KR20230060634A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230060634A
KR20230060634A KR1020210144968A KR20210144968A KR20230060634A KR 20230060634 A KR20230060634 A KR 20230060634A KR 1020210144968 A KR1020210144968 A KR 1020210144968A KR 20210144968 A KR20210144968 A KR 20210144968A KR 20230060634 A KR20230060634 A KR 20230060634A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
display device
disposed
light emitting
low reflection
Prior art date
Application number
KR1020210144968A
Other languages
English (en)
Inventor
박혜경
이현범
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210144968A priority Critical patent/KR20230060634A/ko
Priority to US17/944,645 priority patent/US20230130485A1/en
Priority to CN202222849835.7U priority patent/CN219288075U/zh
Priority to CN202211339663.7A priority patent/CN116056513A/zh
Publication of KR20230060634A publication Critical patent/KR20230060634A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 복수의 표시요소들 및 상기 표시요소들 각각의 발광영역을 정의하는 하부개구부를 구비한 뱅크층을 포함하는 표시요소층, 상기 표시요소층 상에 배치되며 상기 발광영역에 대응하는 개구부를 가지며, 무기 재료를 포함하는 저반사층, 및 상기 저반사층 상에 배치되며 상기 하부개구부와 중첩하는 상부개구부를 구비한 차광층을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display Device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
종래의 표시 장치는 외광 반사로 인해 시인성이 저하되는 문제점이 존재하였다.
본 발명의 실시예들은 외광반사를 줄여 시인성이 향상되는 동시에 광효율이 우수한 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 복수의 표시요소들, 및 상기 표시요소들 각각의 발광영역을 정의하는 하부개구부를 구비한 뱅크층을 포함하는 표시요소층; 상기 표시요소층 상에 배치되며 상기 발광영역에 대응하는 개구부를 가지며, 무기 재료를 포함하는 저반사층; 및 상기 저반사층 상에 배치되며 상기 하부개구부와 중첩하는 상부개구부를 구비한 차광층;을 포함하는, 표시 장치가 제공된다.
일 실시예예서, 상기 표시 장치는 상기 차광층 상에 배치되고 염료 또는 안료를 포함하는 상부층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부층은, 상기 표시요소들 각각에 대응하며 서로 다른 색의 컬러필터들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부층은, 상기 표시요소들에 대응하여 일체로 형성된 반사조정층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 비스무스(Bi), 이터븀(Yb), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 백금(Pt), 텅스텐(W), 인듐(In), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 구리(Cu), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 굴절률(n)이 1 이상일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 뱅크층은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시요소층 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함하고, 상기 저반사층은 상기 캡핑층의 바로 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부개구부는 상기 하부개구부의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 저반사층 상에 배치되는 박막봉지층; 및 상기 박막봉지층 상에 배치되는 터치센서층;을 더 포함하고, 상기 차광층은 상기 터치센서층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제1전극; 상기 제1전극의 에지를 커버하며, 상기 제1전극에 중첩하는 하부개구부를 갖는 뱅크층; 상기 뱅크층 상에 배치되며 상기 하부개구부를 통해 상기 제1전극과 중첩하는 중간층; 상기 중간층 상의 제2전극; 상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 뱅크층의 상기 하부개구부와 중첩하는 개구부를 갖는 저반사층; 및 상기 저반사층 상에 배치되고, 상기 하부개구부와 중첩하는 상부개구부를 포함하는 차광층;을 구비하는, 표시 장치가 제공된다.
일 실시예에서, 상기 차광층 상에 배치되고 염료 또는 안료를 포함하는 상부층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 비스무스(Bi), 이터븀(Yb), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 백금(Pt), 텅스텐(W), 인듐(In), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 구리(Cu), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저반사층은 굴절률(n)이 1 이상일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 뱅크층은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 제2전극 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함하고, 상기 저반사층은 상기 캡핑층의 바로 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부개구부는 상기 하부개구부의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 저반사층 상에 배치되는 박막봉지층; 및 상기 박막봉지층 상에 배치되는 터치센서층;을 더 포함하고, 상기 차광층은 상기 터치센서층 상에 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광영역에 대응하는 개구부를 갖는 저반사층을 포함하여, 외광 반사를 줄여 시인성이 향상되는 동시에 휘도가 높게 유지될 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 부화소에 구비된 표시요소 및 그에 연결된 부화소회로를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도로, 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 표시영역에 포함될 수 있는 부화소 배치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 변형예로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2표시영역의 일부를 도시한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 9의 변형예로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2표시영역의 일부를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
일 실시예에서, 표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 내비게이션, UMPC (Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 표시 장치(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 표시 장치(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이로 사용될 수 있다. 도 1은 설명의 편의를 위하여 표시 장치(1)가 스마트 폰으로 사용되는 것을 도시한다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA) 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 도 1에서는 표시영역(DA)이 대략 직사각형의 형상을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 표시영역(DA)은 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 형상으로 구비될 수 있다.
표시영역(DA)은 이미지를 표시하는 부분으로, 표시영역(DA)에는 복수의 부화소(P)가 배치될 수 있다. 각각의 부화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)와 같은 발광소자를 포함할 수 있다. 각각의 부화소(P)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다.
표시영역(DA)은 부화소(P)들에서 방출되는 광을 통해 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 본 명세서에서의 부화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색 또는 백색 중 어느 하나의 색상의 광을 방출하는 발광영역으로 정의될 수 있다.
비표시영역(NDA)은 부화소(P)들이 배치되지 않은 영역으로, 이미지를 제공하지 않는 영역일 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 부화소(P)들의 구동을 위한 전원공급배선 및 구동회로부를 포함하는 인쇄회로기판이나 드라이버 IC가 연결되는 단자부 등이 배치될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명한다. 하지만 본 발명의 표시 장치는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 본 발명의 표시 장치는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL 표시 장치)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예컨대, 표시 장치에 구비된 발광소자가 포함하는 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함할 수 있다. 그리고 발광층에서 방출되는 광의 경로 상에 양자점이 위치할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 부화소에 구비된 표시요소 및 그에 연결된 부화소회로(PC)를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)는 부화소회로(PC)에 연결된다. 부화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(예, 애노드)은 부화소회로(PC)에 연결되고, 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극(예, 캐소드)은 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2는 부화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 또는 스토리지 커패시터의 개수는 부화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도로, 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 기판(100), 표시층(200), 저반사층(300), 박막봉지층(400), 터치센서층(500), 및 반사방지층(600)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트프로피오네이트 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 층과 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조를 이룰 수 있다.
표시층(200)은 표시요소로 유기발광다이오드, 유기발광다이오드에 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터, 및 이들 사이에 개재되는 절연층들을 포함할 수 있다.
표시층(200)은 상에는 저반사층(300)이 배치될 수 있고, 저반사층(300) 상에는 박막봉지층(400)이 배치될 수 있다. 예컨대, 표시층(200) 및/또는 저반사층(300)은 박막봉지층(400)으로 밀봉될 수 있다. 박막봉지층(400)는 적어도 하나의 무기막층과 적어도 하나의 유기막층을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 박막봉지층(400) 대신 글래스재로 형성된 봉지기판(미도시)을 구비할 수도 있다. 봉지기판은 표시층(200) 상에 배치될 수 있으며, 표시층(200)은 기판(100)과 봉지기판 사이에 개재될 수 있다. 봉지기판과 표시층(200) 사이에 갭이 존재할 수 있는데, 상기 갭은 충진재로 채워질 수 있다.
박막봉지층(400) 상에는 터치센서층(500)이 배치될 수 있다. 터치센서층(500)은 외부의 입력, 예컨대 손가락 또는 스타일러스 펜과 같은 물체의 터치를 감지하여, 표시 장치(1)가 터치 위치에 대응하는 좌표 정보를 획득할 수 있도록 할 수 있다. 터치센서층(500)은 터치 전극 및 터치 전극에 연결된 트레이스 라인들을 포함할 수 있다. 터치센서층(500)은 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
일 실시예에서, 터치센서층(500)은 박막봉지층(400) 상에 직접 형성될 수 있다. 또는, 터치센서층(500)은 별도로 형성된 후, 광학 투명 점착제(OCA, Optically clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 박막봉지층(400) 상에 점착될 수 있다.
터치센서층(500) 상에는 반사방지층(600)이 배치될 수 있다. 반사방지층(600)은 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 표시영역에 포함될 수 있는 부화소 배치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 4a를 참조하면, 표시 장치는 복수의 부화소들을 포함하며, 복수의 부화소들은 서로 다른 색상을 내는 제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1부화소(P1)는 적색, 제2부화소(P2)는 녹색, 제3부화소(P3)는 청색의 빛을 방출할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1부화소(P1)는 청색, 제2부화소(P2)는 녹색, 제3부화소(P3)는 적색을 방출할 수 있는 등 다양한 변형이 가능할 수 있다.
제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)는 다각형의 형태 중 사각형의 형태를 가질 수 있다. 본 명세서에서 "다각형 내지 사각형"은 꼭지점이 라운드진 형태를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)는 원형 또는 타원형의 형상을 가질 수 있다.
제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)의 크기는 서로 다르게 구비될 수 있다. 예컨대, 제2부화소(P2)의 면적은 제1부화소(P1) 및 제3부화소(P3)의 면적에 비해서 작게 구비될 수 있으며, 제1부화소(P1)의 면적은 제3부화소(P3)의 면적에 비해서 크게 구비될 수 있다. 다른 실시예로, 제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)의 크기는 실질적으로 동일하게 구비될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서에서 제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)의 크기(또는폭)는 각 부화소를 구현하는 표시요소의 발광영역(EA)의 크기(또는 폭)를 의미하며, 발광영역(EA)의 크기(또는 폭)는 뱅크층(225, 도 5 참조)에 구비된 하부개구부(225OP)의 크기(또는 폭)에 의해서 정의될 수 있다. 하부개구부(225OP)는 뱅크층(225, 도 5)의 두께 방향으로 뱅크층의 일부가 제거되면서 형성된 일종의 홀의 형상을 가질 수 있다.
한편, 표시층 상에 배치된 차광층(610)은 각 부화소에 대응하는 상부개구부(610OP)를 구비한다. 상부개구부(610OP)는 차광층(610)의 일부가 제거된 영역으로, 상기 상부개구부(610OP)를 통해서 표시요소에서 발광하는 빛이 외부로 출사될 수 있다. 상부개구부(610OP)는 차광층(610)의 두께 방향을 따라 차광층(610)을 관통하는 일종의 홀의 형상을 가질 수 있다. 차광층(610)의 몸체부(body portion)는 외부광을 흡수하는 물질로 구비되며, 이에 따라 표시 장치의 시인성이 향상될 수 있다. 일 실시예에서, 차광층(610)의 상부개구부(610OP)는 평면 형상이 모서리가 둥근 사각형의 형상일 수 있다.
평면도 상에서, 차광층(610)의 상부개구부(610OP)들은 제1 내지 제3부화소(P1, P2, P3)와 중첩할 수 있다. 일 실시예로서, 상부개구부(610OP) 각각의 크기(또는 면적, 폭)는 제1 내지 제3부화소(P1, P2, P3) 중 해당하는 부화소의 크기(또는 면적, 폭)보다 크게 형성될 수 있고, 따라서 각 상부개구부(610OP)의 외곽선은 해당하는 부화소의 외곽선을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 여기서, 해당한다고 함은 중첩하는 것을 나타낼 수 있다.
다른 실시예로서, 각 차광층(610)의 상부개구부(610OP)의 크기(또는 면적, 폭)는 각 부화소(P1, P2, P3)의 크기(또는 면적, 폭)과 실질적으로 동일하게 구비될 수 있다.
도 4a와 같이, 제1부화소(P1), 제2부화소(P2), 및 제3부화소(P3)는 펜타일(PENTILETM) 구조의 부화소 배열로 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 4b와 같이 스트라이프(stripe) 구조로 배치될 수 있다. 또한, 일부 실시예에서, 제1 내지 제3부화소(P1, P2, P3)는 모자익(mosaic) 구조, 델타 구조 등 다양한 부화소 배열 구조로 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다. 이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 적층순서에 따라 구체적으로 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 기판(100), 표시층(200), 저반사층(300), 박막봉지층(400), 터치센서층(500) 및 반사방지층(600)을 포함할 수 있다.
표시층(200)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 표시층(200)은 부화소회로층(210) 및 표시요소층(220)을 포함할 수 있다. 부화소회로층(210)은 박막트랜지스터(TFT)를 포함하며, 절연층들인 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 층간절연층(205), 평탄화층(207)을 구비할 수 있다.
버퍼층(201)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(201)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(201) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 예컨대, 버퍼층(201)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNX)을 포함할 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(ACT), 게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 이를 구동할 수 있다.
반도체층(ACT)은 버퍼층(201) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(ACT)은 폴리실리콘 또는 비정질실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(ACT)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(ACT)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo)의 단일층이거나, 몰리브덴(Mo)층, 알루미늄(Al)층 및 몰리브덴(Mo)층을 포함하는 3층 구조일 수 있다. 일 실시예에서, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 구리(Cu), 티타늄(Ti) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄(Ti)층, 알루미늄(Al)층 및 티타늄(Ti)층을 포함하는 3층 구조일 수 있다.
한편, 반도체층(ACT)과 게이트전극(GE)과의 절연성을 확보하기 위해, 게이트절연층(203)이 반도체층(ACT)과 게이트전극(GE) 사이에 배치될 수 있다. 게이트전극(GE)의 상부에는 층간절연층(205)이 배치될 수 있고, 층간절연층(205) 상에 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)이 배치될 수 있다.
게이트절연층(203) 및 층간절연층(205)은 각각 실리콘산화물, 실리콘질화물 및/또는 실리콘산질화물 등의 무기물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203) 및 층간절연층(205)은 무기물을 포함하는 절연막으로, CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다. 이는 후술하는 실시예들에 있어서도 마찬가지이다.
박막트랜지스터(TFT) 상에는 평탄화층(207)이 배치될 수 있다. 평탄한 상면을 제공하기 위해서, 평탄화층(207)을 형성한 후 평탄화층(207)의 상면에 화학적 기계적 폴리싱을 수행할 수 있다. 평탄화층(207)은 감광성 폴리이미드, 폴리이미드(polyimide), Polystyrene(PS), 폴리카보네이트(PC), BCB(Benzocyclobutene), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일렌계 고분자, 또는 비닐알콜계 고분자 등을 포함할 수 있다. 도 5에서는 평탄화층(207)이 단층으로 도시되어 있으나, 일부 실시예에서 평탄화층(207)은 다층일 수도 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(221)은 평탄화층(207)의 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)에 직접 접속될 수 있다.
표시요소층(220)은 부화소회로층(210) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(220)은 표시요소를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 표시요소층(220)은 표시요소로서 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3), 뱅크층(225), 및 스페이서(227)을 포함할 수 있다.
부화소회로층(210) 상에 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)가 배치될 수 있다. 제1유기발광다이오드(OLED1)는 제1전극(221), 제1공통층(222a), 제1발광층(222b), 제2공통층(222c)을 포함하는 제1중간층(222), 및 제2전극(223)의 적층구조를 포함하고, 제2유기발광다이오드(OLED2)는 제1전극(221'), 제1공통층(222a), 제2발광층(222b'), 제2공통층(222c)을 포함하는 제2중간층(222'), 및 제2전극(223)을 포함하고, 제3유기발광다이오드(OLED3)는 제1전극(221''), 제1공통층(221a), 제3발광층(222b''), 제2공통층(222c)을 포함하는 제3중간층(222''), 및 제2전극(223)을 포함할 수 있다.
이하에서는 제1부화소(P1)에 포함된 제1유기발광다이오드(OLED1)를 기준으로 설명하고, 제2유기발광다이오드(OLED2) 및 제3유기발광다이오드(OLED3)의 적층구조는 제1유기발광다이오드(OLED1)와 실질적으로 동일한 바, 중복 설명은 생략한다.
제1유기발광다이오드(OLED1)는 제1전극(221), 제1중간층(222)(이하, 중간층(222)), 및 제2전극(223)을 포함할 수 있다.
제1전극(221)은 평탄화층(207) 상에 배치될 수 있다. 제1전극(221)은 각 부화소 마다 배치될 수 있다. 이웃한 부화소들 각각에 대응하는 제1전극(221)들은 상호 이격되어 배치될 수 있다.
제1전극(221)은 반사 전극일 수 있다. 제1전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 및 이들의 화합물을 포함하는 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 도전층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO, indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO, zinc oxide), 인듐산화물(In2O3, indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO, indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO, aluminum zinc oxide)를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제1전극(221)들 상에는 뱅크층(225)이 배치될 수 있다. 뱅크층(225)은 제1전극(221)에 중첩하며 제1전극(221)의 중심 부분을 노출하는 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 2225OP3)를 가질 수 있다. 뱅크층(225)은 제1전극(221)의 에지를 커버하며, 제1전극(221)의 에지와 제2전극(223) 사이의 거리를 증가시켜 제1전극(221)의 에지에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)는 각 부화소에 포함된 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)을 정의할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 뱅크층(225)은 제1부화소(P1)에 포함된 제1유기발광다이오드(OLED1)의 제1발광영역(EA1)을 정의하는 제1하부개구부(225OP1)을 포함할 수 있다. 또한, 제2부화소(P2)의 제2유기발광다이오드(OLED2)의 제2발광영역(EA2)을 정의하는 제2하부개구부(225OP2)를 포함할 수 있고, 제3부화소(P3)의 제3유기발광다이오드(OLED3)의 제3발광영역(EA3)을 정의하는 제3하부개구부(225OP3)을 포함할 수 있다.
뱅크층(225)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 또는 뱅크층(225)은 실리콘질화물(SiNX)이나 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 뱅크층(225)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
뱅크층(225)은 광차단물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 뱅크층(225)의 광차단물질은 블랙일 수 있다. 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴, 및 그의 합금, 금속 산화물 입자 또는 금속 질화물 입자 등을 포함할 수 있다. 뱅크층(225)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 뱅크층(225)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 뱅크층(225)은 광차단 물질을 포함하지 않고, 투광성의 유기절연물을 포함할 수 있다.
뱅크층(225) 상에는 스페이서(227)가 배치될 수 있다. 스페이서(227)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(227)는 실리콘질화물이나 실리콘산화물과 같은 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 스페이서(227)는 전술한 광차단물질을 포함하는 뱅크층(225)과 다른 물질을 포함하고, 별개의 공정에서 각각 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 스페이서(227)는 뱅크층(225)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 뱅크층(225)과 스페이서(227)는 하프 톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
제1전극(221) 및 뱅크층(225) 상에는 중간층(222)이 배치될 수 있다. 중간층(222)은 제1공통층(222a), 발광층(222b)(즉, 제1발광층(222b)) 및 제2공통층(222c)을 포함할 수 있다.
발광층(222b)은 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3) 내부에 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 청색, 녹색 또는 적색의 광을 방출할 수 있는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물일 수 있다. 전술한 유기물은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
발광층(222b)의 아래 및 위에는 각각 제1공통층(222a) 및 제2공통층(222c)이 배치될 수 있다. 제1공통층(222a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2공통층(222c)은 예컨대, 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer)을 포함하거나, 전자 수송층 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2공통층(222c)은 구비되지 않을 수 있다.
발광층(222b)이 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)에 대응하도록 각 부화소 마다 배치되는데 반해, 제1공통층(222a) 및 제2공통층(222c)은 각각 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 일체로 형성될 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1공통층(222a) 및 제2공통층(222c)은 각각 기판(100)의 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.
제2전극(223)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있다. 이러한 제2전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
표시층(200)은 표시요소층(220) 상에 배치되는 캡핑층(230)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(230)은 제1내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로서, 캡핑층(230)은 보강 간섭의 원리에 의하여 제1 내지 제3유기발광다이오드 (OLED1, OLED2, OLED3)의 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
캡핑층(230)은 유기물을 포함한 유기 캡핑층, 무기물을 포함한 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 복합 캡핑층일 수 있다. 예컨대, 캡핑층(230)은 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민 그룹-함유 화합물, 포르핀 유도체(porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체(phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체(naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민 그룹-함유 화합물은 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br, I, 또는 이의 임의의 조합을 포함한 치환기로 치환될 수 있다.
캡핑층(230) 상에는 저반사층(300)이 배치될 수 있다. 캡핑층(230)은 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 상에 배치될 수 있으므로, 저반사층(300)은 유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 상에 배치된다고 할 수도 있다. 저반사층(300)은 비교적 반사율이 낮은 무기 재료를 포함할 수 있으며, 일 실시예로 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 저반사층(300)이 금속을 포함하는 경우, 금속은 예컨대, 이터븀(Yb), 비스무스(Bi), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 백금(Pt), 텅스텐(W), 인듐(In), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 구리(Cu), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 저반사층(300)이 금속 산화물을 포함하는 경우, 금속 산화물은 예컨대, SiO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, HfO2, Al2O3, ZnO, Y2O3, BeO, MgO, PbO2, WO3, SiNx, LiF, CaF2, MgF2, CdS 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 저반사층(300)에 포함된 무기 재료의 흡수 계수(k)는 0.5 이상 이고 4.0 이하 (0.5 ≤ k ≤ 4.0) 일 수 있다. 또한, 저반사층(300)에 포함된 무기 재료는 굴절률(n)이 1 이상 (n ≥1.0)인 물질을 포함할 수 있다.
저반사층(300)은 표시 장치(1)의 내부로 입사한 광과 저반사층(300)의 하부에 배치된 금속에서 반사되는 광 사이의 상쇄 간섭을 유도하여, 외광 반사율을 감소시킬 수 있다. 예컨대, 저반사층(300)의 상면에서 반사된 광과 제2전극(223)의 상면에서 반사된 광이 서로 상쇄 간섭되어 소멸되도록 유도 할 수 있다. 저반사층(300)을 통해 외광 반사율을 감소시킴으로써 표시 장치(1)의 표시 품질 및 시인성을 향상시킬 수 있다.
저반사층(300)은 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에 각각 대응하는 제1 내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)를 가질 수 있다. 저반사층(300)은 제1발광영역(EA1)에 대응하는 제1개구부(300OP1), 제2발광영역(EA2)에 대응하는 제2개구부(300OP2), 및 제3발광영역(EA3)에 대응하는 제3개구부(300OP3)을 포함할 수 있다. 저반사층(300)의 제1개구부(300OP1)는 뱅크층(225)의 제1하부개구부(225OP1)과 중첩하고, 제2개구부(300OP2)는 제2하부개구부(225OP2)와 중첩하고, 제3개구부(300OP3)는 제3하부개구부(OP3)과 중첩할 수 있다.
일부 실시예에서, 저반사층(300)의 제1내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)는 각각 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)와 같은 폭을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 저반사층(300)의 제1내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)의 폭은 각각 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)의 폭 보다 작거나 클 수 있다.
비교예에서, 저반사층(300)이 제2전극(223)과 같이 표시영역(DA)의 전면에 걸쳐 배치된 경우, 외광 반사율이 감소하나, 표시 장치(1)의 광효율은 저하될 수 있다. 바꾸어 말하면, 저반사층(300)이 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)을 커버하는 경우, 외광 반사율은 감소할 수 있으나 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 발광효율이 저하되는 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에서, 저반사층(300)은 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에 대응하는 제1 내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)를 가지므로, 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에서 발광된 빛이 저반사층(300)에 의해 영향 받지 않고 외부로 출사될 수 있으며, 표시 장치(1)의 광효율이 개선될 수 있다.
저반사층(300) 상에는 박막봉지층(400)이 배치될 수 있다. 박막봉지층(400)은 적어도 하나의 무기막층과 적어도 하나의 유기막층을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 박막봉지층(400)은 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(410), 유기봉지층(420), 및 제2무기봉지층(430)을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(410) 및 제2무기봉지층(430)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 산질화규소(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO) 등과 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(410) 및 제2무기봉지층(430)은 전술한 무기절연물을 포함하는 단일층 또는 다층 구조일 수 있다.
유기봉지층(420)은 제1무기봉지층(410) 및/또는 제2무기봉지층(430)의 내부 스트레스를 완화시킬 수 있다. 유기봉지층(420)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(420)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예컨대, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
박막봉지층(400)은 제1무기봉지층(410), 유기봉지층(420), 및 제2무기봉지층(430)의 다층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 박막봉지층(400) 내에 크랙이 발생하더라도, 제1무기봉지층(410)과 유기봉지층(420) 사이에서 또는 유기봉지층(420)과 제2무기봉지층(430) 사이에서 크랙이 전파되지 않을 수 있다. 박막봉지층(400)은 외부의 수분이나 산소 등이 표시영역(DA)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
터치센서층(500)은 박막봉지층(400) 상에 배치될 수 있다. 터치센서층(500)은 제1도전층(MTL1), 제1터치절연층(510), 제2도전층(MTL2) 및 제2터치절연층(520)을 포함할 수 있다. 제1도전층(MTL1)은 박막봉지층(400) 상에 직접 배치될 수도 있다. 예컨대, 제1도전층(MTL1)은 박막봉지층(400)의 제2무기봉지층(430) 상에 직접 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 터치센서층(500)은 제1도전층(MTL1)과 박막봉지층(400) 사이에 개재되는 절연막(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 절연막은 박막봉지층(400)의 제2무기봉지층(430) 상에 배치되어, 제1도전층(MTL1) 등이 배치되는 면을 평탄화할 수 있다. 절연막은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 절연막은 유기 절연물을 포함할 수도 있다.
제1도전층(MTL1) 상에는 제1터치절연층(510)이 배치될 수 있다. 제1터치절연층(510)은 무기물 또는 유기물로 구비될 수 있다. 제1터치절연층(510)이 무기물로 구비되는 경우, 제1터치절연층(510)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 제1터치절연층(510)이 유기물로 구비되는 경우, 제1터치절연층(510)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제1터치절연층(510) 상에는 제2도전층(MTL2)이 배치될 수 있다. 제2도전층(MTL2)은 사용자의 터치 입력을 감지하는 센서의 역할을 할 수 있다. 제1도전층(MTL1)은 패터닝된 제2도전층(MTL2)을 일 방향으로 연결하는 연결부의 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)은 모두 센서의 역할을 할 수 있다. 이 경우, 제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)은 컨택홀(CH)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)이 모두 센서의 역할을 하는 경우, 터치 전극의 저항이 감소하여 사용자의 터치 입력을 빠르게 감지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)은 유기발광다이오드(OLED)로부터 방출되는 빛이 통과할 수 있는 구조, 예컨대, 메쉬 구조를 가질 수 있다. 이때, 제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)은 유기발광다이오드(OLED)의 발광영역(EA)과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.
제1도전층(MTL1)과 제2도전층(MTL2)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물, PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 탄소나노튜브 또는 그래핀(graphene) 등을 포함할 수 있다.
제2도전층(MTL2) 상에는 제2터치절연층(520)이 배치될 수 있다. 제2터치절연층(520)은 무기물 또는 유기물로 구비될 수 있다. 제2터치절연층(520)이 무기물로 구비되는 경우, 제2터치절연층(520)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 제2터치절연층(520)이 유기물로 구비되는 경우, 제2터치절연층(520)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 터치센서층(500)은 제1도전층(MTL1), 제1터치절연층(510) 및 제2도전층(MTL2)을 포함하되, 제2터치절연층(520)을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 차광층(610)은 제2도전층(MTL2)을 커버하는 구조로 구비될 수 있다. 차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)를 통해 제1터치절연층(510)의 일부가 노출될 수 있다.
터치센서층(500) 상에는 반사방지층(600)이 배치될 수 있다. 반사방지층(600)은 외부에서 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사방지층(600)은 차광층(610), 및 염료 또는 안료를 포함하는 상부층(미도시)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상부층(미도시)은 도 5에 도시된 바와 같이 반사조정층(625)을 포함할 수 있다.
차광층(610)은 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에 각각 대응하는 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)를 구비할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)은 각각 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)에 의해서 정의될 수 있고, 차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)는 각각 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)와 중첩할 수 있다. 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)는 각각 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)의 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에 각각 대응될 수 있다. 차광층(610)의 제1상부개구부(610OP1)는 뱅크층(225)의 제1하부개구부(225OP1)과 중첩하고, 제2상부개구부(610OP2)는 제2하부개구부(225OP2)와 중첩하고, 제3상부개구부(610OP3)는 제3하부개구부(225OP3)과 중첩할 수 있다.
차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)의 폭은 각각 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)의 폭 보다 크게 구비될 수 있다.
차광층(610) 및 뱅크층(225)이 측면에 경사를 갖는 경우, 차광층(610) 및 뱅크층(225)에 포함된 각각의 개구부의 폭은 두께방향에 따라 달라질 수 있는데, 본 발명에서의 개구부의 폭은 '최소 폭'을 의미한다.
제1상부개구부(610OP1)의 폭은 제1하부개구부(225OP1)의 폭보다 클 수 있다. 또한, 제2상부개구부(610OP2)의 폭은 제2하부개구부(225OP2)의 폭보다 클 수 있고, 제3상부개구부(610OP3)의 폭은 제3하부개구부(225OP3)의 폭보다 다 클 수 있다. 이 경우, 표시 장치(1)의 측면 시야각을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 제1상부개구부(610OP1)의 폭이 제1하부개구부(225OP1)의 폭과 같거나 작은 경우, 사용자는 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에서 방출되며 z 방향으로 진행하는 빛을 주로 수광하게 되나, 본 발명에서와 같이 전술한 구조를 갖는 경우, 정면 시야각뿐만 아니라 측면 시야각을 향상시킬 수 있다.
차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3) 각각의 폭은 각기 대응하는 저반사층(300)의 제1 내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)의 각각의 폭과 다를 수 있다. 저반사층(300)의 제1 내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)는 차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP, 610OP2, 610OP3)의 폭 보다 작은 폭을 가질 수 있다. 예컨대, 제1발광영역(EA1)에 중첩하는 저반사층(300)의 제1개구부(300OP1)는 제1상부개구부(610OP1)의 폭 보다 작은 폭을 가질 수 있다. 바꾸어 말하면, 일 실시예에서, 제1상부개구부(610OP1)와 중첩하고 뱅크층(225)의 제1하부개구부(225OP1)와 중첩하지 않는 영역의 적어도 일부에는 저반사층(300)이 배치될 수 있다. 해당 영역에 저반사층(300)이 배치되면, 표시 장치(1)의 광효율을 저하시키지 않으면서, 외광 반사를 억제할 수 있다.
반사조정층(625)은 표시 장치 내부에서 반사된 광 또는 표시 장치 외부에서 입사한 광 중에서 일부 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수할 수 있다. 반사조정층(625)은 염료, 안료 또는 이들의 조합을 포함하는 유기물층으로 구비될 수 있다.
반사조정층(625)은 테트라아자포르피린(Tetra aza porphyrin, TAP)계 화합물, 포피린(Porphyrin)계 화합물, 메탈 포피린(Metal Porphyrin)계 화합물, 옥사진(Oxazine)계 화합물, 스쿠아릴륨(Squarylium)계 화합물, 트리아릴메탄(Triarylmethane)계 화합물, 폴리메틴(Polymethine)계 화합물, 트라퀴논(anthraquinone)계 화합물, 프탈로시아닌(Phthalocyanine)계 화합물, 아조(azo)계 화합물, 퍼릴렌(perylene)계 화합물, 크산텐(Xanthene)계 화합물, 디이모늄(diimmonium)계　화합물, 디피로메텐계(Dipyrromethene)계 화합물, 시아닌(Cyanine)계 화합물, 및 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 반사조정층(625) 표면에서 SCI (Specular Component Included) 모드로 측정된 반사율이 10% 이하일 수 있다. 즉, 반사조정층(625)이 표시 장치의 외광 반사를 흡수하여 시인성이 향상될 수 있다.
반사조정층(625)은 차광층(610) 및 차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3)를 덮도록 표시영역(DA)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반사조정층(625)은 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 대응하여 일체로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에서 방출된 각각의 광(L1, L2, L3)은 모두 반사조정층(630)을 통과하게 된다.
일 실시예에서, 서로 다른 색의 컬러필터들(621a, 621b, 621c, 도 6 참조)을 포함하는 컬러필터층(621, 도 6 참조)을 대신하여 일체로 형성된 반사조정층(625)을 구비하여, 공정 단계가 적고 공정 비용이 감소할 수 있다.
일 실시예에서, 반사조정층(625)은 약 60% 내지 80%의 투과율을 가질 수 있다. 반사조정층(625)의 광투과율은 반사조정층(625)에 포함된 안료 및/또는 염료의 함량에 따라 조절될 수 있다.
도 6 및 도 7은 도 5의 변형 실시예로서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7의 표시 장치는, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 저반사층(300)의 구조와 동일한 구조를 포함할 수 있다. 예컨대, 표시 장치(1)는 저반사층(300)은 제1 내지 제3발광영역(EA)에 각각 대응하는 제1 내지 제3개구부(300OP1, 300OP2, 300OP3)를 포함할 수 있다. 도 6 및 도 7의 표시 장치는, 반사방지층(600)의 구성에서 도 5를 참조하여 설명한 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 반사방지층(600)의 차이점을 위주로 설명하고, 중복되는 내용은 생략한다.
일 실시예에서, 상부층(미도시)은 도 6에 도시된 바와 같이, 일체로 형성된 반사조정층(625)을 포함하지 않고 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3) 각각에 대응하는 서로 다른 색의 컬러필터들(621a, 621b, 621c)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 차광층(610)의 제1 내지 제3상부개구부(610OP1, 610OP2, 610OP3) 각각에는 제1 내지 제3컬러필터(621a, 621b, 621c)가 배치될 수 있다. 제1 내지 제3컬러필터(621a, 621b, 621c)는 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에서 방출되는 빛과 대응하는 색을 가질 수 있다. 일 실시예로, 제1발광영역(EA1)에서 적색의 빛을 방출하는 경우 제1컬러필터(621a)는 적색의 컬러필터이고, 제2발광영역(EA2)에서 녹색의 빛을 방출하는 경우 제2컬러필터(621b)는 녹색의 컬러필터이고, 제3발광영역(EA3)에서 청색의 빛을 방출하는 경우 제3컬러필터(621c)는 청색의 컬러필터일 수 있다.
오버코트층(630)은 차광층(610) 및 컬러필터층(621) 상에 배치될 수 있다. 오버코트층(630)은 가시광 대역의 색을 가지고 있지 않는 무색의 투광성 층으로, 차광층(610)의 상면 및 컬러필터층(621)의 상면을 평탄화할 수 있다. 오버코트층(630)은 아크릴 계열의 수지와 같은 무색의 투광성 유기물을 포함할 수 있으며, 윈도우(미도시)로 커버될 수 있다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에서 상부층(미도시)은 반사조정층(625) 및 컬러필터들(621a, 621b, 621c)을 구비할 수 있다. 표시 장치(1)의 상부층은 각 부화소에 공통으로 적용되는 반사조정층(625) 및 각 부화소의 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3)에 대응하는 서로 다른 색의 컬러필터들(621a, 621b, 621c)을 구비하여 광투과율을 높이는 동시에 외광 반사를 줄일 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(1)는 서로 다른 색을 내는 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)에 대응되는 제1 내지 제3컬러필터(621a, 621b, 621c)를 모두 구비하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서는, 서로 다른 색을 내는 발광영역(EA) 중 어느 하나에 대응하여 서로 다른 색을 갖는 컬러필터들 중 어느 하나만을 구비할 수도 있다. 예컨대, 반사조정층이 적색 파장대역의 광투과율이 저하되는 경우, 적색의 빛을 방출하는 발광영역에 대응하여 적색의 컬러필터만을 구비할 수 있다. 이 경우, 공정을 간소화하면서 광효율을 극대화할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 반사방지층(600)이 도 5에 도시된 바와 같이 반사조정층(625)을 포함하거나, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3컬러필터(621a, 621b, 621c)를 포함하거나, 도 7에 도시된 바와 같이 반사조정층(625) 및 제1 내지 제3컬러필터들(621a, 621b, 621c)을 포함할 수 있으며, 전술한 구조를 통해 제1 내지 제3유기발광다이오드(OLED1, OELD2, OLED3)에서 방출된 빛의 투과율을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 비교예로서, 외광 반사를 줄이기 위해서 반사방지층으로 편광판(polarizer)을 사용하는 경우, 편광판에 의해 제1 내지 제3유기발광다이오드에서 발광한 빛의 투과율이 현저하게 줄어들 수 있다. 그러나 본 실시예의 표시 장치(1)는 반사조정층(625) 및/또는 제1 내지 제3컬러필터들(621a, 621b, 621c)을 포함하므로, 광투과율을 높이는 동시에 외광 반사를 줄일 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 제1표시영역(DA1), 및 제2표시영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제2표시영역(DA2)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부가하기 위한 컴포넌트가 배치되는 영역으로, 제2표시영역(DA2)은 컴포넌트 영역에 해당할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제2표시영역(DA2)의 면적이 제1표시영역(DA1)의 면적보다 작을 수 있다. 도 8은 제2표시영역(DA2)이 제1표시영역(DA1)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일부 실시예에서, 제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2표시영역(DA2)의 일부를 도시한 단면도이고, 도 10 및 도 11은 도 9의 변형예로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2표시영역(DA2)의 일부를 도시한 단면도이다.
일 실시예에서, 표시 장치(1)는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)과 중첩하게 배치된 표시 패널(10)의 하면 상에 배치된 컴포넌트를 포함할 수 있다. 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 제2표시영역(DA2)에 컴포넌트(42)가 배치될 수 있다.
컴포넌트(42)는 근접 센서, 조도 센서, 홍채 센서, 안면 인식 센서와 같은 센서, 및 카메라(또는 이미지 센서)를 포함할 수 있다. 컴포넌트(42)는 빛을 이용할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(42)는 적외선, 자외선, 가시광선 대역의 빛을 방출하거나 및/또는 수광할 수 있다. 적외선을 이용하는 근접 센서는 표시 장치(1)의 상면에 근접하게 배치된 물체를 검출할 수 있으며, 조도 센서는 표시 장치(1)의 상면으로 입사되는 광의 밝기를 감지할 수 있다. 또한, 홍채 센서는 표시 장치(1)의 상면 상에 배치된 사람의 홍채를 촬영할 수 있으며, 카메라는 표시 장치(1)의 상면 상에 배치된 물체에 관한 빛을 수광할 수 있다.
표시 장치(1)는 기판(100), 박막트랜지스터(TFT) 및 박막트랜지스터(TFT)에 연결된 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 표시층(200), 저반사층(300), 박막봉지층(400), 터치센서층(500), 및 반사방지층(600)을 포함할 수 있다. 도 9, 도 10 및 도 11에 있어서, 도 5, 도 6, 및 도 7과 동일한 참조부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다.
제1표시영역(DA1) 및 제2표시영역(DA2) 각각에는 서로 다른 빛을 방출하는 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)은 각각 앞서 도 5를 참조하여 설명한 뱅크층(225)의 제1 내지 제3하부개구부(225OP1, 225OP2, 225OP3)에 의해 정의될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)과 달리 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 투과영역(TA)은 이웃한 발광영역들 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이 투과영역(TA)은 서로 다른 색의 빛을 방출하는 발광영역들 사이에 배치될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 투과영역(TA)은 동일한 색의 빛을 방출하는 발광영역들 사이에 배치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2표시영역(DA2)에는 제1유기발광다이오드(OLED1)에 대응되는 제1발광영역(EA1), 제2유기발광다이오드(OLED2)에 대응되는 제2발광영역(EA2) 및 그 사이에 투과영역(TA)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 컴포넌트(42)는 빛을 이용할 수 있으므로, 컴포넌트(42)는 광투과율이 높은 투과영역(TA)에 중첩하여 배치될 수 있다.
뱅크층(225)은 제1발광영역(EA1)을 정의하는 제1하부개구부(225OP1) 및 제3발광영역(EA3)을 정의하는 제3하부개구부(225OP3)을 포함하되, 제1하부개구부(225OP1) 및 제3하부개구부(225OP3) 사이에 위치하며 투과영역(TA)에 대응하는 제1투과개구부(225A)를 포함할 수 있다.
저반사층(300)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구부(300A)를 포함할 수 있다. 바꾸어 말하면, 저반사층(300)은 투과영역(TA)을 정의하는 뱅크층(225)의 제1투과개구부(225A)와 중첩하는 개구부(300A)를 가질 수 있다.
뱅크층(225)의 제1투과개구부(225A)와 중첩하는 저반사층(300)의 개구부(300A)의 폭은 도 9에 도시된 바와 같이, 제1투과개구부(225A)의 크기(또는 면적, 폭)과 같을 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 뱅크층(225)의 제1투과개구부(225A)와 중첩하는 저반사층(300)의 개구부(300A)의 폭은 제1투과개구부(225A)의 크기(또는 면적, 폭)보다 작거나 클 수 있다.
비교예에서, 저반사층(300)이 투과영역(TA)을 포함하여 표시영역(DA)의 전면에 걸쳐 배치된 경우, 투과영역(TA)에서 광투과율이 감소하고, 표시 장치(1)의 광효율이 저하될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 저반사층(300)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구부를 가지므로, 투과영역(TA)에서 광투과율이 증가할 수 있다.
도 9에는 제2전극(223)이 투과영역(TA)을 커버하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 제2전극(223)은 전술한 저반사층(300)과 같이 투과영역(TA)에 대응하는 개구부를 가질 수 있다. 유사하게, 도 9에는 기판(100)과 뱅크층(225) 사이의 절연층, 예컨대 평탄화층(207), 층간절연층(205), 및 게이트절연층(203)이 투과영역(TA)을 커버하는 것을 도시하지만, 다른 실시예로서 전술한 절연층들 중 적어도 어느 하나는 투과영역(TA)에 해당하는 개구부를 가질 수 있다.
반사방지층(600)은 차광층(610), 및 염료 또는 안료를 포함하는 상부층(미도시)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상부층(620)은 반사조정층(625) 및/또는 제1, 제3컬러필터들(621a, 621c, 도 10 및 도 11 참고)을 포함할 수 있다.
차광층(610)은 제1발광영역(EA1)에 대응하는 제1상부개구부(610OP1) 및 제3발광영역(EA3)에 대응하는 제3상부개구부(610OP3)를 포함하되, 제1상부개구부(610OP1) 및 제3상부개구부(610OP3) 사이에 위치하며 투과영역(TA)에 대응하는 제2투과개구부(610A)를 포함할 수 있다.
차광층(610)의 제2투과개구부(610A)는 투과영역(TA)을 정의하는 뱅크층(225)의 제1투과개구부(225A)와 중첩할 수 있다. 차광층(610)의 제2투과개구부(610A)의 폭은 투과영역(TA)에 대응하는 뱅크층의 제1투과개구부(225A)의 폭 보다 작을 수 있다.
투과영역(TA)에 대응되는 저반사층(300)의 개구부(300A)는 차광층(610)의 제2투과개구부(610A)의 폭보다 작은 폭을 가질 수 있다. 바꾸어 말하면, 일 실시예에서, 차광층(610)의 제2투과개구부(610A)와 중첩하고 뱅크층(225)의 제1투과개구부(225A)와 중첩하지 않는 영역의 적어도 일부에는 저반사층(300)이 배치될 수 있다. 해당 영역에 저반사층(300)이 배치되면, 투과영역(TA)의 광투과율을 감소시키지 않으면서, 외광 반사 억제 효과를 극대화할 수 있다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에서 상부층은 반사조정층(625)을 포함할 수 있다. 반사조정층(625)은 투과영역(TA)을 포함하여 제2표시영역(DA2) 전면에 걸쳐 배치될 수 있다. 반사조정층(625)은 차광층(610)의 제2투과개구부(610A) 및 제1, 제3상부개구부(610OP1, 610OP3)를 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 반사조정층(625)은 외부 입사광 및 반사광 중 일부 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하므로 표시 장치(1)의 시인성이 향상될 수 있다.
도 10을 참조하면, 일 실시예에서 상부층은 반사조정층(625) 대신 컬러필터층(621)을 포함하고, 반사방지층(600)은 차광층(610) 및 제1, 제3컬러필터들(621a, 621c) 상에 배치된 오버코트층(630)을 포함할 수 있다. 상부층은 제1발광영역(EA1)에 대응되는 제1컬러필터(621a), 및 제3발광영역(EA3)에 대응되는 제3컬러필터(621c)를 포함할 수 있다. 오버코트층(630)은 제2투과개구부(610A)를 적어도 부분적으로 채울 수 있다.
도 11을 참조하면, 일 실시예에서, 상부층은 컬러필터층(621) 및 제1, 제3컬러필터들(621a, 621c)을 포함할 수 있다. 상부층은 제1발광영역(EA1)에 대응되는 제1컬러필터(621a), 및 제3발광영역(EA3)에 대응되는 제3컬러필터(621c)를 포함할 수 있고, 반사조정층(625)은 제2투과개구부(610A)를 적어도 부분적으로 채울 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 표시 장치(1)의 광효율을 개선하기 위해, 반사조정층(625) 및/또는 컬러필터들(621a, 621c)과, 발광영역(EA) 및 투과영역(TA)에 대응하는 개구부를 갖는 저반사층(300)을 포함할 수 있다. 도 9 내지 도 11에 따르면, 저반사층(300)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구부를 포함함으로써, 표시 장치(1)의 외광 반사를 줄여 시인성을 향상시키는 동시에 투과영역(TA)의 광투과율을 개선할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치
OLED1, OLED2, OLED3: 제1 내지 제3유기발광다이오드
EA1, EA2, EA3: 제1 내지 제3발광영역
TA: 투과영역
225: 뱅크층
225OP1, 225OP2, 225OP3: 제1 내지 제3하부개구부
225A: 제1투과개구부
230: 저반사층
610: 차광층
610OP1, 610OP2, 610OP3: 제1 내지 제3상부개구부
610A: 제2투과개구부
621a, 621b, 621c: 제1 내지 제3 컬러필터
625: 반사조정층
630: 오버코트층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 복수의 표시요소들, 및 상기 표시요소들 각각의 발광영역을 정의하는 하부개구부를 구비한 뱅크층을 포함하는 표시요소층;
    상기 표시요소층 상에 배치되며 상기 발광영역에 대응하는 개구부를 가지며, 무기 재료를 포함하는 저반사층; 및
    상기 저반사층 상에 배치되며 상기 하부개구부와 중첩하는 상부개구부를 구비한 차광층;을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차광층 상에 배치되고 염료 또는 안료를 포함하는 상부층을 더 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부층은,
    상기 표시요소들 각각에 대응하며 서로 다른 색의 컬러필터들을 포함하는, 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 상부층은,
    상기 표시요소들에 대응하여 일체로 형성된 반사조정층을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 저반사층은 비스무스(Bi), 이터븀(Yb), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 백금(Pt), 텅스텐(W), 인듐(In), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 구리(Cu), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층은 굴절률(n)이 1 이상인, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 뱅크층은 광차단 물질을 포함하는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표시요소층 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함하고,
    상기 저반사층은 상기 캡핑층의 바로 상에 배치되는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 상부개구부는 상기 하부개구부의 폭보다 큰 폭을 갖는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 저반사층 상에 배치되는 박막봉지층; 및
    상기 박막봉지층 상에 배치되는 터치센서층;을 더 포함하고,
    상기 차광층은 상기 터치센서층 상에 배치되는, 표시 장치.
  12. 제1전극;
    상기 제1전극의 에지를 커버하며, 상기 제1전극에 중첩하는 하부개구부를 갖는 뱅크층;
    상기 뱅크층 상에 배치되며 상기 하부개구부를 통해 상기 제1전극과 중첩하는 중간층;
    상기 중간층 상의 제2전극;
    상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 뱅크층의 상기 하부개구부와 중첩하는 개구부를 갖는 저반사층; 및
    상기 저반사층 상에 배치되고, 상기 하부개구부와 중첩하는 상부개구부를 포함하는 차광층;을 구비하는, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 차광층 상에 배치되고 염료 또는 안료를 포함하는 상부층을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 저반사층은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 저반사층은 비스무스(Bi), 이터븀(Yb), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니오븀(Nb), 백금(Pt), 텅스텐(W), 인듐(In), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 망간(Mn), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 구리(Cu), 칼슘(Ca) 또는 이들의 조합을 포함하는, 표시 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 저반사층은 굴절률(n)이 1 이상인, 표시 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 뱅크층은 광차단 물질을 포함하는, 표시 장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 제2전극 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함하고,
    상기 저반사층은 상기 캡핑층의 바로 상에 배치되는, 표시 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 상부개구부는 상기 하부개구부의 폭보다 큰 폭을 갖는, 표시 장치.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 저반사층 상에 배치되는 박막봉지층; 및
    상기 박막봉지층 상에 배치되는 터치센서층;을 더 포함하고,
    상기 차광층은 상기 터치센서층 상에 배치되는, 표시 장치.
KR1020210144968A 2021-10-27 2021-10-27 표시 장치 KR20230060634A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210144968A KR20230060634A (ko) 2021-10-27 2021-10-27 표시 장치
US17/944,645 US20230130485A1 (en) 2021-10-27 2022-09-14 Display apparatus
CN202222849835.7U CN219288075U (zh) 2021-10-27 2022-10-27 显示设备
CN202211339663.7A CN116056513A (zh) 2021-10-27 2022-10-27 显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210144968A KR20230060634A (ko) 2021-10-27 2021-10-27 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230060634A true KR20230060634A (ko) 2023-05-08

Family

ID=86057213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210144968A KR20230060634A (ko) 2021-10-27 2021-10-27 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230130485A1 (ko)
KR (1) KR20230060634A (ko)
CN (2) CN116056513A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230130485A1 (en) 2023-04-27
CN116056513A (zh) 2023-05-02
CN219288075U (zh) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3822959A2 (en) Display apparatus
EP3787055A1 (en) Display apparatus
CN113257868A (zh) 显示装置和电子设备
CN112599566A (zh) 显示设备
KR20220129139A (ko) 표시 장치
US20210359047A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20200295294A1 (en) Display device
US20230112955A1 (en) Display apparatus
US20230105374A1 (en) Display apparatus
CN216250734U (zh) 显示面板和包括显示面板的电子设备
CN219288075U (zh) 显示设备
CN217485446U (zh) 显示面板
US20240147821A1 (en) Display apparatus
US20240172532A1 (en) Display apparatus
CN220545415U (zh) 显示设备
US20240172541A1 (en) Display apparatus
CN218831198U (zh) 显示面板和显示设备
US20240237467A1 (en) Display apparatus
US20230012798A1 (en) Display device
US20230354679A1 (en) Light emitting display device and manufacturing method thereof
CN115036432A (zh) 显示设备
KR20230016119A (ko) 디스플레이 장치
KR20210113535A (ko) 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
KR20220125902A (ko) 디스플레이 장치
CN115701764A (zh) 显示面板和电子设备