KR20220120765A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220120765A
KR20220120765A KR1020210023792A KR20210023792A KR20220120765A KR 20220120765 A KR20220120765 A KR 20220120765A KR 1020210023792 A KR1020210023792 A KR 1020210023792A KR 20210023792 A KR20210023792 A KR 20210023792A KR 20220120765 A KR20220120765 A KR 20220120765A
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KR
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layer
disposed
reflection control
light emitting
absorber
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KR1020210023792A
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이미화
강석훈
심정묘
이경희
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층, 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지층, 및 상기 터치 감지층 상에 배치되며, 적어도 UV 흡수제를 포함하는 반사 조절층을 포함하며, 상기 UV 흡수제는 적어도 하나의 소수성기를 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다.
표시 장치는 표시 패널의 금속 배선들에 의해 외부 광이 반사되는 것을 줄이기 위해 표시 패널 상에 부착되는 편광판과 같은 반사 방지 부재를 포함한다. 최근에는 제조 비용을 절감하기 위해 편광판을 생략하면서 외부 광의 반사를 줄이고자 하는 연구가 계속되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정을 간소화하여 제조 비용을 절감할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층, 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지층, 및 상기 터치 감지층 상에 배치되며, 적어도 UV 흡수제를 포함하는 반사 조절층을 포함하며, 상기 UV 흡수제는 적어도 하나의 소수성기를 포함할 수 있다.
상기 반사 조절층은 염료 또는 안료 중 적어도 하나 이상을 포함하는 흡수 부재를 포함할 수 있다.
상기 UV 흡수제는 상기 적어도 하나의 소수성기가 결합된 모체를 포함하며, 상기 모체는 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계 및 옥사닐리드계 중 선택된 어느 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 소수성기는 알킬기 또는 플루오르 알킬기 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 알킬기는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
CH3-(CH2)m-
여기서, m은 12 이상의 정수이다.
상기 플루오르 알킬기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
CF3-(CF2)m-(CH2)n-
상기 m+n은 3 이상의 정수이다.
상기 UV 흡수제의 함량은 상기 반사 조절층에 대해 0.5 wt% 내지 5 wt%일 수 있다.
상기 UV 흡수제는 상기 반사 조절층 내에서 상기 터치 감지층으로부터 멀어질수록 농도가 증가되는 농도 구배를 가질 수 있다.
상기 터치 감지층과 상기 반사 조절층 사이에 배치되며, 패턴된 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층, 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 발광 소자층, 상기 발광 소자층 상에 배치되는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지층, 및 상기 터치 감지층 상에 배치되며, 적어도 UV 흡수제를 포함하는 반사 조절층을 포함하며, 상기 반사 조절층은 상기 터치 감지층으로부터 멀어질수록 상기 UV 흡수제의 농도가 증가되는 농도 구배를 가질 수 있다.
상기 반사 조절층은 상기 터치 감지층의 상면 전체에 배치될 수 있다.
상기 발광 소자층은 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 및 상기 공통 전극 상에 배치되는 광 흡수층을 포함할 수 있다.
상기 광 흡수층은 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 공통 전극과 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 및 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
상기 터치 감지층은 상기 제2 봉지 무기막 상에 배치되며, 구동 전극, 감지 전극 및 연결 전극을 포함할 수 있다.
상기 UV 흡수제는 모체 및 상기 모체에 결합된 적어도 하나의 소수성기가 결합된 모체를 포함하며, 상기 모체는 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계 및 옥사닐리드계 중 선택된 어느 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 소수성기는 알킬기 또는 플루오르 알킬기 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 알킬기는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
CH3-(CH2)m-
여기서, m은 12 이상의 정수이다.
상기 플루오르 알킬기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
CF3-(CF2)m-(CH2)n-
상기 m+n은 3 이상의 정수이다.
상기 UV 흡수제의 함량은 상기 반사 조절층에 대해 0.5 wt% 내지 5 wt%일 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 태양광에 의해 반사 조절층의 색감과 투과율이 변하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, UV 흡수제에 소수성기를 결합함으로써, 별도의 마스크 공정 없이 반사 조절층의 상부에 UV 흡수제를 형성할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조 비용을 절감하고 공정을 간소화할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 일 측면도이다.
도 4는 도 3의 터치 감지층의 일 예를 개략적으로 나타낸 레이아웃 도이다.
도 5는 도 4의 A 영역의 일 예를 상세히 나타낸 확대 평면도이다.
도 6은 도 5의 I-I'선을 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 반사 조절층을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 반사 조절층을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 반사 조절층의 UV 흡수제를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 일 실시예에 따른 반사 조절층의 제조 공정을 공정별로 나타낸 단면도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 13은 반사 조절층 샘플#1의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이다.
도 14는 반사 조절층 샘플#2의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이다.
도 15는 반사 조절층 샘플#3의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이다.
도 16은 반사 조절층 샘플#1의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 17은 반사 조절층 샘플#4의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 18은 반사 조절층 샘플#3의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 19는 반사 조절층 샘플#5의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 20은 반사 조절층 샘플#6의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 21은 반사 조절층 샘플#7의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 일 측면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기에 적용될 수 있다. 또는, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 또는 사물 인터넷(internet of things, IOT)의 표시부로 적용될 수 있다. 또는, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 적용될 수 있다. 또는, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 자동차의 계기판, 자동차의 센터페시아(center fascia), 자동차의 대쉬 보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 또는 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로서 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이에 적용될 수 있다.
표시 장치(10)는 유기 발광 다이오드를 이용하는 유기 발광 표시 장치, 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 표시 장치, 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 표시 장치, 및 초소형 발광 다이오드(micro or nano light emitting diode(micro LED or nano LED))를 이용하는 초소형 발광 표시 장치와 같은 발광 표시 장치일 수 있다. 이하에서는, 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치인 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동 회로(200), 표시 회로 보드(300), 및 터치 구동 회로(400)를 포함한다.
표시 패널(100)은 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 형성될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 코너(corner)는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 표시 패널(100)의 평면 형태는 사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 표시 패널(100)은 평탄하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 좌우측 끝단에 형성되며, 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 갖는 곡면부를 포함한다. 이외에, 표시 패널(100)은 구부러지거나, 휘어지거나, 벤딩되거나, 접히거나, 말릴 수 있도록 유연하게 형성될 수 있다.
표시 패널(100)은 메인 영역(MA)과 서브 영역(SBA)을 포함한다.
메인 영역(MA)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변 영역인 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 화소(도 5의 PX)들을 포함한다. 서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 제2 방향(Y축 방향)으로 돌출될 수 있다.
도 1과 도 2에서는 서브 영역(SBA)이 펼쳐진 것을 예시하였으나, 서브 영역(SBA)은 도 3과 같이 구부러질 수 있으며, 이 경우 표시 패널(100)의 하면 상에 배치될 수 있다. 서브 영역(SBA)이 구부러지는 경우, 기판(SUB)의 두께 방향(Z축 방향)에서 메인 영역(MA)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SBA)에는 표시 구동 회로(200)가 배치될 수 있다.
또한, 표시 패널(100)은 도 3과 같이 기판(SUB), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 봉지층(TFEL), 터치 감지층(SENL), 및 반사 조절층(RCL)을 포함한다.
기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 메인 영역(MA)과 서브 영역(SBA)에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 트랜지스터(도 6의 ST1)들을 포함한다.
발광 소자층(EML)은 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 메인 영역(MA)의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 발광부들에 배치되는 발광 소자들을 포함한다.
봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFEL)은 메인 영역(MA)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 봉지층(TFEL)은 발광 소자층을 봉지하기 위한 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함한다.
터치 감지층(SENL)은 봉지층(TFEL) 상에 배치될 수 있다. 터치 감지층(SENL)은 메인 영역(MA)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 터치 감지층(SENL)은 센서 전극들을 이용하여 사람 또는 물체의 터치를 감지할 수 있다.
반사 조절층(RCL)은 터치 감지층(SENL) 상에 배치될 수 있다. 반사 조절층(RCL)은 메인 영역(MA)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 반사 조절층(RCL)은 외부 광이 표시 패널(100)의 금속 배선들과 금속 전극들로부터 반사되는 것을 줄이기 위한 반사 방지 부재일 수 있다. 반사 조절층(RCL)의 자세한 설명은 후술하기로 한다.
반사 조절층(RCL) 상에는 표시 패널(100)의 상부를 보호하기 위한 커버 윈도우가 배치될 수 있다. 커버 윈도우는 OCA(optically clear adhesive) 필름 또는 OCR(optically clear resin) 같은 투명 접착 부재에 의해 반사 조절층(RCL) 상에 부착될 수 있다. 커버 윈도우는 유리와 같은 무기물일 수도 있고, 플라스틱 또는 고분자 재료와 같은 유기물일 수도 있다.
표시 구동 회로(200)는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 생성할 수 있다. 표시 구동 회로(200)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 표시 패널(100) 상에 부착될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 COF(chip on film) 방식으로 표시 회로 보드(300) 상에 부착될 수 있다.
표시 회로 보드(300)는 표시 패널(100)의 서브 영역(SBA)의 일 단에 부착될 수 있다. 이로 인해, 표시 회로 보드(300)는 표시 패널(100) 및 표시 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 패널(100)과 표시 구동 회로(200)는 표시 회로 보드(300)를 통해 디지털 비디오 데이터, 타이밍 신호들, 및 구동 전압들을 입력 받을 수 있다. 표시 회로 보드(300)는 연성 인쇄 회로 보드(flexible printed circuit board), 인쇄 회로 보드(printed circuit board) 또는 칩온 필름(chip on film)과 같은 연성 필름(flexible film)일 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 표시 회로 보드(300) 상에 배치될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 집적회로(IC)로 형성되어 표시 회로 보드(300) 상에 부착될 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 표시 패널(100)의 터치 감지층(SENL)의 센서 전극들에 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 터치 감지층(SENL)의 센서 전극들에 구동 신호들을 인가하고 센서 전극들의 상호 용량 값들을 측정한다. 구동 신호는 복수의 구동 펄스들을 갖는 신호일 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 상호 용량 값들에 따라 사용자의 터치 여부와 근접 여부 등을 판단할 수 있다. 사용자의 터치는 사용자의 손가락 또는 펜 등과 같은 물체가 터치 감지층(SENL) 상에 배치되는 표시 장치(10)의 일 면에 직접 접촉하는 것을 가리킨다. 사용자의 근접은 사용자의 손가락 또는 펜 등과 같은 물체가 표시 장치(10)의 일 면 상에서 떨어져 위치하는(hovering) 것을 가리킨다.
도 1 내지 도 3과 같이, 표시 패널(100)의 금속 배선들과 금속 전극들에 의해 외부 광이 반사되는 것을 줄이기 위해, 표시 패널(100)은 반사 조절층(RCL)을 포함한다. 이로 인해, 편광판과 같은 별도의 반사 방지 부재를 표시 패널(100) 상에 부착할 필요가 없으므로, 표시 장치(10)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 4는 도 3의 터치 감지층의 일 예를 개략적으로 나타낸 레이아웃 도이다.
도 4에서는 터치 감지층(SENL)의 센서 전극(SE)들이 두 종류의 전극들, 예를 들어 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들을 포함하며, 구동 전극(TE)들에 구동 신호를 인가한 후 감지 전극(RE)들을 통해 상호 정전 용량(mutual capacitance)에 충전된 전압을 감지하는 상호 정전 용량 방식으로 구동되는 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다.
도 4에서는 설명의 편의를 위해 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 더미 패턴(DE)들, 센서 배선들(TL1, TL2, RL), 및 센서 패드들(TP1, TP2)만을 도시하였다.
도 4를 참조하면, 터치 감지층(SENL)은 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 센서 영역(TSA)과 터치 센서 영역(TSA)의 주변에 배치되는 터치 주변 영역(TPA)을 포함한다. 터치 센서 영역(TSA)은 도 1 내지 도 3의 표시 영역(DA)에 중첩하고, 터치 주변 영역(TPA)은 도 1 내지 도 3의 비표시 영역(NDA)에 중첩할 수 있다.
터치 센서 영역(TSA)은 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 더미 패턴(DE)들을 포함한다. 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 물체 또는 사람의 터치를 감지하기 위해 상호 정전 용량을 형성하기 위한 전극들일 수 있다.
감지 전극(RE)들은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)으로 나란하게 배열될 수 있다. 감지 전극(RE)들은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)에서 인접한 감지 전극(RE)들은 서로 연결될 수 있다. 제2 방향(Y축 방향)에서 인접한 감지 전극(RE)들은 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
구동 전극(TE)들은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향)으로 나란하게 배열될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)에서 인접한 구동 전극(TE)들은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 구동 전극(TE)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(Y축 방향)에서 인접한 구동 전극(TE)들은 도 5와 같이 연결 전극(BE1)을 통해 서로 연결될 수 있다.
더미 패턴(DE)들 각각은 구동 전극(TE) 또는 감지 전극(RE)에 둘러싸일 수 있다. 더미 패턴(DE)들 각각은 구동 전극(TE) 또는 감지 전극(RE)과 전기적으로 분리될 수 있다. 더미 패턴(DE)들 각각은 구동 전극(TE) 또는 감지 전극(RE)과 떨어져 배치될 수 있다. 더미 패턴(DE)들 각각은 전기적으로 플로팅될 수 있다.
도 4에서는 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 더미 패턴(DE)들 각각이 마름모의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 더미 패턴(DE)들 각각은 마름모 이외의 다른 사각형, 사각형 이외의 다른 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다.
센서 배선들(TL1, TL2, RL)은 센서 주변 영역(TPA)에 배치될 수 있다. 센서 배선들(TL1, TL2, RL)은 감지 전극(RE)들에 연결되는 감지 배선(RL)들, 구동 전극(TE)들에 연결되는 제1 구동 배선(TL1)들과 제2 구동 배선(TL2)들을 포함한다.
터치 센서 영역(TSA)의 일 측에 배치된 감지 전극(RE)들은 감지 배선(RL)들에 일대일로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 4와 같이 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결된 감지 전극(RE)들 중 우측 끝에 배치된 감지 전극(RE)은 감지 배선(RL)에 연결될 수 있다. 감지 배선(RL)들은 제2 센서 패드(TP2)들에 일대일로 연결될 수 있다. 그러므로, 터치 구동 회로(330)는 감지 전극(RE)들에 전기적으로 연결될 수 있다.
터치 센서 영역(TSA)의 일 측에 배치된 구동 전극(TE)들은 제1 구동 배선(TL1)들에 일대일로 연결되고, 터치 센서 영역(TSA)의 타 측에 배치된 구동 전극(TE)들은 제2 구동 배선(TL2)들에 일대일로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 4와 같이 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결된 구동 전극(TE)들 중 하측 끝에 배치된 구동 전극(TE)은 제1 구동 배선(TL1)에 연결되며, 상측 끝에 배치된 구동 전극(TE)은 제2 구동 배선(TL2)에 연결될 수 있다. 제2 구동 배선(TL2)들은 터치 센서 영역(TSA)의 좌측 바깥쪽을 경유하여 터치 센서 영역(TSA)의 상측에서 구동 전극(TE)들에 연결될 수 있다.
제1 구동 배선(TL1)들과 제2 구동 배선(TL2)들은 제1 센서 패드(TP1)들에 일대일로 연결될 수 있다. 그러므로, 터치 구동 회로(330)는 구동 전극(TE)들에 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 전극(TE)들은 터치 센서 영역(TSA)의 양 측에서 구동 배선들(TL1, TL2)에 연결되어 터치 구동 신호를 입력 받으므로, 터치 구동 신호의 RC 지연(RC delay)으로 인해 터치 센서 영역(TSA)의 하측에 배치된 구동 전극(TE)들에 인가되는 터치 구동 신호와 터치 센서 영역(TSA)의 상측에 배치된 구동 전극(TE)들에 인가되는 터치 구동 신호 간에 차이가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제1 센서 패드(TP1)들이 배치되는 제1 센서 패드 영역(TPA1)은 표시 패드(DP)들이 배치되는 표시 패드 영역(DPA)의 일 측에 배치될 수 있다. 제2 센서 패드(TP2)들이 배치되는 제2 센서 패드 영역(TPA2)은 표시 패드 영역(DPA)의 타 측에 배치될 수 있다. 표시 패드(DP)들은 표시 패널(100)의 데이터 배선들에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 패드 영역(DPA), 제1 센서 패드 영역(TPA1), 및 제2 센서 패드 영역(TPA2)은 도 2에 도시된 표시 회로 보드(300)와 연결되는 표시 패널(100)의 패드들에 대응될 수 있다. 표시 패드(DP)들, 제1 센서 패드(TP1)들, 및 제2 센서 패드(TP2)들 상에는 표시 회로 보드(300)가 배치될 수 있다. 표시 패드(DP)들, 제1 센서 패드(TP1)들, 및 제2 센서 패드(TP2)들은 이방성 도전 필름 또는 SAP 등과 같은 저저항(低抵抗) 고신뢰성 소재를 이용하여 표시 회로 보드(300)에 전기적으로 연결될 수 있다. 그러므로, 표시 패드(DP)들, 제1 센서 패드(TP1)들, 및 제2 센서 패드(TP2)들은 표시 회로 보드(300) 상에 배치된 터치 구동 회로(400)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5는 도 4의 A 영역의 일 예를 상세히 나타낸 확대 평면도이다.
도 5를 참조하면, 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 동일한 층에 배치되므로, 서로 떨어져 배치될 수 있다. 즉, 서로 인접한 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 사이에는 갭(gap)이 형성될 수 있다.
또한, 더미 패턴(DE) 역시 구동 전극(TE)들 및 감지 전극(RE)들과 동일한 층에 배치될 수 있다. 즉, 서로 인접한 구동 전극(TE)과 더미 패턴(DE) 사이와 서로 인접한 감지 전극(RE)과 더미 패턴(DE) 사이에는 갭이 형성될 수 있다.
연결 전극(BE1)들은 구동 전극(TE)들 및 감지 전극(RE)들과 다른 층에 배치될 수 있다. 연결 전극(BE1)은 적어도 한 번 절곡되도록 형성될 수 있다. 도 5에서는 연결 전극(BE1)은 꺾쇠 형태("<" 또는 ">")를 갖는 것을 예시하였으나, 연결 전극(BE1)의 평면 형태는 이에 한정되지 않는다. 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극(TE)들이 복수 개의 연결 전극(BE1)들에 의해 연결되므로, 연결 전극(BE1)들 중 어느 하나가 단선되더라도, 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극(TE)들은 안정적으로 연결될 수 있다. 도 5에서는 서로 인접한 구동 전극(TE)들이 2 개의 연결 전극(BE1)들에 의해 연결되는 것을 예시하였으나, 연결 전극(BE1)들의 개수는 이에 한정되지 않는다.
연결 전극(BE1)은 기판(SUB)의 두께 방향인 제3 방향(Z축 방향)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극(TE)들에 중첩할 수 있다. 연결 전극(BE1)은 제3 방향(Z축 방향)에서 감지 전극(RE)과 중첩할 수 있다. 연결 전극(BE1)의 일 측은 터치 콘택홀(TCNT1)들을 통해 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극(TE)들 중 어느 한 구동 전극(TE)에 연결될 수 있다. 연결 전극(BE1)의 타 측은 터치 콘택홀(TCNT1)들을 통해 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극(TE)들 중 다른 구동 전극(TE)에 연결될 수 있다.
연결 전극(BE1)들로 인하여, 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들이 그들의 교차부들에서 전기적으로 분리될 수 있다. 이로 인해, 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들 사이에는 상호 정전 용량이 형성될 수 있다.
구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 연결 전극(BE1)들 각각은 메쉬 구조 또는 그물망 구조의 평면 형태를 가질 수 있다. 또한, 더미 패턴(DE)들 각각은 메쉬 구조 또는 그물망 구조의 평면 형태를 가질 수 있다. 이로 인해, 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 연결 전극(BE1)들, 및 더미 패턴(DE)들 각각은 화소(PX)들 각각의 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)과 중첩하지 않을 수 있다. 그러므로, 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)로부터 발광된 광이 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 연결 전극(BE1)들, 및 더미 패턴(DE)들에 의해 가려짐으로써, 광의 휘도가 감소되는 것을 방지할 수 있다.
화소(PX)들 각각은 제1 색의 광을 발광하는 제1 발광부(EA1), 제2 색의 광을 발광하는 제2 발광부(EA2), 제3 색의 광을 발광하는 제3 발광부(EA3), 및 제2 색의 광을 발광하는 제4 발광부(EA4)를 포함한다. 예를 들어, 제1 색은 적색이고, 제2 색은 녹색이며, 제3 색은 청색일 수 있다.
화소(PX)들 각각의 제1 발광부(EA1)와 제2 발광부(EA2)는 제4 방향(DR4)에서 서로 이웃하고, 제3 발광부(EA3)와 제4 발광부(EA4)는 제4 방향(DR4)에서 서로 이웃할 수 있다. 화소(PX)들 각각의 제1 발광부(EA1)와 제4 발광부(EA4)는 제5 방향(DR5)에서 서로 이웃하고, 제2 발광부(EA2)와 제3 발광부(EA3)는 제5 방향(DR5)에서 서로 이웃할 수 있다.
제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 각각이 마름모의 평면 형태 또는 직사각형의 평면 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 각각은 사각형 이외의 다른 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다. 또한, 도 5에서는 제3 발광부(EA3)의 면적이 가장 크고, 제2 발광부(EA2)와 제4 발광부(EA4)의 면적이 가장 작은 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 행들에 배치될 수 있다. 제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 행들 각각에서 제1 방향(X축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다. 제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 행들 각각에서 교대로 배열될 수 있다. 제2 발광부(EA2)들 각각은 제4 방향(DR4)의 단변과 제5 방향(DR5)의 장변을 갖는 반면에, 제4 발광부(EA4)들 각각은 제4 방향(DR4)의 장변과 제5 방향(DR5)의 단변을 가질 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향) 사이의 방향으로, 제1 방향(X축 방향) 대비 45도 기울어진 방향일 수 있다. 제5 방향(DR5)은 제4 방향(DR4)과 직교하는 방향일 수 있다.
제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 행들에 배치될 수 있다. 제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 행들 각각에서 제1 방향(X축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다. 제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 행들 각각에서 교대로 배치될 수 있다.
제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 열들에 배치될 수 있다. 제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 열들 각각에서 제2 방향(Y축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다. 제2 발광부(EA2)들과 제4 발광부(EA4)들은 홀수 열들 각각에서 교대로 배치될 수 있다.
제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 열들에 배치될 수 있다. 제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 열들 각각에서 제2 방향(Y축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다. 제1 발광부(EA1)들과 제3 발광부(EA3)들은 짝수 열들 각각에서 교대로 배치될 수 있다.
도 6은 도 5의 I-I'선을 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 나타낸 단면도이다. 도 7은 일 실시예에 따른 반사 조절층을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 8은 일 실시예에 따른 반사 조절층을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 9는 일 실시예에 따른 반사 조절층의 UV 흡수제를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 기판(SUB) 상에는 제1 버퍼막(BF1)이 배치될 수 있다. 기판(SUB)은 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 폴리이미드(polyimide)로 이루어질 수 있다. 기판(SUB)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
제1 버퍼막(BF1)은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터층(TFTL)의 트랜지스터들과 발광 소자층(EML)의 발광층(172)을 보호하기 위한 막이다. 제1 버퍼막(BF1)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 버퍼막(BF1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물, 알루미늄 산화물 중 어느 하나 이상의 무기물이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.
제1 버퍼막(BF1) 상에는 트랜지스터(ST1)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(ST1)는 액티브층(ACT1), 게이트 전극(G1), 소스 전극(S1), 및 드레인 전극(D1)을 포함한다.
제1 버퍼막(BF1) 상에는 트랜지스터(ST1)의 액티브층(ACT1), 소스 전극(S1), 및 드레인 전극(D1)이 배치될 수 있다. 트랜지스터(ST1)의 액티브층(ACT1)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함한다. 기판(SUB)의
두께 방향인 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(G1)과 중첩하는 액티브층(ACT1)은 채널 영역으로 정의될 수 있다. 소스 전극(S1)과 드레인 전극(D1)은 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(G1)과 중첩하지 않는 영역으로, 실리콘 반도체 또는 산화물 반도체에 이온 또는 불순물이 도핑되어 도전성을 가질 수 있다.
트랜지스터(ST1)의 액티브층(ACT1), 소스 전극(S1), 및 드레인 전극(D1) 상에는 게이트 절연막(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극(G1)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(G1)은 제3 방향(Z축 방향)에서 액티브층(ACT1)과 중첩할 수 있다. 게이트 전극(G1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
트랜지스터(ST1)의 게이트 전극(G1) 상에는 제1 층간 절연막(141)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연막(141)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물로 형성될 수 있다. 제1 층간 절연막(141)은 복수의 무기막으로 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(141) 상에는 커패시터 전극(CAE)이 배치될 수 있다. 커패시터 전극(CAE)은 제3 방향(Z축 방향)에서 제1 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극(G1)과 중첩할 수 있다. 제1 층간 절연막(141)이 소정의 유전율을 가지므로, 커패시터 전극(CAE), 게이트 전극(G1), 및 그들 사이에 배치된 제1 층간 절연막(141)에 의해 커패시터가 형성될 수 있다. 커패시터 전극(CAE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
커패시터 전극(CAE) 상에는 제2 층간 절연막(142)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연막(142)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물로 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(142)은 복수의 무기막으로 형성될 수 있다.
제2 층간 절연막(142) 상에는 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)이 배치될 수 있다. 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)은 게이트 절연막(130), 제1 층간 절연막(141), 및 제2 층간 절연막(142)을 관통하는 제1 연결 콘택홀(ANCT1)을 통해 트랜지스터(ST1)의 드레인 전극(D1)에 연결될 수 있다. 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제1 애노드 연결 전극(ANDE1) 상에는 트랜지스터(ST1)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 제1 평탄화막(160)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화막(160)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 평탄화막(160) 상에는 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)이 배치될 수 있다. 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)은 제1 평탄화막(160)을 관통하는 제2 연결 콘택홀(ANCT2)을 통해 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)에 연결될 수 있다. 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제2 애노드 연결 전극(ANDE2) 상에는 제2 평탄화막(180)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화막(180)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제2 평탄화막(180) 상에는 발광 소자(LEL)와 뱅크(190)가 배치될 수 있다. 발광 소자(LEL)들 각각은 화소 전극(171), 발광층(172), 및 공통 전극(173)을 포함한다.
화소 전극(171)은 제2 평탄화막(180) 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(171)은 제2 평탄화막(180)을 관통하는 제3 연결 콘택홀(ANCT3)을 통해 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)에 연결될 수 있다.
발광층(172)을 기준으로 공통 전극(173) 방향으로 발광하는 상부 발광(top emission) 구조에서 화소 전극(171)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO(Indium Tin Oxide)의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
뱅크(190)는 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(도 5의 EA4)를 정의하기 위해, 제2 평탄화막(180) 상에서 화소 전극(171)을 구획하도록 형성될 수 있다. 뱅크(190)는 화소 전극(171)의 가장자리를 덮도록 배치될 수 있다. 뱅크(190)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 각각은 화소 전극(171), 발광층(172), 및 공통 전극(173)이 순차적으로 적층되어 화소 전극(171)으로부터의 정공과 공통 전극(173)으로부터의 전자가 발광층(172)에서 서로 결합함으로써 발광하는 영역을 나타낸다.
화소 전극(171)과 뱅크(190) 상에는 발광층(172)이 배치될 수 있다. 발광층(172)은 유기 물질을 포함하여 소정의 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 발광층(172)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 물질층, 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함한다.
공통 전극(173)은 발광층(172) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(173)은 발광층(172)을 덮도록 배치될 수 있다. 공통 전극(173)은 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(도 5의 EA4)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 공통 전극(173) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
상부 발광 구조에서 공통 전극(173)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 공통 전극(173)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
발광 소자층(EML)은 공통 전극(173) 상에 배치되는 광 흡수층(LAL)을 포함할 수 있다. 광 흡수층(LAL)은 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(도 5의 EA4)에 대응하는 공통 전극(173) 상에 각각 배치될 수 있다. 광 흡수층(LAL)은 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(도 5의 EA4) 각각에 배치되되 서로 이격되어 배치될 수 있다. 광 흡수층(LAL)은 광을 흡수하여 외광의 반사을 줄일 수 있다. 광 흡수층(LAL)은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈럼(Ta), 구리(Cu), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt) 또는 이테르븀(Yb) 등을 들 수 있다. 금속 산화물은 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 이트륨 산화물, 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 납 산화물 또는 텅스텐 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 광 흡수층(LAL)은 실리콘 질화물, 리튬 불화물, 칼슘 불화물, 마그네슘 불화물, 카드뮴 황화물 등을 포함할 수도 있다.
발광 소자층(EML) 상에는 봉지층(TFEL)이 배치될 수 있다. 봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 적어도 하나의 무기막을 포함한다. 또한, 봉지층(TFEL)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하기 위해 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지층(TFEL)은 제1 봉지 무기막(TFE1), 봉지 유기막(TFE2), 및 제2 봉지 무기막(TFE3)을 포함한다.
제1 봉지 무기막(TFE1)은 광 흡수층(LAL) 및 공통 전극(173) 상에 배치되고, 봉지 유기막(TFE2)은 제1 봉지 무기막(TFE1) 상에 배치되며, 제2 봉지 무기막(TFE3)은 봉지 유기막(TFE2) 상에 배치될 수 있다. 제1 봉지 무기막(TFE1)과 제2 봉지 무기막(TFE3)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물 중 어느 하나 이상의 무기물이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 봉지 유기막(TFE2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막일 수 있다.
봉지층(TFEL) 상에는 터치 감지층(SENL)이 배치될 수 있다. 터치 감지층(SENL)은 제2 버퍼막(BF2), 연결 전극(BE1), 제1 터치 절연막(TINS1), 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 제2 터치 절연막(TINS2)을 포함한다.
제2 버퍼막(BF2)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물로 형성될 수 있다. 제2 버퍼막(BF2) 상에는 연결 전극(BE1)이 배치될 수 있다. 연결 전극(BE1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
연결 전극(BE1) 상에는 제1 터치 절연막(TINS1)이 배치된다. 제1 터치 절연막(TINS1)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질산화물, 티타늄 산화물 또는 알루미늄 산화물로 형성될 수 있다. 또는, 제1 터치 절연막(TINS1)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 터치 절연막(TINS1) 상에는 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE)이 배치될 수 있다. 또한, 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE)뿐만 아니라, 도 4에 도시된 더미 패턴(DE)들, 제1 구동 배선(TL1)들, 제2 구동 배선(TL2)들, 및 감지 배선(RL)들은 제1 터치 절연막(TINS1) 상에 배치될 수 있다.
구동 전극(TE)과 감지 전극(RE)은 제3 방향(Z축 방향)에서 연결 전극(BE1)과 중첩할 수 있다. 구동 전극(TE)은 제1 터치 절연막(TINS1)을 관통하는 터치 콘택홀(TCNT1)을 통해 연결 전극(BE1)과 연결될 수 있다. 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE)은 외부로부터 입사된 광이 반사되는 것을 줄이기 위한 저반사층을 포함할 수 있다.
구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 상에는 제2 터치 절연막(TINS2)이 형성된다. 제2 터치 절연막(TINS2)은 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 연결 전극(BE1)으로 인해 형성된 단차를 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 제2 터치 절연막(TINS2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
터치 감지층(SENL) 상에는 반사 조절층(RCL)이 배치될 수 있다. 반사 조절층(RCL)은 터치 감지층(SENL)의 상면 전체에 직접 배치될 수 있다. 반사 조절층(RCL)은 적어도 표시 영역(DA) 전체에 중첩하여 배치될 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에도 중첩하여 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 반사 조절층(RCL)은 외부로부터 입사되는 광을 흡수하여 반사되는 광을 줄이는 역할을 할 수 있다. 반사 조절층(RCL)은 광을 흡수하기 위해, 흡수 부재(LAM)가 혼합된 베이스 물질(MTX)을 포함할 수 있다.
베이스 물질(MTX)은 반사 조절층(RCL)의 메인 물질로, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
흡수 부재(LAM)는 외부로부터 입사되는 광을 흡수하기 위한 흡수 부재일 수 있다. 흡수 부재(LAM)는 외부로부터 입사되는 광 중 일부 파장 대의 광을 선택적으로 흡수할 수 있다. 예를 들어, 흡수 부재(LAM)는 제1 파장 범위, 제2 파장 범위, 및 제3 파장 범위의 광은 투과시키고 그 외의 파장 범위를 선택적으로 흡수할 수 있다. 여기서, 제1 파장 범위의 광은 녹색에 해당하는 광일 수 있고, 제2 파장 범위는 청색에 해당하는 광일 수 있으며, 제3 파장 범위의 광은 적색에 해당하는 광일 수 있다.
흡수 부재(LAM)는 염료를 포함할 수 있다. 염료는 예를 들어, 테트라아자포피린(Tetraazaporphyrin)계, 계열, 포피린(Porphyrin)계, 옥사진(Oxazine)계, 스쿠아릴리움(Squarylium)계, 트리아릴메탄(Triarylmethane)계, 폴리메틴 시아닌(Polymethine(Cyanine))계, 안트라퀴논(Anthraquinone)계, 프탈로시아닌(Phthalocyanine)계, 아조(Azo)계, 퍼릴렌(Perylene)계, 크산텐(Xanthene)계 또는 디이모늄(Diimmonium)계, 디피로메텐(Dipyrromethene)계 중 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며, 흡수 부재(LAM)는 안료를 포함할 수도 있고, 염료와 안료를 모두 포함할 수도 있다. 또한, 흡수 부재(LAM)가 염료를 1종 이상 포함하는 경우 광 흡수 성능이 크게 향상될 수 있다. 흡수 부재(LAM)는 상술한 염료 또는 안료 외에 선택된 파장 범위의 광을 흡수할 수 있는 재료들이라면 모두 사용 가능하다.
흡수 부재(LAM)는 원하는 파장 범위의 광을 흡수하기 위해, 반사 조절층(RCL)에 대해 0.001 wt% 내지 5 wt% 범위로 포함될 수 있다.
일 실시예에 따른 반사 조절층(RCL)은 상술한 베이스 물질(MTX) 및흡수 부재(LAM)를 포함하되, UV 흡수제(UAM)를 더 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, UV 흡수제(UAM)는 태양광에 의한 반사 조절층(RCL)의 데미지를 저감하기 위한 것으로, UV를 흡수하는 역할을 할 수 있다. 표시 장치(10)가 태양광에 노출되면 반사 조절층(RCL)의 반사 색감이 레디쉬(reddish)하게 변하여 표시 장치(10)에서 방출하는 광의 색감이 변하고 광의 투과율이 변하게 된다. 따라서, 일 실시예에서는 반사 조절층(RCL)에 UV 흡수제(UAM)를 포함하여 태양광에 의한 데미지를 저감할 수 있다.
일 실시예에서는 반사 조절층(RCL) 내에서 상부에 UV 흡수제(UAM)가 배치되도록 형성하기 위해, UV 흡수제(UAM)는 적어도 하나의 소수성기(US)를 포함할 수 있다. UV 흡수제(UAM)가 반사 조절층(RCL)의 상부에 배치되면, 태양광은 반사 조절층(RCL)의 상부에 입사되는 태양광의 UV를 효과적으로 흡수할 수 있다.
일 실시예에 따른 UV 흡수제(UAM)는 모체(UM)와 모체(UM)에 결합된 적어도 하나의 소수성기(US)를 포함할 수 있다.
모체(UM)는 UV를 흡수할 수 있는 화합물들로, 예를 들어, 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계 및 옥사닐리드계 중 선택된 어느 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 소수성기(US)는 알킬기 또는 플루오르 알킬기 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 소수성기(US)가 알킬기를 포함하는 경우, 알킬기는 적어도 탄소수 13개 이상을 포함할 수 있다. 알킬기는 체인 형태로 이루어질 수 있다. 알킬기가 탄소수 13개 이상을 포함하면 소수성을 증가시킬 수 있다. 알킬기는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
CH3-(CH2)m-
여기서, m은 12 이상의 정수이다.
또한, 소수성기(US)는 플루오린(F)을 포함하는 알킬기를 포함할 수 있다. 플루오린(F)을 포함하는 알킬기는 플루오르 알킬기일 수 있다. 여기서, 플루오르 알킬기는 알킬기의 수소가 적어도 하나 이상 치환된 것을 의미할 수 있다. 플루오르 알킬기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
CF3-(CF2)m-(CH2)n-
여기서, 상기 m+n은 3 이상의 정수이다.
플루오르 알킬기의 예로는 하기와 같으나, 이에 제한되지 않으며 상기 화학식으로 표시되는 플루오르 알킬기는 모두 적용할 수 있다.
Figure pat00001
상기 m과 n은 각각 1 이상의 정수이다.
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
소수성기(US)가 결합된 UV 흡수제(UAM)는 예를 들어 다음과 같은 화학식들로 표시될 수 있다.
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
상기 R1은 수소 또는 알킬기이다.
상술한 소수성기(US)가 결합된 UV 흡수제(UAM)는 베이스 물질(MTX) 내에 흡수 부재(LAM)와 함께 혼합되어 반사 조절층(RCL)을 구성할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 흡수 부재(LAM)는 베이스 물질(MTX) 내에 고르게 분산되어 배치될 수 있다. 반면, UV 흡수제(UAM)는 도 8에 도시된 바와 같이, 베이스 물질(MTX) 내에서 반사 조절층(RCL)의 하부에서 상부로 갈수록 농도가 증가되는 농도 구배를 가지도록 배치될 수 있다.
도 10 및 도 11은 일 실시예에 따른 반사 조절층의 제조 공정을 공정별로 나타낸 단면도이다.
도 10을 참조하면, 베이스 물질(MTX), 흡수 부재(LAM), 및 소수성기가 결합된 UV 흡수제(UAM)를 용매에 소정 함량으로 혼합한 후, 터치 감지층(SENL) 상에 용액 공정으로 코팅하여 반사 조절층(RCL)을 형성한다. UV 흡수제(UAM)는 반사 조절층(RCL)에 대해 0.5wt% 내지 5wt%의 범위로 혼합될 수 있다. 코팅 직후에는 반사 조절층(RCL) 내에서 베이스 물질(MTX), 흡수 부재(LAM) 및 UV 흡수제(UAM)가 고르게 분산될 수 있다.
이어, 도 11을 참조하면, 반사 조절층(RCL)에 1차 열처리를 수행하여 용매를 제거한다. 1차 열처리는 100도 이하의 온도에서 수 초 내지 수십 초 동안 수행될 수 있다. 이때, 용매가 휘발됨과 동시에 소수성기가 결합된 UV 흡수제(UAM)는 소수성기에 의해 반사 조절층(RCL) 내에 상부로 떠오르게 된다. 따라서, UV 흡수제(UAM)는 반사 조절층(RCL) 내에서 상부로 갈수록 농도가 증가되는 농도 구배를 가질 수 있다. 즉, UV 흡수제(UAM)는 반사 조절층(RCL) 내에서 터치 감지층(SENL)으로부터 멀어질수록 농도가 증가되는 농도 구배를 가질 수 있다.
용매가 완전히 제거되면 베이스 물질(MTX)이 반사 조절층(RCL)의 몸체로 이루어지게 되고, 흡수 부재(LAM)는 베이스 물질(MTX) 내에서 고르게 분산된 상태로 배치된다. 이후, 100도 이상의 온도에서 수 분 내지 수십 분 동안 2차 열처리를 수행하여 최종적으로 반사 조절층(RCL)을 형성한다.
상술한 바와 같이, 일 실시예에서는 UV 흡수제(UAM)에 소수성기를 결합함으로써, 별도의 마스크 공정 없이 반사 조절층(RCL)의 상부에 UV 흡수제(UAM)를 형성할 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)의 제조 비용을 절감하고 공정을 간소화할 수 있다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 12를 참조하면, 표시 장치(10)는 터치 감지층(SENL)과 반사 조절층(RCL) 사이에 패턴된 블랙 매트릭스(BM)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 블랙 매트릭스(BM)를 더 포함한다는 점에서 상술한 실시예와 차이가 있다. 이하, 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이가 있는 구성에 대해 설명하기로 한다.
터치 감지층(SENL)과 반사 조절층(RCL) 사이에 패턴된 블랙 매트릭스(BM)가 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 광을 흡수하여 각 발광부(EA1, EA2, EA3, EA4)들 간의 광이 혼합되어 혼색되는 것을 방지하고 각 발광부(EA1, EA2, EA3, EA4)들을 구획할 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 각 발광부(EA1, EA2, EA3, EA4)들과 대응한 개구부들을 포함하여 패턴된 형상으로 이루어지며, 예를 들어 메쉬 형상으로 이루어질 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 뱅크(190)와 중첩할 수 있다.
본 실시예에서는, 터치 감지층(SENL)과 반사 조절층(RCL) 사이에 패턴된 블랙 매트릭스(BM)를 더 포함함으로써, 반사 조절층(RCL)에서 일부 광을 흡수하여 반사율을 낮추고 블랙 매트릭스(BM)에서도 일부 광을 흡수하여 반사율을 더욱 낮출 수 있다.
이하, 제조예 및 실험예를 통해 실시예들에 대해 더욱 구체적으로 설명한다.
<제조예 1: 반사 조절층의 제조1>
용매에 아크릴 수지, 및 흡수 부재를 혼합하여 코팅하고, 1차 및 2차 열처리를 통해 반사 조절층 샘플#1을 제조하였다. 반사 조절층 샘플#1에 하기 UV 흡수제#1을 1.5 wt%로 혼합하여 반사 조절층 샘플#2를 제조하였고, 하기 UV흡수제#2를 1.5 wt%로 혼합하여 반사 조절층 샘플#3을 제조하였다.
Figure pat00010
<UV 흡수제#1>
Figure pat00011
<UV 흡수제#2>
<실험예 1: 물의 접촉각 측정>
반사 조절층 샘플#1, #2, 및 #3 각각의 표면에 물을 떨어뜨려 접촉각을 측정하였다. 도 13은 반사 조절층 샘플#1의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이고, 도 14는 반사 조절층 샘플#2의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이며, 도 15는 반사 조절층 샘플#3의 물의 접촉각을 나타낸 이미지이다.
도 13 내지 도 15를 참조하면, 반사 조절층 샘플#1의 물의 접촉각은 76도로 나타났고, 반사 조절층 샘플#2의 물의 접촉각은 81도로 나타났으며, 반사 조절층 샘플#3의 물의 접촉각은 89도로 나타났다.
즉, 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함하지 않은 반사 조절층 샘플#1과 비교하여, 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함하되 소수성기의 탄소수가 증가될수록 물의 접촉각이 증가되는 것으로 나타났다.
이를 통해, 일 실시예에서 탄소 체인이 긴 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함함으로써, 반사 조절층 내에서 UV 흡수제가 소수성으로 인해 상부에 집중되도록 형성할 수 있음을 알 수 있다.
<제조예 2: 반사 조절층의 제조2>
상기 반사 조절층 샘플#1에 소수성기가 없는 벤조티아졸계 UV 흡수제를 1.5 wt%로 혼합하여 반사 조절층 샘플#4를 제조하였다. 또한, 아크릴 수지 대신에 폴리이미드 수지를 사용한 것만을 달리하여 상기 반사 조절층 샘플#1과 동일한 조건으로 반사 조절층 샘플#5를 제조하였다. 아크릴 수지 대신에 폴리이미드 수지를 사용한 것만을 달리하여 상기 반사 조절층 샘플#4와 동일한 조건으로 반사 조절층 샘플#6을 제조하였다. 아크릴 수지 대신에 폴리이미드 수지를 사용한 것만을 달리하여 상기 반사 조절층 샘플#3과 동일한 조건으로 반사 조절층 샘플#7을 제조하였다.
<실험예2: 반사 조절층의 자외선-가시광선 스펙트럼 측정>
반사 조절층 샘플#1, #3, #4, #5, #6, 및 #7 각각의 초기의 자외선-가시광선 스펙트럼을 측정하고, 상온에서 NVF403 태양광 램프(필립스사)를 이용하여 80 시간 동안 광을 조사한 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 측정하였다.
도 16은 반사 조절층 샘플#1의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 17은 반사 조절층 샘플#4의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 18은 반사 조절층 샘플#3의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 19는 반사 조절층 샘플#5의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 20은 반사 조절층 샘플#6의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 21은 반사 조절층 샘플#7의 초기 및 80시간 후의 자외선-가시광선 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 16을 참조하면, UV 흡수제가 없는 반사 조절층 샘플#1은 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 13.9%로 나타났다. 도 17을 참조하면, UV 흡수제가 균일하게 혼합된 반사 조절층 샘플#4는 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 7.9%로 나타났다. 도 18을 참조하면, 소수성기를 가진 UV 흡수제가 혼합된 반사 조절층 샘플#3은 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 2.1%로 나타났다. 여기서, 투과율의 최소값은 약 600nm대 파장에서의 투과율을 의미할 수 있다.
도 16 내지 도 18의 자외선-가시광선 스펙트럼을 통해, 아크릴 수지를 베이스 물질로 포함하는 반사 조절층은 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#4가 UV 흡수제를 포함하지 않은 반사 조절층 샘플#1보다 투과율의 변화가 저감되었다. 또한, 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#3이 소수성기가 없는 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#4보다 투과율의 변화가 저감되었다.
또한, 도 19를 참조하면, UV 흡수제가 없는 반사 조절층 샘플#5는 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 47.0%로 나타났다. 도 20을 참조하면, UV 흡수제가 균일하게 혼합된 반사 조절층 샘플#6은 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 10.3%로 나타났다. 도 21을 참조하면, 소수성기를 가진 UV 흡수제가 혼합된 반사 조절층 샘플#7은 초기와 80 시간 후의 투과율의 최소값의 변화량이 약 2.7%로 나타났다.
도 19 내지 도 21의 자외선-가시광선 스펙트럼을 통해, 폴리이미드를 베이스 물질로 포함하는 반사 조절층은 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#6이 UV 흡수제를 포함하지 않은 반사 조절층 샘플#5보다 투과율의 변화가 저감되었다. 또한, 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#7이 소수성기가 없는 UV 흡수제를 포함한 반사 조절층 샘플#6보다 투과율의 변화가 저감되었다.
이를 통해, 소수성기를 가진 UV 흡수제를 포함하여 반사 조절층의 상부에 UV 흡수제가 분포되도록 형성함으로써, 태양광에 의한 광의 투과율 변화를 저감할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 SUB: 기판
TFTL: 박막 트랜지스터층 EML: 발광 소자층
TFEL: 봉지층 SENL: 터치 감지층
RCL: 반사 조절층 LAM: 흡수 부재
MTX: 베이스 물질 UAM: UV 흡수제
UM: 모체 US: 소수성기

Claims (20)

  1. 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층;
    상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지층; 및
    상기 터치 감지층 상에 배치되며, 적어도 UV 흡수제를 포함하는 반사 조절층을 포함하며,
    상기 UV 흡수제는 적어도 하나의 소수성기를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 조절층은 염료 또는 안료 중 적어도 하나 이상을 포함하는 흡수 부재를 포함하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 흡수제는 상기 적어도 하나의 소수성기가 결합된 모체를 포함하며,
    상기 모체는 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계 및 옥사닐리드계 중 선택된 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소수성기는 알킬기 또는 플루오르 알킬기 중 어느 하나 이상을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 알킬기는 하기 화학식 1로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1]
    CH3-(CH2)m-
    여기서, m은 12 이상의 정수이다.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 플루오르 알킬기는 하기 화학식 2로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 2]
    CF3-(CF2)m-(CH2)n-
    상기 m+n은 3 이상의 정수이다.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 흡수제의 함량은 상기 반사 조절층에 대해 0.5 wt% 내지 5 wt%인 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 UV 흡수제는 상기 반사 조절층 내에서 상기 터치 감지층으로부터 멀어질수록 농도가 증가되는 농도 구배를 가지는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 감지층과 상기 반사 조절층 사이에 배치되며, 패턴된 블랙 매트릭스를 더 포함하는 표시 장치.
  10. 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터층;
    상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 발광 소자층;
    상기 발광 소자층 상에 배치되는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되는 터치 감지층; 및
    상기 터치 감지층 상에 배치되며, 적어도 UV 흡수제를 포함하는 반사 조절층을 포함하며,
    상기 반사 조절층은 상기 터치 감지층으로부터 멀어질수록 상기 UV 흡수제의 농도가 증가되는 농도 구배를 가지는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 반사 조절층은 상기 터치 감지층의 상면 전체에 배치되는 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 소자층은 상기 박막 트랜지스터층 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 및 상기 공통 전극 상에 배치되는 광 흡수층을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 광 흡수층은 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 공통 전극과 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 및 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 터치 감지층은 상기 제2 봉지 무기막 상에 배치되며, 구동 전극, 감지 전극 및 연결 전극을 포함하는 표시 장치.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 UV 흡수제는 모체 및 상기 모체에 결합된 적어도 하나의 소수성기가 결합된 모체를 포함하며,
    상기 모체는 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 살리실레이트계, 시아노아크릴레이트계 및 옥사닐리드계 중 선택된 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소수성기는 알킬기 또는 플루오르 알킬기 중 어느 하나 이상을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 알킬기는 하기 화학식 1로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 1]
    CH3-(CH2)m-
    여기서, m은 12 이상의 정수이다.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 플루오르 알킬기는 하기 화학식 2로 표시되는 표시 장치.
    [화학식 2]
    CF3-(CF2)m-(CH2)n-
    상기 m+n은 3 이상의 정수이다.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 UV 흡수제의 함량은 상기 반사 조절층에 대해 0.5 wt% 내지 5 wt%인 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3954066B2 (ja) * 2004-02-25 2007-08-08 松下電器産業株式会社 バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法
KR102363844B1 (ko) * 2017-07-14 2022-02-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 표시 장치
KR102448435B1 (ko) * 2017-09-29 2022-10-04 삼성디스플레이 주식회사 입력감지유닛, 입력감지유닛의 제조 방법, 및 입력감지유닛을 구비한 표시장치
KR102604051B1 (ko) * 2018-10-16 2023-11-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102600934B1 (ko) * 2018-11-23 2023-11-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 패널 및 터치 디스플레이 장치
KR102670355B1 (ko) * 2018-12-28 2024-05-28 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR20210004006A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

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