CN113257868A - 显示装置和电子设备 - Google Patents

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曺正铉
李承勳
郑镇九
崔凡洛
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示装置和一种电子设备。该显示装置包括：基底；两个像素电路，彼此间隔开地位于基底上，且透射区域位于其间，两个像素电路中的每个包括晶体管和存储电容器；两个显示元件，分别电结合到两个像素电路；底部金属层，位于基底与两个像素电路之间，并且在透射区域处包括通孔；封装构件，位于两个显示元件上；以及光学功能层，位于封装构件上，其中，光学功能层包括：第一层，包括第一开口、第二开口和第一倾斜部，第一开口位于透射区域处，第二开口与两个显示元件中的每个对应，并且第一倾斜部位于透射区域周围；以及第二层，位于第一层上。

Description

显示装置和电子设备
本申请要求于2020年2月12日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0017139号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例的方面涉及一种显示装置和一种包括该显示装置的电子设备。
背景技术
近来，显示装置的用途和应用已经多样化。另外，随着显示装置已经变得较薄和较轻，它们的使用范围已经逐渐扩大。
随着显示装置中显示区域所占据的面积扩大，已经添加了与显示装置组合或相关的各种功能。为了在扩大显示区域的同时添加各种功能，显示装置可以在显示区域内部具有用于添加各种功能而不是显示图像的功能的区域。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
为了将各种功能包含到显示装置中，可以在显示装置中布置诸如相机或传感器的组件。为了在确保显示装置中的具有较宽面积的显示区域的同时布置组件，可以将组件布置成与显示区域叠置。在布置组件的一种方法中，显示装置可以包括特定波长的光或声音可以穿过其的透射区域。
一些示例性实施例的附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且通过描述将部分地变得更明显，或者可以通过实践公开的所呈现的示例实施例来获悉。
根据一个或更多个示例实施例，一种显示装置包括：基底；两个像素电路，位于基底上以彼此分开，且透射区域位于其间，两个像素电路中的每个包括晶体管和存储电容器；两个显示元件，分别电结合到两个像素电路；底部金属层，位于基底与两个像素电路之间，并且包括与透射区域对应的通孔；封装构件，位于两个显示元件上；以及光学功能层，位于封装构件上，其中，光学功能层包括：第一层，包括第一开口、第二开口和第一倾斜部，第一开口与透射区域对应，第二开口与两个显示元件中的每个对应，并且第一倾斜部位于透射区域周围；以及第二层，位于第一层上，并且具有比第一层的折射率大的折射率。
根据一些示例实施例，当沿与基底垂直的方向观察时，第一倾斜部可以完全围绕透射区域。
根据一些示例实施例，第一倾斜部可以包括彼此分开的多个子部。
根据一些示例实施例，第一倾斜部的横向表面可以包括向前渐缩的倾斜表面。
根据一些示例实施例，第一层还可以在第一开口内部包括第二倾斜部。
根据一些示例实施例，第一倾斜部可以与第二倾斜部分开。
根据一些示例实施例，当沿与基底垂直的方向观察时，底部金属层的限定通孔的边缘可以位于第一倾斜部与第二倾斜部之间。
根据一些示例实施例，第二倾斜部的第一宽度可以比底部金属层的通孔的第二宽度小。
根据一些示例实施例，显示装置还可以包括输入感测层，输入感测层位于封装构件与光学功能层之间，并且包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
根据一些示例实施例，第一层的第一倾斜部可以与输入感测层的所述至少一个导电层叠置。
根据一些示例实施例，显示装置还可以包括反射防止层，反射防止层位于输入感测层上，并且包括黑矩阵和滤色器。
根据一些示例实施例，光学功能层的第一层的第一倾斜部可以与黑矩阵叠置。
根据一些示例实施例，黑矩阵可以包括与透射区域对应的通孔，并且第一层的一部分可以位于黑矩阵的通孔中。
根据一个或更多个示例实施例，一种电子设备包括：显示装置，包括多个像素的阵列，所述多个像素包括彼此分开的两个像素，且透射区域位于两个像素之间；以及组件，至少与透射区域叠置，其中，显示装置包括：显示层，包括所述多个像素；底部金属层，包括与透射区域对应的通孔；封装构件，位于显示层上；以及光学功能层，位于封装构件之上，其中，光学功能层包括：第一层，包括第一开口、第二开口和第一倾斜部，第一开口与透射区域对应，第二开口与所述多个像素中的每个对应，并且第一倾斜部位于透射区域周围；以及第二层，位于第一层上，并且具有比第一层的折射率大的折射率。
根据一些示例实施例，第一倾斜部的横向表面可以包括相对于位于第一层下的下层的顶表面向前渐缩的倾斜表面。
根据一些示例实施例，下层可以包括输入感测层，输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
根据一些示例实施例，第一倾斜部可以与输入感测层的所述至少一个导电层叠置。
根据一些示例实施例，下层还可以包括反射防止层，反射防止层位于输入感测层上，并且包括黑矩阵和滤色器。
根据一些示例实施例，光学功能层的第一层的第一倾斜部可以与黑矩阵叠置。
根据一些示例实施例，黑矩阵可以包括与透射区域对应的通孔，并且第一层的一部分可以位于黑矩阵的通孔中。
根据一些示例实施例，第一层还可以在第一开口内部包括第二倾斜部。
根据一些示例实施例，第一倾斜部可以与第二倾斜部分开。
根据一些示例实施例，当沿与基底垂直的方向观察时，底部金属层的限定通孔的边缘可以位于第一倾斜部与第二倾斜部之间。
根据一些示例实施例，第二倾斜部的第一宽度可以比底部金属层的通孔的第二宽度小。
根据一些示例实施例，组件可以包括传感器或相机。
根据一些示例实施例的这些和/或其他方面和特征将通过对示例实施例、附图和权利要求及其等同物的描述而变得更明显和更容易理解。
附图说明
通过结合附图进行的下面的描述，公开的特定实施例的以上和其他方面、特征及特性将更明显，在附图中：
图1A和图1B是根据一些示例实施例的包括显示装置的电子设备的透视图；
图2A至图2C是根据一些示例实施例的包括显示装置的电子设备的一部分的剖视图；
图3A和图3B是根据一些示例实施例的显示装置的平面图；
图4是根据一些示例实施例的连接到显示装置的有机发光二极管的像素电路的等效电路图；
图5是根据一些示例实施例的显示装置的第一显示区域的一部分的平面图；
图6A至图6C是根据一些示例实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的平面图；
图7是根据一些示例实施例的显示装置的显示面板的一部分的剖视图；
图8A和图8B是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；
图9A至图9E是根据一些示例实施例的显示装置中的光学功能层的第一层的在透射区域周围的倾斜部和底部金属层的平面图；
图10是根据一些示例实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图11是根据一些示例实施例的显示装置的一部分的剖视图；以及
图12是根据一些示例实施例的显示装置的一部分的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照在附图中示出的一些示例实施例的方面，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这一点而言，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述一些示例实施例的方面，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关的所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
在下文中，参照附图更详细地描述本公开的一些示例实施例的方面。当参照附图进行描述时，同样的附图标记用于同样的或对应的元件，并且省略其重复的描述。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些组件仅用来将一个组件与另一组件区分开。
如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(者/种)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或者间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，可以存在例如中间层、中间区域或中间组件。
为了便于说明，可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。换句话说，因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施特定实施例时，可以以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接地连接”到所述另一层、区域或组件，或可以“间接地连接”到所述另一层、区域或组件，且其他层、区域或组件置于它们之间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接地电连接”到所述另一层、区域或组件，或可以“间接地电连接”到所述另一层、区域或组件，且其他层、区域或组件置于它们之间。
图1A和图1B是根据一些示例实施例的包括显示装置的电子设备1的透视图。
参照图1A和图1B，电子设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。例如，根据一些示例实施例，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的外围周围，或者位于显示区域DA的占用面积外部。电子设备1可以通过二维地布置在显示区域DA中(例如，横跨显示区域DA的显示表面以矩阵布置)的多个像素的阵列来显示图像。所述多个像素可以包括第一像素P1和第二像素P2，第一像素P1布置在第一显示区域DA1中，第二像素P2布置在第二显示区域DA2中。
电子设备1可以通过使用从布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1发射的光来显示第一图像，并且通过使用从布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2发射的光来显示第二图像。根据一些示例实施例，第一图像和第二图像可以各自包括在电子设备1的显示区域DA中显示的图像中的一个的一部分。根据一些示例实施例，电子设备1可以显示彼此独立的第一图像和第二图像。
第二显示区域DA2可以包括位于第二像素P2之间的透射区域TA。透射区域TA包括光可以穿过其的区域。像素没有布置在透射区域TA中。
非显示区域NDA包括在其处不显示图像的区域。非显示区域NDA可以至少部分地围绕显示区域DA。例如，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。驱动器等可以布置在非显示区域NDA中，驱动器将电信号或电力提供到第一像素P1和第二像素P2。垫(pad，或称为“焊盘”)可以布置在非显示区域NDA中，垫是电子元件或印刷电路板等可以电连接到其的区域。
如图1A中所示，第二显示区域DA2在平面图中可以具有圆形形状或椭圆形形状。可选地，如图1B中所示，第二显示区域DA2可以具有诸如四边形形状的多边形形状或条型。
第二显示区域DA2可以布置在第一显示区域DA1的内部(见图1A)或者布置在第一显示区域DA1的一侧上(见图1B)。如图1A中所示，第二显示区域DA2可以完全被第一显示区域DA1围绕。根据一些示例实施例，第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1部分地围绕。例如，第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1部分地围绕，同时在第一显示区域DA1的一侧上位于拐角部分处。
第二显示区域DA2与显示区域DA的比率可以比第一显示区域DA1与显示区域DA的比率小。如图1A中所示，电子设备1可以包括一个第二显示区域DA2，或者包括两个或更多个第二显示区域DA2。
电子设备1可以包括移动电话、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机、佩戴在手腕上的智能手表或智能手环。
图2A至图2C是根据一些示例实施例的包括显示装置10的电子设备1的一部分的剖视图。
参照图2A至图2C，电子设备1可以包括显示装置10和组件20，组件20与显示装置10叠置。
显示装置10可以包括基底100、显示层200、薄膜封装层300A、输入感测层400、光学功能层500、反射防止层600和窗700，薄膜封装层300A在显示层200上。
组件20可以位于第二显示区域DA2中。组件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括测量距离的传感器(诸如接近传感器)、识别物体或用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小灯或捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用包括可见光、红外光、紫外光等的各种波长的光。使用声音的电子元件可以使用不同频段的超声波或声音。根据一些示例实施例，组件20可以包括诸如光发射器和光接收器的子组件。光发射器和光接收器可以具有一体的结构，或者具有物理地分离的结构的一对光发射器和光接收器可以构成一个组件20。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。在这种情况下，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构(未示出)。
显示层200可以布置在基底100的前表面上，并且底部保护膜175可以布置在基底100的后表面上。底部保护膜175可以附着到基底100的后表面。粘合层可以布置在底部保护膜175与基底100之间。可选地，底部保护膜175可以直接形成在基底100的后表面上。在这种情况下，粘合层不布置在底部保护膜175与基底100之间。
底部保护膜175可以支撑和保护基底100。底部保护膜175可以包括与第二显示区域DA2对应的开口175OP。底部保护膜175的开口175OP包括当底部保护膜175的一部分在厚度方向上被去除时形成的凹部。根据一些示例实施例，底部保护膜175的开口175OP可以在底部保护膜175的一部分在厚度方向上被完全去除时形成。在这种情况下，如图2A和图2C中所示，开口175OP可以具有通孔形状。根据一些示例实施例，当底部保护膜175的一部分在厚度方向上被部分地去除时，如图2B中所示，开口175OP可以具有盲孔形状。
因为底部保护膜175包括开口175OP，所以可以改善第二显示区域DA2的透射率，例如，透射区域TA的光透射率。底部保护膜175可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
显示层200可以包括多个像素。每个像素可以包括显示元件，并且发射红光、绿光或蓝光。显示元件可以包括有机发光二极管OLED。根据一些示例实施例，有机发光二极管OLED的其中发射光的区域可以与像素对应。
显示层200可以包括显示元件层、电路层和绝缘层IL，显示元件层包括有机发光二极管OLED，电路层包括电连接到有机发光二极管OLED的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED可以布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每个中，有机发光二极管OLED电连接到薄膜晶体管TFT。
第二显示区域DA2可以包括其中没有布置薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED的透射区域TA。透射区域TA可以包括从组件20发射和/或被引导到组件20的光可以穿过其的区域。在显示装置10中，透射区域TA的透射率可以是30％或更大、40％或更大、50％或更大、60％或更大、70％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大或者90％或更大。
底部金属层BML可以布置在基底100与显示层200之间，例如，在基底100与薄膜晶体管TFT之间。底部金属层BML可以包括从组件20发射和/或被引导到组件20的光可以穿过其的通孔BML-TH。底部金属层BML的通孔BML-TH位于透射区域TA中。底部金属层BML的其中没有形成通孔BML-TH的部分可以防止光通过像素电路PC(见图4)的窄间隙或者在连接到布置在第二显示区域DA2中的像素电路PC的布线之间衍射。底部金属层BML可以改善薄膜晶体管TFT的性能。底部金属层BML的一部分不存在于透射区域TA中。例如，底部金属层BML可以包括位于透射区域TA中的孔(多个孔)。
显示层200可以由封装构件密封。根据一些示例实施例，如图2A和图2B中所示，封装构件可以包括薄膜封装层300A。薄膜封装层300A可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些示例实施例，薄膜封装层300A可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。
根据一些示例实施例，如图2C中所示，封装构件可以包括封装基底300B。封装基底300B可以面对基底100，且显示层200在其间。封装基底300B与显示层200之间可以存在间隙。封装基底300B可以包括玻璃。密封剂可以布置在基底100与封装基底300B之间。密封剂可以布置在参照图1A或图1B描述的非显示区域NDA中。布置在非显示区域NDA中的密封剂可以在围绕显示区域DA的同时防止湿气通过显示区域DA的横向表面渗透。
输入感测层400可以获得与外部输入(例如，诸如手指或手写笔的物体的触摸事件)对应的坐标信息。输入感测层400可以包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入感测层400可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层400可以布置在封装构件上。可选地，输入感测层400可以单独地形成、然后通过诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层结合到封装构件。根据一些示例实施例，如图2A至图2C中所示，输入感测层400可以直接地形成在薄膜封装层300A或封装基底300B上。在这种情况下，粘合层可以不布置在输入感测层400与薄膜封装层300A或输入感测层400与封装基底300B之间。
光学功能层500可以改善光效率。例如，光学功能层500可以改善从有机发光二极管OLED发射的光的前向光效率和/或横向可见性，并且最小化或防止通过透射区域TA而被引导到组件20的光的衍射。
反射防止层600可以降低从外部朝向显示装置10入射的光(外部光)的反射率。
根据一些示例实施例，反射防止层600可以包括光学板，该光学板包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸合成树脂膜，液晶型偏振器可以包括以一定结构或布置(例如，设定或预定布置)排列的液晶。
根据一些示例实施例，如图2C中所示，反射防止层600可以包括滤光板，该滤光板包括黑矩阵和滤色器。滤光板可以包括各自针对每个像素布置的滤色器、黑矩阵和外涂层。
根据一些示例实施例，反射防止层600可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉，并且因此可以降低外部光的反射率。
窗700可以布置在反射防止层600上，并且通过使用诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层结合到反射防止层600。尽管在图2A至图2C中示出了窗700布置在反射防止层600上，但是根据一些示例实施例，反射防止层600和光学功能层500的位置可以彼此交换。在这种情况下，窗700可以通过使用诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层结合到光学功能层500。根据一些示例实施例，可以省略在窗700与窗700下的层(例如，反射防止层600或光学功能层500)之间的光学透明粘合剂OCA。
一个组件20或者多个组件20可以布置在第二显示区域DA2中。在电子设备1包括多个组件20的情况下，电子设备1可以包括与组件20的数量对应的数量的第二显示区域DA2。例如，电子设备1可以包括彼此分开的多个第二显示区域DA2。根据一些示例实施例，多个组件20可以布置在一个第二显示区域DA2中。例如，电子设备1可以包括参照图1B描述的条型第二显示区域DA2。多个组件20可以在第二显示区域DA2的纵长方向(例如，图1A的x方向)上彼此分开。
尽管在图2A至图2C中示出了显示装置10包括作为显示元件的有机发光二极管OLED，但是根据本公开的实施例的显示装置10不限于此。根据一些示例实施例，显示装置10可以包括包含无机材料的无机发光显示器或量子点发光显示器，无机材料包括微型发光二极管。例如，显示装置10的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
图3A和图3B是根据一些示例实施例的显示装置10的平面图。
参照图3A和图3B，显示装置10可以包括布置在基底100上的多个像素的阵列。所述多个像素可以包括布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2。
显示区域DA包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1的面积可以与第二显示区域DA2的面积不同。第一显示区域DA1的面积可以比第二显示区域DA2的面积大。
第一像素P1可以二维地布置在第一显示区域DA1中，第二像素P2可以二维地布置在第二显示区域DA2中。透射区域TA布置在第二显示区域DA2中。透射区域TA可以布置在彼此相邻的第二像素P2之间。
非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。扫描驱动器、数据驱动器等可以布置在非显示区域NDA中。垫230可以布置在非显示区域NDA中。垫230可以与基底100的边缘中的一个相邻。垫230可以因没有被绝缘层覆盖而暴露，并且电连接到柔性印刷电路板FPCB。柔性印刷电路板FPCB可以将控制器电连接到垫230并且供应从控制器传送的信号或电力。根据一些示例实施例，数据驱动器可以布置在柔性印刷电路板FPCB上。为了将柔性印刷电路板FPCB的信号或电压传送到第一像素P1或第二像素P2，垫230可以连接到多条布线。
根据一些示例实施例，代替柔性印刷电路板FPCB，集成电路可以布置在垫230上。集成电路可以包括例如数据驱动器，并且可以通过包括导电球的各向异性导电膜而电连接到垫230。
第一像素P1和第二像素P2中的每个可以通过使用有机发光二极管OLED(见图2A至图2C)发射具有颜色(例如，设定或预定颜色)的光。每个有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光或蓝光。每个有机发光二极管OLED可以连接到包括晶体管和电容器的像素电路。
图4是根据一些示例实施例的连接到显示装置10的有机发光二极管OLED的电路的等效电路图。
参照图4，有机发光二极管OLED电连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管，可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的开关电压(或开关信号Sn)而将从数据线DL输入的数据电压(或数据信号Dm)传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管，可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流而发射具有亮度(例如，设定或预定亮度)的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管在图4中示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施例不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而不同地改变。例如，像素电路PC可以包括三个、四个、五个或更多个薄膜晶体管。
图5是根据一些示例实施例的显示装置10的第一显示区域DA1的一部分的平面图。
参照图5，第一像素P1布置在第一显示区域DA1中。第一像素P1可以包括红色第一像素P1r、绿色第一像素P1g和蓝色第一像素P1b。根据一些示例实施例，如图5中所示，红色第一像素P1r、绿色第一像素P1g和蓝色第一像素P1b可以以pentile(或称为“五瓦片”)型构造布置。根据一些示例实施例，红色第一像素P1r、绿色第一像素P1g和蓝色第一像素P1b可以以条带型构造布置。
红色第一像素P1r、绿色第一像素P1g和蓝色第一像素P1b可以分别具有不同的尺寸(或宽度)。例如，蓝色第一像素P1b可以比红色第一像素P1r和绿色第一像素P1g大。红色第一像素P1r可以比绿色第一像素P1g大。根据一些示例实施例，绿色第一像素P1g可以具有矩形形状，并且相邻的绿色第一像素P1g可以在不同的方向上延伸。
图6A至图6C是根据一些示例实施例的显示装置10的第二显示区域DA2的一部分的平面图。
参照图6A至图6C，第二像素P2布置在第二显示区域DA2中。第二像素P2可以包括红色第二像素P2r、绿色第二像素P2g和蓝色第二像素P2b。根据一些示例实施例，红色第二像素P2r、绿色第二像素P2g和蓝色第二像素P2b可以以pentile型构造布置。根据一些示例实施例，红色第二像素P2r、绿色第二像素P2g和蓝色第二像素P2b可以以条带型构造布置。
透射区域TA可以布置成与第二像素P2相邻。例如，透射区域TA可以布置在第二像素P2之间。透射区域TA可以如图6A和图6B中所示在与x方向和y方向倾斜的方向上布置，或者如图6C中所示布置成彼此相邻。
底部金属层BML可以布置在第二显示区域DA2中，并且可以包括与透射区域TA对应的通孔BML-TH。根据一些示例实施例，通孔BML-TH可以在平面图中具有如图6A中示出的近似四边形形状，具有如图6B中示出的近似圆形形状，或者具有椭圆形形状。根据一些示例实施例，通孔BML-TH可以具有如图6C中示出的十字形形状。通孔BML-TH可以具有各种形状。
图7是根据一些示例实施例的显示装置10的显示面板的一部分的剖视图。图7是显示装置10的显示面板的剖视图。显示面板可以包括基底100、显示层200和封装构件。根据一些示例实施例，图7示出了作为封装构件的薄膜封装层300A。
参照图7，基底100可以具有多层结构。基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。聚合物树脂可以是透明的。
第一无机层102和第二无机层104中的每个包括防止外部异物渗透的阻挡层，并且可以包括包含诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机材料的单层或多层。
缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透，并且在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
底部金属层BML可以布置在基底100与缓冲层111之间。底部金属层BML可以包括与透射区域TA对应的通孔BML-TH。底部金属层BML可以包括具有导电性的金属，诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
底部金属层BML可以电连接到导线CL。导线CL可以电连接到下面描述的薄膜晶体管TFT的栅电极G1、源电极S1或漏电极D1，或者电连接到存储电容器Cst的电容器板CE1和CE2中的一个。可选地，导线CL可以电连接到驱动电压线PL(见图4)。通过导线CL，底部金属层BML可以电连接到薄膜晶体管TFT的栅电极G1、源电极S1或漏电极D1，电连接到存储电容器Cst的电容器板CE1和CE2中的一个，或者电连接到驱动电压线PL。连接到导线CL的底部金属层BML可以保护薄膜晶体管TFT免受静电放电或者改善薄膜晶体管TFT的性能。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，栅电极G1与半导体层A1的沟道区叠置，源电极S1和漏电极D1分别连接到半导体层A1的源区和漏区。栅极绝缘层112可以布置在半导体层A1与栅电极G1之间。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以布置在栅电极G1与源电极S1之间或栅电极G1与漏电极D1之间。
存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的第一电容器板CE1和第二电容器板CE2。根据一些示例实施例，薄膜晶体管TFT的栅电极G1可以包括存储电容器Cst的第一电容器板CE1。第一层间绝缘层113可以布置在第一电容器板CE1与第二电容器板CE2之间。
半导体层A1可以包括多晶硅。根据一些示例实施例，半导体层A1可以包括非晶硅。根据一些示例实施例，半导体层A1可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层A1可以包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区掺杂有杂质。
栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
栅电极G1或第一电容器板CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
第二电容器板CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
第二层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
源电极S1或漏电极D1包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。例如，源电极S1或漏电极D1可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
平坦化绝缘层117可以包括与其下的至少一个无机绝缘层IOL(例如，栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115)的材料不同的材料。平坦化绝缘层117可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
像素电极221可以布置在平坦化绝缘层117上。像素电极221可以通过形成在平坦化绝缘层117中的接触孔而电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极221可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。像素电极221可以包括包含上述材料的反射层以及在反射层上和/或在反射层下的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据一些示例实施例，像素电极221可以具有顺序地堆叠的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
像素限定层119可以覆盖像素电极221的边缘并且包括使像素电极221的中心暴露的通孔119TH。像素限定层119可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。像素限定层119的通孔119TH可以限定发射区域EA。可以通过发射区域EA发射红光、绿光或蓝光。发射区域EA的面积或宽度可以限定像素的面积或宽度。
间隔件121可以形成在像素限定层119上。间隔件121可以防止在间隔件121下的层在形成下面描述的中间层222的工艺期间被掩模损坏。间隔件121可以包括与像素限定层119的材料相同的材料。
中间层222可以包括与像素电极221叠置的发射层222b。发射层222b可以包括有机材料。发射层222b可以包括发射具有颜色(例如，设定或预定颜色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。发射层222b可以通过使用如上所述的掩模的沉积工艺形成。
第一功能层222a和第二功能层222c可以分别布置在发射层222b下和/或在发射层222b上。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，在第一功能层222a包括聚合物材料的情况下，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层222a包括低分子量材料的情况下，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
可以省略第二功能层222c。例如，在第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料的情况下，根据一些示例实施例，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以形成为一体以完全覆盖显示区域DA。如图7中所示，第一功能层222a和第二功能层222c可以遍及显示区域DA而形成为一体。
对电极223可以包括具有相对小的逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。可选地，对电极223还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。根据一些示例实施例，对电极223可以包括银(Ag)和镁(Mg)。对电极223可以包括位于透射区域TA中的第四孔223H，并且遍及显示区域DA形成为一体。
顺序堆叠的像素电极221、中间层222和对电极223的堆叠结构可以构成发光二极管，例如，有机发光二极管OLED。显示层200可以被薄膜封装层300A覆盖，显示层200包括绝缘层和有机发光二极管OLED。
薄膜封装层300A可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积而形成。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。有机封装层320可以通过使单体硬化或涂覆聚合物来形成。
因为第二显示区域DA2包括透射区域TA，所以在图7中示出了两个像素电路PC和两个有机发光二极管OLED彼此相邻，且透射区域TA在其间。
在基底100上的绝缘层(例如，无机绝缘层IOL、平坦化绝缘层117和像素限定层119中的至少一个)可以包括与透射区域TA对应的孔。至少一个无机绝缘层IOL可以包括栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115中的至少一个。
至少一个无机绝缘层IOL的第一孔IOL-H、平坦化绝缘层117的第二孔117H和像素限定层119的第三孔119H可以在透射区域TA中彼此叠置。对电极223可以包括位于透射区域TA中的第四孔223H。第四孔223H可以与第一孔IOL-H、第二孔117H和第三孔119H叠置。第一孔IOL-H可以具有穿过栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115的堆叠体的通孔的形状，或者具有通过在堆叠体的厚度方向上去除堆叠体的一部分而形成的盲孔的形状。第二孔117H、第三孔119H和第四孔223H各自可以具有通孔的形状。
一些绝缘层(例如，缓冲层111和第二无机层104)可以不包括位于透射区域TA中的孔。例如，如图7中所示，缓冲层111和第二无机层104可以覆盖透射区域TA。根据一些示例实施例，缓冲层111和/或第二无机层104可以包括位于透射区域TA中的孔。
第一孔IOL-H、第二孔117H、第三孔119H和第四孔223H的尺寸或宽度可以彼此不同。尽管在图7中示出了第一孔IOL-H的宽度与底部金属层BML的通孔BML-TH的宽度基本上相同，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例，第一孔IOL-H的宽度可以比底部金属层BML的通孔BML-TH的宽度大，或者比底部金属层BML的通孔BML-TH的宽度小。
尽管在图7中示出了薄膜封装层300A布置在有机发光二极管OLED上，但是根据一些示例实施例，封装基底300B(见图2C)可以布置在有机发光二极管OLED上。图7描述了第二显示区域DA2的剖面结构，有机发光二极管OLED和像素电路PC可以针对第一显示区域DA1的每个第一像素P1布置，像素电路PC连接到有机发光二极管OLED。相关结构可以与参照图7描述的有机发光二极管OLED和像素电路PC的结构相同。
图8A和图8B是根据一些示例实施例的显示装置10的剖视图。图8A和图8B示出了显示装置10的在第二显示区域DA2中的剖面结构。
参照图8A和图8B，基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构与上面参照图7描述的基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构相同。在下文中，描述在薄膜封装层300A上的结构。
输入感测层400可以包括第一导电层MTL1和第二导电层MTL2，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2各自包括感测电极和/或迹线等。有机绝缘层410可以布置在薄膜封装层300A与第一导电层MTL1之间。第二绝缘层420可以布置在第一导电层MTL1与第二导电层MTL2之间。
第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以包括导电材料。导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)，并且包括包含上述材料的单层或多层。根据一些示例实施例，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以具有其中顺序地堆叠有钛层、铝层和钛层的Ti/Al/Ti的结构。
有机绝缘层410和第二绝缘层420可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机绝缘材料可以包括丙烯酸类有机材料和酰亚胺类有机材料。
光学功能层500可以包括第一层510和在第一层510上的第二层520。第一层510可以包括具有第一折射率的绝缘材料，第二层520可以包括具有比第一折射率大的第二折射率的绝缘材料。
第一层510的第一折射率可以在例如约1.3至约1.6的范围内。根据一些示例实施例，第一层510的第一折射率可以在例如约1.4至约1.55的范围内。例如，第一层510可以包括具有约1.5的折射率的丙烯酰类有机材料。第一层510可以包括丙烯酸(乙基)己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯。
第一层510可以包括第一开口510OP1和第二开口510OP2。第一开口510OP1与透射区域TA叠置，第二开口510OP2与发射区域EA叠置。根据一些示例实施例，如图6A至图6B中所述，显示装置10可以包括多个透射区域TA，并且第一开口510OP1各自与对应的透射区域TA叠置。第一层510可以包括各自与对应的发射区域EA(或像素)叠置的多个第二开口510OP2。倾斜部510P可以布置在第一开口510OP1和第二开口510OP2中的每个附近。倾斜部510P可以包括第一层510的材料，并且具有比第一开口510OP1和第二开口510OP2相对进一步向上突出的形状。倾斜部510P的横向表面可以包括向前渐缩的倾斜表面。例如，倾斜部510P的横向表面可以包括相对于其下的层(例如，输入感测层400的顶表面或薄膜封装层300A的顶表面)具有锐角的渐缩倾斜表面。
第一层510可以包括使输入感测层400的导电层(例如，第二导电层MTL2)钝化的保护层。例如，倾斜部510P可以与第二导电层MTL2叠置并且覆盖第二导电层MTL2。
第一层510的第一开口510OP1和第二开口510OP2可以具有如图8A中示出的通孔的形状，或者具有如图8B中示出的盲孔的形状。在本说明书中，第一层510的开口表示第一层510的在第一层510的厚度方向上去除第一层510的一部分的同时形成的凹部。第一层510的开口可以具有在第一层510的厚度方向上完全去除第一层510的一部分的同时形成的通孔的形状，或者具有在第一层510的厚度方向上部分地去除第一层510的一部分的同时形成的盲孔的形状。根据一些示例实施例，第一开口510OP1和第二开口510OP2可以在第一层510的一部分在第一层510的厚度方向上被完全去除(见图8A)的同时具有通孔的形状，该通孔的深度与第一层510的厚度基本上相同。根据一些示例实施例，第一开口510OP1和第二开口510OP2可以在第一层510的一部分在第一层510的厚度方向上被部分地去除(见图8B)的同时具有盲孔的形状，该盲孔的深度比第一层510的厚度小。
第二层520可以包括具有第二折射率的平坦化层。第二层520的第二折射率可以在约1.65至约1.85的范围内。第二层520可以包括丙烯酰类有机材料和硅氧烷类有机材料中的至少一种。根据一些示例实施例，第二层520可以包括聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷。
第二层520可以直接形成在第一层510上。因此，第二层520可以直接接触第一层510。第二层520的一些部分可以分别存在于第一开口510OP1和第二开口510OP2中，并且接触其下的层，例如，输入感测层400。
因为第一层510的倾斜部510P布置在透射区域TA附近，所以从外部朝向基底100(例如，组件20(见图7))行进的光可以沿着路径”A”行进。作为对比示例，在第一层510不包括第一开口510OP1的情况下，从外部沿与基底100垂直的方向(例如，-z方向)朝向组件20行进的光可以在限定底部金属层BML的通孔BML-TH的边缘附近衍射。衍射光可以入射到组件20。因为衍射光包括一种噪声，所以组件20会具有失真的信息。根据一些示例实施例，在组件20包括包含图像传感器的相机的情况下，由相机捕获的图像可以与实际的图像不同。
然而，根据一些示例实施例，因为光学功能层500具有上述结构，所以从外部朝向基底100行进的光沿着路径”A”行进，并且因此可以防止或最小化底部金属层BML本身的衍射。
第一层510的倾斜部510P可以布置在发射区域EA附近。从有机发光二极管OLED发射的光可以沿着路径”B”行进。因此，可以改善显示装置10的光效率，例如，前向光效率和/或横向光效率。
反射防止层600可以布置在光学功能层500上。根据一些示例实施例，反射防止层600可以包括包含延迟器和/或偏振器的光学板。可选地，可以提供具有如参照图2A描述的各种实施例形式的反射防止结构。窗700可以布置在反射防止层600上。如上所述，诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层可以布置在窗700与反射防止层600之间。
图9A至图9E是根据一些示例实施例的显示装置10中的光学功能层500的第一层510的在透射区域TA周围的倾斜部510P和底部金属层BML的平面图。
参照图9A和图9B，透射区域TA可以被光学功能层500的第一层510的倾斜部510P完全围绕。倾斜部510P的内表面包括第一开口510OP1位于其中的区域。第一开口510OP1可以完全被倾斜部510P围绕。
第一开口510OP1可以与底部金属层BML的通孔BML-TH叠置。根据一些示例实施例，如图9A中所示，第一开口510OP1的尺寸或宽度可以比底部金属层BML的通孔BML-TH的尺寸或宽度大。根据一些示例实施例，如图9B中所示，第一开口510OP1的尺寸或宽度可以比底部金属层BML的通孔BML-TH的尺寸或宽度小。在这种情况下，在平面图中，第一层510的倾斜部510P可以与底部金属层BML的通孔BML-TH的边缘部分地叠置。
尽管在图9A和图9B中示出了透射区域TA完全被倾斜部510P围绕，但是如图9C至图9E中所示，在平面图中，倾斜部510P可以包括沿着透射区域TA的外围彼此分开的多个子部510Ps。
倾斜部510P可以包括沿着透射区域TA的边缘彼此分开的多个子部510Ps。每个子部510Ps可以具有如图9C中示出的圆形形状、如图9D中示出的四边形形状或如图9E中示出的具有凹部或凸部的形状。根据一些示例实施例，如图9D中所示，相邻的子部510Ps可以在不同方向上延伸或倾斜。在倾斜部510P在各种方向上倾斜和/或具有不规则形状的情况下，可以更有效地防止从外部朝向组件20(见图7)行进的光在底部金属层BML的通孔BML-TH附近衍射。
尽管在图9C至图9E中示出了子部510Ps与通孔BML-TH的边缘和限定通孔BML-TH的底部金属层BML叠置，但是根据一些示例实施例，如图9A中所示，子部510Ps可以仅与底部金属层BML的金属部分叠置，并且可以不与通孔BML-TH叠置。例如，子部510Ps可以在底部金属层BML的通孔BML-TH的外侧处沿着通孔BML-TH的边缘布置。
图10是根据一些示例实施例的显示装置10的一部分的剖视图。图10示出显示装置10中的第二显示区域DA2的剖面结构。
参照图10，基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构与上面参照图7描述的基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构相同。光学功能层500的结构可以包括上面参照图8A描述的所有特性。
光学功能层500的第一层510可以包括第一开口510OP1和第二开口510OP2，第一开口510OP1位于透射区域TA中，第二开口510OP2位于发射区域EA中。倾斜部510P可以布置在第一开口510OP1和第二开口510OP2周围。另外，第一层510还可以在第一开口510OP1内部包括附加倾斜部510P2。在下文中，为了便于描述，倾斜部510P被称为第一倾斜部，附加倾斜部510P2被称为第二倾斜部。
第二倾斜部510P2包括与第一倾斜部510P的材料相同的材料，并且可以在与形成第一倾斜部510P的工艺相同的工艺期间形成。第二倾斜部510P2可以与第一倾斜部510P分开。根据一些示例实施例，第二倾斜部510P2的第一宽度W1可以比底部金属层BML的通孔BML-TH的第二宽度W2小。底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘可以与第一开口510OP1叠置。例如，第一开口510OP1的一部分可以位于穿过底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘的虚拟垂直线VL上。换句话说，在平面图(当沿与基底100垂直的方向观察时)中，底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘可以位于第一倾斜部510P与第二倾斜部510P2之间。
光学功能层500的第二层520可以完全覆盖第一倾斜部510P和第二倾斜部510P2。在第一开口510OP1和第二开口510OP2中可以存在第二层520的一部分。
第一层510的第一倾斜部510P的结构可以具有与上面参照图9A至图9E描述的第一层510的第一倾斜部510P的结构的特性相同的特性。尽管在图10中示出了第一开口510OP1和第二开口510OP2具有通孔的形状，但是根据一些示例实施例，第一开口510OP1和第二开口510OP2可以具有盲孔的形状。尽管图10示出了作为封装构件的薄膜封装层300A，但是根据一些示例实施例，封装构件可以包括封装基底300B(见图2C)。
图11是根据一些示例实施例的显示装置10的一部分的剖视图。图11示出了显示装置10中的第二显示区域DA2的剖面结构。
参照图11，基底100、显示层200、薄膜封装层300A和输入感测层400的结构与上面参照图7或图8A描述的基底100、显示层200、薄膜封装层300A和输入感测层400的结构相同。根据一些示例实施例，如图11中所示，光学功能层500可以布置在反射防止层600'上。
反射防止层600'可以包括黑矩阵(或光阻挡层)610和滤色器620。滤色器620可以布置在有机发光二极管OLED的发射区域EA中。根据从有机发光二极管OLED发射的光的颜色，滤色器620可以包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。
黑矩阵610可以位于非发射区域中并且可以围绕发射区域EA。黑矩阵610可以包括位于透射区域TA中的通孔610TH。根据一些示例实施例，黑矩阵610可以使输入感测层400的触摸电极钝化。例如，如图11中所示，输入感测层400的包括触摸电极的第二导电层MTL2可以与黑矩阵610叠置并且被黑矩阵610覆盖。黑矩阵610可以包括绝缘材料(例如，有机绝缘材料)，该绝缘材料包括具有黑色的颜料或染料。
光学功能层500可以包括第一层510和第二层520，第一层510具有第一折射率，第二层520具有第二折射率。第二折射率可以比第一折射率大。
第一层510的第一折射率可以在例如约1.3至约1.6的范围内。根据一些示例实施例，第一层510的第一折射率可以在例如约1.4至约1.55的范围内。例如，第一层510可以包括具有约1.5的折射率的丙烯酰类有机材料。第一层510可以包括丙烯酸(乙基)己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯。
第一层510可以包括第一开口510OP1和第二开口510OP2，第一开口510OP1与透射区域TA叠置，第二开口510OP2与发射区域EA叠置。倾斜部510P可以布置在第一开口510OP1和第二开口510OP2中的每个附近，倾斜部510P包括第一层510的材料。根据一些示例实施例，倾斜部510P的横向表面可以包括向前渐缩的倾斜表面。例如，倾斜部510P的横向表面可以包括相对于其下的层的顶表面(例如，反射防止层600'的顶表面、输入感测层400的顶表面或薄膜封装层300A的顶表面)具有锐角的倾斜表面。
倾斜部510P可以与输入感测层400的导电层(例如，第二导电层MTL2)叠置。倾斜部510P可以在第二导电层MTL2上与黑矩阵610叠置。
第一层510的第一开口510OP1和第二开口510OP2可以具有如图11中示出的盲孔的形状。第一层510的一部分可以存在于黑矩阵610的通孔610TH中。
第二层520可以包括具有第二折射率的平坦化层。第二层520的第二折射率可以在约1.65至约1.85的范围内。第二层520可以包括丙烯酰类有机材料和硅氧烷类有机材料中的至少一种。根据一些示例实施例，第二层520可以包括聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷。
第二层520可以直接形成在第一层510上。因此，第二层520可以直接接触第一层510。第二层520的一些部分可以分别存在于第一开口510OP1和第二开口510OP2中。
窗700可以布置在光学功能层500上。诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层可以布置在其间。
尽管在图11中描述了第一层510的第一开口510OP1和第二开口510OP2具有盲孔的形状，但是根据一些示例实施例，第一开口510OP1和第二开口510OP2可以具有通孔的形状。在这种情况下，第二层520的一部分可以存在于黑矩阵610的通孔610TH中。第一层510的倾斜部510P可以具有如参照图9A至图9E描述的在平面图中的各种形状。尽管图11示出了作为封装构件的薄膜封装层300A，但是根据一些示例实施例，封装构件可以包括封装基底300B(见图2C)。
图12是根据一些示例实施例的显示装置10的一部分的剖视图。
参照图12，基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构与上面参照图7或图8A描述的基底100、显示层200和薄膜封装层300A的结构相同。光学功能层500和反射防止层600'的结构可以包括上面参照图11描述的所有特性。
光学功能层500的第一层510可以包括第一开口510OP1和第二开口510OP2，第一开口510OP1位于透射区域TA中，第二开口510OP2位于发射区域EA中。倾斜部510P(第一倾斜部)可以布置在第一开口510OP1和第二开口510OP2周围。另外，第一层510还可以在第一开口510OP1内部包括附加倾斜部510P2(第二倾斜部)。
第二倾斜部510P2包括与第一倾斜部510P的材料相同的材料，并且可以在与形成第一倾斜部510P的工艺相同的工艺期间形成。第二倾斜部510P2可以与第一倾斜部510P分开。根据一些示例实施例，第二倾斜部510P2的第一宽度W1可以比底部金属层BML的通孔BML-TH的第二宽度W2小。底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘可以与第一开口510OP1叠置。例如，如图10中所述，第一开口510OP1的一部分可以位于穿过底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘的虚拟垂直线VL(图10)上。换句话说，在平面图(当沿与基底100垂直的方向观察时)中，底部金属层BML的限定通孔BML-TH的边缘可以位于第一倾斜部510P与第二斜倾斜部510P2之间。
第二层520可以完全覆盖第一倾斜部510P和第二倾斜部510P2。第二层520的一部分可以存在于第一开口510OP1和第二开口510OP2中。
第一层510的第一倾斜部510P可以具有与上面参照图9A至图9E描述的特性相同的特性。尽管在图12中示出了第一开口510OP1和第二开口510OP2具有盲孔的形状，但是根据一些示例实施例，第一开口510OP1和第二开口510OP2可以具有通孔的形状。尽管图12示出了作为封装构件的薄膜封装层300A，但是根据一些示例实施例，封装构件可以包括封装基底300B(见图2C)。
实施例可以提供一种显示装置，该显示装置可以显示高质量的图像并且防止由组件接收的光的衍射。该效果被提供作为示例，并且根据本公开的实施例的范围不受该效果限制。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性的含义考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求和它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
两个像素电路，彼此间隔开地位于所述基底上，且透射区域位于所述两个像素电路之间，所述两个像素电路中的每个包括晶体管和存储电容器；
两个显示元件，分别电结合到所述两个像素电路；
底部金属层，位于所述基底与所述两个像素电路之间，并且包括与所述透射区域对应的通孔；
封装构件，位于所述两个显示元件上；以及
光学功能层，位于所述封装构件上，
其中，所述光学功能层包括：
第一层，包括第一开口、第二开口和第一倾斜部，所述第一开口与所述透射区域对应，所述第二开口与所述两个显示元件中的每个对应，并且所述第一倾斜部位于所述透射区域周围；以及
第二层，位于所述第一层上，并且具有比所述第一层的折射率大的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部在平面图中完全围绕所述透射区域。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部包括彼此分开的多个子部。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部的横向表面包括向前渐缩的倾斜表面。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一层还在所述第一开口内部包括第二倾斜部。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一倾斜部与所述第二倾斜部分开。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在平面图中，所述底部金属层的限定所述通孔的边缘位于所述第一倾斜部与所述第二倾斜部之间。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的显示装置，其中，所述第二倾斜部的第一宽度比所述底部金属层的所述通孔的第二宽度小。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括输入感测层，所述输入感测层位于所述封装构件与所述光学功能层之间，所述输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一层的所述第一倾斜部与所述输入感测层的所述至少一个导电层叠置。
11.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括反射防止层，所述反射防止层位于所述输入感测层上，并且包括黑矩阵和滤色器。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述光学功能层的所述第一层的所述第一倾斜部与所述黑矩阵叠置。
13.根据权利要求11和12中的任一项所述的显示装置，其中，所述黑矩阵包括与所述透射区域对应的通孔，并且所述第一层的一部分位于所述黑矩阵的所述通孔中。
14.一种电子设备，所述电子设备包括：
显示装置，包括多个像素的阵列，所述多个像素包括彼此间隔开的两个像素，且透射区域位于所述两个像素之间；以及
组件，至少与所述透射区域叠置，
其中，所述显示装置包括：
显示层，包括所述多个像素；
底部金属层，包括与所述透射区域对应的通孔；
封装构件，位于所述显示层上；以及
光学功能层，位于所述封装构件上，
其中，所述光学功能层包括：
第一层，包括第一开口、第二开口和第一倾斜部，所述第一开口与所述透射区域对应，所述第二开口与所述多个像素中的每个对应，并且所述第一倾斜部位于所述透射区域周围；以及
第二层，位于所述第一层上，并且具有比所述第一层的折射率大的折射率。
15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述第一倾斜部的横向表面包括相对于位于所述第一层下的下层的顶表面向前渐缩的倾斜表面。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其中，所述下层包括输入感测层，所述输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述第一倾斜部与所述输入感测层的所述至少一个导电层叠置。
18.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述下层还包括反射防止层，所述反射防止层位于所述输入感测层上，并且包括黑矩阵和滤色器。
19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述光学功能层的所述第一层的所述第一倾斜部与所述黑矩阵叠置。
20.根据权利要求18和19中的任一项所述的电子设备，其中，所述黑矩阵包括与所述透射区域对应的通孔，并且所述第一层的一部分位于所述黑矩阵的所述通孔中。
21.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述第一层还在所述第一开口内部包括第二倾斜部。
22.根据权利要求21所述的电子设备，其中，所述第一倾斜部与所述第二倾斜部分开。
23.根据权利要求22所述的电子设备，其中，在平面图中，所述底部金属层的限定所述通孔的边缘位于所述第一倾斜部与所述第二倾斜部之间。
24.根据权利要求21至23中的任一项所述的电子设备，其中，所述第二倾斜部的第一宽度比所述底部金属层的所述通孔的第二宽度小。
25.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述组件包括传感器或相机。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111312792B (zh) * 2020-03-04 2022-11-25 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112366208B (zh) * 2020-11-09 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20220072107A (ko) * 2020-11-24 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20230096570A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115241265A (zh) * 2022-08-11 2022-10-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072450A (en) 1996-11-28 2000-06-06 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
JP3815461B2 (ja) * 2002-11-22 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及び電子機器
US7535646B2 (en) 2006-11-17 2009-05-19 Eastman Kodak Company Light emitting device with microlens array
JP2009110873A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Toppan Printing Co Ltd 表示装置
JP2010080224A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Sony Corp 光学部品の製造方法および光学部品、並びに表示装置の製造方法および表示装置
JP2010096882A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Sony Corp 反射板、発光装置およびその製造方法
CN102293052B (zh) 2010-03-31 2015-04-15 松下电器产业株式会社 显示面板装置以及显示面板装置的制造方法
JP2012109214A (ja) 2010-10-27 2012-06-07 Canon Inc 表示装置
KR102031654B1 (ko) * 2012-05-23 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 구조물, 그 제조 방법, 윈도우 구조물을 포함하는 카메라가 탑재된 전자 장치 및 그 제조 방법
KR102048924B1 (ko) 2013-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102150011B1 (ko) 2013-06-10 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015069700A (ja) 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104361832B (zh) * 2014-11-18 2016-11-30 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制造方法
KR20170029037A (ko) 2015-09-04 2017-03-15 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102418520B1 (ko) 2015-09-04 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN208507679U (zh) 2018-06-29 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板
US10707281B2 (en) * 2018-08-10 2020-07-07 Au Optronics Corporation Display apparatus
KR20200050059A (ko) 2018-10-31 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109950296B (zh) 2019-04-10 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113745431A (zh) * 2021-09-03 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113745431B (zh) * 2021-09-03 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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