CN112186007A - 显示装置 - Google Patents

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CN112186007A
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display device
light
light emitting
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金亨俊
朴智鍊
安致旭
池美兰
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有发光区域；发光元件层，包括位于发光区域中的发光元件；以及感测层，位于发光元件层上，并且包括感测电极、第一折射层和第二折射层，感测电极具有与发光区域叠置的第一开口，第一折射层直接位于感测电极上并具有与发光区域叠置的第二开口，第二折射层位于发光元件层和第一折射层上，第一折射层的第一光学折射率比第二折射层的第二光学折射率小。

Description

显示装置
本申请要求于2019年7月02日提交的第10-2019-0079643号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
公开的多个方面涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以包括显示图像的显示面板、设置在显示面板上的窗和插置在显示面板与窗之间以接收触摸输入或防止外部光的反射的功能面板。
显示面板可以包括发光元件，从发光元件发射的光可以透射穿过功能面板和窗并沿显示装置的前表面方向发射。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
构造功能面板和窗的各种层(例如，绝缘层)可能具有彼此不同的折射率(即，光学折射率)。因此，从发光元件发射的光中的一些光可能在穿过层的同时被折射，并且可能熄灭而不发射到显示装置的前表面。
公开的一些实施例的多个方面涉及一种具有改善的光输出效率的显示装置。
公开的一些实施例的多个方面涉及一种具有简化的制造工艺的显示装置。
根据一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有发光区域；发光元件层，包括位于发光区域中的发光元件；以及感测层，位于发光元件层上，并且包括感测电极、第一折射层和第二折射层，感测电极具有与发光区域叠置的第一开口，第一折射层直接位于感测电极上并具有与发光区域叠置的第二开口，第二折射层位于发光元件层和第一折射层上，第一折射层的第一光学折射率比第二折射层的第二光学折射率小。
在一些实施例中，发光元件层还包括像素限定层，像素限定层具有限定发光区域的第三开口，其中，发光元件定位在第三开口中。
在一些实施例中，发光元件包括顺序地堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
在一些实施例中，第二开口在尺寸上比第三开口大，并且在尺寸上比第一开口小。
在一些实施例中，第二折射层的第二光学折射率比第一折射层的第一光学折射率大0.2至0.4。
在一些实施例中，第一折射层和第二折射层中的每个包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
在一些实施例中，第一折射层在第二开口处具有相对于发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，第一侧表面的第一倾斜角在60度至85度的范围内，第一倾斜角随着第一折射层的第一光学折射率与第二折射层的第二光学折射率之间的差增大而增大。
在一些实施例中，第一折射层具有1μm至3μm的厚度，所述厚度随着第一倾斜角增大而减小。
在一些实施例中，第二开口具有与第一开口的平面形状不同的平面形状。
在一些实施例中，第一开口具有菱形的平面形状，第二开口具有圆形的平面形状。
在一些实施例中，基于从发光元件发射的光的颜色来设定第二开口的尺寸。
在一些实施例中，基底包括像素区域，像素区域中的每个包括发光区域。
在一些实施例中，显示装置还包括抗反射层，抗反射层位于感测层上并且包括：透光层，包括与发光区域叠置的滤色器；第三折射层，位于透光层上，并且包括与发光区域叠置的第四开口；以及第四折射层，位于透光层和第三折射层上，其中，第三折射层的第三光学折射率比第四折射层的第四光学折射率小。
在一些实施例中，透光层还包括不与发光区域叠置的黑色矩阵，滤色器覆盖黑色矩阵，第三折射层直接位于滤色器上。
在一些实施例中，第四折射层的第四光学折射率与第三折射层的第三光学折射率之间的差小于或等于第二折射层的第二光学折射率与第一折射层的第一光学折射率之间的差。
在一些实施例中，第一折射层在第二开口处具有相对于发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，第三折射层在第四开口处具有相对于发光元件层的上表面倾斜的第二侧表面，第二侧表面的第二倾斜角大于或等于第一侧表面的第一倾斜角。
在一些实施例中，第一折射层和第三折射层的总厚度在1μm至3μm的范围内。
根据一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有发光区域；发光元件层，包括位于发光区域中的发光元件；以及抗反射层，位于发光元件层上，并且包括透光层、第一折射层和第二折射层，透光层包括与发光区域叠置的滤色器，第一折射层位于透光层上并具有与发光区域叠置的开口，第二折射层位于透光层和第一折射层上，其中，第一折射层的第一光学折射率比第二折射层的第二光学折射率小。
在一些实施例中，透光层还包括不与发光区域叠置的黑色矩阵，滤色器覆盖黑色矩阵，第一折射层直接位于滤色器上。
在一些实施例中，第二折射层的第二光学折射率比第一折射层的第一光学折射率大0.2至0.4。
在一些实施例中，第一折射层和第二折射层中的每个包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
在一些实施例中，第一折射层在开口处具有相对于发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，第一侧表面的第一倾斜角在60度至85度的范围内，第一倾斜角随着第一折射层的第一光学折射率与第二折射层的第二光学折射率之间的差增大而增大。
在一些实施例中，第一折射层具有1μm至3μm的厚度，并且所述厚度随着第一倾斜角增大而减小。
根据公开的一些实施例的显示装置包括顺序地堆叠在感测层的感测电极和/或滤色器上的低折射率平坦层和高折射率平坦层，从而改善了发光元件的光输出效率。
此外，由于低折射率平坦层直接形成在感测层的感测电极和/或滤色器上，所以可以简化显示装置的制造工艺。
附图说明
通过参照附图进一步详细描述公开的示例性实施例，公开的上述特征和其它特征将变得更明显。
图1是示出根据公开的一些示例实施例的显示装置的透视图。
图2A至图2D是示出图1的显示装置的示例的剖视图。
图3是示出包括在图1的显示装置中的显示面板的示例的剖视图。
图4是示出包括在图1的显示装置中的输入感测层的示例的平面图。
图5和图6是图4的输入感测层的第一区域的放大平面图。
图7是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的示例的剖视图。
图8是示出包括在图7的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。
图9是示出在图1的显示装置上显示的图像的示例的图。
图10A至图10E是分阶段地示出制造包括在图8的显示装置中的输入感测层的方法的输入感测层的剖视图。
图11是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的另一示例的剖视图。
图12是示出包括在图11的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。
图13是示出图1的显示装置的又一示例的剖视图。
图14是示出包括在图13的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。
图15是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的又一示例的剖视图。
具体实施方式
公开可以以各种合适的方式修改并可以具有各种合适的形式，并且将在附图中示出并在这里详细描述具体的实施例。然而，公开不限于以下公开的实施例，而是可以以各种合适的形式修改和实施。
在附图中，为了清楚地表示公开，可以省略与公开的特性不直接相关的一些组件。此外，可以将附图中的一些组件示出为在尺寸或比例上是夸大的。在整个附图中，相同或相似的组件即使在不同的附图中示出也将尽可能地被赋予相同的附图标记和符号，并且将省略重复的描述。
图1是示出根据公开的实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置DD可以通过显示表面DD-IS来显示图像IM。显示表面DD-IS可以平行于由与第一方向DR1对应的第一方向轴和与第二方向DR2对应的第二方向轴所限定的平面。与显示表面DD-IS垂直的方向(即，显示装置DD的厚度方向)被限定为第三方向DR3。
可以沿第三方向DR3区分下面描述的构件、层或单元中的每个的前表面(或上表面)与后表面(或下表面)。然而，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3仅是示例，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以作为相对概念互换。
显示装置DD可以具有平坦的显示表面。然而，公开不限于此，根据公开的实施例的显示装置DD可以具有能够显示图像的诸如弯曲显示表面或立体显示表面的各种合适类型的显示表面。当根据公开的实施例的显示装置DD具有立体显示表面时，作为示例，立体显示表面可以包括面向不同方向的多个显示区域。立体显示表面可以实现为多棱柱形显示表面。
显示装置DD可以是柔性显示装置。例如，显示装置DD可以应用于可折叠显示装置、可弯曲显示装置和可卷曲显示装置等。公开不限于此，显示装置DD可以是刚性显示装置。
作为示例，图1示出了可以应用于移动电话终端的显示装置DD。然而，显示装置DD不限于此。例如，显示装置DD可以应用于大型电子装置(诸如电视机、监视器或电子布告板)或者小型电子装置(诸如平板电脑、导航装置、游戏装置或智能手表)等。此外，显示装置DD可以应用于诸如头戴式显示器的可穿戴电子装置。
显示装置DD的显示表面DD-IS可以包括：显示区域DD-DA，显示图像IM；以及非显示区域DD-NDA，与显示区域DD-DA相邻。非显示区域DD-NDA是不显示图像的区域。非显示区域DD-NDA可以设置在显示区域DD-DA外侧。
图2A至图2D是示出图1的显示装置的示例的剖视图。图2A至图2D示意性地示出了显示装置DD，并且示出了构造显示装置DD的功能面板和/或功能单元的堆叠关系。
参照图2A至图2D，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL(或感测层、输入感测面板)以及窗单元WP和WL。显示装置DD还可以包括抗反射单元RPP和RPL。
显示面板DP、输入感测层ISL以及窗单元WP和WL中的至少一些组件可以通过连续工艺形成，或者至少一些组件可以通过粘合构件而彼此结合。粘合构件可以包括常规的粘合剂或胶合剂。作为示例，图2A中所示的粘合构件可以是光学透明粘合构件OCA。
在图2A至图2D中，抗反射单元RPP和RPL以及窗单元WP和WL中的与其它组件通过连续工艺形成的相应组件被表述为“层”。抗反射单元RPP和RPL以及窗单元WP和WL中的与其它组件结合的组件被表述为“面板”。面板可以包括提供基体表面的基体层，例如，合成树脂膜、复合膜和玻璃基底等，但是“层”可以不包括基体层。换言之，由“层”表示的单元可以设置在由其它单元提供的基体表面上。
抗反射单元RPP和RPL以及窗单元WL和WP可以根据基体层的存在或不存在而被称为抗反射面板RPP、窗面板WP、抗反射层RPL和/或窗层WL。
在实施例中，如图2A中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射面板RPP和窗面板WP。
在实施例中，输入感测层ISL可以直接设置在显示面板DP上。在本说明书中，短语“B直接设置在A上”意味着在A与B之间不设置单独的粘合层/粘合构件。可以在形成A之后通过连续工艺在由A提供的基体表面上形成B。
在实施例中，输入感测层ISL可以感测通过诸如手或笔的外部介质对显示装置DD的显示表面DD-IS(例如，参照图1)的触摸或输入。
显示模块DM可以通过包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的输入感测层ISL来限定。光学透明粘合构件OCA可以设置在显示模块DM与抗反射面板RPP之间以及抗反射面板RPP与窗面板WP之间。
输入感测层ISL可以设置在显示面板DP中或显示面板DP上。
在实施例中，显示面板DP可以是发光显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。
抗反射面板RPP减小从窗面板WP的上侧面入射的外部光的反射率。在实施例中，抗反射面板RPP可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型的或液晶涂层型的，并且可以包括λ/2(半波长)相位延迟器和/或λ/4(四分之一波长)相位延迟器。偏振器也可以是膜型的或液晶涂层型的。
在实施例中，抗反射面板RPP可以包括滤色器。滤色器可以具有设定的或预定的布置。可以考虑包括在显示面板DP中的像素的发光颜色来确定滤色器的布置。抗反射面板RPP还可以包括与滤色器相邻的黑色矩阵。
在实施例中，窗面板WP可以包括基体膜WP-BS和挡光图案WP-BZ。基体膜WP-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜等。基体膜WP-BS不限于单层。基体膜WP-BS可以包括通过粘合构件彼此结合的两层或更多层膜。
挡光图案WP-BZ可以与基体膜WP-BS部分地叠置。挡光图案WP-BZ可以设置在基体膜WP-BS的后表面上，以限定显示装置DD的边框区域，即，非显示区域DD-NDA(例如，参照图1)。
窗面板WP还可以包括设置在基体膜WP-BS的上表面上的功能涂层。功能涂层可以包括防指纹层、抗反射层和硬涂层等。
如图2B中所示，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。可以从显示装置DD省略粘合构件，输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL可以以连续工艺形成在针对显示面板DP提供的基体表面上。可以改变输入感测层ISL和抗反射层RPL的堆叠顺序。
如图2C中所示，显示装置DD可以不包括单独的抗反射单元RPP和RPL。在实施例中，显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测层ISL和窗面板WP。这里，输入感测层ISL还可以具有抗反射功能。
如图2D中所示，显示装置DD可以不包括单独的输入感测层ISL。在实施例中，显示装置DD可以包括显示面板DP、抗反射层RPL和窗面板WP。
在图2A至图2D中，输入感测层ISL被示出为与显示面板DP完全叠置。然而，这是示例，输入感测层ISL可以仅与显示区域DD-DA的一部分叠置，或者可以仅与非显示区域DD-NDA叠置。输入感测层ISL可以是感测用户的触摸的触摸感测层(或触摸感测面板)或感测用户的手指的指纹信息的指纹感测层(或指纹感测面板)。下面描述的感测电极的间距和感测电极的宽度可以根据输入感测层ISL的用途而改变。
图3是示出包括在图1的显示装置中的显示面板的示例的剖视图。
参照图3，显示面板DP可以包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。显示区域DP-DA可以包括设置有像素PX的像素区域。非显示区域DP-NDA可以设置有垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)部分，垫部分设置有布线的垫(例如，信号垫DP-PD)。非显示区域DP-NDA可以设置有将数据信号提供到像素PX的数据驱动器。数据驱动器可以通过数据线将数据信号提供到像素PX中的每个。
显示面板DP可以包括驱动电路GDC、信号线SGL、信号垫DP-PD和像素PX。
像素PX可以设置在显示区域DP-DA中。像素PX中的每个可以包括发光元件和连接到发光元件的像素驱动电路。例如，发光元件可以是有机发光二极管，但不限于此。驱动电路GDC、信号线SGL、信号垫DP-PD和像素驱动电路可以包括在稍后描述的像素电路层PCL(例如，参照图7)中。
驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路可以产生扫描信号并将扫描信号顺序地提供或输出到扫描线GL。扫描驱动电路还可以向像素PX的驱动电路提供另一控制信号。
扫描驱动电路可以包括与像素PX的驱动电路通过同一工艺(例如，低温多晶硅(“LTPS”)工艺或低温多晶氧化物(“LTPO”)工艺)形成的薄膜晶体管。
信号线SGL可以包括扫描线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。扫描线GL中的每条可以连接到像素PX中的对应的像素，数据线DL中的每条可以连接到像素PX中的对应的像素。电源线PL可以连接到像素PX。控制信号线CSL可以将控制信号提供到扫描驱动电路。
信号线SGL可以与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。信号线SGL可以包括垫部分和线部分。线部分可以与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA叠置。垫部分可以连接到线部分的端部。垫部分可以设置在非显示区域DP-NDA中，并且可以与信号垫DP-PD中的对应的信号垫叠置。稍后将描述其详细描述。非显示区域DP-NDA中设置有信号垫DP-PD的区域可以被限定为垫区域NDA-PD。
连接到像素PX的线部分可以形成信号线SGL的大部分。线部分可以连接到像素PX的晶体管T(例如，参照图7)。线部分可以具有单层/多层结构，线部分可以是单一主体或者可以包括两个或更多个部分。所述两个或更多个部分可以设置在不同的层上，并且可以通过穿过设置在所述两个或更多个部分之间的绝缘层的接触孔而彼此连接。
显示面板DP还可以包括设置在垫区域NDA-PD中的虚设垫IS-DPD。由于虚设垫IS-DPD与信号线SGL通过同一工艺形成，所以虚设垫IS-DPD可以与信号线SGL设置在同一层上。虚设垫IS-DPD可以选择性地设置在如图2A至图2C中所示的包括输入感测层ISL的显示装置DD中，并且可以在包括输入感测层ISL的显示装置DD中被省略。
在图3中，另外示出了电连接到显示面板DP的电路板PCB。电路板PCB可以是柔性电路板或刚性电路板。电路板PCB可以直接结合到显示面板DP或者通过另一电路板连接到显示面板DP。
控制显示面板DP的操作的时序控制电路TC可以设置在电路板PCB上。此外，控制输入感测层ISL(或输入感测单元)的输入感测电路IS-C可以设置在电路板PCB上。时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的每个可以以集成芯片的形式安装在电路板PCB上。作为另一示例，时序控制电路TC和输入感测电路IS-C可以以单独的集成芯片的形式安装在电路板PCB上。电路板PCB可以包括电连接到显示面板DP的电路板垫PCB-P。电路板PCB还可以包括将电路板垫PCB-P与时序控制电路TC和/或输入感测电路IS-C连接的信号线。
图4是示出包括在图1的显示装置中的输入感测层的示例的平面图。图5和图6是图4的输入感测层的第一区域的放大平面图。
参照图4，输入感测层ISL可以包括：感测区域SA，感测用户的输入(例如，触摸和/或触摸时的压力)；以及外围区域PA，设置在感测区域SA的至少一侧上。
感测区域SA可以对应于显示面板DP的显示区域DP-DA，并且可以具有与显示区域DP-DA的面积基本相同的面积，或者可以具有比显示区域DP-DA的面积大的面积。外围区域PA可以与感测区域SA相邻设置。此外，外围区域PA可以与显示面板DP的非显示区域DP-NDA对应。
输入感测层ISL可以包括：第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4，设置在感测区域SA中；以及第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4，设置在外围区域PA中。
第一传感器部分SP1可以在一个第一感测电极中沿第二方向DR2布置，第二传感器部分SP2可以在一个第二感测电极中沿第一方向DR1布置。第一连接部分CP1中的每个可以将相邻的第一传感器部分SP1彼此连接，第二连接部分CP2中的每个可以将相邻的第二传感器部分SP2彼此连接。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有网格图案或网格结构。网格图案可以包括网格线，所述网格线是形成至少一个网格孔IS_OPR、IS_OPG或IS_OPB(或网格开口)(例如，参照图5)的金属线。网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB可以通过网格线而具有菱形的平面形状，但不限于此。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4具有网格图案，因此可以减小与显示面板DP的电极的寄生电容。
此外，如图5中所示，在第一区域A1中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以不与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置。这里，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以包括在像素PX中的每个(或其中设置有像素PX的像素区域)中。因此，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4对显示装置DD的用户可以是不可见的。
第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以包括铝、铜、铬、镍和/或钛等。然而，公开不限于此，感测电极可以由各种合适的金属形成。
作为示例，当第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4由能够进行低温处理的金属形成时，即使以显示面板DP的制造工艺之后的连续的工艺形成输入感测层ISL，也可以防止或大幅减少对发光元件OLED(例如，参照图7)的损坏。
当第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4以网格图案直接设置在显示面板DP上时，可以改善(例如，提高)显示装置DD的柔性。
在图4中，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4包括菱形形状的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2。然而，公开不限于此，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有多边形形状。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有不区分传感器部分与连接部分的形状(例如，条形形状)。
第一信号线SL1-1至SL1-5可以分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的端部中的一个。第二信号线SL2-1至SL2-4可以连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端。然而，公开不限于此。例如，第一信号线SL1-1至SL1-5可以连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的两端。作为另一示例，第二信号线SL2-1至SL2-4可以分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的仅一端。
由于第二感测电极IE2-1至IE2-4的长度比第一感测电极IE1-1至IE1-5的长度长，所以第二感测电极IE2-1至IE2-4中的检测信号(或传输信号)的电压降比第一感测电极IE1-1至IE1-5中的检测信号(或传输信号)的电压降大，因此感测灵敏度会降低。由于检测信号(或传输信号)通过连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的两端的第二信号线SL2-1至SL2-4进行传输，所以可以防止或大幅减轻检测信号(或传输信号)的电压降和感测灵敏度的降低。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以包括线部分SL-L和垫部分SL-P。垫部分SL-P可以排列在垫区域NDA-PD中。垫部分SL-P可以与图3中所示的虚设垫IS-DPD叠置。
输入感测层ISL还可以包括信号垫DP-PD。信号垫DP-PD可以排列在垫区域NDA-PD中。
参照图5，第一传感器部分SP1可以不与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置，并且可以与非发光区域NPXA叠置。
第一传感器部分SP1的网格线(例如，金属线)可以限定网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB。网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B一一对应。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以被网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB暴露。
网格线的线宽可以比与非发光区域NPXA对应的像素限定层(即，限定发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的像素限定层)的宽度小。
因此，从发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B发射的光被网格线最小程度地阻挡，并且可以防止或基本上防止网格线被用户观看到。
网格线可以具有钛/铝/钛的三层结构。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据在发光元件OLED(例如，参照图7)中产生的光的颜色而被划分为多个组。在图5中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B根据发光颜色而被划分为三组。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据从有机发光二极管发射的光的颜色而具有不同的面积。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以根据有机发光二极管的类型来确定。
网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB可以被划分成具有不同面积的多个组。网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB可以根据对应的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B被划分成三组。
在图5中，网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B一一对应，但不限于此。例如，网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB中的每个可以与两个或更多个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B对应。
在图5中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积不同，然而，这是示例，并且实施例不限于此。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的尺寸可以相同，网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB的尺寸也可以相同。网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB的平面形状不受限制，并且可以具有不同于菱形的多边形形状。网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB的平面形状可以具有其角部被倒圆的多边形形状。
在实施例中，第一传感器部分SP1(或第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4以及输入感测层ISL)还可以包括第一低折射率平坦层LRF1(或低折射率有机层、第一折射层和光路控制结构)。
第一低折射率平坦层LRF1可以具有比稍后将描述的第一高折射率平坦层HRF1(例如，参照图7)的折射率相对小的折射率(或针对光的折射率、光学折射率)。第一低折射率平坦层LRF1可以不与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置，而可以与非发光区域NPXA叠置。此外，第一低折射率平坦层LRF1可以与第一传感器部分SP1的网格线叠置，或者可以覆盖第一传感器部分SP1的网格线。
穿过第一低折射率平坦层LRF1的孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB(或开口)可以形成在第一低折射率平坦层LRF1中。即，第一低折射率平坦层LRF1可以包括孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB。孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(或网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB)一一对应。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(或网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB)可以通过孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB被暴露。
第一低折射率平坦层LRF1的孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB可以根据由发光元件OLED发射的光的颜色而具有不同的面积。然而，公开不限于此，孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB的尺寸可以相同，并且网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB的尺寸也可以相同。
此外，孔ML_OPR、ML_OPG、ML_OPB的平面形状没有限制，并且可以具有不同于菱形的多边形形状。例如，如图6中所示，孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB可以在平面上具有圆形形状。当孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB具有圆形形状时，光可以从孔ML_OPR、ML_OPG和ML_OPB的整个边缘均匀地发射。
图7是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的示例的剖视图。
参照图7，显示装置DD包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3彼此基本相同或相似。因此，将通过涵盖第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3参照第一像素PX1来描述显示装置DD。
显示装置DD可以包括基体层BL(或基底)、缓冲层BFL、像素电路层PCL、发光元件层LDL、薄膜封装层TFE和输入感测层ISL。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，并且其材料没有特别限制。此外，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机/无机复合基底。
缓冲层BFL可以设置在基体层BL上。缓冲层BFL防止杂质扩散到设置在基体层BL上的晶体管T中，并且可以改善基体层BL的平坦度。缓冲层BFL可以设置为单层，或者可以设置为至少两层的多层。缓冲层BFL可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，缓冲层BFL可以由氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅等形成。当缓冲层BFL设置为多层时，每个层可以由相同的材料形成，或者可以由不同的材料形成。在一些情况下，可以省略缓冲层BFL。
像素电路层PCL可以包括电路元件和至少一个绝缘层。绝缘层可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。电路元件可以包括信号线和像素驱动电路等。
晶体管T的半导体图案ODP可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案ODP可以选自于非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
第一绝缘层INS1可以设置在半导体图案ODP上。第一绝缘层INS1可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，第一绝缘层INS1可以由氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅等形成。
晶体管T的控制电极GE可以设置在第一绝缘层INS1上。控制电极GE可以根据与图3的扫描线GL的光刻工艺相同的光刻工艺来制造。
覆盖控制电极GE的第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，第二绝缘层INS2可以由氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅等形成。
晶体管T的第一晶体管电极DE(或漏电极)和第二晶体管电极SE(或源电极)可以设置在第二绝缘层INS2上。
第一晶体管电极DE和第二晶体管电极SE可以分别通过穿过第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接到半导体图案ODP。另一方面，在公开的另一实施例中，晶体管T可以通过被修改为底栅结构进行实施。
覆盖第一晶体管电极DE和第二晶体管电极SE的第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以提供平坦的表面。第三绝缘层INS3可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
发光元件层LDL设置在第三绝缘层INS3上。发光元件层LDL可以包括像素限定层PDL和发光元件OLED。
像素限定层PDL可以包括有机材料。第一电极AE可以设置在第三绝缘层INS3上。第一电极AE可以通过穿过第三绝缘层INS3的第三通孔CH3连接到第二晶体管电极SE。像素限定层PDL可以包括开口部分OP，开口部分OP可以限定发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。
像素限定层PDL的开口部分OP可以使第一电极AE的至少一部分暴露。
参照图3描述的显示区域DP-DA(例如，参照图3)可以包括发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及在发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以与第一电极AE的被开口部分OP暴露的部分对应。非发光区域NPXA可以限定为与像素限定层PDL对应。
发光元件OLED可以包括连接到第二晶体管电极SE的第一电极AE、设置在第一电极AE上的发光层EML和设置在发光层EML上的第二电极CE。例如，发光元件OLED可以是有机发光二极管。
第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。例如，第一电极AE可以是阳极电极，第二电极CE可以是阴极电极。
在实施例中，第一电极AE可以是反射电极，第二电极CE可以是透射电极。
在每个像素区域中，第一电极AE可以设置在第三绝缘层INS3上。第一电极AE可以包括能够反射光的反射膜和设置在反射膜上或反射膜下面的透明导电膜。透明导电膜和反射膜中的至少一个可以连接到第二晶体管电极SE。
反射膜可以包括能够反射光的材料。例如，反射膜可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和它们的合金中的至少一种。
透明导电膜可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电膜可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铝锌(“AZO”)、镓掺杂的氧化锌(“GZO”)、氧化锌锡(“ZTO”)、氧化镓锡(“GTO”)和氟掺杂的氧化锡(“FTO”)中的至少一种的透明导电氧化物。
发光层EML可以设置在第一电极AE的被暴露的表面上。发光层EML可以具有包括光产生层(“LGL”)的多层薄膜结构。例如，发光层EML可以包括：空穴注入层(“HIL”)，用于注入空穴；空穴传输层(“HTL”)，具有优异的空穴传输性并通过抑制在光产生层中未结合的电子的移动来用于增加空穴和电子复合的机会；光产生层，通过注入的电子和空穴的复合来用于发光；空穴阻挡层(“HBL”)，用于抑制在光产生层中未结合的空穴的移动；电子传输层(“ETL”)，用于将电子平稳地传输到光产生层；以及电子注入层(“EIL”)，用于注入电子。
在光产生层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但本实施例不限于此。例如，在发光层EML的光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是在相邻的像素区域中彼此连接的公共膜。
第二电极CE可以设置在发光层EML上。第二电极CE可以是透反射膜。例如，第二电极CE可以是具有足以透射光的厚度的薄型金属层。第二电极CE可以透射在光产生层中产生的光中的一些并反射在光产生层中产生的光的剩余部分。
第二电极CE可以包括具有比透明导电膜的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二电极CE可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和它们的合金中的至少一种。
从发光层EML发射的光中的一些可以不透过第二电极CE，从第二电极CE反射的光可以再次从反射膜反射。即，从发光层EML发射的光可以在反射膜与第二电极CE之间谐振。可以通过光的谐振来改善发光元件OLED的光提取效率。
反射膜与第二电极CE之间的距离可以根据在光产生层中产生的光的颜色而改变。即，根据在光产生层中产生的光的颜色，反射膜与第二电极CE之间的距离可以被调整为与谐振距离匹配。
薄膜封装层TFE可以设置在第二电极CE上。薄膜封装层TFE可以公共地设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中。薄膜封装层TFE可以直接覆盖第二电极CE。在实施例中，还可以在薄膜封装层TFE与第二电极CE之间设置覆盖第二电极CE的盖层。此时，薄膜封装层TFE可以直接覆盖盖层。
薄膜封装层TFE可以包括顺序地堆叠在第二电极CE上的第一封装无机膜IOL1、封装有机膜OL和第二封装无机膜IOL2。封装无机膜IOL1和IOL2可以由诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料形成。封装有机膜OL可以由诸如聚硅氧烷、聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、碳氟类化合物(诸如Teflon)或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料形成。
输入感测层ISL可以设置在薄膜封装层TFE上。输入感测层ISL可以包括第二缓冲层BS、第一导电层IS-CL1、第四绝缘层IS-IL1、第二导电层IS-CL2、第一低折射率平坦层LRF1和第一高折射率平坦层HRF1。
第二缓冲层BS可以设置在薄膜封装层TFE上。第二缓冲层BS可以设置为单层，或者可以设置为至少两层的多层。第二缓冲层BS可以是由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，第二缓冲层BS可以由氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅等形成。在一些情况下，可以省略第二缓冲层BS。
第一导电层IS-CL1可以设置在第二缓冲层BS(或薄膜封装层TFE)上，并且可以包括参照图4描述的第一连接部分CP1。
第一导电层IS-CL1可以具有单层结构，或者可以具有沿第三方向DR3堆叠的多层结构。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)或氧化铟锡锌(“ITZO”)的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线和/或石墨烯等。
多层结构的导电层可以包括多层的金属层。多层的金属层可以具有三层结构，例如，钛/铝/钛。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第四绝缘层IS-IL1可以设置在第一导电层IS-CL1和第二缓冲层BS(或薄膜封装层TFE)上。第四绝缘层IS-IL1可以具有单层结构或多层结构。第四绝缘层IS-IL1可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
在实施例中，第四绝缘层IS-IL1可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。例如，第四绝缘层IS-IL1可以包括氮化硅，并且可以形成为约
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的厚度。
第二导电层IS-CL2可以设置在第四绝缘层IS-IL1上。第二导电层IS-CL2可以包括第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2(例如，参照图4)和第二连接部分CP2(例如，参照图4)。
第二导电层IS-CL2的结构(例如，单层结构、堆叠结构)和材料分别与第一导电层IS-CL1的结构和材料基本上相同或相似，因此省略重复描述。
第二导电层IS-CL2可以通过接触孔与第一导电层IS-CL1接触，所述接触孔通过穿过第四绝缘层IS-IL1而使第一导电层IS-CL1暴露。
如参照图4所述，第二导电层IS-CL2可以包括网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB。
网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B一一对应。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以通过网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB被暴露。
第一低折射率平坦层LRF1可以设置在第二导电层IS-CL2上，并且可以覆盖第二导电层IS-CL2。
如参照图7所述，第一低折射率平坦层LRF1可以包括孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1，孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1可以与发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B(或者网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB)一一对应。
在实施例中，孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1的尺寸可以分别比发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的尺寸大，并且可以分别比网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB的尺寸小。
例如，第一孔ML_OPR1的尺寸(平面上的宽度或面积)可以比第一像素PX1的第一发光区域PXA-R的尺寸大，并且可以比第一网格孔IS_OPR的尺寸小。在这种情况下，第一发光区域PXA-R可以通过第一孔ML_OPR1被暴露，第二导电层IS-CL2(或第一传感器部分SP1)可以被第一低折射率平坦层LRF1覆盖。
相似地，第二孔ML_OPG1的尺寸(平面上的宽度或面积)可以比第二像素PX2的第二发光区域PXA-G的尺寸大，并且可以比第二网格孔IS_OPG的尺寸小。第三孔ML_OPB1的尺寸(平面上的宽度或面积)可以比第三像素PX3的第三发光区域PXA-B的尺寸大，并且可以比第三网格孔IS_OPB的尺寸小。
第一低折射率平坦层LRF1可以在孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1中具有相对于第四绝缘层IS-IL1的上表面倾斜的第一侧表面SS1。第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1可以关于第一高折射率平坦层HRF1构造成(例如，形成)全反射表面。稍后将参照图8对此进行描述。
在图7中，第一低折射率平坦层LRF1具有梯形的剖面形状，但是第一低折射率平坦层LRF1不限于此。例如，第一低折射率平坦层LRF1可以具有半圆或半椭圆的剖面形状。
第一低折射率平坦层LRF1可以包括有机材料。例如，第一低折射率平坦层LRF1可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料的单个膜形成。然而，公开不限于此。例如，第一低折射率平坦层LRF1可以由丙烯酸类透明有机膜形成。
第一高折射率平坦层HRF1(或第二折射层)可以直接设置在第一低折射率平坦层LRF1和第四绝缘层IS-IL1上。第一高折射率平坦层HRF1可以完全设置在第四绝缘层IS-IL1上。
第一高折射率平坦层HRF1可以具有比第一低折射率平坦层LRF1的折射率大的折射率。
第一高折射率平坦层HRF1可以包括有机材料。例如，第一高折射率平坦层HRF1可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料的单个层形成，但是其不限于此，只要所述有机材料是具有比第一低折射率平坦层LRF1的折射率大的折射率的有机材料即可。
对于第一低折射率平坦层LRF1和第一高折射率平坦层HRF1的描述可以参照图8。
图8是示出包括在图7的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。图8集中于基底SUB、发光元件层LDL、薄膜封装层TFE和输入感测层ISL示意性地示出了与第一像素PX1对应的第一像素区域PXA1。由于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3彼此基本相同或相似，所以省略了关于与第二像素PX2对应的第二像素区域PXA2和与第三像素PX3对应的第三像素区域PXA3的重复描述。
参照图7和图8，第一像素PX1可以包括基底SUB，基底SUB可以包括参照图7描述的基体层BL和像素电路层PCL。
作为从发光元件OLED发射的光中的一些的第一光L_E1穿过薄膜封装层TFE和第四绝缘层IS-IL1，并且可以倾斜地入射在第一高折射率平坦层HRF1上。
第一光L_E1可以穿过第一高折射率平坦层HRF1照射到第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1上，所有的第一光L_E1在第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1处由于第一低折射率平坦层LRF1的折射率与第一高折射率平坦层HRF1的折射率的差(或折射率比)而被反射(或全反射)，并且从第一低折射率平坦层LRF1反射的第一光L_E1可以是前表面发射的。因此，可以改善第一像素PX1(和显示装置DD)的光输出效率。
在实施例中，第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差可以是约0.2至0.4。即，第一高折射率平坦层HRF1的折射率可以比第一低折射率平坦层LRF1的折射率大大约0.2至0.4。例如，第一高折射率平坦层HRF1的折射率可以是约1.5或更大、约1.6至1.9或者约1.8。第一低折射率平坦层LRF1的折射率可以是约1.3至1.6或者约1.5。
在实施例中，第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1的倾斜角ANG_C1(或锥角)可以是约60度至85度或者约70度至75度。
在实施例中，第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以是约1μm至3μm、约1.5μm至2.5μm或者约1.8μm至2μm。
倾斜角ANG_C1可以通过第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差来确定。可以通过第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差来确定全反射的临界角，并且可以基于临界角和从发光元件OLED发射的第一光L_E1的发散方向(或发散角)来确定第一低折射率平坦层LRF1的倾斜角ANG_C1。倾斜角ANG_C1可以随着第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差增大而增大。
相似地，第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以由倾斜角ANG_C1来确定。第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以随着倾斜角ANG_C1增大而减小。
例如，当第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差为0.3时，用于全反射第一光L_E1的倾斜角ANG_C1(或最大倾斜角)可以是70度，第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以是约2μm。作为另一示例，当第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差为0.35时，用于全反射第一光L_E1的倾斜角ANG_C1(或最大倾斜角)通常可以是约75度，第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以是约1.8μm。
如参照图7和图8所述，第一低折射率平坦层LRF1可以在输入感测层ISL中形成在第二导电层IS-CL2上，使发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B暴露的孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1形成在第一低折射率平坦层LRF1中，第一高折射率平坦层HRF1可以完全设置在第一低折射率平坦层LRF1上。因此，倾斜入射在第一高折射率平坦层HRF1上的第一光L_E1被第一低折射率平坦层LRF1全反射，可以改善像素PX的光输出效率。
此外，如稍后将描述的，第一低折射率平坦层LRF1在输入感测层ISL中形成在第二导电层IS-CL2上，因此可以简化显示装置DD的制造工艺。
图9是示出在图1的显示装置上显示的图像的示例的图。
参照图1、图6和图9，第一图像IMAGE1和第二图像IMAGE2可以与图6中所示的第二区域A2对应。
第一图像IMAGE1和第二图像IMAGE2可以与对应于图5的线I-I’的第一像素PX1至第三像素PX3对应。
当显示装置DD不包括第一低折射率平坦层LRF1时，如第一图像IMAGE1中所示，由像素PX显示的点图像可以具有与图6中所示的第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的形状相同的形状。
当显示装置DD包括根据公开的实施例的第一低折射率平坦层LRF1和第一高折射率平坦层HRF1时，如第二图像IMAGE2中所示，由像素PX显示的点图像可以具有与第一低折射率平坦层LRF1的孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1的形状对应的形状。即，除了从第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B直接发射的光之外，还可以另外发射在孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1中被第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1全反射的光。
像素PX的光输出效率可以通过第一低折射率平坦层LRF1提高约10％至20％。
图10A至图10E是分阶段地示出制造包括在图8的显示装置中的输入感测层的方法的输入感测层的剖视图。为了便于描述，在图10A至图10E中，省略了薄膜封装层TFE的下部组件，即，省略了发光元件层LDL。
参照图10A，可以在薄膜封装层TFE上形成基体部分BS(或第二缓冲层)。基体部分BS可以用作缓冲层，并且可以由氮化硅(SiNx)形成。
可以在基体部分BS上形成第一连接部分CP1(或第一导电层IS-CL1(例如，参照图7))。例如，可以在基体部分BS上形成导电层，可以通过使导电层图案化来形成第一连接部分CP1。
参照图10B，可以在基体部分BS上形成第四绝缘层IS-IL1以覆盖第一连接部分CP1，可以通过光刻工艺来形成使第一连接部分CP1暴露的接触孔。
在此之后，参照图10C，可以在第四绝缘层IS-IL1上形成第一传感器部分SP1(或第二导电层IS-CL2(例如，参照图7))，第一传感器部分SP1的一部分可以通过第四绝缘层IS-IL1的接触孔与第一连接部分CP1接触。例如，可以在第四绝缘层IS-IL1上形成导电层，可以通过使导电层图案化来形成第一传感器部分SP1。
参照图10D，可以形成覆盖第一传感器部分SP1的第一低折射率平坦层LRF1。例如，可以在第一传感器部分SP1的整个表面上形成包括第一低折射率平坦层LRF1的有机层，可以在有机层上设置掩模，可以通过掩模使有机层部分地暴露于光，并且可以通过显影剂部分地去除有机层来形成第一低折射率平坦层LRF1。
在此之后，参照图10E，可以在第四绝缘层IS-IL1上形成第一高折射率平坦层HRF1以覆盖第一低折射率平坦层LRF1。
如参照图10A至图10E所述，可以通过仅增加形成覆盖第一传感器部分SP1的第一低折射率平坦层LRF1的工艺和形成第一高折射率平坦层HRF1的工艺，来制造具有改善的光输出效率的显示装置DD。特别地，在输入感测层ISL中需要覆盖第一传感器部分SP1的绝缘层(或平坦层)以保护第一传感器部分SP1不受外部影响的事实下，可以基本上仅通过增加形成第一低折射率平坦层LRF1的工艺(即，通过简化的制造工艺或使制造工艺最少化)来制造具有改善的光输出效率的显示装置DD。
图11是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的另一示例的剖视图。
参照图5、图7和图11，图11的显示装置DD与图7的显示装置DD的不同之处在于，图11的显示装置DD还包括抗反射层RPL。
由于包括在图11的显示装置DD中的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL、发光元件层LDL和输入感测层ISL分别与参照图7描述的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL、发光元件层LDL和输入感测层ISL基本上相同或相似，所以可以省略重复描述。
抗反射层RPL可以形成在输入感测层ISL上，并且可以包括透光层CFL(或者颜色转换层或滤色器层)、第二低折射率平坦层LRF2(或第三折射层)和第二高折射率平坦层HRF2(或第四折射层)。
透光层CFL可以包括黑色矩阵BM及滤色器CFR、CFG和CFB。
黑色矩阵BM可以具有与参照图5描述的第一传感器部分SP1类似的网格图案或网格结构，或者可以具有与参照图7描述的像素限定层PDL的开口部分OP对应的开口。黑色矩阵BM可以不与像素限定层PDL的开口部分OP叠置。
黑色矩阵BM的开口可以比像素限定层PDL的开口部分OP大或者与像素限定层PDL的开口部分OP相等。例如，在平面上，黑色矩阵BM的开口的面积可以比像素限定层PDL的开口部分OP的面积大，在平面上，像素PX之间的黑色矩阵BM的宽度可以比像素限定层PDL的宽度小。
滤色器CFR、CFG和CFB可以设置为覆盖黑色矩阵BM的开口。即，滤色器CFR、CFG和CFB可以设置在黑色矩阵BM和由黑色矩阵BM的开口暴露的第一高折射率平坦层HRF1上。滤色器CFR、CFG和CFB可以完全覆盖黑色矩阵BM。
例如，当黑色矩阵BM的至少一部分被滤色器CFR、CFG和CFB暴露或者稍后将描述的第二低折射率平坦层LRF2直接设置在黑色矩阵BM上时，光可能在滤色器CFR、CFG和CFB的侧壁与第二低折射率平坦层LRF2之间折射或反射，因此不会改善光输出效率，或者可能会降低光输出效率。因此，滤色器CFR、CFG和CFB可以完全覆盖黑色矩阵BM。
第二低折射率平坦层LRF2可以设置在透光层CFL上，并且可以与黑色矩阵BM叠置。
与参照图7描述的第一低折射率平坦层LRF1相似，第二低折射率平坦层LRF2可以包括辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2，辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(或网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB)一一对应。
在实施例中，辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2的尺寸可以分别比发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的尺寸大，并且可以分别比第一低折射率平坦层LRF1的孔ML_OPR1、ML_OPG1和ML_OPB1的尺寸大。
例如，第一辅助孔ML_OPR2的尺寸(平面上的宽度或面积)可以比第一像素PX1的第一发光区域PXA-R的尺寸大，并且可以比第一孔ML_OPR1的尺寸大。相似地，第二辅助孔ML_OPG2的尺寸可以比第二像素PX2的第二发光区域PXA-G的尺寸大，并且可以比第二孔ML_OPG1的尺寸大。第三辅助孔ML_OPB2的尺寸可以比第三像素PX3的第三发光区域PXA-B的尺寸大，并且可以比第三孔ML_OPB1的尺寸大。
第二低折射率平坦层LRF2可以在辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2中具有相对于透光层CFL倾斜的第二侧表面SS2。第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2可以关于第二高折射率平坦层HRF2构造成(例如，形成)全反射表面。
与第一低折射率平坦层LRF1相似，第二低折射率平坦层LRF2可以包括有机材料。
第二高折射率平坦层HRF2可以直接设置在第二低折射率平坦层LRF2和透光层CFL上。第二高折射率平坦层HRF2可以设置在透光层CFL的整个表面上。
第二高折射率平坦层HRF2可以具有比第二低折射率平坦层LRF2的折射率大的折射率。
与第一高折射率平坦层HRF1相似，第二高折射率平坦层HRF2可以包括有机材料。
对于第二低折射率平坦层LRF2和第二高折射率平坦层HRF2的描述可以参照图12。
图12是示出包括在图11的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。图12集中于基底SUB、发光元件层LDL、薄膜封装层TFE、输入感测层ISL和抗反射层RPL示意性地示出了与第一像素PX1对应的第一像素区域PXA1。
参照图8、图11和图12，除了抗反射层PRL之外，图12中示出的显示装置DD与图8的显示装置DD基本相同或相似，因此可以省略重复描述。
在实施例中，第二高折射率平坦层HRF2的折射率与第二低折射率平坦层LRF2的折射率之间的差可以小于或等于第一高折射率平坦层HRF1的折射率与第一低折射率平坦层LRF1的折射率之间的差。例如，第二高折射率平坦层HRF2的折射率与第二低折射率平坦层LRF2的折射率之间的差可以是约0.2至0.3，第二高折射率平坦层HRF2的折射率可以比第二低折射率平坦层LRF2的折射率大0.2至0.3。
在实施例中，第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2的第二倾斜角ANG_C2可以大于或等于第一低折射率平坦层LRF1的第一侧表面SS1的倾斜角ANG_C1。例如，第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2的第二倾斜角ANG_C2可以是约70度至85度或者约75度至80度。
入射在输入感测层ISL的第一低折射率平坦层LRF1上的第一光L_E1总体上可以因输入感测层ISL的第一低折射率平坦层LRF1而沿第三方向DR3反射。未入射在输入感测层ISL的第一低折射率平坦层LRF1上的第二光L_E2可以被第二低折射率平坦层LRF2反射。由于第二光L_E2具有比第一光L_E1的倾斜角相对大的倾斜角，所以第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2的第二倾斜角ANG_C2可以相对大。此外，由于第二低折射率平坦层LRF2的全反射的临界角相对小，所以第二高折射率平坦层HRF2的折射率与第二低折射率平坦层LRF2的折射率之间的差可以相对小。
在实施例中，第二低折射率平坦层LRF2的厚度H2可以小于或等于第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1，第二低折射率平坦层LRF2的厚度H2与第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1的总和可以是约1μm至3μm、约1.5μm至2.5μm或者约1.8μm至2μm。
图8的显示装置DD可以具有相对大的厚度，以通过使用一个第一低折射率平坦层LRF1大体上反射从发光元件OLED的上表面倾斜地发射的光(例如，以通过使用一个第一低折射率平坦层LRF1反射图12中所示的第二光L_E2)。可选地，图12的显示装置DD除了第一低折射率平坦层LRF1之外还包括抗反射层RPL的第二低折射率平坦层LRF2，因此第一低折射率平坦层LRF1的厚度H1可以相对小。
如参照图12所述，除了形成在输入感测层ISL中的光路控制结构(即，第一低折射率平坦层LRF1和第一高折射率平坦层HRF1)之外，显示装置DD还可以包括形成在抗反射层RPL中的光路控制结构(即，第二低折射率平坦层LRF2和第二高折射率平坦层HRF2)。因此，可以改善显示装置DD(或像素PX)的光输出效率。
图13是示出图1的显示装置的又一示例的剖视图。图13示出了与图11的显示装置对应的显示装置。图14是示出包括在图13的显示装置中的第一像素区域的示例的剖视图。
参照图11至图14，图13的显示装置DD与图11的显示装置DD的不同之处在于，图13的显示装置DD不包括输入感测层ISL。
由于包括在图13的显示装置DD中的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL、发光元件层LDL和抗反射层RPL分别与图11中示出的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL、发光元件层LDL和抗反射层RPL基本上相同或相似，所以可以省略重复描述。
抗反射层RPL可以形成在发光元件层LDL上，并且可以包括透光层CFL、第二低折射率平坦层LRF2和第二高折射率平坦层HRF2。
透光层CFL可以包括黑色矩阵BM以及滤色器CFR、CFG和CFB。
第二低折射率平坦层LRF2可以设置在透光层CFL上，并且可以与黑色矩阵BM叠置。
与参照图11描述的第二低折射率平坦层LRF2相似，第二低折射率平坦层LRF2可以包括辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2，辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2可以与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(或网格孔IS_OPR、IS_OPG和IS_OPB)一一对应。
在实施例中，辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2的尺寸可以分别比发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的尺寸大，并且可以分别比非发光区域NPXA中的黑色矩阵BM的尺寸大。
例如，第一辅助孔ML_OPR2的尺寸(平面上的宽度或面积)可以比第一像素PX1的第一发光区域PXA-R的尺寸大，并且可以比黑色矩阵BM的宽度大。
第二低折射率平坦层LRF2可以在辅助孔ML_OPR2、ML_OPG2和ML_OPB2中具有相对于透光层CFL倾斜的第二侧表面SS2。第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2可以关于第二高折射率平坦层HRF2构造成(例如，形成)全反射表面。
如图14中所示，作为从发光元件OLED发射的光中的一些的第二光L_E2可以穿过第二高折射率平坦层HRF2照射到第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2上，并且可以由于第二低折射率平坦层LRF2的折射率与第二高折射率平坦层HRF2的折射率的差(或折射率比)而在第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2处被全反射。
在实施例中，第二高折射率平坦层HRF2的折射率可以比第二低折射率平坦层LRF2的折射率大大约0.2至0.4。例如，第二高折射率平坦层HRF2的折射率可以是约1.5或更大、约1.6至1.9或者约1.8。第二低折射率平坦层LRF2的折射率可以是约1.3至1.6或者约1.5。
在实施例中，第二低折射率平坦层LRF2的第二侧表面SS2的第二倾斜角ANG_C2(或锥角)可以是约60度至85度或者约70度至75度。
在实施例中，第二低折射率平坦层LRF2的厚度H2可以是约1μm至3μm、约1.5μm至2.5μm或者约1.8μm至2μm。
由于折射率差、第二倾斜角ANG_C2和厚度H2之间的关系与参照图8描述的折射率差、第一倾斜角ANG_C1和厚度H1之间的关系基本上相同，因此可以省略重复描述。
如参照图13和图14所述，当显示装置DD不包括输入感测层ISL(例如，参照图11)时，光路控制结构(即，第二低折射率平坦层LRF2和第二高折射率平坦层HRF2)可以形成在抗反射层RPL中。因此，可以改善像素PX的光输出效率。
此外，与参照图10A至图10E描述的制造工艺相似，可以基本上仅通过增加形成第二低折射率平坦层LRF2的工艺和形成第二高折射率平坦层HRF2的工艺(即，通过简化的制造工艺或使制造工艺最少化)来制造具有改善的光输出效率的显示装置DD。
图15是示出沿图5的线I-I’和线II-II’截取的显示装置的又一示例的剖视图。
参照图11和图15，图15的显示装置DD与图11的显示装置DD的不同之处在于，输入感测层ISL不包括第一低折射率平坦层LRF1和第一高折射率平坦层HRF1。
由于包括在图15的显示装置DD中的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL和发光元件层LDL分别与图11中所示的基体层BL、缓冲层BFL、像素电路层PCL和发光元件层LDL基本相同或相似，所以可以省略重复描述。
输入感测层ISL可以设置在薄膜封装层TFE上。输入感测层ISL可以包括第二缓冲层BS、第一导电层IS-CL1、第四绝缘层IS-IL1、第二导电层IS-CL2和第五绝缘层IS-IL2。
由于第二缓冲层BS、第一导电层IS-CL1、第四绝缘层IS-IL1和第二导电层IS-CL2与图11中所示的第二缓冲层BS、第一导电层IS-CL1、第四绝缘层IS-IL1和第二导电层IS-CL2基本相同或相似，所以可以省略重复描述。
第五绝缘层IS-IL2可以设置在第二导电层IS-CL2和第四绝缘层IS-IL1上。第五绝缘层IS-IL2可以具有单层结构或多层结构。第五绝缘层IS-IL2可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
在实施例中，第五绝缘层IS-IL2可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。例如，第五绝缘层IS-IL2可以包括氧化硅。
如参照图15所述，显示装置DD可以仅包括形成在抗反射层RPL中的光路控制结构(即，第二低折射率平坦层LRF2和第二高折射率平坦层HRF2)。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域，层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，上面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、和“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(或另一些元件)或另一特征(或另一些特征)的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语还意图包含装置在使用中或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种取向。装置可以另外地定向(例如，旋转90度或处于其它取向)，并且应当相应地解释这里所使用的空间相对描述语。此外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里所使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(一种/一者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”以及它们的变型时，表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个项的任何组合和所有组合。
为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。
此外，当描述发明构思的实施例时，“可以”的使用表示“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”意图表示示例或举例说明。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“相邻”时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层、直接结合到所述另一元件或层或者与所述另一元件或层紧邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“紧邻”时，不存在中间元件或中间层。
如这里所使用的，术语“基本(基本上)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且意图解释将由本领域普通技术人员所认识到的测量值或计算值的固有偏差。
如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
此外，这里所记载的任何数值范围意图包括包含在所记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间(并且包括所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如以2.4至7.6为例。这里所记载的任何最大数值限度意图包括其中包含的所有较低数值限度，本说明书中所记载的任何最小数值限度意图包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确记载包含在这里明确记载的范围内的任何子范围的权利。所有这样的范围意图被固有地描述于本说明书中。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的合适的组合来实施这里所描述的根据本发明的实施例的显示装置和/或任何其它相关装置或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或分开的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施，或者形成在同一基底上。此外，显示装置的各种组件可以是进程或线程，所述进程或线程在一个或更多个计算装置中的在一个或更多个处理器上运行，执行计算机程序指令，并且与其它系统组件交互以执行这里所描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，所述存储器可以在使用标准存储器器件(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)的计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其它非暂态计算机可读介质(诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例)中。另外，本领域技术人员应当认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以遍及一个或更多个其它计算装置来分布。
公开的范围不限于说明书的具体实施方式中描述的细节，而是应当由权利要求及其等同物来确定。此外，将理解的是，从权利要求及其等同概念的含义和范围衍生的所有改变或修改都包括在公开的范围中。

Claims (23)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有发光区域；
发光元件层，包括位于所述发光区域中的发光元件；以及
感测层，位于所述发光元件层上，并且包括：感测电极，具有与所述发光区域叠置的第一开口；第一折射层，直接位于所述感测电极上，并且具有与所述发光区域叠置的第二开口；以及第二折射层，位于所述发光元件层和所述第一折射层上，所述第一折射层的第一光学折射率比所述第二折射层的第二光学折射率小。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件层还包括像素限定层，所述像素限定层具有限定所述发光区域的第三开口，并且
其中，所述发光元件定位在所述第三开口中。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光元件包括顺序地堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二开口在尺寸上比所述第三开口大，并且在尺寸上比所述第一开口小。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二折射层的所述第二光学折射率比所述第一折射层的所述第一光学折射率大0.2至0.4。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一折射层和所述第二折射层中的每个包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一折射层在所述第二开口处具有相对于所述发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，
其中，所述第一侧表面的第一倾斜角在60度至85度的范围内，并且
其中，所述第一倾斜角随着所述第一折射层的所述第一光学折射率与所述第二折射层的所述第二光学折射率之间的差增大而增大。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一折射层具有1μm至3μm的厚度，并且
其中，所述厚度随着所述第一倾斜角增大而减小。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口具有与所述第一开口的平面形状不同的平面形状。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一开口具有菱形的平面形状，并且
其中，所述第二开口具有圆形的平面形状。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，基于从所述发光元件发射的光的颜色来设定所述第二开口的尺寸。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括像素区域，并且
其中，所述像素区域中的每个包括所述发光区域。
13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
抗反射层，位于所述感测层上，并且包括：透光层，包括与所述发光区域叠置的滤色器；第三折射层，位于所述透光层上，并且包括与所述发光区域叠置的第四开口；以及第四折射层，位于所述透光层和所述第三折射层上，并且
其中，所述第三折射层的第三光学折射率比所述第四折射层的第四光学折射率小。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述透光层还包括不与所述发光区域叠置的黑色矩阵，
其中，所述滤色器覆盖所述黑色矩阵，并且
其中，所述第三折射层直接位于所述滤色器上。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第四折射层的所述第四光学折射率与所述第三折射层的所述第三光学折射率之间的差小于或等于所述第二折射层的所述第二光学折射率与所述第一折射层的所述第一光学折射率之间的差。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一折射层在所述第二开口处具有相对于所述发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，
其中，所述第三折射层在所述第四开口处具有相对于所述发光元件层的所述上表面倾斜的第二侧表面，并且
其中，所述第二侧表面的第二倾斜角大于或等于所述第一侧表面的第一倾斜角。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一折射层和所述第三折射层的总厚度在1μm至3μm的范围内。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有发光区域；
发光元件层，包括位于所述发光区域中的发光元件；以及
抗反射层，位于所述发光元件层上，并且包括：透光层，包括与所述发光区域叠置的滤色器；第一折射层，位于所述透光层上，并且具有与所述发光区域叠置的开口；以及第二折射层，位于所述透光层和所述第一折射层上，并且
其中，所述第一折射层的第一光学折射率比所述第二折射层的第二光学折射率小。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述透光层还包括不与所述发光区域叠置的黑色矩阵，
其中，所述滤色器覆盖所述黑色矩阵，并且
其中，所述第一折射层直接位于所述滤色器上。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二折射层的所述第二光学折射率比所述第一折射层的所述第一光学折射率大0.2至0.4。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一折射层和所述第二折射层中的每个包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一折射层在所述开口处具有相对于所述发光元件层的上表面倾斜的第一侧表面，所述第一侧表面的第一倾斜角在60度至85度的范围内，并且
其中，所述第一倾斜角随着所述第一折射层的所述第一光学折射率与所述第二折射层的所述第二光学折射率之间的差增大而增大。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第一折射层具有1μm至3μm的厚度，并且所述厚度随着所述第一倾斜角增大而减小。
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