CN115696961A

CN115696961A - 显示装置

Info

Publication number: CN115696961A
Application number: CN202210895253.4A
Authority: CN
Inventors: 金雄植; 洪宗范; 金贞元; 边镇洙
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-07-28
Filing date: 2022-07-26
Publication date: 2023-02-03
Also published as: US20230090498A1; KR20230017968A; EP4125142A1

Abstract

显示装置包括：显示衬底；多个显示元件，设置在显示衬底上并发光；封装衬底，在显示元件上设置成面对显示衬底；折射层，设置在封装衬底的下表面上，折射层包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有大于第一折射率的第二折射率的第二绝缘层；以及光阻挡层，设置在折射层的下表面上。第一绝缘层和光阻挡层布置成与显示元件之间的非发射区域对应。第二绝缘层布置成与显示元件的发射区域对应。第二绝缘层的上表面的宽度小于第二绝缘层的下表面的宽度。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年7月28日提交的第10-2021-0099437号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中充分阐述那样。

技术领域

本发明的实施方式大体涉及显示装置。

背景技术

最近，显示装置的使用已经多样化。此外，显示装置已经变得更薄和更轻质，并且因此显示装置的使用已经扩展。由于显示装置被用于各种领域中，因此对提供高质量图像的显示装置的需求在增加。

在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可以包含不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的示例性实现方式而构造的显示装置能够通过在封装衬底的下表面上设置折射层和光阻挡层来提高光提取效率和可见度。

根据一个或多个实施方式的发明构思提供了显示装置，在该显示装置中，提高了光效率和可见度以允许提供高质量图像。然而，这仅是示例，并且本公开的范围不由此限制。

本发明构思的附加特征将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过本发明构思的实践来获知。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：显示衬底；多个显示元件，在显示衬底上并且配置成发光；封装衬底，在多个显示元件上面对显示衬底；折射层，在封装衬底的下表面上，折射层包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有大于第一折射率的第二折射率的第二绝缘层；以及光阻挡层，在折射层的下表面上，其中，第一绝缘层和光阻挡层布置成与多个显示元件之间的非发射区域对应，第二绝缘层布置成与多个显示元件的发射区域对应，并且第二绝缘层的上表面的宽度小于第二绝缘层的下表面的宽度。

在一些实施方式中，第二绝缘层的侧表面相对于封装衬底的下表面倾斜的角度可以为约50°至约60°。

在一些实施方式中，第一折射率可以是约1.45至约1.55，并且第二折射率可以是约1.55至约1.7。

在一些实施方式中，第二绝缘层可以包括滤色器。

在一些实施方式中，第二绝缘层可以包括反射控制层，该反射控制层配置成选择性地吸收可见光带中的第一波长带和第二波长带的光。

在一些实施方式中，第一波长带可以是约480nm至约505nm，并且第二波长带可以是约585nm至约605nm。

在一些实施方式中，光阻挡层可以包括与发射区域对应的开口，并且光阻挡层的开口的宽度可以大于第二绝缘层的上表面的宽度。

在一些实施方式中，光阻挡层的厚度可以小于第一绝缘层的厚度。

在一些实施方式中，显示装置还可以包括在封装衬底和第一绝缘层之间的上部光阻挡层。

在一些实施方式中，上部光阻挡层可以包括与发射区域对应的第一开口，光阻挡层可以包括与发射区域对应的第二开口，并且第一开口的宽度可以小于第二开口的宽度。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：显示衬底；第一显示元件，第二显示元件和第三显示元件，其在显示衬底上并且配置成发射彼此不同的光；封装衬底，在第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件上面对显示衬底；光阻挡层，在封装衬底下方，光阻挡层包括与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的发射区域对应的开口；以及折射层，在封装衬底和光阻挡层之间，折射层包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有大于第一折射率的第二折射率的第二绝缘层，其中，第二绝缘层布置成与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的发射区域对应，以及第二绝缘层的上表面的宽度小于第二绝缘层的下表面的宽度。

在一些实施方式中，第二绝缘层的侧表面相对于封装衬底的下表面倾斜的角度可以是约50°至约60°。

在一些实施方式中，第二绝缘层可以包括具有彼此不同的颜色的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，并且第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器可以布置成分别与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件对应。

在一些实施方式中，第二绝缘层可以以相同的配置设置在第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件上。

在一些实施方式中，第二绝缘层可以在第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件与光阻挡层之间延伸。

在一些实施方式中，光阻挡层的开口的宽度可以大于第二绝缘层的上表面的宽度。

应当理解，前面的概括性描述和下面的详细描述两者都是例示性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。

附图说明

附图示出本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释发明构思，其中，附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。

图1是示意性地示出根据本发明的原理而构造的、根据实施方式的显示装置的一部分的立体图。

图2是根据实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的剖视图。

图3是示意性地示出根据实施方式的显示装置的平面图。

图4示出根据实施方式的显示装置的像素中的显示元件和与显示元件连接的像素电路。

图5A和图5B是根据实施方式的可包括在图3的区域A中的一些元件的放大平面图。

图6A和图6B是根据实施方式的沿着图5A的线II-II'截取的显示装置的示意性剖视图。

图7示出当设置第二绝缘层作为反射控制层时的透射特性。

图8是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。

图9是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。

图10是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。

图11是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。

具体实施方式

在以下描述中，出于解释的目的，阐述了诸多具体细节以提供对本发明的各实施方式或实现方式的透彻理解。如本文使用的，“实施方式”和“实现方式”是可互换的词语，其是应用了本文公开的发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而，显而易见，各实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或多个等同布置的情况下来实施。在其它情况中，为了避免不必要地混淆各实施方式，以框图形式示出公知的结构和设备。此外，各实施方式可为不同的，但是不必是排他的。例如，在没有脱离发明构思的情况下，可在另一个实施方式中使用或实现实施方式的具体形状、配置和特性。

除非另行指出，否则所示出的实施方式应被理解为提供可在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另行指出，否则在没有脱离发明构思的情况下，各实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统称为“元件”)可另行组合、分离、互换和/或重新布置。

附图中的剖面线和/或阴影的使用通常用于使相邻元件之间的边界清楚。这样，除非指明，否则剖面线或阴影的存在或不存在均不传达或指示对特定材料、材料属性、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或对元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述性的目的，可能放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以以不同的方式实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序来执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。

当诸如层的元件被称为在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层时，它可直接在所述另一元件或层上、直接连接至或直接联接至所述另一元件或层，或者可存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接”可表示在具有或不具有介于中间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表不彼此垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何结合，诸如例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的那样，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和全部组合。

虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在没有脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。

空间相对术语，诸如“在……下面(beneath)”、“在……下方(below)”、“在……之下(under)”、“下部(lower)”、“在……上方(above)”、“上部(upper)”、“在……之上(over)”、“较高的(higher)”、“侧(side)”(例如，如“侧壁”中)等，可出于描述性目的在本文中被使用，并且因此可用来描述如附图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件于是将定向成在所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可涵盖上方和下方两个定向。此外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或者处于其它定向)，并且正因如此，本文使用的空间相对描述语应相应地进行解释。

本文使用的术语是出于描述具体实施方式的目的，而并非旨在进行限制。如本文所使用的那样，除非上下文清楚地另行指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在还包括复数含义。此外，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在该说明书中使用时指出所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在，但是不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。另外值得注意的是，如本文所使用的那样，术语“基本”、“约”以及其它相似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且正因如此，用于为本领域普通技术人员将意识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差留出余量。

本文参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图描述各实施方式。这样，应预期到由于例如制造技术和/或公差引起的与图示的形状的差异。因此，本文公开的实施方式不应一定应解释为局限于具体示出的区域形状，而是应包括由例如制造引起的形状偏差。以这样的方式，附图中所示的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反应设备的区域的实际形状，并且正因如此，不一定旨在进行限制。

除非另行限定，否则本文使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语，诸如常用词典中所限定的那些术语，应解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且不应在理想化或过于形式化的意义上进行解释，除非本文明确地限定成这样。

图1是示意性地示出根据本发明的原理而构造的、根据实施方式的显示装置1的一部分的立体图。图2是根据实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置1的剖视图。

参照图1，根据实施方式的显示装置1可以包括显示区域DA和周边区域PA。周边区域PA在显示区域DA的外侧并且围绕显示区域DA。配置成向显示区域DA传输电信号的各种线和驱动电路可以在周边区域PA中。显示装置1可以通过使用从显示区域DA中的多个像素发射的光来提供特定图像。

显示装置1的示例可以包括有机发光显示器、无机发光显示器(或有机电致发光(EL)显示器)或量子点发光显示器。在下文中，将描述有机发光显示器作为示例。显示装置1可以被实现为诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表的各种类型的电子装置。

如图2中所示，显示装置1可以包括在第三方向(z轴方向)上顺序堆叠的显示衬底100和封装衬底300。封装衬底300封装显示衬底100。

显示衬底100可包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，显示衬底100可以包括包含SiO₂作为主要成分的玻璃材料或者诸如增强塑料的树脂。

像素层PXL可以在显示衬底100上。像素层PXL可以包括显示元件层DPL和像素电路层PCL。显示元件层DPL可以包括针对每个像素布置的显示元件，并且像素电路层PCL可以包括针对每个像素布置的像素电路和绝缘层。显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上，并且绝缘层可以在像素电路和显示元件之间。像素电路层PCL的一些线和绝缘层可以延伸到周边区域PA。

封装衬底300可以布置成面对显示衬底100，并且可以通过封装构件400结合到显示衬底100。封装衬底300和封装构件400可以防止外部湿气、空气等渗入到包括显示元件的像素层PXL中。封装衬底300可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，封装衬底300可以包括具有SiO₂作为主要成分的玻璃材料或者诸如增强塑料的树脂。封装构件400可布置成在周边区域PA中围绕显示区域DA。封装构件400可以包括密封剂或玻璃料，并且可以通过热量和/或激光固化以将显示衬底100结合到封装衬底300。

光学层500可以在封装衬底300的下表面上，即在面对显示衬底100的表面上。光学层500可以包括配置成降低从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率并提高从显示元件发射的光的光输出效率的元件。

光学层500可以包括光阻挡层510和折射层530，其中光阻挡层510包括黑矩阵。光阻挡层510可以配置成阻挡大部分的可见光，并且折射层530可以包括具有彼此不同折射率的构件以提高光提取效率。根据本文所描述的实施方式，因为显示装置1包括光学层500，所以显示装置1可以不使用偏振膜。因此，可以提高亮度，或者可以降低功耗。

填充构件600可以在显示衬底100和封装衬底300之间。填充构件600可以在像素层PXL和封装衬底300之间。填充构件600可配置成保护像素层PXL免受可能从外部施加的冲击。填充构件600可包括透明绝缘材料。在一些实施方式中，填充构件600可以包括诸如聚氨酯树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂的有机密封剂，或者可以包括诸如硅树脂的无机密封剂。聚氨酯树脂的示例可以包括聚氨酯丙烯酸酯。丙烯酸树脂的示例可以包括丙烯酸丁酯和丙烯酸乙基己酯。在一些实施方式中，填充构件600可包括聚酰亚胺。在一些实施方式中，可以省略填充构件600。当填充构件600被省略时，可以在像素层PXL和封装衬底300之间填充空气。

图3是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的平面图。

参照图3，显示装置1的显示衬底100可以被分成显示区域DA和围绕显示区域DA的周边区域PA。显示装置1可以通过使用从显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供特定图像。

像素P中的每个可以包括诸如有机发光二极管或无机发光二极管的显示元件，并且可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。换言之，像素P中的每个可以连接到包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器等的像素电路。像素电路可以连接到扫描线SL以及与扫描线SL交叉的数据线DL和驱动电压线PL。扫描线SL可以在x轴方向上延伸，并且数据线DL和驱动电压线PL可以在y轴方向上延伸。

由于像素电路的驱动，像素P可以发光。显示区域DA根据从像素P发射的光提供特定图像。如上所述，本说明书中的像素P可以被定义为配置成发射红光、绿光、蓝光或白光的发射区域。

周边区域PA是其中没有布置像素P且不提供图像的区域。端子部分可以在周边区域PA中。包括驱动电路的印刷电路板或驱动器集成电路(IC)、电源线和内部驱动电路可以连接到端子部分以驱动像素P。

图4示出根据实施方式的显示装置的像素P中的显示元件和与其连接的像素电路PC。

参照图4，显示元件(即有机发光二极管OLED)连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如，有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。

第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以配置成根据从扫描线SL输入的开关电压向第一薄膜晶体管T1发送从数据线DL输入的数据电压。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以配置成存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。

第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置成响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如阴极)可以配置成接收第二电源电压ELVSS。

图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管T1和T2和一个存储电容器Cst，但在另一个实施方式中，薄膜晶体管的数量或存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计而进行各种改变。

图5A和图5B是根据实施方式的可包括在图3的区域A中的一些元件的放大平面图，并且示意性地示出多个像素与光阻挡层510的开口510_OP之间的布置关系，其中开口510_OP与像素的发射区域EA对应地布置。

参照图5A，显示装置可以包括多个像素。像素可以包括发射彼此不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。例如，第一像素P1可以发射蓝光，第二像素P2可以发射绿光，并且第三像素P3可以发射红光。然而，本公开不限于此。可以对其进行各种修改。例如，第一像素P1可以发射红光，第二像素P2可以发射绿光，并且第三像素P3可以发射蓝光。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有多边形形状之中的四边形形状。在本说明书中，诸如四边形的多边形包括圆顶点。即，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有具备圆顶点的四边形形状。在另一个实施方式中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有圆形或椭圆形形状。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有彼此不同的尺寸。例如，第二像素P2的面积可以小于第一像素P1的面积和第三像素P3的面积，并且第一像素P1的面积可以大于第三像素P3的面积。然而，本公开不限于此。可以对其进行各种修改。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以具有基本上相同的尺寸。

在本说明书中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的尺寸是指实现每个像素的显示元件的发射区域EA的尺寸。发射区域EA可以由像素限定层(参见图6A的由附图标记209指定的区域)的开口OP(参见图6A)限定。

另一方面，显示元件层DPL上的光阻挡层510具有与各个像素对应的开口510_OP。开口510_OP是其中光阻挡层510被部分去除的区域，并且从显示元件发射的光可以通过开口510_OP发射。光阻挡层510的主体可以包括吸收外部光的材料，并且因此可以提高显示装置的可见度。

在平面图中，光阻挡层510的开口510_OP可以布置成分别围绕第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。在实施方式中，光阻挡层510的开口510_OP可以具有带圆角的四边形形状。光阻挡层510的与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3对应的开口510_OP的面积可以分别大于第一像素P1的面积、第二像素P2的面积和第三像素P3的面积。然而，本公开不限于此。光阻挡层510的开口510_OP的面积可以基本上与第一像素P1的面积、第二像素P2的面积和第三像素P3的面积相同。

第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以以

结构布置。第一像素P1可以布置在虚拟四边形VS的第一顶点Q1处并且第二像素P2的中心点CP作为虚拟四边形VS的中心点，并且第三像素P3可以布置在虚拟四边形VS的第二顶点Q2处。虚拟四边形VS可以是正方形。

第一像素P1可以与第二像素P2分开，并且第一像素P1的中心点可以位于虚拟四边形VS的第一顶点Q1处。可以设置多个第一像素P1，并且第一像素P1彼此分开并且第二像素P2在第一像素P1之间。

第三像素P3与第一像素P1和第二像素P2分开，并且第三像素P3的中心点位于虚拟四边形VS的与第一顶点Q1相邻的第二顶点Q2处。可以设置多个第三像素P3，并且第三像素P3彼此分开且第一像素P1在第三像素P3之间。

第一像素P1和第三像素P3可以在x轴方向和与x轴方向交叉的y轴方向上交替布置。第一像素P1可以被第二像素P2和第三像素P3围绕。

尽管图5A示出了第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的布置具有

结构，但本公开不限于此。

例如，当然，如图5B中所示，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的布置可以具有条纹结构。换言之，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以在x轴方向上顺序布置。在另一个实施方式中，第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以布置成诸如马赛克结构或德尔塔结构的各种像素布置结构。根据本文所描述的实施方式，显示装置包括发射彼此不同颜色的光的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3，并且光阻挡层510包括与第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3对应的开口510_OP。

参照图6A，根据实施方式的显示装置包括在显示衬底100上的作为包括发射区域EA的显示元件的有机发光二极管OLED、封装显示元件的封装衬底300以及在封装衬底300的下表面上的光学层500。

显示衬底100和封装衬底300可以包括玻璃材料或聚合物树脂。显示衬底100和封装衬底300可以是刚性的，并且可以包括包含SiO₂作为主要成分的玻璃或诸如增强塑料的树脂。

薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。半导体层ACT可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了确保半导体层ACT和栅电极GE之间的绝缘，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅绝缘层203可以在半导体层ACT和栅电极GE之间。此外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层205可以在栅电极GE上，并且源电极SE和漏电极DE可以在层间绝缘层205上。包括无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。

栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以包括各种导电材料。栅电极GE可以包括钼、铝、铜和钛中的至少一种，并且可以具有多层结构。例如，栅电极GE可以具有单个钼层，或者可以具有包括钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极SE和漏电极DE可以包括铜、钛和铝中的至少一种，并且可以具有多层结构。例如，源电极SE和漏电极DE可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。

包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层201可以在薄膜晶体管TFT和显示衬底100之间。缓冲层201可以增加显示衬底100的上表面的平滑度，或者可以防止或最小化杂质从显示衬底100等渗入到薄膜晶体管TFT的半导体层ACT中。

平坦化绝缘层207可以在薄膜晶体管TFT上。例如，平坦化绝缘层207可以包括诸如丙烯酰基、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。在图6A中，平坦化绝缘层207被示出为单层，但是可以具有多层。

像素电极221可以在平坦化绝缘层207上。像素电极221针对每个像素布置。与相邻的像素对应的像素电极221可以彼此分开。

像素电极221可以是反射电极。在一些实施方式中，像素电极221可包括反射层和在反射层上的透明电极层或半透明电极层，其中反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其任何化合物中的至少一种。透明电极层或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在一些实施方式中，像素电极221可以具有包括ITO层、Ag层和ITO层的三层结构。

像素限定层209在像素电极221上。像素限定层209包括暴露像素电极221的中心部分的开口OP。像素限定层209可以通过覆盖像素电极221的边缘并且增加像素电极221的边缘和相对电极223的部分之间的距离来防止在像素电极221的边缘上出现电弧等。像素限定层209可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。可选地，像素限定层209可包括无机绝缘材料。可选地，像素限定层209可以具有包括无机绝缘材料和有机绝缘材料的多层结构。

在一些实施方式中，像素限定层209可以包括光阻挡材料并且可以是黑色的。光阻挡材料可包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊剂、金属粒子(例如，镍、铝、钼及其任何合金)、金属氧化物粒子(例如氧化铬)、或者金属氮化物粒子(例如氮化铬)。当像素限定层209包括光阻挡材料时，可以减小由于像素限定层209下方的金属结构而引起的外部光的反射。

发射层222可以在像素限定层209的开口OP内。发射层222可以包括这样的有机材料，该有机材料包括能够发射红光、绿光或蓝光的荧光材料或磷光材料。有机材料可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。

第一公共层和/或第二公共层可以在发射层222的下方和上方。第一公共层在发射层222下方，并且可以包括例如空穴传输层(HTL)或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层在发射层222上方，并且可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。在一些实施方式中，可以省略第二公共层。

发射层222针对每个像素布置成与像素限定层209的开口OP对应，并且第一公共层和第二公共层可以设置为一体以如下面要描述的相对电极223那样完全覆盖显示衬底100，例如，以完全覆盖显示衬底100的显示区域DA。

相对电极223可以是作为电子注入电极的阴极。在这种情况下，相对电极223可以包括具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合。相对电极223可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。

相对电极223可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。相对电极223可以具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层可以进一步在相对电极223上。由于相长干涉的原理，封盖层可以提高有机发光元件的外部发光效率。封盖层可以(在约589nm的波长处)包括具有约1.6或更大的折射率的材料。封盖层可具有约1nm至约200nm(例如，约5nm至约150nm，或约10nm至约100nm)的厚度。封盖层可以是包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合封盖层。

封装衬底300面向显示衬底100并且在作为显示元件的有机发光二极管OLED上。在本文所描述的实施方式中，光学层500在封装衬底300的下表面上。光学层500包括光阻挡层510和折射层530。

折射层530可以包括具有第一折射率的第一绝缘层531和具有大于第一折射率的第二折射率的第二绝缘层533。第一绝缘层531和第二绝缘层533可以与封装衬底300的下表面直接接触。

第二绝缘层533可以布置成与有机发光二极管OLED的发射区域EA对应。第一绝缘层531可以布置成与发射区域EA周围的非发射区域NEA对应。

第二绝缘层533的上表面的宽度W3u可以小于第二绝缘层533的下表面的宽度W3d。第二绝缘层533的侧表面可以具有相对于封装衬底300的下表面倾斜的外表面，并且第二绝缘层533的外表面与封装衬底300的下表面之间的角度θ可以是约50°至约60°。第二绝缘层533的下表面的宽度W3d可以大于发射区域EA的宽度。

第一绝缘层531可以布置成与发射区域EA外侧的非发射区域NEA对应。作为第一绝缘层531的折射率的第一折射率可以小于作为第二绝缘层533的折射率的第二折射率。换言之，第一绝缘层531可以包括低折射率材料，且第二绝缘层533可以包括高折射率材料。第二绝缘层533的折射率可以与第一绝缘层531的折射率相差约0.05至0.2。

当第一绝缘层531的折射率不同于第二绝缘层533的折射率时，从有机发光二极管OLED发射并且在相对于与显示衬底100的上表面垂直的方向(z轴方向)的倾斜方向上传播的光L可以从第一绝缘层531的侧表面或第二绝缘层533的侧表面被折射并且传播到显示装置的外部。因此，可以提高有机发光二极管OLED的光输出效率并且可以提高亮度。

在一些实施方式中，可用于第一绝缘层531的低折射率材料的折射率为约1.45至约1.55。在这种情况下，低折射率材料可以包括丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯。

第一绝缘层531的折射率可以等于或近似于封装衬底300的折射率。因为第一绝缘层531的折射率等于或近似于封装衬底300的折射率，所以通过第一绝缘层531的光的光路不会被封装衬底300改变。因此，可以容易地预测光输出路径。在一些实施方式中，第一绝缘层531和封装衬底300的折射率可以是约1.45至约1.55。

在一些实施方式中，可用于第二绝缘层533的高折射率材料的折射率可以是约1.55至约1.7。在一些实施方式中，包括高折射率材料的第二绝缘层533可以为了高折射率而包括分散粒子。分散粒子可以包括诸如锌氧化物(ZnO_x)、氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)和钛酸钡(BaTiO₃)的金属氧化物粒子。包括高折射率材料的第二绝缘层533可以通过使用喷墨施加包括金属氧化物粒子的有机材料来形成。

在一些实施方式中，第二绝缘层533可以包括滤色器，该滤色器包括高折射率材料并具有特定颜色。因为第二绝缘层533包括滤色器，所以可以提高色纯度和可见度。第二绝缘层533可以配置成从自有机发光二极管OLED发射的光中提取与特定颜色对应的光。第二绝缘层533可以实现从相应的有机发光二极管OLED发射的光的波长带中的颜色。例如，实现红色的第二绝缘层533可以在发射红光的有机发光二极管OLED上，实现绿色的第二绝缘层533可以在发射绿光的有机发光二极管OLED上，并且实现蓝色的第二绝缘层533可以在发射蓝光的有机发光二极管OLED上。

在另一个实施方式中，第二绝缘层533可以包括反射控制层，该反射控制层包括高折射率材料并吸收特定波长带中的光。第二绝缘层533可以选择性地吸收从显示装置的内部反射的光和从显示装置的外部入射的光之中具有部分带的波长的光。第二绝缘层533可以选择性地吸收可见光带中的第一波长带和第二波长带的光。

图7示出当第二绝缘层533包括反射控制层时的透射特性。参照图7，第二绝缘层533吸收约480nm至约505nm的第一波长带和约585nm至约605nm的第二波长带的光，并且因此，在第一波长带和第二波长带中的透射率可以是50％或更低。换言之，第二绝缘层533可以吸收具有有机发光二极管OLED的红色发射波长范围、绿色发射波长范围或蓝色发射波长范围之外的波长的光。第二绝缘层533可包括包含染料、颜料或其任何组合的有机材料层。

根据实施方式，第二绝缘层533可以包括嗪基化合物、花菁基化合物、四氮卟吩基化合物或方酸菁基化合物。

例如，第二绝缘层533可以包括由式1至式4中的一个表示的化合物：

<式1>

<式2>

<式3>

<式4>

在式1至式4中，

M可以是金属，

X-可以是一价阴离子，以及

R可以彼此不同并且可以各自选自：

氢、氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q22)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团或C₆-C₆₀芳硫基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)2(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地选自：氢；重氢；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，X-可以是卤素离子、羧酸根离子、硝酸根离子、磺酸根离子或硫酸氢根离子。

例如，X-可以是F-、Cl-、Br-、I-、CH₃COO-、NO₃-、HSO₄-、丙酸根离子、苯磺酸根离子等。

在实施方式中，在包含镜面组件(SCI)模式中在第二绝缘层533的表面上测量的反射率可以是10％或更小。换言之，第二绝缘层533可以吸收显示装置的外部光反射，从而提高可见度。

为了减少外部光反射，根据本文所描述的实施方式的显示装置不使用偏振膜，而是包括包含滤色器或反射控制层的第二绝缘层533。

另一方面，可执行以下工艺以形成折射层530。

首先，可以通过将具有低折射率的有机材料施加到封装衬底300的下表面上来形成第一绝缘层531，并且可以在第一绝缘层531上执行光图案化工艺以形成第一绝缘层531的开口531_OP。可以通过在高温下进行固化来形成第一绝缘层531。

第二绝缘层533可以通过用具有高折射率的有机材料填充第一绝缘层531的开口531_OP并且然后对其进行固化来形成。在这种情况下，第二绝缘层533可以通过光学处理或喷墨工艺形成。

在这种情况下，第一绝缘层531的开口531_OP的上部的宽度可以等于第二绝缘层533的上表面的宽度W3u。第一绝缘层531的开口531_OP的上部的宽度可以小于第一绝缘层531的开口531_OP的下部的宽度。

形成折射层530的方法不限于此。可以使用各种方法。如图6B中所示，第二绝缘层533通过在封装衬底300的下表面上进行图案化来形成，并且第一绝缘层531填充其中不布置第二绝缘层533的空间。

此外，尽管图6A示出第二绝缘层533的厚度小于第一绝缘层531的厚度，但是本公开不限于此。可以对其进行各种修改。如图6B中所示，第二绝缘层533的厚度可以大于或等于第一绝缘层531的厚度。

光阻挡层510可以与第一绝缘层531的下表面直接接触。光阻挡层510可以包括阻挡大部分可见光的材料。换言之，光阻挡层510可以具有可见光带(例如，约380nm至约780nm)的波长的光被大体地吸收的波长谱。光阻挡层510可以是黑色的。例如，光阻挡层510可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊剂、金属粒子(例如，镍、铝、钼及其任何合金)、金属氧化物粒子(例如，氧化铬)或金属氮化物粒子(例如，氮化铬)。

光阻挡层510可通过将光阻挡材料施加到第一绝缘层531的下表面上、执行光图案化工艺以形成光阻挡层510的开口510_OP、并且然后对其执行固化来形成。光阻挡层510的厚度t1可以小于第一绝缘层531的厚度t2。

光阻挡层510包括与有机发光二极管OLED的发射区域EA重叠的开口510_OP。发射区域EA可以由像素限定层209的开口OP限定。光阻挡层510的开口510_OP与第一绝缘层531的开口531_OP重叠。光阻挡层510的开口510_OP与第二绝缘层533重叠。

在一些实施方式中，光阻挡层510的开口510_OP与像素限定层209的开口OP重叠，并且作为光阻挡层510的开口510_OP的宽度的第二宽度W2可以大于作为像素限定层209的开口OP的宽度的第一宽度W1。此外，第二宽度W2可以大于作为第二绝缘层533的上表面的宽度的第三宽度W3u。尽管第三宽度W3u被示出为大于第一宽度W1，但是本公开不限于此。可以对其进行各种修改。例如，第三宽度W3u可以等于或小于第一宽度W1。

在一些实施方式中，填充构件600可以在显示衬底100和封装衬底300之间。换言之，填充构件600可以填充有机发光二极管OLED和光学层500之间的空间。填充构件600的折射率可以近似于第二绝缘层533的折射率。在一些实施方式中，填充构件600的折射率可以为约1.55至约1.7。因为填充构件600的折射率近似于第二绝缘层533的折射率，所以可以容易地预测光路。当将在其上形成有有机发光二极管OLED的显示衬底100结合到其上形成有光学层500的封装衬底300之前施加填充构件600之后，可以将显示衬底100可以结合到封装衬底300。

然而，本文所描述的实施方式不限于此。在显示衬底100和封装衬底300之间可以填充在或者可以不填充具有比第二绝缘层533的折射率低的折射率的填充构件600。

图8是沿着图5A的线II-II’截取的剖视图并且示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖视图。在图8中，与图6A中的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且为了便于说明图8，省略了其冗余的描述。

参照图8，根据实施方式的显示装置包括在显示衬底100上的作为包括发射区域EA的显示元件的有机发光二极管OLED、封装显示元件的封装衬底300、以及在封装衬底300的下表面上的光学层500。

光学层500包括折射层530和光阻挡层510。折射层530包括在封装衬底300的下表面上的第一绝缘层531和第二绝缘层533，并且光阻挡层510在第一绝缘层531的下表面上。

第一绝缘层531可以包括低折射率材料，并且第二绝缘层533可以包括高折射率材料。第一绝缘层531可以布置成与非发射区域NEA对应，并且第二绝缘层533可以布置成与发射区域EA对应。第二绝缘层533的横截面形状可以是梯形形状。随着到显示衬底100的距离减小，第二绝缘层533的横截面宽度逐渐增大。第二绝缘层533的侧表面可以相对于封装衬底300的下表面倾斜。第二绝缘层533的侧表面可相对于封装衬底300的下表面具有约50°至60°的倾斜角θ。

第二绝缘层533可以包括滤色器，该滤色器配置成实现在由有机发光二极管OLED发射的波长带中的光的颜色。可选地，第二绝缘层533可包括配置成选择性地吸收具有部分带的波长的光的反射控制层。

在本文所描述的实施方式中，光学层500还可以包括在封装衬底300和第一绝缘层531之间的上部光阻挡层520。上部光阻挡层520可与封装衬底300的下表面直接接触。上部光阻挡层520可以考虑到外部光反射和视角来布置。上部光阻挡层520可包括与发射区域EA对应的开口520_OP。作为开口520_OP的宽度的第四宽度W4可以大于第一宽度W1并且小于第二宽度W2。

因为设置了上部光阻挡层520，所以可以防止从每个像素发射的光的混色，并且可以显著地减少向外部反射的光。

图9是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。在图9中，与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且为了便于说明图9，省略了其冗余的描述。

参照图9，发射彼此不同颜色的光的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以在显示衬底(参见图6A的100)上。

光学层500可以在封装衬底300的下表面上。光学层500可以包括具有低折射率的第一绝缘层531、具有高折射率的第二绝缘层533、以及在第一绝缘层531的下表面上的光阻挡层510。第二绝缘层533可以布置成与发射区域EA对应，并且第一绝缘层531可以布置成与发射区域EA之间的非发射区域NEA对应。第一绝缘层531可以针对约550nm的波长的光具有约1.5的折射率。

在本文所描述的实施方式中，第二绝缘层533可以包括具有高折射率的滤色器。第二绝缘层533可以包括具有彼此不同的颜色的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。

第一滤色器CF1可以布置成与第一有机发光二极管OLED1对应。当第一有机发光二极管OLED1发射红光时，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。第一滤色器CF1可以针对约630nm的波长具有约1.65的折射率。

第二滤色器CF2可以布置成与第二有机发光二极管OLED2对应。当第二有机发光二极管OLED2发射绿光时，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器。第二滤色器CF2可以针对约550nm的波长具有约1.57的折射率。

第三滤色器CF3可以布置成与第三有机发光二极管OLED3对应。当第三有机发光二极管OLED3发射蓝光时，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。第三滤色器CF3可以针对约410nm的波长具有约1.61的折射率。

光阻挡层510可以在第一绝缘层531的下表面上布置成与非发射区域NEA对应。光阻挡层510可具有可见光带(例如，约380nm至约780nm)的波长的光被大体地吸收的波长谱。光阻挡层510可以是黑色的。

因为根据实施方式的显示装置包括具有低折射率的第一绝缘层531和具有高折射率的第二绝缘层533，所以可以提高光输出效率。此外，因为第二绝缘层533包括滤色器并且设置了光阻挡层510，所以可以在不引入偏振膜的情况下防止外部光反射并且提高可见度。

图10和图11是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。在图10和图11中，与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且为了便于说明图10和图11，省略了其冗余的描述。

参照图10，发射彼此不同颜色的光的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以在显示衬底(参见图6A的100)上。

光学层500可以在封装衬底300的下表面上。光学层500可以包括具有低折射率的第一绝缘层531、具有高折射率的第二绝缘层533'、以及在第一绝缘层531的下表面上的光阻挡层510。第二绝缘层533'可以布置成与发射区域EA对应，并且第一绝缘层531可以布置成与发射区域EA之间的非发射区域NEA对应。第一绝缘层531可以针对约550nm的波长具有约1.5的折射率。第二绝缘层533'可以针对约550nm的波长具有约1.6至约1.7的折射率。

在本文所描述的实施方式中，第二绝缘层533'可以包括反射控制层。第二绝缘层533'吸收约480nm至约505nm的第一波长带的光和约585nm至约605nm的第二波长带的光，并且因此，在第一波长带和第二波长带中的透射率可以是50％或更小。换言之，第二绝缘层533'可以吸收具有有机发光二极管OLED的红色发射波长范围、绿色发射波长范围或蓝色发射波长范围之外的波长的光。例如，第二绝缘层533'可以选择性地吸收可见光带中的第一波长带和第二波长带的光。

当第二绝缘层533'包括反射控制层时，第二绝缘层533'可以共同在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上。

第二绝缘层533'以相同的配置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上，从而提高可见度并简化工艺。

类似地，光阻挡层510和第一绝缘层531可以以相同的配置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3上。

光阻挡层510可具有可见光带(例如，约380nm至约780nm)的波长的光被大体地吸收的波长谱。光阻挡层510可以是黑色的。

填充构件600可以在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3与光学层500之间。填充构件600可以包括具有高透射率的透明有机材料。在一些实施方式中，填充构件600可包括具有约1.6至约1.7的折射率的高折射率材料。

尽管图10示出填充构件600独立于第二绝缘层533'布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3与光学层500之间，但是本文所描述的实施方式不限于此。

如图11所示，不单独设置填充构件，并且填充构件可以填充第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3与光阻挡层510之间的空间。换言之，第二绝缘层533'可用作填充构件。第二绝缘层533'可在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3与光阻挡层510之间延伸。

如上所述，根据一个或多个实施方式，由于在封装衬底的下表面上设置了折射层和光阻挡层，因此可以提高光提取效率和可见度。

尽管本文已经描述了某些实施方式和实现方式，但是根据该描述，其它实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明的构思不限于这样的实施方式，而是由所附权利要求书的更宽的范围以及如对于本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置限制。

Claims

1.一种显示装置，包括：

显示衬底；

多个显示元件，设置在所述显示衬底上并且配置成发光；

封装衬底，在所述多个显示元件上设置成面对所述显示衬底；

折射层，设置在所述封装衬底的下表面上，所述折射层包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二绝缘层；以及

光阻挡层，设置在所述折射层的下表面上，

其中，所述第一绝缘层和所述光阻挡层布置成与所述多个显示元件之间的非发射区域对应，以及

所述第二绝缘层布置成与所述多个显示元件的发射区域对应，并且所述第二绝缘层的上表面的宽度小于所述第二绝缘层的下表面的宽度。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层的侧表面相对于所述封装衬底的所述下表面倾斜的角度为50°至60°。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一折射率为1.45至1.55，并且所述第二折射率为1.55至1.7。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括滤色器。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括反射控制层，所述反射控制层配置成选择性地吸收可见光带中的第一波长带和第二波长带的光。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一波长带是480nm至505nm，并且所述第二波长带是585nm至605nm。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡层包括与所述发射区域对应的开口，以及

所述光阻挡层的所述开口的宽度大于所述第二绝缘层的所述上表面的所述宽度。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。

9.如权利要求1所述的显示装置，还包括上部光阻挡层，所述上部光阻挡层设置在所述封装衬底和所述第一绝缘层之间。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述上部光阻挡层包括与所述发射区域对应的第一开口，所述光阻挡层包括与所述发射区域对应的第二开口，并且所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。

11.一种显示装置，包括：

显示衬底；

第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件，所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件在所述显示衬底上并且配置成发射彼此不同颜色的光；

封装衬底，在所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件上设置成面对所述显示衬底；

光阻挡层，设置在所述封装衬底下方，所述光阻挡层包括与所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件的发射区域对应的开口；以及

折射层，设置在所述封装衬底和所述光阻挡层之间，所述折射层包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二绝缘层，

其中，所述第二绝缘层布置成与所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件的所述发射区域对应，并且所述第二绝缘层的上表面的宽度小于所述第二绝缘层的下表面的宽度。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层的侧表面相对于所述封装衬底的下表面倾斜的角度为50°至60°。

13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一折射率为1.45至1.55，并且所述第二折射率为1.55至1.7。

14.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括具有彼此不同的颜色的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，并且所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器布置成分别与所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件对应。

15.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括反射控制层，所述反射控制层配置成选择性地吸收可见光带中的第一波长带和第二波长带的光。

16.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一波长带是480nm至505nm，并且所述第二波长带是585nm至605nm。

17.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层以相同的配置设置在所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件上。

18.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层在所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件与所述光阻挡层之间延伸。

19.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述光阻挡层的开口的宽度大于所述第二绝缘层的所述上表面的所述宽度。

20.如权利要求11所述的显示装置，还包括上部光阻挡层，所述上部光阻挡层在所述封装衬底和所述第一绝缘层之间。