例的系统在图17所示系统结构的基础上，进一步地，还包括：
烧录结果检查模块22，用于在对所述封装用图进行二次处理后，根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
第二修改模块23，用于将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格；
报表生成模块24，用于在所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，或者在所述第二修改模块将封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
本实施例的系统，可以用于执行图10所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
本发明在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，″计算机可读介质″可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
为了描述的方便，描述以上装置是以功能分为各种单元/模块分别描述。当然，在实施本发明时可以把各单元/模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种晶圆测试分类方法，其特征在于，在封装步骤之前，包括：
获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；
根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述预设芯片分类模型包括至少两个；
在所述根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类之前，还包括：
接收对预设芯片分类模型的选择；
所述通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类，包括：
通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，在所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据之前，还包括：
获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
4.根据权利要求2所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，在所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据之前，还包括：
获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程；
根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
5.根据权利要求1所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应产品规格信息的封装用图，包括：
根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；
对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
6.根据权利要求5所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格，包括：
若所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件，则筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；
若所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件，则筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据，还包括：
获取对目标晶圆的工艺检查结果；
在所述通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类之后，根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应产品规格信息的封装用图之前，还包括：
根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果；所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷；
记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
8.根据权利要求7所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和获取对目标晶圆的工艺检查结果，包括：
检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为；
当检测到所述目标晶圆过站时，将所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据打包为指定格式的触发文件；
所述根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类，包括：
解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果；
根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
9.根据权利要求7所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，在所述生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图之后，还包括步骤：
根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
10.根据权利要求9所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，在所述在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息之后，还包括步骤：
根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果不一致，则将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格；
若所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，或者将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
11.一种晶圆测试分类系统，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据；所述测试数据包括目标晶圆在不同温度和电压测试条件下的指定参数测试结果数据；
分类模块，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类；
封装用图生成模块，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，生成包括各芯片对应的产品规格信息的封装用图。
12.根据权利要求11所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述预设芯片分类模型包括至少两个；
所述晶圆测试分类系统，还包括：
选择模块，用于接收对预设芯片分类模型的选择；
所述分类模块，具体用于通过当前被选择的芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
13.根据权利要求12所述的晶圆测试分类方法，其特征在于，所述晶圆测试分类系统，还包括：第一分类模型建立模块；
所述第一分类模型建立模块，包括：
第一获取子模块，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
第一关建立子模块，用于根据所述样本数据，以不同产品规格的要求为边界条件，建立指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第一分类模型建立子模块，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第一对应关系的ATE测试参数性能功耗粗放模拟模型。
14.根据权利要求12所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述晶圆测试分类系统，还包括：第二分类模型建立模块；
所述第二分类模型建立模块，包括：
第二获取子模块，用于获取历史测试的若干晶圆的指定参数测试结果数据和实测芯片性能功耗数据，作为样本数据；
拟合子模块，用于根据所述样本数据，对不同电压条件和不同温度条件下的各指定参数进行曲线拟合，得到各指定参数的特征曲线方程；
计算子模块，用于根据各指定参数的特征曲线方程，计算不同指定参数组合对应的芯片性能功耗；
第二关系建立子模块，根据产品规格定义，对计算出的各指定参数组合对应的芯片性能功耗进行由高到低逐级分类，得到指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系；其中，每个所述指定参数组合包含各指定参数的取值范围；
第二分类模型建立子模块，用于建立基于所述指定参数组合与性能功耗分类的第二对应关系的性能功耗动态数学精细模拟模型。
15.根据权利要求11所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述封装用图生成模块，包括：
判断子模块，用于根据预先设置的性能功耗分类和产品规格的对应关系，判断所述目标晶圆的每颗芯片的性能功耗分类对应的产品规格是否唯一；
产品规格确定子模块，用于对于性能功耗分类对应的产品规格不唯一的目标芯片，根据芯片封装器件需求，确定所述目标芯片对应的最终产品规格。
16.根据权利要求15所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述产品规格确定子模块，具体用于在所述芯片封装器件需求为单芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足单芯片封装功耗要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择性能要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格；或者用于在所述芯片封装器件需求为多芯片封装器件时，筛选出所述目标芯片的性能功耗分类对应的多个产品规格中满足多芯片封装性能要求的产品规格，并在筛选出的产品规格中选择功耗要求最高的产品规格，将其确定为所述目标芯片对应的最终产品规格。
17.根据权利要求11-16任一项所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述获取模块，还用于获取对目标晶圆的工艺检查结果；
所述晶圆测试分类系统，还包括：
数据整合模块，用于根据预设整合规则，整合所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果，得到整合结果；所述整合结果至少包括每次测试的凸点缺陷、背金缺陷、测试缺陷以及总体凸点缺陷、总体背金缺陷、总体测试缺陷；
第一记录模块，用于记录所述目标晶圆的整合结果、芯片分类模型和各芯片的性能功耗分类的对应关系。
18.根据权利要求17所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述获取模块，包括：
检测子模块，用于检测经过多重晶圆测试和工艺检查的所述目标晶圆的过站行为；
触发子模块，用于当所述检测子模块检测到所述目标晶圆过站时，将所述目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和工艺检查结果数据打包为指定格式的触发文件；
所述分类模块，包括：
解析子模块，用于解析所述触发文件，得到对目标晶圆的线上多重晶圆测试数据和获取对目标晶圆的工艺检查结果；
分类子模块，用于根据获取的指定参数测试结果数据，通过预设芯片分类模型对所述目标晶圆的各芯片进行性能功耗分类。
19.根据权利要求17所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述晶圆测试分类系统还包括：
二次处理模块，用于根据二次处理指令对所述封装用图进行二次处理；
第一修改模块，用于将所述封装用图中二次处理时有问题的芯片对应的产品规格修改为指定产品规格；
第二记录模块，用于在预设二次处理数据库中记录有问题的芯片信息；所述芯片信息至少包括：芯片序列号、晶圆批次、晶圆片号、芯片在晶圆上的坐标、指定产品规格信息。
20.根据权利要求19所述的晶圆测试分类系统，其特征在于，所述晶圆测试分类系统还包括：
烧录结果检查模块，用于根据烧录结果检查指令，检查所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果是否一致；
第二修改模块，用于将烧录链结果与预设结果不一致的芯片在所述封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格；
报表生成模块，用于在所述目标晶圆的各芯片的烧录链结果与预设结果一致，或者在所述第二修改模块将封装用图中对应的产品规格修改为指定产品规格后，生成数据报表并将最终封装用图打包后存储。
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