CN117915717A - 显示设备 - Google Patents
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- CN117915717A CN117915717A CN202311339238.2A CN202311339238A CN117915717A CN 117915717 A CN117915717 A CN 117915717A CN 202311339238 A CN202311339238 A CN 202311339238A CN 117915717 A CN117915717 A CN 117915717A
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 22
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 586
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 59
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- 101100168701 Coffea arabica CS4 gene Proteins 0.000 description 23
- 101150055479 MTL1 gene Proteins 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 21
- 101100168695 Coffea arabica CS3 gene Proteins 0.000 description 18
- 101100329510 Coffea canephora MTL2 gene Proteins 0.000 description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 125000006746 (C1-C60) alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000006743 (C1-C60) alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 101100292356 Caenorhabditis elegans mtl-2 gene Proteins 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229940067265 pigment yellow 138 Drugs 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000006744 (C2-C60) alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000006745 (C2-C60) alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006751 (C6-C60) aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006752 (C6-C60) arylthio group Chemical group 0.000 description 2
- 101100402795 Caenorhabditis elegans mtl-1 gene Proteins 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001717 carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N lead dioxide Inorganic materials O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHXWECHPYNPJRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxycyclobut-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC(=O)C1 IHXWECHPYNPJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N dipyrrin Chemical compound C=1C=CNC=1C=C1C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
本申请涉及显示设备,所述显示设备包括:第一发光元件,所述第一发光元件实现第一发射区域;第二发光元件,所述第二发光元件实现第二发射区域;低反射层,所述低反射层在所述第一发光元件和所述第二发光元件上;触摸感测层,所述触摸感测层包括重叠所述第二发射区域的第一开口的第一触摸绝缘层和包括重叠所述第一开口的第二开口的第二触摸绝缘层;光阻挡层,所述光阻挡层在所述触摸感测层上并且包括对应于所述第一发射区域的第三开口和对应于所述第二发射区域的第四开口;以及反射调节层,其中所述反射调节层的折射率高于所述第二触摸绝缘层的折射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年10月17日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0133613号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容通过援引并入本文。
技术领域
一个或多于一个的实施方案的方面涉及显示设备。
背景技术
因为有机发光显示设备具有自发光特性,并且与液晶显示设备相反,不需要单独的光源,所以有机发光显示设备的厚度和重量可以相对减小。此外,有机发光显示设备具有相对高品质的特性,例如相对低的功耗、相对高的亮度、相对高的响应速度等。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多于一个的实施方案的方面涉及显示设备,并且例如,涉及具有相对改善的可见度的显示设备。
在一些可替代系统中的显示设备可能由于外部光反射而具有降低的或受损的可见度。
根据一些实施方案,通过在显示元件上包括低反射层和反射调节层,显示设备可以具有相对改善的可见度。然而,此类特性仅是实例,并且根据本公开内容的实施方案不限于此。
其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
根据一个或多于一个的实施方案,显示设备包括:第一发光元件,所述第一发光元件在衬底上并且通过发射第一波长带中的光来实现第一发射区域;第二发光元件,所述第二发光元件在所述衬底上并且通过发射与所述第一波长带不同的第二波长带中的光来实现第二发射区域;低反射层,所述低反射层在所述第一发光元件和所述第二发光元件上并且包含无机材料;触摸感测层,所述触摸感测层在所述低反射层上并且包括第一触摸电极层、第二触摸电极层、第一触摸绝缘层和第二触摸绝缘层,其中所述第一触摸绝缘层位于所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间并且包括重叠所述第二发射区域的第一开口,并且所述第二触摸绝缘层在所述第二触摸电极层上并且包括重叠所述第一开口的第二开口;光阻挡层,所述光阻挡层在所述触摸感测层上并且包括对应于所述第一发射区域的第三开口和对应于所述第二发射区域的第四开口;以及反射调节层,所述反射调节层在所述光阻挡层上,其中所述反射调节层的折射率高于所述第二触摸绝缘层的折射率。
根据一些实施方案,所述第一发光元件可以被配置为发射红色光。
根据一些实施方案,所述第一触摸绝缘层可以被配置为选择性地透射所述第一波长带中的光。
根据一些实施方案,所述反射调节层可以填充所述第一开口和所述第二开口。
根据一些实施方案,所述反射调节层的所述折射率与所述第二触摸绝缘层的所述折射率之间的差可以是0.1或大于0.1。
根据一些实施方案,所述第二触摸绝缘层的所述折射率可以是1.5或小于1.5,并且所述反射调节层的所述折射率可以是1.6或大于1.6。
根据一些实施方案,所述反射调节层可以包含染料、颜料或其组合。
根据一些实施方案,所述第一发光元件可以包括第一像素电极,所述第二发光元件可以包括第二像素电极,所述显示设备可以进一步包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘并且限定对应于所述第一发射区域的第一像素开口和对应于所述第二发射区域的第二像素开口,以及所述像素限定层可以包含光阻挡材料。
根据一些实施方案,所述第一开口的宽度可以大于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第一距离可以是2μm或小于2μm。
根据一些实施方案,所述第一开口的宽度可以小于或等于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第二距离可以是1μm或小于1μm。
根据一些实施方案,限定所述第一开口的所述第一触摸绝缘层的侧表面相对于所述衬底的上表面可以具有约70°至约88°的斜率。
根据一个或多于一个的实施方案,显示设备包括:第一发光元件,所述第一发光元件位于衬底上并且通过发射第一波长带中的光来实现第一发射区域;第二发光元件,所述第二发光元件在所述衬底上并且通过发射与所述第一波长带不同的第二波长带中的光来实现第二发射区域;低反射层,所述低反射层在所述第一发光元件和所述第二发光元件上并且包含无机材料;触摸感测层,所述触摸感测层在所述低反射层上并且包括第一触摸电极层、第二触摸电极层和触摸绝缘层,其中所述触摸绝缘层位于所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间并且包括重叠所述第二发射区域的第一开口;光阻挡层,所述光阻挡层在所述触摸感测层上并且包括对应于所述第一发射区域的第二开口和对应于所述第二发射区域的第三开口;以及反射调节层,所述反射调节层在所述光阻挡层上,其中所述反射调节层的折射率高于所述触摸绝缘层的折射率。
根据一些实施方案,所述第一发光元件可以被配置为发射红色光。
根据一些实施方案,所述触摸绝缘层可以被配置为选择性地透射所述第一波长带中的光。
根据一些实施方案,所述反射调节层的所述折射率与所述触摸绝缘层的所述折射率之间的差可以是0.1或大于0.1。
根据一些实施方案,所述反射调节层可以包含染料、颜料或其组合。
根据一些实施方案,所述第一发光元件可以包括第一像素电极,所述第二发光元件可以包括第二像素电极,所述显示设备可以进一步包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘并且限定对应于所述第一发射区域的第一像素开口和对应于所述第二发射区域的第二像素开口,以及所述像素限定层可以包含光阻挡材料。
根据一些实施方案,所述第一开口的宽度可以大于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第一距离可以是2μm或小于2μm。
根据一些实施方案,所述第一开口的宽度可以小于或等于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第二距离可以是1μm或小于1μm。
根据一些实施方案,限定所述第一开口的所述触摸绝缘层的侧表面相对于所述衬底的上表面可以具有约70°至约88°的斜率。
根据以下具体实施方式、附图和权利要求,这些和/或其它方面将变得更加明显并且更容易理解。
附图说明
根据结合附图的以下描述,本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和特性将更加明显,在附图中:
图1是根据一些实施方案的显示设备的示意性透视图;
图2是根据一些实施方案的向显示设备的像素提供的显示元件和与其连接的像素电路的示意性电路图;
图3是根据一些实施方案的显示设备的示意性横截面视图;
图4A和图4B是根据一些实施方案的显示设备的像素布置的示意性平面图;
图5是根据一些实施方案的显示设备的示意性横截面视图;
图6是示出根据一些实施方案的反射调节层的光透射率的图;
图7和图8是图5中示出的显示设备的一部分的横截面视图;
图9是根据一些实施方案的显示设备的示意性横截面视图;
图10和图11是图9中示出的显示设备的一部分的横截面视图;
图12A和图12B是示出根据比较例的显示设备和根据一些实施方案的显示设备的根据白色光的测量角度的颜色坐标的图;
图13A至图13C是示出根据像素限定层的像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离的显示设备的每个像素的相对效率的图;以及
图14是示出根据第一触摸绝缘层的锥角的显示设备的相对效率的图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施方案,在附图中例示出所述实施方案的实例,其中相同的附图标记通篇是指相同的元件。在这点上,本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此,以下通过参考附图仅描述实施方案,以解释当前描述的方面。如本文使用,术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中,表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a,仅b,仅c,a和b两者,a和c两者,b和c两者,所有的a、b和c,或其变体。
由于本公开内容允许各种改变和多种实施方案,因此将在附图中例示并且在书面描述中描述某些实施方案。参考以下参考附图更详细地描述的实施方案,本公开内容的效果和特征以及用于实现所述效果和特征的方法将是清楚的。然而,根据本公开内容的实施方案不限于以下实施方案并且可以以各种形式实施。
在下文,将参考附图描述实施方案,其中相同的附图标记通篇是指相同的元件,并且省略其重复描述。
当如“第一”和“第二”的此类术语可以用于描述各种元件时,此类元件不应受到以上术语限制。以上术语用于区分一个元件与另一个元件。
如本文使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式,除非上下文另外明确指出。
应理解,如本文使用的术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”指明规定的特征或元件的存在,但不排除一个或多于一个的其它的特征或元件的增添。
应进一步理解,当层、区或元件被称为在另一个层、区或元件“上”时,它可以直接地或间接地在其它层、区或元件上。即,例如,可以存在介于中间的层、区或元件。
应理解,当层、区或元件被称为“连接”至另一个层、区或元件时,它可以“直接地连接”至其它层、区或元件,或者可以由于插置在其间的其它的层、区或元件而“间接地连接”至其它层、区或元件。例如,应理解,当层、区或元件被称为“电连接”至另一个层、区或元件时,它可以“直接地电连接”至其它层、区或元件,或者可以由于位于其间的其它的层、区或元件而“间接地电连接”至其它层、区或元件。
在本说明书中,“A和/或B”意指A或B、或A和B。在本说明书中,“A和B中的至少一个”意指A或B、或A和B。
x-轴、y-轴和z-轴不局限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的含义解释。例如,x-轴、y-轴和z-轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
在其中可以不同地实现某些实施方案的情况下,可以与描述的顺序不同的顺序进行具体的过程顺序。作为实例,连续描述的两个过程可以基本上同时进行或者以相反的顺序进行。
为了便于解释,可以放大或减小附图中的元件的尺寸。作为实例,附图中示出的每个元件的尺寸和厚度为了便于描述而被任意地表示,并且因此,根据本公开内容的实施方案不必限于此。
图1是根据一些实施方案的显示设备1的示意性透视图。
参考图1,根据一些实施方案的显示设备1包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。尽管在图1中示出显示区域DA具有近似矩形的形状,但根据本公开内容的实施方案不限于此。显示区域DA可以具有各种形状,例如圆形、椭圆形、多边形等。
显示区域DA是显示图像的部分,并且多个像素P可以被布置在显示区域DA中。在下文,本说明书中的“像素”可以意指“子像素”。每个像素P可以包括诸如有机发光二极管OLED的发光元件。每个像素P可以被配置为发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
显示区域DA可以被配置为通过使用从像素P发射的光来显示预设的图像。在本说明书中,如以上描述,像素P可以被定义为发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的一种的发射区域。
非显示区域NDA是其中未布置像素P的区,并且可以是不显示图像的区。电源线、印刷电路板或端子部件可以布置在非显示区域NDA中,其中电源线驱动像素P,印刷电路板包括驱动电路部件,并且驱动器集成电路(IC)连接至端子部件。
在下文,将有机发光显示设备描述为根据一些实施方案的显示设备1的实例。然而,根据一些实施方案的显示设备1不限于此。根据一些实施方案的显示设备1可以是无机发光显示设备或量子点发光显示设备。作为实例,显示设备1的发光元件的发射层可以包含有机材料或无机材料。此外,量子点可以位于从发射层发射的光的路径上。
此外,根据一些实施方案的显示设备1可以适用于各种产品,包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)设备;以及便携式电子设备,包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事簿、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、以及超移动个人计算机(UMPC)。此外,根据一些实施方案的显示设备1可以适用于可穿戴装置,包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)。此外,根据一些实施方案,显示设备1可以适用于汽车的仪表板中的显示屏、汽车的中央面板、或布置在仪表盘上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧镜的室内镜显示器、以及在汽车中为了后座乘客而布置在前座的背面上的娱乐系统的显示器。
图2是根据一些实施方案的向显示设备1的像素提供的显示元件和与其连接的像素电路的示意性电路图。
参考图2,作为显示元件的有机发光二极管OLED连接至像素电路PC。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。有机发光二极管OLED可以发射例如红色光、绿色光或蓝色光,或者发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管,可以连接至扫描线SL和数据线DL,并且被配置为根据开关电压将数据电压传送至第一薄膜晶体管T1,数据电压从数据线DL输入,并且开关电压从扫描线SL输入。存储电容器Cst可以连接至第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且被配置为存储对应于从第二薄膜晶体管T2传输的电压与向驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD之间的差的电压。
第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管,可以连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且被配置为根据存储在存储电容器Cst中的电压来控制驱动电流,驱动电流从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以发射具有对应于驱动电流的预设的亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如,阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管在图2中示出像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但根据像素电路PC的设计,可以不同地改变薄膜晶体管的数量或存储电容器的数量。
图3是根据一些实施方案的显示设备1的示意性横截面视图。图3是沿图1中示出的显示设备1的线A-A'截取的显示设备1的横截面视图。
参考图3,根据一些实施方案的显示设备1可以包括衬底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500、防反射层600和覆盖窗CW。
衬底100可以包含玻璃或聚合物树脂。作为实例,聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包含聚合物树脂的衬底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可以具有多层结构,所述多层结构包括含有聚合物树脂的有机层和无机层。
显示层200可以包括有机发光二极管、像素电路和其间的绝缘层,有机发光二极管是显示元件,并且像素电路电连接至有机发光二极管。此外,显示层200可以包括连接至像素电路、扫描驱动器、扇出布线等的扫描线、数据线、电源线等,其中扫描驱动器被配置为向扫描线施加扫描信号,并且扇出布线将数据线连接至显示驱动器。
低反射层300可以位于显示层200上,并且薄膜封装层400可以位于低反射层300上。作为实例,显示层200和低反射层300可以由薄膜封装层400密封。薄膜封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。因为有机封装层提供更平坦的基体表面,所以即使通过连续工艺形成稍后描述的触摸感测层500,也可以降低缺陷率。
触摸感测层500可以位于薄膜封装层400上。触摸感测层500可以感测外部输入,例如,诸如手指或触笔的对象的触摸,并且显示设备1可以获得对应于触摸位置的坐标信息。触摸感测层500可以包括触摸电极和连接至触摸电极的迹线。根据一些实施方案,触摸感测层500的工作方法不受特别限制。作为实例,触摸感测层500可以被配置为通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
触摸感测层500可以位于薄膜封装层400上。根据一些实施方案,触摸感测层500可以直接位于薄膜封装层400上。在本说明书中,当“A直接位于B上”时,这意味着在A的构造与B的构造之间不存在单独的粘合剂层或粘合剂构件。在形成A的构造之后,B的构造可以通过连续工艺形成在由A的构造提供的基体表面上。替代地,触摸感测层500可以单独形成,并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层结合至薄膜封装层400。
防反射层600可以位于触摸感测层500上。防反射层600可以降低朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。
覆盖窗CW可以位于防反射层600上。覆盖窗CW可以保护位于覆盖窗CW下方的元件。可以通过使用光学透明粘合剂OCA将覆盖窗CW联接至防反射层600的上表面。
图4A和图4B是根据一些实施方案的显示设备1的像素布置的示意性平面图。
参考图4A,显示设备1可以包括布置在显示区域DA中的多个像素。多个像素可以包括被配置为发射不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。作为实例,第一像素P1可以被配置为发射红色光,第二像素P2可以被配置为发射绿色光,并且第三过滤器P3可以被配置为发射蓝色光。然而,实施方案不限于此。作为实例,第一像素P1可以被配置为发射蓝色光,第二像素P2可以被配置为发射绿色光,并且第三像素P3可以被配置为发射红色光。然而,可以进行各种修改。
在平面图中,第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以各自具有多边形形状。作为实例,尽管在图4A中示出第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3具有含圆形顶点的四边形形状,但实施方案不限于此。根据一些实施方案,第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以各自具有圆形形状或椭圆形形状。
第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可以彼此不同。作为实例,第二像素P2的面积可以小于第一像素P1和第三像素P3的面积。第一像素P1的面积可以小于第三像素P3的面积。根据一些实施方案,第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸可以基本上相同。然而,可以进行各种修改。
在本说明书中,第一像素P1的尺寸表示第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1的尺寸(参见图5),第二像素P2的尺寸表示第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的尺寸(参见图5),并且第三像素P3的尺寸表示第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3的尺寸(参见图5)。作为实例,第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以分别由像素限定层209的第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3限定(参见图5)。
位于显示元件层上的光阻挡层610可以包括对应于第一像素P1的第一开口610OP1、对应于第二像素P2的第二开口610OP2以及对应于第三像素P3的第三开口610OP3。第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3是通过去除部分光阻挡层610而形成的区。由每个显示元件发射的光可以通过第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3发射至外部。光阻挡层610的主体部分可以包括被配置为反射或消除外部光的材料。因此,可以改善显示设备1的可见度。
在平面图中,光阻挡层610的第一开口610OP1可以被布置为围绕第一像素P1,第二开口610OP2可以被布置为围绕第二像素P2,并且第三开口610OP3可以被布置为围绕第三像素P3。根据一些实施方案,光阻挡层610的第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3可以具有含圆形边缘的四边形形状。
光阻挡层610的第一开口610OP1的面积可以大于第一像素P1的面积,第二开口610OP2的面积可以大于第二像素P2的面积,并且第三开口610OP3的面积可以大于第三像素P3的面积。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。光阻挡层610的第一开口610OP1的面积可以与第一像素P1的面积基本上相同,第二开口610OP2的面积可以与第二像素P2的面积基本上相同,并且第三开口610OP3的面积可以与第三像素P3的面积基本上相同。
如图4A中示出,第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以布置成结构的像素布置。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。作为实例,如图4B中示出,子像素可以布置成条纹结构。此外,根据一些实施方案,第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以布置成镶嵌结构或三角洲结构。然而,可以进行各种像素布置。
图5是根据一些实施方案的显示设备1的横截面视图,图6是示出根据一些实施方案的反射调节层的光透射率的图,并且图7和图8是图5中示出的显示设备1的一部分的横截面视图。图5是沿图4A中示出的线B-B'截取的显示设备的横截面视图,并且图7和图8是图5中示出的第二有机发光二极管OLED2的横截面视图。
参考图5,根据一些实施方案的显示设备1可以包括如参考图3描述的衬底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500和防反射层600。
显示层200可以包括有机发光二极管OLED、薄膜晶体管TFT、缓冲层201、栅绝缘层203、层间绝缘层205、平坦化层207、像素限定层209和间隔物211。
缓冲层201可以位于衬底100上。缓冲层201可以减少或阻止外来材料、湿气和外部空气从衬底100下方的渗透。此外,缓冲层201可以在衬底100的上表面上提供平坦表面。缓冲层201可以包含氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx)。根据一些实施方案,阻挡层可以进一步位于衬底100与缓冲层201之间,阻挡层阻挡外部空气的渗透。阻挡层可以包含无机绝缘材料。
薄膜晶体管TFT可以位于缓冲层201上。图5中示出的薄膜晶体管TFT可以对应于图2中示出的第一薄膜晶体管T1(参见图2)。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT可以分别电连接至第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极221、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极221'和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极221”,以驱动它们相应的有机发光二极管。
半导体层ACT可以位于缓冲层201上并且可以包含多晶硅。替代地,半导体层ACT可以包含无定形硅。替代地,半导体层ACT可以包含铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层ACT可以包括沟道区、源区和漏区,源区和漏区掺杂有杂质。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以各自包含各种传导材料。栅电极GE可以包含钼、铝、铜和钛中的至少一种。作为实例,栅电极GE可以包括单个钼层,或者具有包括钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极SE和漏电极DE可以包含铜、钛和铝中的至少一种。作为实例,源电极SE和漏电极DE可以各自包括钛层、铝层和钛层的三层结构。根据一些实施方案,可以省略源电极SE或漏电极DE,并且半导体层ACT的源区或漏区可以用作源电极或漏电极。
为了确保半导体层ACT与栅电极GE之间的绝缘,栅绝缘层203可以位于半导体层ACT与栅电极GE之间,其中栅绝缘层203包含无机材料,例如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物。层间绝缘层205可以位于栅电极GE上,其中层间绝缘层205包含无机材料,例如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物。源电极SE和漏电极DE可以位于层间绝缘层205上。包含无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。
平坦化层207可以位于薄膜晶体管TFT上。根据一些实施方案,可以形成平坦化层207,并且然后可以在平坦化层207的上表面上进行化学和/或机械抛光,以提供平坦的上表面。平坦化层207可以包含通用聚合物,例如光敏聚酰亚胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、基于苯并环丁烯(BCB)的聚合物、聚酰亚胺、基于六甲基二硅氧烷(HMDSO)的聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有基于酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物或基于乙烯醇的聚合物。尽管在图5中示出平坦化层207是单层,但平坦化层207可以包括多层结构。
有机发光二极管OLED可以位于平坦化层207上,其中有机发光二极管OLED包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221、第一中间层222和对电极223,第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极221'、第二中间层222'和对电极223,并且第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极221”、第三中间层222”和对电极223。由于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3具有基本上相同或相似的结构,因此主要描述第一有机发光二极管OLED1的结构并且省略重复的描述。
第一像素电极221可以位于平坦化层207上。第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”可以彼此间隔开以分别对应于像素。
第一像素电极221可以是反射电极。作为实例,第一像素电极221可以包括反射层和透明或半透明传导层,反射层包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。透明或半透明传导层可以包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。作为实例,第一像素电极221可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层209可以位于第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”上。像素限定层209可以包括分别暴露第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的中心部分的第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3。像素限定层209可以通过覆盖第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的边缘并且增加第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的边缘与对电极223之间的距离来防止电弧等的发生。第一发射区域EA1可以由第一像素开口209OP1限定,第二发射区域EA2可以由第二像素开口209OP2限定,并且第三发射区域EA3可以由第三像素开口209OP3限定。
像素限定层209可以包含有机绝缘材料。替代地,像素限定层209可以包含无机绝缘材料,例如硅氮化物、硅氮氧化物或硅氧化物。替代地,像素限定层209可以包含有机绝缘材料和无机绝缘材料。
根据一些实施方案,像素限定层209可以包含光阻挡材料并且以黑色提供。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊剂、金属颗粒(例如,镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如,氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如,氮化铬)。在其中像素限定层209包含光阻挡材料的情况下,可以减小由位于像素限定层209下方的金属结构引起的外部光反射。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。根据一些实施方案,像素限定层209可以不包含光阻挡材料,而可以包含光透射有机绝缘材料。
间隔物211可以位于像素限定层209上。间隔物211可以包含有机绝缘材料,例如聚酰亚胺。替代地,间隔物211可以包含无机绝缘材料,例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiO2),或者包含有机绝缘材料和无机绝缘材料。
根据一些实施方案,间隔物211可以包含与像素限定层209的材料相同的材料。在这种情况下,可以在使用半色调掩膜等的掩膜工艺期间一起形成像素限定层209和间隔物211。根据一些实施方案,间隔物211可以包含与像素限定层209的材料不同的材料。
第一中间层222可以位于第一像素电极221上,第二中间层222'可以位于第二像素电极221'上,并且第三中间层222”可以位于第三像素电极221”上。第一中间层222可以包括被配置为发射第一光L1的第一发射层222b,第二中间层222'可以包括被配置为发射第二光L2的第二发射层222b',并且第三中间层222”可以包括被配置为发射第三光L3的第三发射层222b”。
第一发射层222b可以位于像素限定层209的第一像素开口209OP1内,以对应于第一像素电极221。第一发射层222b可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射红色光的荧光材料或含磷的材料。有机材料可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。替代地,第一发射层222b可以包含包括量子点的无机材料等。具体地,量子点表示半导体化合物的晶体,并且可以包括根据晶体的尺寸可以发射各种光发射波长中的光的任意材料。量子点可以包括例如III-V族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素、IV族化合物中的一种及其任意组合。
同样,第二发射层222b'可以位于像素限定层209的第二像素开口209OP2的内部,并且第三发射层222b”可以位于像素限定层209的第三像素开口209OP3的内部。第二发射层222b'可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射绿色光的荧光材料或含磷的材料。第三发射层222b”可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射蓝色光的荧光材料或含磷的材料。
第一公共层222a和第二公共层222c可以位于第一发射层222b、第二发射层222b'和第三发射层222b”的下方和上方。第一公共层222a可以包括例如空穴传输层(HTL),或者包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层222c可以包括例如电子传输层(ETL),或者包括ETL和电子注入层(EIL)。根据一些实施方案,可以省略第二公共层222c。
第一发射层222b、第二发射层222b'和第三发射层222b”被图案化以分别对应于第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3,而第一公共层222a和第二公共层222c可以各自形成为一体以完全覆盖衬底100。换而言之,第一公共层222a和第二公共层222c可以各自形成为一体以完全覆盖布置在显示区域DA中的第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”(参见图1)。
对电极223可以位于第一中间层222上。对电极223可以包含具有低功函数的传导材料。作为实例,对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)或其合金的(半透明)透明层。作为实例,对电极223可以包含AgMg或AgYb。替代地,对电极223可以进一步包含在(半透明)透明层上的层,所述层包含ITO、IZO、ZnO或In2O3。
从第一像素电极221至对电极223的层可以构成第一有机发光二极管OLED1,从第二像素电极221'至对电极223的层可以构成第二有机发光二极管OLED2,并且从第三像素电极221”至对电极223的层可以构成第三有机发光二极管OLED3。
根据一些实施方案,显示设备1可以进一步包括位于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上的覆盖层230。可以一体化形成覆盖层230以完全覆盖衬底100。覆盖层230可以被配置为基于相长干涉原理来改善有机发光二极管OLED的发光效率。覆盖层230可以包含相对于具有例如约589nm的波长的光而具有1.6或大于1.6的折射率的材料。
覆盖层230可以是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。作为实例,覆盖层230是碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。
低反射层300可以布置在覆盖层230上。低反射层300可以位于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上。低反射层300可以包含具有低反射率的无机材料。根据一些实施方案,低反射层300可以包含金属或金属氧化物。在其中低反射层300包含金属的情况下,金属可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)中的一种及其组合。此外,在其中低反射层300包含金属氧化物的情况下,金属氧化物可以包括例如SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS中的一种及其组合。
根据一些实施方案,低反射层300的无机材料的吸收系数k可以是4.0或小于4.0且大于0.5(0.5<k≤4.0)。此外,低反射层300的无机材料可以具有1或大于1(n≥1.0)的折射率n。
低反射层300可以通过诱导入射至显示设备1内部的光与由位于低反射层300下方的金属反射的光相消干涉来降低外部光反射率。因此,由于通过低反射层300降低了外部光反射率,因此可以改善显示设备1的显示品质和可见度。
尽管图5示出了其中低反射层300位于衬底100和覆盖层230的整个表面上的结构,但根据本公开内容的实施方案不限于此。作为实例,可以针对每个像素图案化低反射层300。
薄膜封装层400可以位于低反射层300上。薄膜封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为实例,薄膜封装层400可以包括依次堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包含无机绝缘材料,例如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以各自具有包含无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
有机封装层420可以减轻第一无机封装层410和/或第二无机封装层430的内部应力。有机封装层420可以包含基于聚合物的材料。作为实例,基于聚合物的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、基于六甲基二硅氧烷的聚合物、基于丙烯酰基的树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任意组合。
有机封装层420可以通过涂覆具有流动性并且包含单体的材料,然后允许单体彼此结合并且使用热或光(例如,紫外线)反应以形成聚合物来形成。替代地,有机封装层420可以通过涂覆聚合物材料来形成。
即使当在薄膜封装层400内部出现裂纹时,薄膜封装层400也可以通过以上多层结构防止裂纹在第一无机封装层410与有机封装层420之间连接或者在有机封装层420与第二无机封装层430之间连接。利用这种配置,可以防止或减少外部湿气或氧气穿透显示区域DA的路径的形成。此外,可以通过调节薄膜封装层400的每一层的厚度并且根据外部光的波长带改变外部光的反射率来调节显示设备的反射颜色。此外,薄膜封装层400可以对位于薄膜封装层400上的触摸感测层500提供平坦的基体表面。
触摸感测层500可以位于薄膜封装层400上。触摸感测层500可以包括第一触摸电极层MTL1、第一触摸绝缘层510、第二触摸电极层MTL2和第二触摸绝缘层520。第一触摸电极层MTL1可以直接位于薄膜封装层400上。在这种情况下,第一触摸电极层MTL1可以直接位于薄膜封装层400的第二无机封装层430上。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。
作为实例,触摸感测层500可以包括第一触摸电极层MTL1与薄膜封装层400之间的绝缘层。绝缘层可以位于薄膜封装层400的第二无机封装层430上,以向第一触摸电极层MTL1等提供平坦的基体表面。在这种情况下,第一触摸电极层MTL1可以直接位于绝缘层上。绝缘层可以包含无机绝缘材料,例如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)。替代地,绝缘层可以包含有机绝缘材料。
根据一些实施方案,第二触摸电极层MTL2可以位于第一触摸电极层MTL1上。第二触摸电极层MTL2可以用作被配置为感测用户的触摸输入的触摸电极。第一触摸电极MTL1可以用作在一个方向上连接被图案化的第二触摸电极MTL2的连接电极。根据一些实施方案,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2两者可以用作感测器。第一触摸电极层MTL1可以通过穿过第一触摸绝缘层510的接触孔电连接至第二触摸电极层MTL2。
根据一些实施方案,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2可以各自具有例如网状结构,使得从第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射的光穿过其中。在这种情况下,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2可以各自布置在非发射区域NEA中,以不重叠第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2可以各自包括金属层或透明传导层。金属层可以包含钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金中的至少一种。透明传导层可以包含透明传导氧化物,例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。此外,透明传导层可以包含导电聚合物(例如,聚-3,4-亚乙基二氧基噻吩(PEDOT))、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯。
第一触摸绝缘层510可以位于第一触摸电极层MTL1与第二触摸电极层MTL2之间。第一触摸绝缘层510可以包括包含染料、颜料或其组合的有机材料层,所述有机材料层被配置为吸收一些波长带的可见光。作为实例,第一触摸绝缘层510可以通过涂覆其中均匀分散有具有红色成分的染料、颜料及其组合的聚合物来形成。第一触摸绝缘层510可以透射从第一有机发光二极管OLED1发射的红色的第一光L1,并且吸收除了红色光之外的波长的光,从而实现高颜色纯度的红色光。
第一触摸绝缘层510可以包括C.I颜料红177、C.I颜料红254、C.I颜料黄150、C.I颜料黄138或其组合。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。
作为实例,第一触摸绝缘层510可以包含由以下化学式1至化学式4中的一种表示的化合物。化学式1至化学式4可以各自具有C.I颜料红177、C.I颜料红254、C.I颜料黄150或C.I颜料黄138的结构。化学式1至化学式4作为实例提供,并且根据本公开内容的实施方案不限于此。
化学式1
化学式2
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化学式3
化学式4
第一触摸绝缘层510是基体聚合物,并且可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、基于六甲基二硅氧烷的聚合物、基于丙烯酰基的树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任意组合。
第一触摸绝缘层510可以重叠第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1,并且可以不重叠第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2和第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3。换而言之,第一触摸绝缘层510可以包括第四开口510OP2和第五开口510OP3,其中第四开口510OP2重叠像素限定层209的第二像素开口209OP2,并且第五开口510OP3重叠第三像素开口209OP3。因此,从第二有机发光二极管OLED2发射的红色的第二光L2和从第三有机发光二极管OLED3发出的蓝色的第三光L3可以不穿过第一触摸绝缘层510,而是可以按原样发射。
根据一些实施方案,如图7中示出,第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2可以大于第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1。在这种情况下,从像素限定层209的第二像素开口209OP2的边界至第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的边界的距离d1可以是2μm或小于2μm。
根据一些实施方案,限定第四开口510OP2的第一触摸绝缘层510的侧壁可以具有相对于衬底100的上表面的第一角度θ1的锥角。根据一些实施方案,第一角度θ1可以是约70°至约88°。第一角度θ1可以是约70°至约85°。
根据一些实施方案,如图8中示出,第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2可以小于第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1或者与第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1基本上相同。在这种情况下,从像素限定层209的第二像素开口209OP2的边界至第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的边界的距离d2可以是1μm或小于1μm。
尽管图7和图8主要描述了第二有机发光二极管OLED2,但第三有机发光二极管OLED3以及第三有机发光二极管OLED3上的触摸感测层500和防反射层600可以具有与参考图7和图8描述的结构相同或相似的结构。
第二触摸绝缘层520可以布置在第二触摸电极层MTL2上。根据一些实施方案,第二触摸绝缘层520可以包含低折射率的无机绝缘材料或低折射率的有机绝缘材料。作为实例,第二触摸绝缘层520的折射率可以是约1.5或小于1.5。根据一些实施方案,第二触摸绝缘层520可以包含硅氧化物。
第二触摸绝缘层520可以重叠第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1,并且可以不重叠第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2和第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3。换而言之,第二触摸绝缘层520可以包括第六开口520OP2和第七开口520OP3,其中第六开口520OP2重叠像素限定层209的第二像素开口209OP2,并且第七开口520OP3重叠像素限定层209的第三像素开口209OP3。因此,从第二有机发光二极管OLED2发射的红色的第二光L2和从第三有机发光二极管OLED3发射的蓝色的第三光L3可以不穿过第二触摸绝缘层520,而是可以按原样发射。
防反射层600可以位于触摸感测层500上。防反射层600可以包括光阻挡层610和反射调节层620。
光阻挡层610可以包括重叠第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1的第一开口610OP1、重叠第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第二开口610OP2、以及重叠第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3的第三开口610OP3。
光阻挡层610的第一开口610OP1的宽度(或面积)可以大于或等于第一像素开口209OP1的宽度(或面积),第二开口610OP2的宽度(或面积)可以大于或等于第二像素开口209OP2的宽度(或面积),并且第三开口610OP3的宽度(或面积)可以大于或等于第三像素开口209OP3的宽度(或面积)。因此,光阻挡层610的主体部分可以重叠像素限定层209的主体部分。换而言之,光阻挡层610的主体部分可以仅位于非发射区域NEA中。光阻挡层610的主体部分是第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3外部的部分,并且表示具有预设体积(厚度)的部分。同样,像素限定层209的主体部分是第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3外部的部分,并且表示具有预设体积(厚度)的部分。
根据一些实施方案,光阻挡层610的第二开口610OP2的宽度(或面积)可以大于或等于第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的宽度(或面积),并且光阻挡层610的第三开口610OP3的宽度(或面积)可以大于或等于第一触摸绝缘层510的第五开口510OP3的宽度(或面积)。
光阻挡层610可以包含有机绝缘材料。根据一些实施方案,光阻挡层610可以包含光阻挡材料并且以黑色提供。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊剂、金属颗粒(例如,镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如,氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如,氮化铬)。
反射调节层620可以位于光阻挡层610上。反射调节层620可以选择性地吸收从显示设备反射的光或从显示设备外部入射的光中的一些波长带中的光。
如图6中示出,反射调节层620吸收约480nm至约500nm的第一波长带和约585nm至约605nm的第二波长带。在这种情况下,反射调节层620的光透射光谱可以在第一波长带和第二波长带中具有40%或低于40%的光透射率。即,反射调节层620可以吸收偏离第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的红色、绿色或蓝色的发射波长范围的波长的光。因为反射调节层620吸收偏离第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的红色、绿色或蓝色的发射波长范围的波长的光,所以可以防止或减少显示设备的亮度的降低,并且同时可以防止或减少显示设备的光发射效率的降低,并且可以改善可见度。
根据一些实施方案,反射调节层620可以包含有机材料,所述有机材料包括染料、颜料或其组合。反射调节层620可以包含基于四氮杂卟啉(TAP)的化合物、基于卟啉的化合物、基于金属卟啉的化合物、基于噁嗪的化合物、基于方酸菁的化合物、基于三芳基甲烷的化合物、基于聚甲炔的化合物、基于四醌的化合物、基于酞菁的化合物、基于偶氮的化合物、基于苝的化合物、基于呫吨的化合物、基于二亚铵的化合物、基于二吡咯亚甲基的化合物、基于花青的化合物及其组合。
作为实例,反射调节层620可以包含由以下化学式5至化学式8中的一种表示的化合物。化学式5至化学式8可以是对应于以上描述的一些化合物的发色团结构。化学式5至化学式8作为实例提供,并且根据本公开内容的实施方案不限于此。
化学式5
化学式6
化学式7
化学式8
在化学式5至化学式8中,
M是金属,
X-是一价阴离子,
R彼此相同或不同,并且各自表示氢、氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团;被-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代或未取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团;
被-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代或未取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团;或者-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31))或-P(=0)(Q31)(Q32)。
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是:氢;-D;-F;-Cl;-Br;-I;羟基基团;氰基基团;硝基基团;C1-C60烷基基团;C2-C60烯基基团;C2-C60炔基基团;C1-C60烷氧基基团;或者被-D、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代或未取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
根据一些实施方案,X-可以是卤离子、碳酸根离子、硝酸根离子、磺酸根离子或硫酸氢根离子。
作为实例,X-可以是F-、Cl-、Br-、I-、CH3COO-、NO3 -、HSO4 -、丙酸根离子、苯磺酸根离子等。
根据一些实施方案,反射调节层620可以具有比第二触摸绝缘层520的折射率更高的折射率。作为实例,第二触摸绝缘层520与反射调节层620之间的折射率差可以是0.1或大于0.1。根据一些实施方案,反射调节层620的折射率n可以是1.6或大于1.6。因此,如图7中示出,沿着从垂直于衬底100的方向(z方向)倾斜的第一路径C1行进的第二光L2可以在反射调节层620与第二触摸绝缘层520之间的界面处折射,并且可以在垂直于衬底100的方向(z方向)上的第二路径C2中行进。因此,可以调节第二光L2的侧向亮度。同样,第三光L3的侧向亮度也可以通过反射调节层620与第二触摸绝缘层520之间的折射率的差来调节。可以通过调节第二光L2和第三光L3的侧向亮度来调节根据斜率的显示设备的颜色感测。
反射调节层620可以包含被配置为改善折射率的散射颗粒。散射颗粒可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射颗粒的金属氧化物的实例包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2),以及用于散射体的有机材料。用于散射颗粒的有机材料的实例包括基于丙烯酸的树脂或基于氨基甲酸酯的树脂。
根据一些实施方案,在包括镜面分量(SCI)模式中测量的反射调节层620的反射率可以是10%或低于10%。即,因为反射调节层620吸收显示设备的外部光反射,所以可以改善可见度。
根据一些实施方案的显示设备可以利用低反射层300和反射调节层620,而不使用偏振膜来减小外部光反射。
作为比较例,在其中将偏振膜用于降低外部光反射的情况下,从有机发光二极管发射的光的透射率可以通过偏振膜显著降低。在其中将分别对应于像素的颜色的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器用于减小外部光反射的情况下,反射的颜色带可以根据每个像素的不同光反射率而存在,并且工艺操作增加,并且因此工艺成本可能增加。
因为根据一些实施方案的显示设备包括共同应用于各个像素的低反射层300和反射调节层620,所以可以增加光透射率并且同时可以减小外部光反射。
图9是根据一些实施方案的显示设备的示意性横截面视图,并且图10和图11是图9中示出的显示设备的一部分的横截面视图。图9与图5类似,但与图5的不同之处在于,省略了触摸感测层500的第二触摸绝缘层520(参见图5),并且第一触摸绝缘层510具有比反射调节层620的折射率更小的折射率。在下文,省略了重复的描述,并且主要描述了区别。
参考图9,根据一些实施方案的显示设备1可以包括衬底100、显示层200、低反射层300、薄膜封装层400、触摸感测层500和防反射层600。
显示层200可以包括有机发光二极管OLED、薄膜晶体管TFT、缓冲层201、栅绝缘层203、层间绝缘层205、平坦化层207、像素限定层209和间隔物211。
有机发光二极管OLED可以位于平坦化层207上,其中有机发光二极管OLED包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221、第一中间层222和对电极223,第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极221'、第二中间层222'和对电极223,并且第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极221”、第三中间层222”和对电极223。
像素限定层209可以位于第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”上。像素限定层209可以包括分别暴露第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的中心部分的第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3。像素限定层209可以通过覆盖第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的边缘并且增加第一像素电极221、第二像素电极221'和第三像素电极221”的边缘与对电极223之间的距离来防止电弧等的发生。第一发射区域EA1可以由第一像素开口209OP1限定,第二发射区域EA2可以由第二像素开口209OP2限定,并且第三发射区域EA3可以由第三像素开口209OP3限定。
间隔物211可以位于像素限定层209上。间隔物211可以包含有机绝缘材料,例如聚酰亚胺。
第一中间层222可以位于第一像素电极221上,第二中间层222'可以位于第二像素电极221'上,并且第三中间层222”可以位于第三像素电极221”上。
第一发射层222b可以位于像素限定层209的第一像素开口209OP1内,以对应于第一像素电极221。第一发射层222b可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射红色光的荧光材料或含磷的材料。同样,第二发射层222b'可以位于像素限定层209的第二像素开口209OP2的内部,并且第三发射层222b”可以位于像素限定层209的第三像素开口209OP3的内部。第二发射层222b'可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射绿色光的荧光材料或含磷的材料。第三发射层222b”可以包含有机材料,所述有机材料包括可以发射蓝色光的荧光材料或含磷的材料。
第一公共层222a和第二公共层222c可以位于第一发射层222b、第二发射层222b'和第三发射层222b”的下方和上方。第一公共层222a可以包括例如HTL,或者包括HTL和HIL。第二公共层222c可以包括例如ETL,或者包括ETL和EIL。根据一些实施方案,可以省略第二公共层222c。
第一发射层222b、第二发射层222b'和第三发射层222b”被图案化以分别对应于第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3,而第一公共层222a和第二公共层222c可以各自形成为一体以完全覆盖衬底100。
对电极223可以位于第一中间层222上。对电极223可以包含具有低功函数的传导材料。从第一像素电极221至对电极223的层可以构成第一有机发光二极管OLED1,从第二像素电极221'至对电极223的层可以构成第二有机发光二极管OLED2,并且从第三像素电极221”至对电极223的层可以构成第三有机发光二极管OLED3。
根据一些实施方案,显示设备1可以进一步包括位于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上的覆盖层230。可以一体化形成覆盖层230以完全覆盖衬底100。
低反射层300可以布置在覆盖层230上。低反射层300可以位于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上。低反射层300可以包含具有低反射率的无机材料。根据一些实施方案,低反射层300可以包含金属或金属氧化物。在其中低反射层300包含金属的情况下,金属可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)中的一种及其组合。此外,在其中低反射层300包含金属氧化物的情况下,金属氧化物可以包括例如SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS中的一种及其组合。
根据一些实施方案,低反射层300的无机材料的吸收系数k可以是4.0或小于4.0且大于0.5(0.5<k≤4.0)。此外,低反射层300的无机材料可以具有1或大于1(n≥1.0)的折射率n。
低反射层300可以通过诱导入射至显示设备1内部的光与由位于低反射层300下方的金属反射的光相消干涉来降低外部光反射率。因此,由于通过低反射层300降低了外部光反射率,因此可以改善显示设备1的显示品质和可见度。
尽管图9示出了其中低反射层300位于衬底100和覆盖层230的整个表面上的结构,但根据本公开内容的实施方案不限于此。作为实例,可以为每个像素图案化低反射层300。
薄膜封装层400可以位于低反射层300上。薄膜封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为实例,薄膜封装层400可以包括依次堆叠的第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
触摸感测层500可以位于薄膜封装层400上。触摸感测层500可以包括第一触摸电极层MTL1、第一触摸绝缘层510和第二触摸电极层MTL2。第一触摸电极层MTL1可以直接位于薄膜封装层400上。在这种情况下,第一触摸电极层MTL1可以直接位于薄膜封装层400的第二无机封装层430上。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。作为实例,触摸感测层500可以包括在第一触摸电极层MTL1与薄膜封装层400之间的绝缘层。
根据一些实施方案,第二触摸电极层MTL2可以位于第一触摸电极层MTL1上。第二触摸电极层MTL2可以用作被配置为感测用户的触摸输入的触摸电极。第一触摸电极MTL1可以用作在一个方向上连接图案化的第二触摸电极MTL2的连接电极。根据一些实施方案,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2两者可以用作感测器。第一触摸电极层MTL1可以通过穿过第一触摸绝缘层510的接触孔电连接至第二触摸电极层MTL2。
根据一些实施方案,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2可以各自具有例如网状结构,使得从第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射的光穿过其中。在这种情况下,第一触摸电极层MTL1和第二触摸电极层MTL2可以各自布置在非发射区域NEA中,以不重叠第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
第一触摸绝缘层510可以位于第一触摸电极层MTL1与第二触摸电极层MTL2之间。第一触摸绝缘层510可以包括包含染料、颜料或其组合的有机材料层,所述有机材料层被配置为吸收一些波长带的可见光。作为实例,第一触摸绝缘层510可以通过涂覆其中均匀分散有具有红色成分的染料、颜料及其组合的聚合物来形成。第一触摸绝缘层510可以透射从第一有机发光二极管OLED1发射的红色的第一光L1,并且吸收除了红色光之外的波长的光,从而实现高颜色纯度的红色光。
第一触摸绝缘层510可以包括C.I颜料红177、C.I颜料红254、C.I颜料黄150、C.I颜料黄138或其组合。然而,根据本公开内容的实施方案不限于此。
作为实例,第一触摸绝缘层510可以包含由以下化学式1至化学式4中的一种表示的化合物。化学式1至化学式4可以各自具有C.I颜料红177、C.I颜料红254、C.I颜料黄150或C.I颜料黄138的结构。化学式1至化学式4作为实例提供,并且根据本公开内容的实施方案不限于此。
化学式1
化学式2
化学式3
化学式4
第一触摸绝缘层510是基体聚合物,并且可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、基于六甲基二硅氧烷的聚合物、基于丙烯酰基的树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任意组合。
第一触摸绝缘层510可以重叠第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1,并且可以不重叠第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2和第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3。换而言之,第一触摸绝缘层510可以包括第四开口510OP2和第五开口510OP3,其中第四开口510OP2重叠像素限定层209的第二像素开口209OP2,并且第五开口510OP3重叠第三像素开口209OP3。因此,从第二有机发光二极管OLED2发射的红色的第二光L2和从第三有机发光二极管OLED3发射的蓝色的第三光L3可以不穿过第一触摸绝缘层510,而是可以按原样发射。
根据一些实施方案,如图10中示出,第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2可以大于第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1。在这种情况下,从像素限定层209的第二像素开口209OP2的边界至第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的边界的距离d1可以是2μm或小于2μm。根据一些实施方案,限定第四开口510OP2的第一触摸绝缘层510的侧壁可以具有相对于衬底100的上表面的第一角度θ1的锥角。根据一些实施方案,第一角度θ1可以是约70°至约88°。第一角度θ1可以是约70°至约85°。
根据一些实施方案,如图11中示出,第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2可以小于第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1或者与第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第一宽度w1基本上相同。在这种情况下,从像素限定层209的第二像素开口209OP2的边界至第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的边界的距离d2可以是1μm或小于1μm。
尽管图10和图11主要描述了第二有机发光二极管OLED2,但第三有机发光二极管OLED3以及第三有机发光二极管OLED3上的触摸感测层500和防反射层600可以具有与参考图10和图11描述的结构相同或相似的结构。
根据一些实施方案,第一触摸绝缘层510可以包含一定折射率的有机绝缘材料。作为实例,第一触摸绝缘层510的折射率可以是约1.5或小于1.5。
防反射层600可以位于触摸感测层500上。防反射层600可以包括光阻挡层610和反射调节层620。光阻挡层610可以直接位于第二触摸电极层MTL2上。
光阻挡层610可以包括重叠第一有机发光二极管OLED1的第一发射区域EA1的第一开口610OP1、重叠第二有机发光二极管OLED2的第二发射区域EA2的第二开口610OP2、以及重叠第三有机发光二极管OLED3的第三发射区域EA3的第三开口610OP3。
光阻挡层610的第一开口610OP1的宽度(或面积)可以大于或等于第一像素开口209OP1的宽度(或面积),第二开口610OP2的宽度(或面积)可以大于或等于第二像素开口209OP2的宽度(或面积),并且第三开口610OP3的宽度(或面积)可以大于或等于第三像素开口209OP3的宽度(或面积)。因此,光阻挡层610的主体部分可以重叠像素限定层209的主体部分。换而言之,光阻挡层610的主体部分可以仅位于非发射区域NEA中。光阻挡层610的主体部分是第一开口610OP1、第二开口610OP2和第三开口610OP3外部的部分,并且表示具有预设体积(厚度)的部分。同样,像素限定层209的主体部分是第一像素开口209OP1、第二像素开口209OP2和第三像素开口209OP3外部的部分,并且表示具有预设体积(厚度)的部分。
根据一些实施方案,光阻挡层610的第二开口610OP2的宽度(或面积)可以大于或等于第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的宽度(或面积),并且光阻挡层610的第三开口610OP3的宽度(或面积)可以大于或等于第一触摸绝缘层510的第五开口510OP3的宽度(或面积)。
光阻挡层610可以包含有机绝缘材料。根据一些实施方案,光阻挡层610可以包含光阻挡材料并且以黑色提供。在这种情况下,为了防止或减少在形成光阻挡层610的过程期间对第二触摸电极层MTL2的损坏,光阻挡层610可以包含基于四甲基氢氧化铵(TAMH)显影溶液的光敏聚合物。
反射调节层620可以位于光阻挡层610上。反射调节层620可以选择性地吸收从显示设备反射的光或从显示设备外部入射的光中的一些波长带中的光。反射调节层620可以吸收偏离第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的红色、绿色或蓝色的发射波长范围的波长的光。因为反射调节层620吸收偏离第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的红色、绿色或蓝色的发射波长范围的波长的光,所以可以防止或减少显示设备的亮度的降低,并且同时可以防止或减少显示设备的光发射效率的降低,并且可以改善可见度。
根据一些实施方案,反射调节层620可以具有比第一触摸绝缘层510的折射率更高的折射率。作为实例,第一触摸绝缘层510与反射调节层620之间的折射率差可以是0.1或大于0.1。根据一些实施方案,反射调节层620的折射率n可以是1.6或大于1.6。因此,如图10中示出,沿着从垂直于衬底100的方向(z方向)倾斜的第一路径C1’行进的第二光L2可以在反射调节层620与第二触摸绝缘层520之间的界面处折射,并且可以在垂直于衬底100的方向(z方向)上的第二路径C2’中行进。因此,可以调节第二光L2的侧向亮度。同样,第三光L3的侧向亮度也可以通过反射调节层620与第二触摸绝缘层520之间的折射率的差来调节。可以通过调节第二光L2和第三光L3的侧向亮度来调节根据斜率的显示设备的颜色感测。
图12A和图12B是示出根据比较例的显示设备和根据一些实施方案的显示设备1的根据白色光的测量角度的颜色坐标的图。图12A和图12B的颜色坐标示出了CIE 1931XYZ颜色坐标区的放大部分,并且相对于垂直于显示设备的上表面的方向(z方向)测量角度。
根据图12A中的比较例的显示设备类似于参考图9描述的显示设备,但第一触摸绝缘层包括不包含染料、颜料或其组合的透光有机材料,并且形成为没有开口以覆盖第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。此外,反射调节层与第一触摸绝缘层之间的折射率的差是0.1或小于0.1。
根据图12B中的实施方案的显示设备具有与参考图9描述的显示设备相同的结构。
参考图12A,当在垂直于衬底的上表面的方向(z方向)上以30°的角度测量根据比较例的显示设备的白色光的颜色坐标时,可以确定颜色坐标的x值增加约0.15。在比较例中,因为提供了低反射层,所以加强了红色光的共振,并且在低角度(30°或小于30°)下观察到显示设备的图像为红色。因此,可能劣化显示设备的美观。
参考图12B,因为根据一些实施方案的显示设备可以被配置为由于第一触摸绝缘层510(参见图9)与反射调节层620(参见图9)之间的折射率的差而调节绿色光和蓝色光的侧向亮度,所以可以防止或减少显示设备的图像在低角度下观察为红色。此外,与其中采用偏振器的结构相比,在比较例中,光发射效率改善了约123%。相反,与其中采用偏振器的结构相比,根据一些实施方案,光发射效率改善了约145%。
图13A至图13C是示出根据像素限定层的像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离的显示设备的每个像素的相对效率的图。在此,相对效率被定义为当包括偏振器的显示设备的每个像素的正向发射效率被定义为1时,根据一些实施方案的显示设备的每个像素的正向发射效率的模拟。根据图13A至图13C中的实施方案的显示设备具有与参考图9描述的显示设备相同的结构。图13A示出红色像素的相对效率,图13B示出绿色像素的相对效率,并且图13C示出蓝色像素的相对效率。
当像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离具有负值或0时,这意指第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2小于第二发射区域EA2的第一宽度w1或与第二发射区域EA2的第一宽度w1基本上相同,如以上参考图11描述。当像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离具有正值时,这意指第一触摸绝缘层510的第四开口510OP2的第二宽度w2大于第二发射区域EA2的第一宽度w1,如以上参考图10描述。
参考图13A至图13C,在根据一些实施方案的显示设备中,当像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离为约-0.5μm至约1.5μm时,已知与其中采用偏振器的结构相比改善了相对效率。考虑位于像素限定层与触摸绝缘层之间的层的厚度等的变化,当像素开口的边界与第一触摸绝缘层的开口的边界之间的距离为约-1μm至约2μm时,与其中采用偏振器的结构相比可以实现高发射效率。
图14是示出根据第一触摸绝缘层的锥角的显示设备的相对效率的图。根据图14中的实施方案的显示设备具有与参考图9和图10描述的显示设备相同的结构。在此,锥角是形成在限定第四开口510OP2的第一触摸绝缘层510的侧壁与衬底100的上表面之间的第一角度θ1,如图10中示出。相对效率被定义为当其中采用偏振器的结构的发射效率被定义为100%时,根据一些实施例方案的显示设备的发射效率的模拟。
参考图14,确定当第一触摸绝缘层的锥角是约75°时,相对效率是107.0%,当锥角是约80°时,相对效率是110.3%,并且当锥角是约85°时,相对效率是102.1%。根据模拟结果,确定当第一触摸绝缘层的锥角是约75°至约88°时,根据一些实施方案的显示设备与其中采用偏振器的结构相比可以具有高发射效率。考虑位于像素限定层与触摸绝缘层之间的层的厚度等的变化,锥角可以是约70°至约85°。
根据一些实施方案,可以实现具有改善的可见度的显示设备。然而,根据本公开内容的实施方案的范围不限于该效果。
应理解,本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑,而非出于限制的目的。每个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案,但本领域普通技术人员应理解,在不背离由所附权利要求及其等同限定的主旨和范围的情况下,可以在本文中进行形式和细节的各种改变。
Claims (20)
1.显示设备,包括:
第一发光元件,所述第一发光元件在衬底上并且被配置为通过发射第一波长带中的光来实现第一发射区域;
第二发光元件,所述第二发光元件在所述衬底上并且被配置为通过发射与所述第一波长带不同的第二波长带中的光来实现第二发射区域;
低反射层,所述低反射层在所述第一发光元件和所述第二发光元件上并且包含无机材料;
触摸感测层,所述触摸感测层在所述低反射层上并且包括第一触摸电极层、第二触摸电极层、第一触摸绝缘层和第二触摸绝缘层,其中所述第一触摸绝缘层在所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间并且包括重叠所述第二发射区域的第一开口,并且所述第二触摸绝缘层在所述第二触摸电极层上并且包括重叠所述第一开口的第二开口;
光阻挡层,所述光阻挡层在所述触摸感测层上并且包括对应于所述第一发射区域的第三开口和对应于所述第二发射区域的第四开口;以及
反射调节层,所述反射调节层在所述光阻挡层上,其中所述反射调节层的折射率高于所述第二触摸绝缘层的折射率。
2.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一发光元件被配置为发射红色光。
3.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一触摸绝缘层被配置为选择性地透射所述第一波长带中的光。
4.如权利要求1所述的显示设备,其中所述反射调节层填充所述第一开口和所述第二开口。
5.如权利要求1所述的显示设备,其中所述反射调节层的所述折射率与所述第二触摸绝缘层的所述折射率之间的差是0.1或大于0.1。
6.如权利要求5所述的显示设备,其中所述第二触摸绝缘层的折射率是1.5或小于1.5,并且所述反射调节层的折射率是1.6或大于1.6。
7.如权利要求1所述的显示设备,其中所述反射调节层包含染料、颜料或其组合。
8.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一发光元件包括第一像素电极,所述第二发光元件包括第二像素电极,
所述显示设备进一步包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘并且限定对应于所述第一发射区域的第一像素开口和对应于所述第二发射区域的第二像素开口,以及
所述像素限定层包含光阻挡材料。
9.如权利要求8所述的显示设备,其中所述第一开口的宽度大于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第一距离是2μm或小于2μm。
10.如权利要求8所述的显示设备,其中所述第一开口的宽度小于或等于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第二距离是1μm或小于1μm。
11.如权利要求1所述的显示设备,其中限定所述第一开口的所述第一触摸绝缘层的侧表面相对于所述衬底的上表面具有70°至88°的斜率。
12.显示设备,包括:
第一发光元件,所述第一发光元件在衬底上并且被配置为通过发射第一波长带中的光来实现第一发射区域;
第二发光元件,所述第二发光元件在所述衬底上并且被配置为通过发射与所述第一波长带不同的第二波长带中的光来实现第二发射区域;
低反射层,所述低反射层在所述第一发光元件和所述第二发光元件上并且包含无机材料;
触摸感测层,所述触摸感测层在所述低反射层上并且包括第一触摸电极层、第二触摸电极层和触摸绝缘层,其中所述触摸绝缘层在所述第一触摸电极层与所述第二触摸电极层之间并且包括重叠所述第二发射区域的第一开口;
光阻挡层,所述光阻挡层在所述触摸感测层上并且包括对应于所述第一发射区域的第二开口和对应于所述第二发射区域的第三开口;以及
反射调节层,所述反射调节层在所述光阻挡层上,其中所述反射调节层的折射率高于所述触摸绝缘层的折射率。
13.如权利要求12所述的显示设备,其中所述第一发光元件被配置为发射红色光。
14.如权利要求12所述的显示设备,其中所述触摸绝缘层被配置为选择性地透射所述第一波长带中的所述光。
15.如权利要求12所述的显示设备,其中所述反射调节层的所述折射率与所述触摸绝缘层的所述折射率之间的差是0.1或大于0.1。
16.如权利要求12所述的显示设备,其中所述反射调节层包含染料、颜料或其组合。
17.如权利要求12所述的显示设备,其中所述第一发光元件包括第一像素电极,所述第二发光元件包括第二像素电极,
所述显示设备进一步包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘并且限定对应于所述第一发射区域的第一像素开口和对应于所述第二发射区域的第二像素开口,以及
所述像素限定层包含光阻挡材料。
18.如权利要求17所述的显示设备,其中所述第一开口的宽度大于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第一距离是2μm或小于2μm。
19.如权利要求17所述的显示设备,其中所述第一开口的宽度小于或等于所述第二像素开口的宽度,并且所述第一开口的边界与所述第二像素开口的边界之间的第二距离是1μm或小于1μm。
20.如权利要求12所述的显示设备,其中限定所述第一开口的所述触摸绝缘层的侧表面相对于所述衬底的上表面具有70°至88°的斜率。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220133613A KR20240053733A (ko) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 표시 장치 |
KR10-2022-0133613 | 2022-10-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117915717A true CN117915717A (zh) | 2024-04-19 |
Family
ID=90684503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311339238.2A Pending CN117915717A (zh) | 2022-10-17 | 2023-10-17 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240147821A1 (zh) |
KR (1) | KR20240053733A (zh) |
CN (1) | CN117915717A (zh) |
-
2022
- 2022-10-17 KR KR1020220133613A patent/KR20240053733A/ko unknown
-
2023
- 2023-10-12 US US18/486,045 patent/US20240147821A1/en active Pending
- 2023-10-17 CN CN202311339238.2A patent/CN117915717A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240053733A (ko) | 2024-04-25 |
US20240147821A1 (en) | 2024-05-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |